JP2734630B2 - 光磁気デイスク装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ産業上の利用分野 本発明は光磁気デイスク装置に関し、例えば記録する
情報に応じて極性が変化する変調磁界を光磁気デイスク
に印加するようになされた光磁気デイスク装置に適用し
て好適なものである。

Ｂ発明の概要 本発明は、光磁気デイスク装置において、再生信号の
信号レベルに基づいて、光磁気デイスクから磁気ヘツド
までの距離を制御することにより、簡易な構成で、所望
の情報を効率良く記録することができる。

Ｃ従来の技術 従来、光磁気デイスク装置においては、記録情報に応
じて磁気ヘツドを駆動すると共に光ビームを間欠的に照
射することにより、当該記録情報に応じて極性が反転す
る変調磁界を印加した状態で、光磁気デイスクの温度を
局所的に高くするようになされ、これにより当該変調磁
界の極性で垂直磁化膜を配向させるようになされてい
る。

Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところで、光磁気デイスクに対して磁気ヘツドを近接
して配置することができれば、小さな駆動電流で光磁気
デイスクに強い変調磁界を印加し得、その分磁気ヘツド
の駆動電流を低減することができる。

ところが実際上光磁気デイスクにおいては、光磁気デ
イスク自体にそりがあつたり、光磁気デイスクをスピン
ドルモータに固定する際にチャッキング部材とディスク
の係合面との間にごみ等が挟まるおそれがあり、光磁気
デイスクを回転駆動した際に面ぶれを避け得ない。

従つて光磁気デイスクに磁気ヘツドを近接して配置す
ると、光磁気デイスクに磁気ヘツドが接触して、磁気ヘ
ツドを損傷するおそれがある。

このため、光磁気デイスクに対して磁気ヘツドを近接
して配置し得ず、その分磁気ヘツドの駆動電流が大きく
なり、情報を効率良く記録することが困難な問題があつ
た。

この問題を解決する方法に１つとして、例えば光学的
に光磁気デイスクの面ぶれ量を検出し、当該検出結果に
応じて磁気ヘツドの位置を制御する方法が考えられる。

ところがこの方法の場合、面ぶれ量の検出機構が必要
になり、その分光磁気デイスク装置の構成が煩雑になる
問題がある。

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、簡易な
構成で、光磁気デイスクに磁気ヘツドを近接して配置す
ることができる光磁気デイスク装置を提供しようとする
ものである。

Ｅ問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本発明においては、光磁
気デイスク12に、磁気ヘツド30から得られる所定磁界を
印加すると共に光ヘツド14から出力される光ビームLA1
を照射することにより、所望の情報を光磁気デイスク12
に記録するようになされた光磁気デイスク装置10におい
て、磁気ヘツド30を基準位置に保持して、光磁気デイス
ク12に記録した信号を再生し、その結果得られる再生信
号S_RFの信号レベルに基づいて、再生信号S_RFの信号レベ
ルが所定値になるように光磁気デイスク12に対する磁気
ヘツド30の位置を制御する。

Ｆ作用 再生信号S_RFの信号レベルに基づいて、再生信号S_RFの
信号レベルが所定値になるように光磁気デイスク12に対
する磁気ヘツド30の位置を制御すれば、簡易な構成で、
光磁気デイスク12に近接して磁気ヘツド30を配置するこ
とができる。

Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。

第１図において、10は全体として光磁気デイスク装置
を示し、スピンドルモータ11で回転駆動される光磁気デ
イスク12に、所定の情報を記録再生する。

すなわち光磁気デイスク装置10は、所定の駆動信号及
びトラツキングエラー信号に基づいて、光ヘツド14を光
磁気デイスク12の半径方向に駆動すると共に、フオーカ
スエラー信号に応じて対物レンズ16を駆動するようにな
されている。

光ヘツド14は、半導体レーザ18から射出された光ビー
ムLA1をレンズ20及び偏光ビームスプリツタ22を介して
対物レンズ16に与え、これにより所定のスポツト形状
で、光ビームLA1を光磁気デイスク12上に集光するよう
になされている。

