JP2737889B2 - 多層配線構造の半導体装置の製造方法 - Google Patents
多層配線構造の半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線構造の半導体
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＬＳＩなどの集積回路を有する
半導体基板表面上では、配線を２層構造として層間に絶
縁膜を介装させ、この絶縁膜にあけたコンタクトホール
を通して上下配線を相互に接続する。ところで、集積度
がさらに高まって素子の微細化が進んでコンタクトホー
ルが１μm 未満にも微細になると、従来のアルミ（Al）
のスパッタでは十分なカバレッジが確保しにくいため、
コンタクトホールをたとえばタングステン（Ｗ）などの
プラグで埋め込むことにより、Alのカバレッジを改善す
る手段が用いられている。
半導体基板表面上では、配線を２層構造として層間に絶
縁膜を介装させ、この絶縁膜にあけたコンタクトホール
を通して上下配線を相互に接続する。ところで、集積度
がさらに高まって素子の微細化が進んでコンタクトホー
ルが１μm 未満にも微細になると、従来のアルミ（Al）
のスパッタでは十分なカバレッジが確保しにくいため、
コンタクトホールをたとえばタングステン（Ｗ）などの
プラグで埋め込むことにより、Alのカバレッジを改善す
る手段が用いられている。
【０００３】図１は、このようなＷプラグの埋め込み工
程を示したものである。 まず図１(a) に示すように、基板１上に第１の絶縁
膜２を介して下層配線３を施した後、この下層配線３の
上にたとえば8000〜 10000Å以上の膜厚の第２の層間絶
縁膜４を堆積する。この第２の層間絶縁膜４の膜厚はあ
まり薄くすると容量が大きくなるので、ある程度の厚み
を保持する必要がある。 図１(b) に示すように、レジストプロセスを経て第
２の層間絶縁膜４のエッチングにより幅がたとえば8000
Å程度のコンタクトホール５を形成する。 つぎに、図１(c) に示すように、このコンタクトホ
ール５も含めてTi層 200ÅとTiN 層６1000Åをスパッタ
法により薄く成膜した後、Ｗ膜７をＣＶＤ法により堆積
する。 さらに、図１(d) に示すように、Ｗ膜７をエッチバ
ックすることによりプラグ７ａを形成する。 ついで、図１(e) に示すように、たとえばAl合金を
用いて上層配線８を300℃程度の温度のスパッタ法によ
り成膜する。
程を示したものである。 まず図１(a) に示すように、基板１上に第１の絶縁
膜２を介して下層配線３を施した後、この下層配線３の
上にたとえば8000〜 10000Å以上の膜厚の第２の層間絶
縁膜４を堆積する。この第２の層間絶縁膜４の膜厚はあ
まり薄くすると容量が大きくなるので、ある程度の厚み
を保持する必要がある。 図１(b) に示すように、レジストプロセスを経て第
２の層間絶縁膜４のエッチングにより幅がたとえば8000
Å程度のコンタクトホール５を形成する。 つぎに、図１(c) に示すように、このコンタクトホ
ール５も含めてTi層 200ÅとTiN 層６1000Åをスパッタ
法により薄く成膜した後、Ｗ膜７をＣＶＤ法により堆積
する。 さらに、図１(d) に示すように、Ｗ膜７をエッチバ
ックすることによりプラグ７ａを形成する。 ついで、図１(e) に示すように、たとえばAl合金を
用いて上層配線８を300℃程度の温度のスパッタ法によ
り成膜する。
【０００４】ところで、上記のの工程において、Ｗ膜
７のエッチバックは主としてSF6/Heのガスによるプラズ
マエッチングが用いられる。すなわち、図２に示すよう
に、平行平板の上部電極11と下部電極12が反応室13内に
設置され、これにウェーハ14を装填し、上部電極11また
は下部電極12に高周波電源15で高周波電圧を印加して、
反応室13を10〜500mTorr程度に真空引きしながら反応ガ
スを供給するのであるが、そのエッチング条件は表１の
ように、ステップ１〜３からなる３つのステップを段階
的になされるのである。
７のエッチバックは主としてSF6/Heのガスによるプラズ
マエッチングが用いられる。すなわち、図２に示すよう
に、平行平板の上部電極11と下部電極12が反応室13内に
設置され、これにウェーハ14を装填し、上部電極11また
は下部電極12に高周波電源15で高周波電圧を印加して、
反応室13を10〜500mTorr程度に真空引きしながら反応ガ
スを供給するのであるが、そのエッチング条件は表１の
