JP2756300B2 - 銀めっき法 - Google Patents
銀めっき法Info
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- JP2756300B2 JP2756300B2 JP1089686A JP8968689A JP2756300B2 JP 2756300 B2 JP2756300 B2 JP 2756300B2 JP 1089686 A JP1089686 A JP 1089686A JP 8968689 A JP8968689 A JP 8968689A JP 2756300 B2 JP2756300 B2 JP 2756300B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- bath
- current density
- gam
- unit
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ IC用リードフレーム等のめっき方法に関する。
［従来の技術］ 一般に、IC用リードフレームはIC素子をダイボンデイ
ングによって取り付けるアイランド部と導通線の役目を
するリード線とからなり、その使用に際してはボンデイ
ングを確実にするためにリード部のみ、あるいはリード
部とアイランド部とにAg等のめっきを施している。Agめ
っきには、得られるめっき層の結晶が緻密で、めっき表
面が硬い光沢めっきと、めっき層の結晶が粗く、めっき
表面が軟らかい無光沢めっきとが有り、例えば、硬質の
ボンディングワイヤーを使用する際にはめっき表面の硬
い光沢Agめっきが要求され、ボンダーのリード位置の検
出を容易にするために無光沢めっきが要求される等、そ
れぞれの特質に応じて使用されている。
ングによって取り付けるアイランド部と導通線の役目を
するリード線とからなり、その使用に際してはボンデイ
ングを確実にするためにリード部のみ、あるいはリード
部とアイランド部とにAg等のめっきを施している。Agめ
っきには、得られるめっき層の結晶が緻密で、めっき表
面が硬い光沢めっきと、めっき層の結晶が粗く、めっき
表面が軟らかい無光沢めっきとが有り、例えば、硬質の
ボンディングワイヤーを使用する際にはめっき表面の硬
い光沢Agめっきが要求され、ボンダーのリード位置の検
出を容易にするために無光沢めっきが要求される等、そ
れぞれの特質に応じて使用されている。
ところで、Agめっき面の光沢度はGAMユニットで表す
のが一般的であり、無光沢メッキと称されるもののGAM
ユニットの実測値は概略０〜0.5であり、半光沢めっき
と称されるもののそれは概略0.4〜1.0であり、光沢めっ
きと称されるもののそれは概略0.8以上である。そし
て、無光沢めっきはピロリン酸浴、硝酸浴等の中性Agめ
っき浴をもちいて比較的低い電流密度でめっきとするこ
とにより得られ、また半光沢めっきは無光沢めっき浴を
用いてヤケを起こさない程度に高目の電流密度でめっき
するか、無光沢めっき浴に少量の光沢剤を添加した浴を
用いることにより得られ、また光沢めっきは無光沢めっ
き浴に所定量の光沢剤を添加した浴を用いて相対的に高
い電流密度でめっきすることにより得られている。
のが一般的であり、無光沢メッキと称されるもののGAM
ユニットの実測値は概略０〜0.5であり、半光沢めっき
と称されるもののそれは概略0.4〜1.0であり、光沢めっ
きと称されるもののそれは概略0.8以上である。そし
て、無光沢めっきはピロリン酸浴、硝酸浴等の中性Agめ
っき浴をもちいて比較的低い電流密度でめっきとするこ
とにより得られ、また半光沢めっきは無光沢めっき浴を
用いてヤケを起こさない程度に高目の電流密度でめっき
するか、無光沢めっき浴に少量の光沢剤を添加した浴を
用いることにより得られ、また光沢めっきは無光沢めっ
き浴に所定量の光沢剤を添加した浴を用いて相対的に高
い電流密度でめっきすることにより得られている。
最近、リードフレームの少量多品種化に伴い、要求さ
れるめっきの種類も多様化し、これに伴い１台のめっき
装置で種々のめっきを可能とすることが要求されてきて
いる。
れるめっきの種類も多様化し、これに伴い１台のめっき
装置で種々のめっきを可能とすることが要求されてきて
いる。
しかしながら、従来の技術ではこの要求を満足させる
ことはできない。
ことはできない。
すなわち、無光沢めっきにおいては、電流密度を高く
すると得られるめっき面の光沢度は上昇するものの半光
沢めっきの領域を越えると局部的に異常析出が起こり、