さらに光ヘツド14は、光磁気デイスク12から得られる
反射光ビームを、対物レンズ16を介して偏光ビームスプ
リツタ22に与え、これにより光ビームLA1から反射光ビ
ームを分離した後、集光レンズ24を介して受光素子26に
与えるようになされている。

これにより、受光素子26の出力信号から記録情報に応
じて信号レベルが変化する再生信号S_RFを得ると共に、
トラツキングエラー信号及びフオーカスエラー信号を検
出し得るようになされている。

かくして当該トラツキングエラー信号及びフオーカス
エラー信号に基づいて、光ヘツド14及び対物レンズ16を
位置制御することにより、光磁気デイスク12の所望の記
録トラツクに確実に光ビームを照射し得るようになされ
ている。

これに対して、光磁気デイスク12を間に挟んで、光ヘ
ツド14と対向する位置に磁気ヘツド30が配置されるよう
になされ、これにより光ビームLA1の照射位置に変調磁
界を印加し得るようになされている。

すなわち磁気ヘツド30は、光ヘツド14と連動して光磁
気デイスク12の半径方向に移動するようになされリニア
アクチユエータに、アクチユエータ32を介して取り付け
られるようになされ、これにより光ヘツド14と対向した
位置に保持されるようになされている。

これに対してアクチユエータ32は、圧電素子の電歪効
果を利用したアクチユエータ（以下圧電アクチユエータ
と呼ぶ）で構成され、印加電圧に応じて矢印ａで示すよ
うに、磁気ヘツド30を上下方向に可動させるようになさ
れている。

従つて光磁気デイスク12の面ぶれ量に応じて、当該圧
電アクチユエータ32の印加電圧を制御することにより、
光磁気デイスク12に対して磁気ヘツド30を所望の位置に
保持し得、これにより磁気ヘツド30を光磁気デイスク12
に近接して配置することができる。

かくしてこの実施例においては、再生信号S_RFの信号
レベルに基づいて、光磁気デイスク12の面ぶれ量を検出
することにより、簡易な構成で光磁気デイスク12の面ぶ
れ量を検出するようになされている。

すなわち第２図に示すように、光磁気デイスク12にお
いては、その垂直磁化膜が飽和特性を有することから、
外部磁界でなる変調磁界を大きくすると、これに伴つて
再生信号S_RFの信号レベルも飽和する。

従つて、再生信号S_RFの信号レベルが飽和する磁界強
度（以下これを飽和磁界と呼ぶ）Ｇ以上の変調磁界を印
加しても、不必要に強力な変調磁界を印加する結果にな
るのに対し、これより弱い変調磁界を印加する場合は、
その分再生信号S_RFの信号レベルが低下する。

従つて、磁気ヘツド30の駆動電流を一定値に保持した
状態で、光磁気デイスク12に対して磁気ヘツド30の距離
を変化させた場合、飽和磁界が得られる距離で最も効率
良く熱磁気記録し得ることがわかる。

従つてこの実施例においては、磁気ヘツド30の駆動電
流を低減した状態で、飽和磁界Ｇが得られる距離を検出
し、当該検出結果に基づいて圧電アクチユエータ32を駆
動するようになされている。

すなわち演算処理回路構成の制御回路42は、光磁気デ
イスク12が装填されると、第３図に示す処理手順を実行
し、これにより飽和磁界Ｇが得られる距離を検出して、
光磁気デイスク12の面ぶれ量を検出する。

すなわち制御回路42は、ステツプSP1からステツプSP2
に移つて、メモリ回路44に格納された所定の基準データ
を読み出した後、当該基準データをデイジタルアナログ
変換回路46に出力する。

アナログデイジタル変換回路46は、入力された基準デ
ータをアナログ信号に変換した後、増幅回路48を介して
圧電アクチユエータ32に出力するようになされている。

これにより磁気ヘツド30においては、基準データで決
まる基準位置に保持される。

かくしてこの実施例において当該基準位置は、光磁気
デイスク12から所定距離だけ離間した位置になるように
なされている。

さらに制御回路42は、当該光磁気デイスク装置10の動
作モードを記録モードに切り換え、光ビームLA1を所定
のクロツク周期（当該光磁気デイスク装置10の基準クロ
ツク周期でなり、当該光磁気デイスク装置10で記録可能
な最高周波数でなる）で間欠的に照射すると共に、所定
の信号レベルに保持されて当該クロツク周期で極性の反
転する駆動電流（以下基準駆動信号と呼ぶ）を、磁気ヘ
ツド30に与えるようになされている。

