JP2737747B2 - 電圧制御発振回路 - Google Patents

電圧制御発振回路

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JP2737747B2
JP2737747B2 JP8155247A JP15524796A JP2737747B2 JP 2737747 B2 JP2737747 B2 JP 2737747B2 JP 8155247 A JP8155247 A JP 8155247A JP 15524796 A JP15524796 A JP 15524796A JP 2737747 B2 JP2737747 B2 JP 2737747B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は位相固定ループ(P
LL,Phase Locked Loop)等に用い
られる電圧制御発振回路に関する。本発明は電圧制御発
振回路の特にフリーラン周波数の安定化を計った回路に
関する。 【0002】 【従来の技術】従来より電圧制御発振回路は非常に多く
発表されている。図3に例としてPLL用1チップ相補
MOS集積回路(CMOS・IC)に用いられている電
圧制御発振回路を掲げる。NチャネルトランジスタN1
のゲートに加えられる制御電圧によりコンデンサC1
流入する電流を制御し発振周波数をコントロールする。
抵抗R1 ,R2 はそれぞれ制御電圧感度係数、フリーラ
ン周波数を決定する。 【0003】また他の例として図4には特公昭56ー8
6509により公知の電圧制御発振回路を示す。該回路
はリングオシレータに流入する電流をソースに接続され
たトランジスタT41〜T46のゲート電圧により制御し発
振周波数を制御するものである。この回路は図4の回路
に比較し外付部品が不要で消費電力、実装スぺースも小
さい利点があるが正確で安定な発振回路は作りにくい。 【0004】また図3の回路でも安定度は充分とは言え
ない。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】一般に電圧制御発振回
路に対し、安定度の要求されるのはフリーラン周波数及
び電圧制御感度係数である。前者は電圧制御発振回路の
制御端子に加えられる電圧(制御電圧)が基準レべルの
ときの発振周波数である。基準レべルは通常制御可能な
入力電圧範囲の中央、例えばCMOS・ICでは電源電
圧の1/2に選ばれ、制御電圧をVC ・基準レべルの電
圧をVS として△VC を △VC =VC ーVS ・・・・・(1) と定義すればフリーラン周波数は△VC =0のときの発
振周波数と言い直しても良い。電圧制御感度係数KV は f0 =fC +KV ・△V・・・(2) として定義される。fC はフリーラン周波数、f0 は電
圧制御発振回路の発振周波数である。 【0006】フリーラン周波数fC のドリフ卜はPLL
においては系のキャプチャレンジのドリフトとなって悪
影響があらわれる。 また、回路部品定数のばらつきに
よるfC のばらつきは無視できない程度に大きく、従来
はコス卜高を覚悟した上で高制度部品を用いるか、組立
後に半固定抵抗や半固定コンデンサにより調整、合せ込
みをする必要があった。また電圧制御感度係数KV のド
リフトはPLLを構成した場合、系の応答速度のドリフ
卜となって悪影響があらわれる。 【0007】これ等のドリフトの原因は周囲温度の変
化、使用電源の変動、部品定数の軽時変化等である。特
にfC の変動はこれ等の要因により大きくドリフ卜す
る。一方KV は回路の構成部品の相対精度により決まる
様にすることができ半導体集積回路技術等により素子値
の絶対精度はなくとも相対的に充分な卜ラッキング特性
を持たせることによりその変動を小さくできる。 【0008】本発明は従来の電圧制御発振回路のドリフ
卜を押える回路方式に関するものであって回路の構成部
品の定数のばらつき変動による発振回路の定数(fC
V)の変動を小さくし回路の安定性を増大することに
ある。 【0009】 【問題を解決するための手段】本発明の電圧制御発振回
路は、MOSトランジスタからなる反転回路が複数段カ
スケード接続されることにより構成され、第1の合成信
号により発振周波数が制御されるリングオシレータ型の
第1の電圧制御発振器と、MOSトランジスタからなる
反転回路が複数段カスケード接続されることにより構成
され、第2の合成信号により発振周波数が制御されるリ
ングオシレータ型の第2の電圧制御発振器を備えて、基
準信号に同期する位相固定ループと、を有する電圧制御
発振回路であって、第1の制御信号により導通状態が制
御される第1のMOSトランジスタと、前記第2の電圧
制御発振器の出力と前記基準信号とを同期化させるため