ように、ステップ１〜３からなる３つのステップを段階
的になされるのである。
【０００５】
【表１】
【０００６】なお、ステップ１において行われるＷ膜７
のバルクエッチのエッチレートはほぼ6000Å／min 程度
であり、一方、ステップ２，３のそれはほぼ4000Å／mi
n 程度である。
のバルクエッチのエッチレートはほぼ6000Å／min 程度
であり、一方、ステップ２，３のそれはほぼ4000Å／mi
n 程度である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たステップ３でのＷ膜のエッチ量は、オーバエッチの時
間を３分間とするとほぼ1.2 μm に相当するのである
が、これだけオーバエッチをかけてもＷの残渣がとれず
配線間に短絡現象を生じ、製品の歩留りが悪いという問
題がある。なお、Ｗ膜の下地である TiN層まで除去する
方法もあるが、工程が複雑になるという問題が発生する
ので、好ましくない。
たステップ３でのＷ膜のエッチ量は、オーバエッチの時
間を３分間とするとほぼ1.2 μm に相当するのである
が、これだけオーバエッチをかけてもＷの残渣がとれず
配線間に短絡現象を生じ、製品の歩留りが悪いという問
題がある。なお、Ｗ膜の下地である TiN層まで除去する
方法もあるが、工程が複雑になるという問題が発生する
ので、好ましくない。
【０００８】本発明は、上記のような従来技術の有する
課題を解決すべくしてなされたものであって、Ｗの残渣
を確実に除去することが可能な多層配線構造の半導体装
置の製造方法を提供するとを目的とする。
課題を解決すべくしてなされたものであって、Ｗの残渣
を確実に除去することが可能な多層配線構造の半導体装
置の製造方法を提供するとを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に第１
の層間絶縁膜を介して下層配線を施した後、この下層配
線の上に第２の層間絶縁膜を堆積し、レジストプロセス
を経て前記第２の層間絶縁膜をエッチングすることによ
りコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールにタ
ングステンの密着性促進層を薄く成膜した後、該密着性
促進層の上にタングステンを堆積してエッチバックし、
前記タングステンのエッチバックするエンドポイントを
とった後のオーバエッチ時に、SF6 に塩素系ガスを添加
した反応ガスを用いて等方性エッチングあるいは異方性
を弱めるエッチング工程を付加したことを特徴とする多
層配線構造の半導体装置の製造方法である。
の層間絶縁膜を介して下層配線を施した後、この下層配
線の上に第２の層間絶縁膜を堆積し、レジストプロセス
を経て前記第２の層間絶縁膜をエッチングすることによ
りコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールにタ
ングステンの密着性促進層を薄く成膜した後、該密着性
促進層の上にタングステンを堆積してエッチバックし、
前記タングステンのエッチバックするエンドポイントを
とった後のオーバエッチ時に、SF6 に塩素系ガスを添加
した反応ガスを用いて等方性エッチングあるいは異方性
を弱めるエッチング工程を付加したことを特徴とする多
層配線構造の半導体装置の製造方法である。
【００１０】なお、前記SF6 ＋塩素系ガスの反応ガスで
の等方性エッチングあるいは異方性を弱めるエッチング
工程のあとにSF6 のみの反応ガスによるエッチング工程
を付加するようにしてもよい。
の等方性エッチングあるいは異方性を弱めるエッチング
工程のあとにSF6 のみの反応ガスによるエッチング工程
を付加するようにしてもよい。
【００１１】
【作 用】本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意実
験検討を行った結果、Ｗの残渣の発生メカニズムを解明
することができ、これによって本発明を完成させること
ができた。以下に、その発生メカニズムについて説明す
る。 平坦化が不十分な場合；図３に示すように、間隔Ｌ
で配置される下層配線３間の段差によって深さＤが生じ
る。そのときＷ膜７の設定膜厚をたとえば１μm 堆積す
ると凹部での膜厚Ｔは設定膜厚より厚くなる場合があ
る。いま、下層配線３の間隔Ｌを1.0 μm に設定したと
き、凹部における膜厚Ｔと凹部の深さＤとの関係は図４
のようになる。すなわち、もっとも深くなる段差Ｄ；0.
