JP2730397B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2730397B2 JP2730397B2 JP12149792A JP12149792A JP2730397B2 JP 2730397 B2 JP2730397 B2 JP 2730397B2 JP 12149792 A JP12149792 A JP 12149792A JP 12149792 A JP12149792 A JP 12149792A JP 2730397 B2 JP2730397 B2 JP 2730397B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のトランスフ
ァーモールドしたパッケージに関し、特に超薄形トラン
スファーモールドパッケージの製造方法に関する。
ァーモールドしたパッケージに関し、特に超薄形トラン
スファーモールドパッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリヤ方式による半導
体装置の製造方法は、図３（ｂ）に示す如く、搬送及び
位置決め用のスプロケットホール７ａと、半導体チップ
５ａが入る開孔部であるデバイスホール９ａを有するポ
リイミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着し金
属箔をエッチング等により所望の形状のリード４ａと電
気選別の為のパッド１０ａとを形成し、形成されたリー
ド４ａ上に必要に応じてコーティング層３ａを形成した
フィルムキャリヤテープ８ａと、あらかじめ電極端子上
に金属突起物であるバンプ１ａを設けた半導体チップ５
ａとを準備し、次に、フィルムキャリヤテープのリード
４ａと半導体チップのバンプ１ａとを熱圧着法または共
晶法等により、インナーリードボンディングを行う。つ
いでコーティング層３ａ部をトランスファーモールド金
型で挟み込み樹脂６ａを流し込みトランスファーモール
ドを実施し、図３（ａ）の如くトランスファーモールド
・パッケージ１７ａを形成し、フィルムキャリヤテープ
の状態で電気選別用パッド１０ａ上に接触子を接触させ
て電気選別やデバイス試験を実施する。上記のようなフ
ィルムキャリヤー方式による半導体装置の製造方法は、
ボンディングがリードの数と無関係に一度で可能である
ため、スピードが速いこと、フィルムキャリヤーテープ
を使用するためボンディング等の組立と電気選別作業の
自動化がはかれ、量産性が優れていること、トランスフ
ァーモールドにより樹脂で半導体装置を保護する為、従
来のトランスファーモールド型半導体装置と同等な包装
形態及び取扱いが可能となる等の利点を有している。
体装置の製造方法は、図３（ｂ）に示す如く、搬送及び
位置決め用のスプロケットホール７ａと、半導体チップ
５ａが入る開孔部であるデバイスホール９ａを有するポ
リイミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着し金
属箔をエッチング等により所望の形状のリード４ａと電
気選別の為のパッド１０ａとを形成し、形成されたリー
ド４ａ上に必要に応じてコーティング層３ａを形成した
フィルムキャリヤテープ８ａと、あらかじめ電極端子上
に金属突起物であるバンプ１ａを設けた半導体チップ５
ａとを準備し、次に、フィルムキャリヤテープのリード
４ａと半導体チップのバンプ１ａとを熱圧着法または共
晶法等により、インナーリードボンディングを行う。つ
いでコーティング層３ａ部をトランスファーモールド金
型で挟み込み樹脂６ａを流し込みトランスファーモール
ドを実施し、図３（ａ）の如くトランスファーモールド
・パッケージ１７ａを形成し、フィルムキャリヤテープ
の状態で電気選別用パッド１０ａ上に接触子を接触させ
て電気選別やデバイス試験を実施する。上記のようなフ
ィルムキャリヤー方式による半導体装置の製造方法は、
ボンディングがリードの数と無関係に一度で可能である
ため、スピードが速いこと、フィルムキャリヤーテープ
を使用するためボンディング等の組立と電気選別作業の
自動化がはかれ、量産性が優れていること、トランスフ
ァーモールドにより樹脂で半導体装置を保護する為、従
来のトランスファーモールド型半導体装置と同等な包装
形態及び取扱いが可能となる等の利点を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のフィルムキャリ
ヤ半導体装置は半導体チップ及びリード等の保護を実施
する必要があり、主に樹脂ポッティング法で実施する
為、パッケージの概形寸法が不安定であり、且つパッケ
ージクラック等も発生するという欠点がある。これを解
決するために幾つかのパッケージ形成法が紹介されてい
る。一例としてＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥ
Ｓ １９９１年２月号ｐ６５，６６等で紹介されている
ダイレクト・トランスファーモールド法がある。
ヤ半導体装置は半導体チップ及びリード等の保護を実施
する必要があり、主に樹脂ポッティング法で実施する
為、パッケージの概形寸法が不安定であり、且つパッケ
ージクラック等も発生するという欠点がある。これを解
決するために幾つかのパッケージ形成法が紹介されてい
る。一例としてＮＩＫＫＥＩ ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥ
Ｓ １９９１年２月号ｐ６５，６６等で紹介されている
ダイレクト・トランスファーモールド法がある。
【０００４】このダイレクト・トランスファーモールド