に前記位相固定ループ内で発生される第2の制御信号に
より導通状態が制御される第2のMOSトランジスタと
を有し、前記第1及び第2のMOSトランジスタに流れ
る電流を加算した値に基づく電圧値を前記第1の合成信
号として出力する第1の信号加算回路と、前記第2の制
御信号により導通状態が制御される第3のMOSトラン
ジスタと、基準電圧により導通状態が制御される第4の
MOSトランジスタとを有し、前記第3及び第4のMO
Sトランジスタに流れる電流を加算した値に基づく電圧
値を前記第2の合成信号として出力する第2の信号加算
回路とを備えることを特徴とする。 【0010】 【課題を解決するための手段】本発明の電圧制御発振回
路は、第1の合成信号により発振周波数が制御される第
1の電圧制御発振器と、前記第1の電圧制御発振器と同
等の特性を有し第2の合成信号により発振周波数が制御
される第2の電圧制御発振器、前記電圧制御発振回路の
出力の位相と基準信号の位相を比較する比較回路を有す
る位相固定ループとを備える電圧制御発振回路であっ
て、第1の制御信号と、前記比較回路より出力される第
2の制御信号とをそれぞれ電流に変換して加算し前記第
1の合成信号を出力する第1の信号加算回路と、前記第
2の制御信号と基準電圧とをそれぞれ電流に変換して加
算し前記第2の合成信号を出力する第2の信号加算回路
とを有することを特徴とする。 【0011】 【発明の実施の形態】図1は、本発明の概念を示す図で
ある。101,103は同一の特性を有する様に設計さ
れた信号合成手段で例えば端子109に与えられる信号
(以下、電圧値として話をすすめる。電流値、電荷値等
他の物理量でも話は同じである。)をV11、端子110
に加わる信号電圧をV21、信号合成手段101の出力端
子114にあらわれる電圧をV01とすると V01=f(V11,V21)・・・・・(3) fは任意関数の様な特性を有する回路である。以下、簡
単のために V01=aV11+bV21+C・・・・(4) とする。(a,b,Cは定数) 同様端子111、端子112に加えられる電圧をそれぞ
れV12,V22,とし信号合成手段103の出力端子11
5の電圧をV02としたとき V02=aV12+bV22十C・・・・(5) とする。102,104は特性のそろった電圧制御発振
回路であり出力情号の周波数F1 ,F2 は F1 =KV 01+d・・・・・・・(6) F2 =KV 02+d・・・・・・・(7) とする(dは定数).107は位相比較回路で電圧制御
発振回路104の出力と安定な周波数の発振をする発振
回路(例えば水晶発振回路)の出力信号と位相比較をし
その位相差に比較した量の信号を出力する。105はロ
ーパスフィルタ(LPF)で位相比較回路の出力から希
望する信号成分のみをとり出すために通常入れられる。 【0012】LPF105の出力は第2の信号合成回路
103の第2の入力端子112に負帰還する。すなわち
第2の電圧制御発振回路104、位相比較回路106、
LPF105、信号台成手段103はPLLを構成し第
2の電圧制御発振回路の発振周波数は発振回路107の
発振周波数frefと等しくなる。電圧制御発振回路1
04の出力周波数は位相比較回路106、LPF105
の特性によりfrefと位相まで完全に一致させること
もできるし、またfrefの突発的な変化に対しては追
従しない様にすることもできる。発振回路107は通
常、充分安定な発振をする回路を用いるので系の応答を
速くしても問題はない。また電圧制御発振回路104の
出力周波数とfrefは周波数のみ追従し、位相は誤差
があつてもよいから回路の構成はかなり自由度がある。
発振回路107が不安定でジッタ等を有する時は設計に
よりその影響を軽減できる。 【0013】さて、電源電圧の変動、温度特性、経時変
化等により電圧制御発振回路104のフリーラン周波数
が変動した場合を考えよう。このとき系は自動的に端子
112に加わる電圧を上げ下げして電圧制御発振回路1
04の発振周波数はfrefを保つ。また第2の信号合
成手段103の第1の制御端子111に任意の電圧値を
与えた場合もその電圧値にかかわらず第2の電圧制御発
振回路の発振周波数はfrefとなる様、端子112の
電圧は自動的に調整される。 【0014】従って、第2の信号合成回路の第1の入力
端子111に基準となる電圧Vsを与えると第2の入力
端子112は自動的にレべル調整され電圧制御発振回路
104の発振周波数frefに等しくなる。図1に示す
様に第2の信号合成手段103の第2の入力端子112
の電圧を第1の信号合成手段101の第2の入力端子1
10にも与えると第1、第2の信号合成手段、電圧制御
発振回路はそれぞれ特性がそろっているので第1の電圧
制御発振回路102の発振周波数は第1の信号合成手段
101の第1の入力端子109に与えられる電圧がVS