6 μm で設定膜厚１μm に対して凹部での膜厚Ｔは5000
Å程度厚いだけなので、前記条件でオーバエッチを３分
行えば十分のはずである。ところが実際にはこの凹部に
はＷが残っているのである。 平坦面上でのＷの残渣；Ｗのエンドポイントをとる
時点からウェーハ上にはＷと TiNが共存している状態で
ある。その状態でエッチングガスであるSF6 と TiNが反
応し、 TiFX が生成される。これがまだ残っているＷ上
に堆積する。これを模式的に示すと、図５のように TiN
層６および微小Ｗ７ｂの上に TiFX ９が最表面にデポジ
ットされる状況であると推測される。この TiFX がＷの
エッチングを止めてしまい、オーバエッチを３分かけて
もＷが残る原因と思われる。
験検討を行った結果、Ｗの残渣の発生メカニズムを解明
することができ、これによって本発明を完成させること
ができた。以下に、その発生メカニズムについて説明す
る。 平坦化が不十分な場合；図３に示すように、間隔Ｌ
で配置される下層配線３間の段差によって深さＤが生じ
る。そのときＷ膜７の設定膜厚をたとえば１μm 堆積す
ると凹部での膜厚Ｔは設定膜厚より厚くなる場合があ
る。いま、下層配線３の間隔Ｌを1.0 μm に設定したと
き、凹部における膜厚Ｔと凹部の深さＤとの関係は図４
のようになる。すなわち、もっとも深くなる段差Ｄ；0.
6 μm で設定膜厚１μm に対して凹部での膜厚Ｔは5000
Å程度厚いだけなので、前記条件でオーバエッチを３分
行えば十分のはずである。ところが実際にはこの凹部に
はＷが残っているのである。 平坦面上でのＷの残渣；Ｗのエンドポイントをとる
時点からウェーハ上にはＷと TiNが共存している状態で
ある。その状態でエッチングガスであるSF6 と TiNが反
応し、 TiFX が生成される。これがまだ残っているＷ上
に堆積する。これを模式的に示すと、図５のように TiN
層６および微小Ｗ７ｂの上に TiFX ９が最表面にデポジ
ットされる状況であると推測される。この TiFX がＷの
エッチングを止めてしまい、オーバエッチを３分かけて
もＷが残る原因と思われる。
【００１２】以上の知見から、の場合もと同様に凹
部のＷ表面に TiFX ９が堆積し、それがエッチングを止
めることになると考えられる。そこで、この反応生成物
TiF X ９を除去するには、反応ガスSF6 に塩素系ガスを
添加しながらＷを除去していくのが効果的であることを
見い出したものである。しかし、塩素系ガスは TiNに対
してエッチャントであるため、通常の異方性エッチング
（ＲＩＥ）では TiNがエッチングされてしまう。しかし
等方性を強めると、 TiNのエッチングレートは異方性エ
ッチングに比べ、１／20の30Å／min 程度になる。
部のＷ表面に TiFX ９が堆積し、それがエッチングを止
めることになると考えられる。そこで、この反応生成物
TiF X ９を除去するには、反応ガスSF6 に塩素系ガスを
添加しながらＷを除去していくのが効果的であることを
見い出したものである。しかし、塩素系ガスは TiNに対
してエッチャントであるため、通常の異方性エッチング
（ＲＩＥ）では TiNがエッチングされてしまう。しかし
等方性を強めると、 TiNのエッチングレートは異方性エ
ッチングに比べ、１／20の30Å／min 程度になる。
【００１３】すなわち、本発明によれば、タングステン
のエッチバックした後にSF6 に塩素系ガスを添加した反
応ガスを用いて等方性エッチングあるいは異方性エッチ
ングを弱めるエッチング工程を付加するようにしたの
で、TiN 層を除去することなく、また下地段差の平坦度
をさほどに必要とすることなく、Ｗの残渣を除去するこ
とができる。なお、引き続いてSF6 のみの反応ガスによ
るエッチング工程を付加すると効果的である。
のエッチバックした後にSF6 に塩素系ガスを添加した反
応ガスを用いて等方性エッチングあるいは異方性エッチ
ングを弱めるエッチング工程を付加するようにしたの
で、TiN 層を除去することなく、また下地段差の平坦度
をさほどに必要とすることなく、Ｗの残渣を除去するこ
とができる。なお、引き続いてSF6 のみの反応ガスによ
るエッチング工程を付加すると効果的である。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 〔実施例１〕 SF6/Heのガスを用いたプラズマエッチン