ヤケを生じ、また光沢めっきにおいては、電流密度を所
定値より低くしたり高くしたりするとするとヤケを生じ
るのみであり、無光沢めっきは得られない。このため、
１台のめっき装置で種々のめっきを行なうためには、都
度浴槽を洗浄し、めっき液を入替えなければならず、稼
働率の低下は余儀ないものとなる。
すると得られるめっき面の光沢度は上昇するものの半光
沢めっきの領域を越えると局部的に異常析出が起こり、
ヤケを生じ、また光沢めっきにおいては、電流密度を所
定値より低くしたり高くしたりするとするとヤケを生じ
るのみであり、無光沢めっきは得られない。このため、
１台のめっき装置で種々のめっきを行なうためには、都
度浴槽を洗浄し、めっき液を入替えなければならず、稼
働率の低下は余儀ないものとなる。
本発明の目的はめっき浴を入替えることなく、単１つ
のめっき装置、単１のめっき液で無光沢めっきから光沢
めっきまでの任意のめっきを得ることを可能とする方法
の提供にある。
のめっき装置、単１のめっき液で無光沢めっきから光沢
めっきまでの任意のめっきを得ることを可能とする方法
の提供にある。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するための本発明の方法は中性高速光
沢Agめっき浴を用いてAgめっきを施す方法において、予
め求められた電流密度と浴温とに基づきめっきを行なう
ことにより無光沢、半光沢、光沢の任意のめっきを施す
ことを特徴とする銀めっき方法であり、めっき浴として
ピロリン酸塩を主成分とし、シアン化セレンカリウムを
光沢剤とする浴を用いる場合には、電流密度が40〜120A
/dm2、浴温が70℃以上となる範囲内で、電流密度と浴温
とを第１図に示されるＡ、Ｂ、Ｃの範囲の値を選択する
ことによりそれぞれ無光沢めっき、半光沢めっき、光沢
めっきのうちの所望のめっきを施すことを特徴とする銀
めっき方法であり、まためっき浴として硝酸塩を主成分
とし、シアン化セレンカリウムを選択剤とする浴を用い
る場合には、電流密度が40〜120A/dm2、浴温が75℃以上
となる範囲内で、電流密度と浴温とを第２図に示される
Ａ、Ｂ、Ｃの範囲の値を選択することによりそれぞれ無
光沢めっき、半光沢めっき、光沢めっきのうちの所望の
めっきを施すことを特徴とする銀めっき方法である。
沢Agめっき浴を用いてAgめっきを施す方法において、予
め求められた電流密度と浴温とに基づきめっきを行なう
ことにより無光沢、半光沢、光沢の任意のめっきを施す
ことを特徴とする銀めっき方法であり、めっき浴として
ピロリン酸塩を主成分とし、シアン化セレンカリウムを
光沢剤とする浴を用いる場合には、電流密度が40〜120A
/dm2、浴温が70℃以上となる範囲内で、電流密度と浴温
とを第１図に示されるＡ、Ｂ、Ｃの範囲の値を選択する
ことによりそれぞれ無光沢めっき、半光沢めっき、光沢
めっきのうちの所望のめっきを施すことを特徴とする銀
めっき方法であり、まためっき浴として硝酸塩を主成分
とし、シアン化セレンカリウムを選択剤とする浴を用い
る場合には、電流密度が40〜120A/dm2、浴温が75℃以上
となる範囲内で、電流密度と浴温とを第２図に示される
Ａ、Ｂ、Ｃの範囲の値を選択することによりそれぞれ無
光沢めっき、半光沢めっき、光沢めっきのうちの所望の
めっきを施すことを特徴とする銀めっき方法である。
［作用］ 本発明の方法によれば、単一のめっき浴を用いて光沢
めっきと無光沢めっきとを得ることができるが、これ
は、浴温度と電流密度とを選択することにより、Agめっ
きの低電流密度や高電流密度によるヤケを発生する領域
を縮小させうるからである。以下、本発明の方法を実施
例を用いて説明する。
めっきと無光沢めっきとを得ることができるが、これ
は、浴温度と電流密度とを選択することにより、Agめっ
きの低電流密度や高電流密度によるヤケを発生する領域
を縮小させうるからである。以下、本発明の方法を実施
例を用いて説明する。
（１）ピロリン酸浴を用いた実施例 銅合金性リードフレームをアルカリ電解洗浄した後、
水洗し、硫酸に浸せきして表面の活性化を行ない、次い
でCuストライクめっきを行なった。このリードフレーム
に、ピロリン酸カリウム、シアン化銀カリウムを主成分
とし、光沢剤としてシアン化セレンカリウムを添加した
Ag濃度60g/l、Se濃度10ppmの中性高速光沢Agめっき浴を
用い、厚さ5.5μｍ程度になるように電流密度に応じた
通電時間を設定して部分Agめっきを施した。得られため
っき面のGAMユニットをGAM社製Digital Densito Meter.