このとき制御回路42は、リニアアクチユエータに駆動
信号を出力し、これにより光ヘツド14及び磁気ヘツド30
を光磁気デイスク12の最外周に移動させた後、最外周へ
の基準駆動信号の記録が完了すると、最内周に移動させ
るようになされている。

かくして、所定の信号レベルに保持された基準駆動信
号が、基準位置に保持された磁気ヘツド30を介して、光
磁気デイスク12の最外周及び最内周に記録されるように
なされている。

続いて制御回路42は、ステツプSP3に移つて、当該光
磁気デイスク装置10の動作モードを再生モードに切り換
えた後、ステツプSP4に移つて最外周及び最内周に記録
した基準駆動信号を再生し、その結果得られる再生信号
S_RFの信号レベルを検出する。

すなわち再生信号検出回路50は、受光素子26の出力信
号を受け、これにより再生信号S_RFをサンプルホールド
回路52に出力するようになされている。

サンプルホールド回路52は、キヤプスタンモータ11の
回転に同期して、再生信号S_RFをサンプルホールドする
ようになされ、これにより第４回に示すよう再生信号S
_RFの振幅を２周期毎に取り込むようになされている。

これに対してアナログデイジタル変換回路54は、サン
プルホールド回路52のサンプルホールド値を順次デイジ
タル信号に変換して制御回路42に出力するようになさ
れ、これにより制御回路42において、光磁気デイスク12
の回転に応じて変化する再生信号S_RFの信号レベルを検
出し得るようになされている。

かくして制御回路42は、ステツプSP4において、アナ
ログデイジタル変換回路54から出力される検出結果を順
次取り込むようになされ、これにより磁気ヘツド30を光
磁気デイスク12から所定距離だけ離間した位置に保持し
た状態で、基準駆動信号の信号レベルをそれぞれ光磁気
デイスク12の最外周及び最内周について検出することが
できる。

続いて制御回路42は、検出結果をメモリ回路44に格納
すると共に、ステツプSP5において、当該検出結果の最
大値を検出した後、ステツプSP6に移る。

ここで制御回路42は、メモリ回路44に格納された前回
の測定結果の最大値と当該検出結果の最大値とを比較し
て、その差が所定値以下か否か判断し、ここで否定結果
が得られると最大値をメモリ回路44に格納して後、ステ
ツプSP2に戻る。

因みにこの場合、メモリ回路44に前回の最大値が格納
されていないことから、ステツプSP6において否定結果
が得られ、制御回路42はステツプSP2に戻る。

さらに制御回路42は、ステツプSP2において、メモリ
回路44から第２の基準データを読み出し、当該基準デー
タをデイジタルアナログ変換回路46に出力するようにな
されている。

これにより磁気ヘツド30においては、基準位置から所
定距離だけ光磁気デイスク12に近接した第２の基準位置
に保持され、当該基準位置で光磁気デイスク12に変調磁
界を印加するようになされている。

かくしてステツプSP2-SP3-SP4-SP5-SP6-SP2の処理ル
ープLOOP1を繰り返すことにより、順次光磁気デイスク1
2に磁気ヘツド30を接近させて、基準駆動信号を記録す
ると共にその再生信号S_RFの信号レベルを検出するよう
になされている。

従つて当該処理ループLOOP1を繰り返すことにより、
第２図について上述した特性曲線を得ることができ、こ
れより徐々に飽和に近づく再生信号S_RFの信号レベルを
検出することができる。

さらに、処理ループLOOP1を繰り返たびに最大値を検
出し、当該最大値の変化量が所定値以下になつたか否か
をステツプSP6において判断することにより、信号レベ
ルの飽和を検出することができる。

制御回路42は、ステツプSP6において肯定結果が得ら
れると、ステツプSP7に移り、メモリ回路44に格納され
た検出結果から、光磁気デイスク12の回転に同期して変
化する面ぶれ量を検出する。