グによってＷのＣＶＤ膜のエッチバックを行う際に、従
来のエッチング条件ステップ１〜３に引き続き、下記表
２に示すCl2 ガスを添加するステップ４を追加し、合わ
せて４つのステップで行う。
グによってＷのＣＶＤ膜のエッチバックを行う際に、従
来のエッチング条件ステップ１〜３に引き続き、下記表
２に示すCl2 ガスを添加するステップ４を追加し、合わ
せて４つのステップで行う。
【００１５】ステップ１で下部電極12に高周波電圧を印
加していたものを、ステップ２で上部電極11への高周波
電圧印加に切り換えて等方性を強めた。ただし、ステッ
プ３の時間は20秒と極端に短くしても効果が十分であ
る。そのため、ステップ１〜４のトータルのエッチング
時間を短縮することができるので、スループットが向上
するという利点がある。
加していたものを、ステップ２で上部電極11への高周波
電圧印加に切り換えて等方性を強めた。ただし、ステッ
プ３の時間は20秒と極端に短くしても効果が十分であ
る。そのため、ステップ１〜４のトータルのエッチング
時間を短縮することができるので、スループットが向上
するという利点がある。
【００１６】なお、ステップ４で等方性をより強めるに
は、条件のうち反応室内圧力、電力を変えることが有効
である。また、高周波電圧を下部電極12に印加していた
ものを上部電極11に切り換えることも有効である。表２
の条件はこれらをすべて考慮した条件である。圧力は15
0 〜500mTorrの範囲、電力は150 〜600 Ｗの範囲が望ま
しい。ただし、電力は高周波電圧を上部電極11に印加し
た場合であり、下部電極12のままの場合は150 〜300 Ｗ
の範囲が適当である。
は、条件のうち反応室内圧力、電力を変えることが有効
である。また、高周波電圧を下部電極12に印加していた
ものを上部電極11に切り換えることも有効である。表２
の条件はこれらをすべて考慮した条件である。圧力は15
0 〜500mTorrの範囲、電力は150 〜600 Ｗの範囲が望ま
しい。ただし、電力は高周波電圧を上部電極11に印加し
た場合であり、下部電極12のままの場合は150 〜300 Ｗ
の範囲が適当である。
【００１７】
【表２】
【００１８】これによって、配線歩留りは従来50〜60％
であったものが、80％以上になったことが確認された。
また、Ｗ残渣として残ったパーティクルは、従来は0.5
μm以上で200 個以上であったものが、本発明では30個
以下になった。 〔実施例２〕 上記実施例１の工程にさらに表３に示す
ようにステップ５を追加して、SF6 ガスのみを用いてエ
ッチングするとさらに効果がある。
であったものが、80％以上になったことが確認された。
また、Ｗ残渣として残ったパーティクルは、従来は0.5
μm以上で200 個以上であったものが、本発明では30個
以下になった。 〔実施例２〕 上記実施例１の工程にさらに表３に示す
ようにステップ５を追加して、SF6 ガスのみを用いてエ
ッチングするとさらに効果がある。
【００１９】
【表３】
【００２０】なお、上記実施例におけるステップ４で添
加する反応ガスはCl2 ガスにかぎるものではなく、たと
えばHCl やBCl3などの塩素系ガスを用いても同様の作用
効果を得ることが可能である。
加する反応ガスはCl2 ガスにかぎるものではなく、たと
えばHCl やBCl3などの塩素系ガスを用いても同様の作用
効果を得ることが可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｗ膜のエッチバックした後にSF6 に塩素系ガスを添加し
た反応ガスを用いて等方性エッチングあるいは異方性を
弱めるエッチング工程を付加することにより、TiN 層を
除去することなくＷの残渣を除去することができるよう
にしたので、配線間の短絡不良を未然に防止することが
でき、製品の歩留り向上に寄与する。
Ｗ膜のエッチバックした後にSF6 に塩素系ガスを添加し
た反応ガスを用いて等方性エッチングあるいは異方性を
弱めるエッチング工程を付加することにより、TiN 層を
除去することなくＷの残渣を除去することができるよう
にしたので、配線間の短絡不良を未然に防止することが
でき、製品の歩留り向上に寄与する。
【図１】Ｗプラグの形成過程を示す工程図である。