Model 144を用いて測定した。この結果を第１図に示
す。
水洗し、硫酸に浸せきして表面の活性化を行ない、次い
でCuストライクめっきを行なった。このリードフレーム
に、ピロリン酸カリウム、シアン化銀カリウムを主成分
とし、光沢剤としてシアン化セレンカリウムを添加した
Ag濃度60g/l、Se濃度10ppmの中性高速光沢Agめっき浴を
用い、厚さ5.5μｍ程度になるように電流密度に応じた
通電時間を設定して部分Agめっきを施した。得られため
っき面のGAMユニットをGAM社製Digital Densito Meter.
Model 144を用いて測定した。この結果を第１図に示
す。
第１図において、範囲Ａは無光沢めっき領域であり、
Ｂは半光沢めっき領域であり、Ｃは光沢めっき領域であ
る。よって、第１図に従い浴温と電流密度とを選択する
ことにより所望のめっき面を得ることができる。
Ｂは半光沢めっき領域であり、Ｃは光沢めっき領域であ
る。よって、第１図に従い浴温と電流密度とを選択する
ことにより所望のめっき面を得ることができる。
（２）硝酸酸浴を用いた実施例 銅合金性リードフレームをアルカリ電解洗浄した後、
水洗し、硫酸に浸せきして表面の活性化を行ない、次い
でCuストライクめっきを行なった。このリードフレーム
に、シアン化銀カリウム、硝酸カリウムを主成分とし、
光沢剤としてシアン化セレンカリウムを添加した。Ag濃
度65g/l、Se濃度7ppmの中性高速光沢Agめっき浴を用
い、厚さ5.5μｍ程度になるように電流密度に応じた通
電時間を設定して部分Agめっきを施した。得られためっ
き面のGAMユニットをGAM社製Digital Densito Meter.Mo
del 144を用いて測定した。この結果を第２図に示す。
水洗し、硫酸に浸せきして表面の活性化を行ない、次い
でCuストライクめっきを行なった。このリードフレーム
に、シアン化銀カリウム、硝酸カリウムを主成分とし、
光沢剤としてシアン化セレンカリウムを添加した。Ag濃
度65g/l、Se濃度7ppmの中性高速光沢Agめっき浴を用
い、厚さ5.5μｍ程度になるように電流密度に応じた通
電時間を設定して部分Agめっきを施した。得られためっ
き面のGAMユニットをGAM社製Digital Densito Meter.Mo
del 144を用いて測定した。この結果を第２図に示す。
第２図において、範囲Ａは無光沢めっき領域であり、
Ｂは半光沢めっき領域であり、Ｃは光沢めっき領域であ
る。よって、第２図に従い浴温と電流密度とを選択する
ことにより所望のめっき面を得ることができる。
Ｂは半光沢めっき領域であり、Ｃは光沢めっき領域であ
る。よって、第２図に従い浴温と電流密度とを選択する
ことにより所望のめっき面を得ることができる。
以上の実施例でわかるように選択すべき浴温と電流密
度とはめっき浴の組成により変動する。よって、本発明
の実施に際しては用いる浴組成について第１図や第２図
のような関係図を求めることが望ましい。
度とはめっき浴の組成により変動する。よって、本発明
の実施に際しては用いる浴組成について第１図や第２図
のような関係図を求めることが望ましい。
ところで、実操業にあっては、電流密度が40A/dm2未
満では生産性が低すぎて経済効果を失することとなり、
120A/dm2を越えると一般的な操業システムでは他工程が
律速となり、操業が繁雑となり、かつ経済効果も薄れる
こととなる。よって、最適電流密度は40〜120A/dm2とな
る。また、浴温は安全性よりできる限り低温が望ましい
が、無光沢めっき、半光沢めっき、光沢めっきの選択を
電流密度のみの変更で可能とするためにはピロリン酸浴
では少なくとも70℃以上が、硝酸浴では75℃以上が必要
とされる。
満では生産性が低すぎて経済効果を失することとなり、
120A/dm2を越えると一般的な操業システムでは他工程が
律速となり、操業が繁雑となり、かつ経済効果も薄れる
こととなる。よって、最適電流密度は40〜120A/dm2とな
る。また、浴温は安全性よりできる限り低温が望ましい
が、無光沢めっき、半光沢めっき、光沢めっきの選択を
電流密度のみの変更で可能とするためにはピロリン酸浴
では少なくとも70℃以上が、硝酸浴では75℃以上が必要
とされる。
なお、本発明の方法をAuめっき等の他のめっきに応用
することは可能である。
することは可能である。
［実施例］ 銅合金性リードフレームをアルカリ電解洗浄した後、
水洗し、硫酸に浸せきして表面の活性化を行ない、次い
でCuストライクめっきを行なった。このリードフレーム
に、ピロリン酸カリウム、シアン化銀カリウムを主成分
とし、光沢剤としてシアン化セレンカリウムを添加した
中性高速光沢Agめっき浴（日本エンゲルハンド社製Ｓ−
930）を用い、以下の条件に従って厚さ5.5μｍ程度にな
るように電流密度に応じた通電時間を設定して部分Agめ
っきを施した。得られためっき面のGAMユニットをGAM社
製Digital Densito Meter.Model 144を用いて測定し
た。得られた結果を第１表に示した。
水洗し、硫酸に浸せきして表面の活性化を行ない、次い
でCuストライクめっきを行なった。このリードフレーム
に、ピロリン酸カリウム、シアン化銀カリウムを主成分
とし、光沢剤としてシアン化セレンカリウムを添加した
中性高速光沢Agめっき浴（日本エンゲルハンド社製Ｓ−
930）を用い、以下の条件に従って厚さ5.5μｍ程度にな
るように電流密度に応じた通電時間を設定して部分Agめ
っきを施した。得られためっき面のGAMユニットをGAM社
製Digital Densito Meter.Model 144を用いて測定し
た。得られた結果を第１表に示した。