のときfrefとなる。frefを希望するフリーラン
周波数fC に等しく設定しておけば端子109の電圧が
S のとき電圧制御発振回路102の発振周波数はfC
となる。従って図1の回路全体を端子109を制御端
子、113を出力端子とする電圧制御発振回路とすれば
フリーラン周波数がfC の電圧制御回路を実現できたこ
とになる。回路内の2つの信号合成手段101,10
3、電圧制御発振回路102,104の持性は等しいと
仮定して議論をしてきたが、この仮定は極めて妥当なも
のである。特にモノシリック集積回路化した場合、各々
は数ミリ角のチップ上に高精度で対称性よく作り込むこ
とができる。各々の回路は同時に製造されるため経時変
化があったとしても同一の経過時間であり持性が各々で
異なってくることは少ない。また電源電圧や温度変化に
対しても同一の電源にて使用されるし、また、きわめて
近い場所に配置されているため双方に温度差を生じ特性
が異なってくることも少ない。集積回路の設計時に各々
の回路の対称性を充分配虜しておけば、各特性の変動は
互いにキャンセルしあってドリフトの少ない安定な電圧
制御発振回路を実現できる。 【0015】図2は以上の本発明の考え方にもとづき半
導体集積回路により実現できる電圧制御発振回路の具体
例を示す図である。201は信号合成回路で卜ランジス
タT1 及びT2 のゲー卜電圧を変えることにより各々の
ドレイン電流を変える。T1,T2 のドレイン電流は含
成(加算)され卜ランジスタT13に流れ込み電圧に変換
される。この電圧は第1の電圧制御発振回路の制御電圧
であり、MOS卜ランジスタで構成される電圧制御発振
回路202に入力される。この回路は卜ランジスタ
7 ,T10,T8 ,T11,・・・T9 ,T12により構成
される奇数段のインバータによりリングオシレータを構
成し、各々のトランジスタのソースさらにトランジスタ
4 ,T5 ・・・T6 ,T15,T16・・・T17を直列に
入れ、これ等のトランジスタのゲート電位を制御するこ
とによりリングオシレータに電源より流入する電流を制
御し発振周波数を制御するものである。本発明の例では
端子212,214の電位が低くなる程T13のドレイン
電圧(電圧制御発振回路202の制御電圧)が上昇し発
振周波数が上がる。すなわち(4)式においてa,bが
負、(6)式においてKV が正の場合である。端子21
2,214のレべルが高い時に高い周波数で発振させた
ければ例えば201,202の回路のトランジスタの極
性をすべて逆(PチャネルトランジスタをNチヤネル
に、NチャネルトランジスタをPチャネルに)にすれ
ば、a,bが負、KV が負となり達成できる。205,
206は出力を得るためのバッファ回路である。 【0016】203,204はそれぞれ201,202
と同様の回路構成を持つ信号合成回路、電圧制御発振回
路である。内部構成は同じなので図では内部を省略して
ある。第2の電圧制御発振回路の出力はパッファ207
を通し位相比較回路208に入力される。211は水晶
発振回路でフリーラン周波数の基準となる周波数fre
f(=fC )を発振する発振回路である。通常はこの信
号は位相比較回路208に入力され第2の電圧制御発振
回路204の出力と位相比較されるとともに他の回路の
タイミングクロック、システムクロックなどと共用され
る。もし他の回路の要求するクロック信号等の周波数と
希望するfC が異なる場合はノード219または218
の一方か双方に分周回路や周波数変換回路を入れること
により水晶発振回路211の発振周波数の整数倍、整数
分の1、それ等の差、整数分の整等にfC を設定するこ
とが可能である。分周回路や周波数変換回路はデジタル
回路で構成でき半導体集積回路化に際して何ら障害は生
じない。217はローパスフィルタで位相比較回路20
8の出力に含まれる高周波成分を除去する。出力は第2
の信号合成回路203の第2の入力端子215に帰還さ
れる。第1の入力端子213にはfC を発振させたい入
力信号レべル(基準レべル)を与えるべく電源電圧を分
圧する抵抗R11,R12が接続されている。抵抗は半導体
集積回路内に正確なものは作りにくいが相対精度は非常
に高く作ることが可能である。この端子には例えばツエ
ナーダイオードによる基準電圧等のもっと正確な電圧源
を接続しても良い。第1及び第2の信号の信号合成回路
の第2の入力端子214,215にはローパスフィルタ
217内部の異なったところから信号をとり出し接続し
ているが抵抗R4 はPLL系の安定化のために必要な抵
抗であって図1の場合と本質的に異なるものではない。 【0017】図2の構成を見ると抵抗R11〜R15、コン
デンサC11〜C13、水晶発振子Xを除けばすべてMOS
卜ランジスタで構成されている。抵抗、コンデンサは絶