【図２】プラズマエッチング装置の概要図である。
【図３】Ｗ膜の成膜状態を示す断面図である。
【図４】凹部の深さとＷの膜厚の関係を示す特性図であ
る。
る。
【図５】微小Ｗの残渣を示す断面図である。
１ 基板 ２ 第１の層間絶縁膜（ゲートと下層配線との層間絶縁
膜） ３ 下層配線 ４ 第２の層間絶縁膜（下層配線と上層配線との層間絶
縁膜） ５ コンタクトホール ６ Ti/TiN 層 ７ Ｗ膜 ７ａ プラグ ７ｂ 微小Ｗ ８ 上層配線 ９ TiFx 11 上部電極 12 下部電極 13 反応室 14 ウェーハ 15 高周波電源
膜） ３ 下層配線 ４ 第２の層間絶縁膜（下層配線と上層配線との層間絶
縁膜） ５ コンタクトホール ６ Ti/TiN 層 ７ Ｗ膜 ７ａ プラグ ７ｂ 微小Ｗ ８ 上層配線 ９ TiFx 11 上部電極 12 下部電極 13 反応室 14 ウェーハ 15 高周波電源
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に第１の層間絶縁膜を介して下
層配線を施した後、この下層配線の上に第２の層間絶縁
膜を堆積し、レジストプロセスを経て前記第２の層間絶
縁膜をエッチングすることによりコンタクトホールを形
成し、該コンタクトホールにタングステンの密着性促進
層を薄く成膜した後、該密着性促進層の上にタングステ
ンを堆積してエッチバックし、前記タングステンのエッ
チバックするエンドポイントをとった後のオーバエッチ
時に、SF6 に塩素系ガスを添加した反応ガスを用いて等
方性エッチングあるいは異方性を弱めるエッチング工程
を付加したことを特徴とする多層配線構造の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記SF6 ＋塩素系ガスの反応ガスでの
等方性エッチングあるいは異方性を弱めるエッチング工
程のあとにSF6 のみの反応ガスによるエッチング工程を
付加したことを特徴とする請求項１記載の多層配線構造
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29109793A JP2737889B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 多層配線構造の半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29109793A JP2737889B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 多層配線構造の半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142494A JPH07142494A (ja) | 1995-06-02 |
| JP2737889B2 true JP2737889B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=17764416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29109793A Expired - Fee Related JP2737889B2 (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 多層配線構造の半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737889B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2012026241A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2013-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
-
1993
- 1993-11-22 JP JP29109793A patent/JP2737889B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07142494A (ja) | 1995-06-02 |
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