浴中のAg濃度 60g/l 浴中のSe濃度 10ppm 電流密度（DK） 40、75、120A/dm2 浴温度 85℃ ［発明の効果］ 本発明の方法によれば単一装置、単一浴を用いて無光
沢めっきから光沢めっきまで任意のめっき表面を得るこ
とができるため効率の良い少量他品種の操業を可能とす
る。
沢めっきから光沢めっきまで任意のめっき表面を得るこ
とができるため効率の良い少量他品種の操業を可能とす
る。
第１図、第２図は共に本発明の実施例を示したものであ
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項１】銀源としてシアン化物を用い、ピロリン酸
塩を主成分とし、シアン化セレンカリウムを光沢剤とす
るめっき浴により、電流密度が40〜120A/dm2、浴温が70
℃以上において、電流密度と浴温とによりGAMユニット
0.1〜0.4の無光沢領域、GAMユニット0.5〜0.9の半光沢
領域およびGAMユニット0.9〜1.5の光沢領域を予め特定
し、特定されたいずれかの領域に入るように電流密度と
溶温を調整してめっきを施すことを特徴とする銀めっき
方法。 - 【請求項２】銀源としてシアン化物を用い、硝酸塩を主
成分とし、シアン化セレンカリウムを光沢剤とするめっ
き浴により、電流密度が40〜120A/dm2、浴温が75℃以上
において、電流密度と浴温とによりGAMユニット0.1〜0.
4の無光沢領域、GAMユニット0.5〜0.9の半光沢領域およ
びGAMユニット0.9〜1.5の光沢領域を予め特定し、特定
されたいずれかの領域に入るように電流密度と浴温を調
整してめっきを施すことを特徴とする銀めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089686A JP2756300B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 銀めっき法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1089686A JP2756300B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 銀めっき法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02270984A JPH02270984A (ja) | 1990-11-06 |
| JP2756300B2 true JP2756300B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=13977653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089686A Expired - Lifetime JP2756300B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 銀めっき法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2756300B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402232B2 (en) | 2002-11-28 | 2008-07-22 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Silver electroplating solution |
| JP2014209663A (ja) * | 2014-07-29 | 2014-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5300347B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2013-09-25 | キヤノン株式会社 | 反射型表示装置及びその駆動方法 |
| CN110392751B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-05-17 | 日本电镀工程股份有限公司 | 电解银电镀液 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54135635A (en) * | 1978-04-14 | 1979-10-22 | Hitachi Ltd | Silver plating solution |
| JPS5814519A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | 松下電器産業株式会社 | 金属化フイルム積層コンデンサの切断方法 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1089686A patent/JP2756300B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402232B2 (en) | 2002-11-28 | 2008-07-22 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Silver electroplating solution |
| JP2014209663A (ja) * | 2014-07-29 | 2014-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02270984A (ja) | 1990-11-06 |
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