対精度が要求されることは無い。従って抵抗は半導体集
積回路に内蔵できる。また必要とする発振周波数のレン
ジによっても異なるがコンデンサC11も内蔵が可能であ
ることが多い。低い周波数が必要なときは出力端子21
6に分周回路を接続することにより、PLL系は高い周
波数で発振させておけばC1 も小容量で済み集積回路化
が容易となる。 【0018】以上述べた様に本発明によれば高精度部品
を用いることなくきわめて安定な電圧制御発振回路を実
現できる。高精度の部品を用いる必要が無いから半導体
集積回路化がきわめて容易となり実装上、製造上のメリ
ッ卜が大きい。 【0019】本発明による例(図1,2)と従来例(図
3,4)を比較すると本発明の方がかなり複雑になって
おり従来例に比較してあまリメリットが無い様に思われ
るかも知れない。しかし事実は逆なのであって半導体集
積回路上に図2の回路を構成する場合そのチップ上に占
める面積はわずかである。図4の従来例の様に外付部品
を必要とするときは半導体集積回路上のボンディングバ
ッドの面積や出力卜ランジスタ(例えば図4のコンデン
サC1 (外付)を駆動するP4 ,P5 ,N2 ,N3 、抵
抗R1 ,R2 (外付)を駆動するP1 ,N1 )に大きな
ものが必要となりそれ等の占める面積の方が本発明の回
路に比べはるかに大きくなっているのである。また本発
明では水晶発振回路の様な安定な発振回路を必要とする
が、通常大規模集積回路では電圧制御発振回路の他に安
定な基準パルス列が必要な場合が多く、これと共用すれ
ば良いので本発明を実施するにあたって障害とはならな
い。また本発明では図1のノード116または117、
図2のノード218,219に直列な分周回路または周
波数変換回路を入れ、その分周比等を論理回路で制御す
ることにより同一の回路で任意にフリーラン周波数を設
定することができる。 【0020】 【発明の効果】この様に本発明は集積回路の容易な電圧
制御発振回路を安定化する方法を示し、デジタル集積回
路にも容易に組込める電圧制御発振回路を示した。本発
明を実施すればコス卜、実装スペースを減少でき機器を
実現していく上で大いに貢献できる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の実施例を示す図。 【図2】本発明の実施例を示す図。 【図3】従来の電圧制御発振回路を示す図である。 【図4】従来の電圧制御発振回路を示す図である。 【符号の説明】 101.201 第1の信号合成回路 103,203 第2の信号合成回路 102,202 第1の電圧制御発振回路 104,204 第2の電圧制御発振回路 106,208 位相比較回路 105,217 ローパスフイルタ 107,211 基準周波数発振回路 109,212 第1の信号合成回路の第1の入力端
子。制御端子 110,214 第1の信号合成回路の第2の入力端子 111,213 第2の信号合成回路の第1の入力端子 112,215 第2の信号合成回路の第2の入力端子 113,216 出力端子

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.MOSトランジスタからなる反転回路が複数段カス
    ケード接続されることにより構成され、第1の合成信号
    により発振周波数が制御されるリングオシレータ型の第
    1の電圧制御発振器と、 MOSトランジスタからなる反転回路が複数段カスケー
    ド接続されることにより構成され、第2の合成信号によ
    り発振周波数が制御されるリングオシレータ型の第2の
    電圧制御発振器を備えて、基準信号に同期する位相固定
    ループと、 を有する電圧制御発振回路であって、 第1の制御信号により導通状態が制御される第1のMO
    Sトランジスタと、前記第2の電圧制御発振器の出力と
    前記基準信号とを同期化させるために前記位相固定ルー
    プ内で発生される第2の制御信号により導通状態が制御
    される第2のMOSトランジスタとを有し、前記第1及
    び第2のMOSトランジスタに流れる電流を加算した値
    に基づく電圧値を前記第1の合成信号として出力する第
    1の信号加算回路と、 前記第2の制御信号により導通状態が制御される第3の
    MOSトランジスタと、基準電圧により導通状態が制御
    される第4のMOSトランジスタとを有し、前記第3及
    び第4のMOSトランジスタに流れる電流を加算した値
    に基づく電圧値を前記第2の合成信号として出力する第
    2の信号加算回路とを備えることを特徴とする電圧制御
    発振回路。
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