すなわち光磁気デイスク装置10においては、光磁気デ
イスク12全体が磁気ヘツド30に対して平行に変位する場
合（以下直流的な変位と呼ぶ）があるのに対し、第５図
及び第６図に示すように光磁気デイスク12が傾いて取り
付けられたり、光磁気デイスク12自体にソリ等がある場
合には、光磁気デイスク12の回転に同期して光磁気デイ
スク12までの距離が変位する（すなわち面ぶれでなり、
以下交流的な変位と呼ぶ）。

この場合第７図に示すように直流的な変位において
は、光磁気デイスク12の最内周及び最外周において、光
磁気デイスク12が回転しても、振幅値が一定で、磁気ヘ
ツド30の接近に伴って信号レベルが増加する再生信号S
_RFを得ることができる。

これに対して第８図に示すように交流的な変位におい
ては、光磁気デイスク12の回転及び半径方向の位置に応
じて再生信号S_RFの振幅値が変化する。

実際上、光磁気デイスク装置10においては、このよう
に直流的及び交流的な変位が組み合わさつて光磁気デイ
スク12の表面位置が変位し、このように最大値を比較し
て飽和する位置を検出する場合においては、光磁気デイ
スク12の直流的な変位が検出されることになる。

従つてこの実施例においては、ステツプSP6において
検出された最大値から各サンプルホールド値の偏差を検
出した後、第２図の特性曲線から当該偏差が０になる距
離を、光磁気デイスク12の最内周及び最外周について検
出し、当該検出結果をメモリ回路44に格納するようにな
されている。

かくして制御回路42は、ステツプSP8に移り、当該処
理手順を終了する。

さらに制御回路42は所定の記録トラツクに情報を記録
する際に、当該メモリ回路44に格納された検出結果に応
じて圧電アクチユエータ32を制御する。

すなわち制御回路42は、記録トラツクの位置情報D_Rを
受け、これにより当該記録トラツクの最内周及び最外周
からの距離を検出する。

さらに制御回路42は、当該距離の検出結果に基づい
て、メモリ回路44に格納された検出結果を参照して、当
該記録トラツクにおける光磁気デイスク12の直流的な変
位及び交流的な変位を検出し、当該検出結果に応じてデ
イジタルアナログ変換回路46に制御データを出力する。

実際上、交流的な変位は、光磁気デイスク12の半径に
比例して変化することから、光磁気デイスク12の最内周
及び最外周の変位が解れば、その間の所望の記録トラツ
クについて交流的な変位を検出することができる。

かくして、磁気ヘツド30においては、光磁気デイスク
12に対して飽和磁界Ｇの位置に保持され、これにより面
ぶれ量の検出機構を別途設けなくても、磁気ヘツド30を
光磁気デイスク12に近接して配置することができる。

従つてその分簡易な構成で、磁気ヘツド30の駆動電流
を低減し得、確実に所望の情報を記録することができ
る。

さらに駆動電流を低減し得ることから、その分光磁気
デイスク装置10全体の構成を簡略化して、消費電力を低
減することができる。

またこのように再生信号S_RFの信号レベルの基づいて
磁気ヘツド30の位置を制御すれば、光磁気デイスク12の
面ぶれに加えて、光磁気デイスク12の半径方向で変化す
る垂直磁化膜の感度のばらつき等も併せて補正すること
ができ、これにより確実に所望の情報を記録再生するこ
とができる。

さらに飽和磁界で情報を記録し得ることから、光磁気
デイスク12の特性を有効に利用してSN比の良い再生信号
S_RFを得ることができ、これにより効率良く情報を記録
再生することができる。

以上の構成において、光磁気デイスク12が装填される
と、磁気ヘツド30が所定の基準位置に保持され、この状
態で所定の基準駆動信号が光磁気デイスク12の最内周及
び最外周に記録される。

記録された基準駆動信号は、続いて再生され、これに
より再生信号S_RFの信号レベルが順次メモリ回路44に格
納される。

続いて磁気ヘツド30は、光磁気デイスク12に接近した
第２の基準位置に保持され、この状態で再び基準駆動信
号が光磁気デイスク12の最内周及び最外周に記録された
後、再生され、その信号レベルが検出される。

さらに信号レベルの検出結果からは、最大値が検出さ
れ、磁気ヘツド30を光磁気デイスク12に接近して信号レ
ベルを検出するたびにその最大値が比較される。

これにより光磁気デイスク12の直流的な変位が検出さ
れ、当該検出結果に基づいて交流的な変位が検出され
る。

かくして光磁気デイスク装置10においては、当該直流
的及び交流的な変位の検出結果に基づいて、光磁気デイ
スク12に近接して磁気ヘツド30が保持される。

以上の構成によれば、光磁気デイスク12の最内周及び
最外周に、所定の基準駆動信号の記録再生を繰り返し
て、再生信号S_RFの信号レベルが飽和する距離を検出
し、当該検出結果に基づいて磁気ヘツド30の位置を制御
することにより、簡易な構成で磁気ヘツド30を光磁気デ
イスク12に近接して保持することができる。

なお上述の実施例においては、光磁気デイスク12を間
に挟んで光ヘツド及び磁気ヘツドを配置する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、光磁気デイスク12
の片面側に光ヘツド及び磁気ヘツドを配置するようにし
てもよい。

さらに上述の実施例においては、光磁気デイスク12の
の最内周及び最外周に、所定の基準駆動信号の記録再生
を繰り返して、再生信号S_RFの信号レベルが飽和する距
離を検出する場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、必要に応じて最内周又は最外周の一方だけ、さら
には光磁気デイスク12の所定の距離トラツクで飽和する
距離を検出する場合に広く適用することができる。

さらに上述の実施例においては、光磁気デイスク12の
最内周及び最外周に、所定の基準駆動信号の記録した
後、これを再生して再生信号S_RFの信号レベルが飽和す
る距離を検出する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えば複数の光ビームを光磁気デイスクに照
射するようになされた光磁気デイスク装置においては、
記録しながら再生して、飽和する距離を検出するように
してもよい。

さらに上述の実施例においては、再生信号S_RFの信号
レベルが飽和する距離を検出する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、所定の信号レベルが得られ
る距離を検出し、当該検出結果に基づいて磁気ヘツドを
駆動するようにしてもよい。

さらに上述の実施例においては、圧電アクチユエータ
32で磁気ヘツド30の位置を可変する場合について述べた
が、本発明は圧電アクチユエータに限らず、種々の駆動
方法を広く適用することができる。

さらに上述の実施例においては、光磁気デイスク12を
交換するようになされた光磁気デイスク装置10に本発明
を適用した場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば備え付けの光磁気デイスクに対して情報を記
録するようになされた光磁気デイスク装置等に広く適用
することができる。

Ｈ発明の効果 上述のように本発明によれば、再生信号の信号レベル
に基づいて、光磁気デイスクに対する磁気ヘツドの位置
を制御することにより、簡易な構成で、光磁気デイスク
に近接して磁気ヘツドを保持することができる。

従つて、簡易な構成で磁気ヘツドの駆動電流を低減す
ることができ、その分消費電力を低減した簡易な構成の
光磁気デイスク装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による光磁気デイスク装置を
示すブロツク図、第２図は再生信号S_RFの信号レベルの
変化を示す特性曲線図、第３図は制御回路の処理手順を
示すフローチヤート、第４図は再生信号を示す信号波形
図、第５図及び第６図は光磁気デイスクの変位を示す略
線図、第７図及び第８図はその動作の説明に供する信号
波形図である。 10……光磁気デイスク装置、12……光磁気デイスク、30
……磁気ヘツド、32……圧電アクチユエータ、42……制
御回路。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気デイスクに、磁気ヘツドから得られ
   る所定磁界を印加すると共に光ヘツドから出力される光
   ビームを照射することにより、所望の情報を上記光磁気
   デイスクに記録するようになされた光磁気デイスク装置
   において、 上記磁気ヘツドを基準位置に保持して、上記光磁気デイ
   スクに記録した信号を再生し、その結果得られる再生信
   号の信号レベルに基づいて、上記再生信号の信号レベル
   が所定値になるように上記光磁気デイスクに対する上記
   磁気ヘツドの位置を制御するようにした ことを特徴とする光磁気デイスク装置。