法は、従来のフィルムキャリヤテープを金型でトランス
ファーモールドするものである。しかしながら樹脂の流
出によりチップの傾きが発生したり、又、薄型のパッケ
ージ形態である為、ボイドが発生するという問題があっ
た。
法は、従来のフィルムキャリヤテープを金型でトランス
ファーモールドするものである。しかしながら樹脂の流
出によりチップの傾きが発生したり、又、薄型のパッケ
ージ形態である為、ボイドが発生するという問題があっ
た。
【０００５】更に高圧の型締を必要とする為ポリイミド
等の強度不足から型締後のフィルムキャリヤ半導体装置
の反りが発生する恐れがあるという問題があった。
等の強度不足から型締後のフィルムキャリヤ半導体装置
の反りが発生する恐れがあるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、従来のフィルムキャリヤ
テープを金型でトランスファーモールドするとき、樹脂
の流出による半導体チップ及びリードの傾きを抑えるこ
とができ、かつ樹脂の流出状態を金型の加工をすること
なく制御できる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
テープを金型でトランスファーモールドするとき、樹脂
の流出による半導体チップ及びリードの傾きを抑えるこ
とができ、かつ樹脂の流出状態を金型の加工をすること
なく制御できる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、アウターリードが入る孔であるアウターリー
ド用ホールに囲まれたサスぺンダーを有する絶縁フィル
ム上に所望の形状のリードと選別用パッドとを有するフ
ィルムキャリヤテープを用いて、前記サスぺンダー上に
枠状で且つ樹脂が流入するゲートとなるスリットが設け
られたゲート付サスぺンダーを形成する工程と、半導体
チップとリードとをインナーリードボンディングする工
程と、トランスファーモールド金型の前記リードを挟ん
だ前記絶縁フィルムの反対側に前記ゲート付サスぺンダ
ーが形成された側の金型の深さを前記ゲート付サスぺン
ダー厚と同等にしたトランスファーモールド金型で樹脂
封止する工程とを含むことで、前記ゲート付サスぺンダ
ーの表面と前記金型のパッケージ厚深さの表面とが接触
する事で、前記ゲート付サスぺンダーが樹脂の流出によ
るチップの傾きを支える架台となり安定した、且つ超薄
型のパッケージを形成する。又、前記ゲート付サスぺン
ダーの貼り付け位置及び形状を変更する事でトランスフ
ァーモールド時の流出状態を金型を加工する必要がなく
容易に制御が可能となる。
造方法は、アウターリードが入る孔であるアウターリー
ド用ホールに囲まれたサスぺンダーを有する絶縁フィル
ム上に所望の形状のリードと選別用パッドとを有するフ
ィルムキャリヤテープを用いて、前記サスぺンダー上に
枠状で且つ樹脂が流入するゲートとなるスリットが設け
られたゲート付サスぺンダーを形成する工程と、半導体
チップとリードとをインナーリードボンディングする工
程と、トランスファーモールド金型の前記リードを挟ん
だ前記絶縁フィルムの反対側に前記ゲート付サスぺンダ
ーが形成された側の金型の深さを前記ゲート付サスぺン
ダー厚と同等にしたトランスファーモールド金型で樹脂
封止する工程とを含むことで、前記ゲート付サスぺンダ
ーの表面と前記金型のパッケージ厚深さの表面とが接触
する事で、前記ゲート付サスぺンダーが樹脂の流出によ
るチップの傾きを支える架台となり安定した、且つ超薄
型のパッケージを形成する。又、前記ゲート付サスぺン
ダーの貼り付け位置及び形状を変更する事でトランスフ
ァーモールド時の流出状態を金型を加工する必要がなく
容易に制御が可能となる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の一実施例を説明するためのフィル
ムキャリヤテープの表面の平面図とトランスファーモー
ルド・パッケージの断面図である。
る。図１は、本発明の一実施例を説明するためのフィル
ムキャリヤテープの表面の平面図とトランスファーモー
ルド・パッケージの断面図である。
【０００９】図１（ｂ）のトランスファーモールド前の
フィルムキャリヤ方式による半導体チップ５ｂとフィル
ムキャリヤテープ８ｂのインナーリードボンディング後
の平面図の通り、ゲート付サスペンダー１８ｂは、トラ
ンスファーモールド時の樹脂を半導体チップへ流出させ
る為の隙間ゲート１３ｂを設ける様フィルムキャリヤテ
ープのリード４ｂ側のサスペンダー上へ接着剤により貼
り付けられている。材質は、ポリイミド等からなり厚み
は、例えば５０μｍ程度である。図１（ａ）のトランス
ファーモールド後のパッケージの断面図と上下金型の断
面図の通り上金型１１ｂは、前記ゲート付サスペンダー
１８ｂの表面と常に接触する様に図１（ａ）の如く加工
され、パッケージ厚溝は例えば前記ゲート付サスペンダ
ー１８ｂの厚５０μｍ程度と同値とする。
フィルムキャリヤ方式による半導体チップ５ｂとフィル
ムキャリヤテープ８ｂのインナーリードボンディング後
の平面図の通り、ゲート付サスペンダー１８ｂは、トラ
ンスファーモールド時の樹脂を半導体チップへ流出させ
る為の隙間ゲート１３ｂを設ける様フィルムキャリヤテ
ープのリード４ｂ側のサスペンダー上へ接着剤により貼
り付けられている。材質は、ポリイミド等からなり厚み
は、例えば５０μｍ程度である。図１（ａ）のトランス
ファーモールド後のパッケージの断面図と上下金型の断
面図の通り上金型１１ｂは、前記ゲート付サスペンダー
１８ｂの表面と常に接触する様に図１（ａ）の如く加工
され、パッケージ厚溝は例えば前記ゲート付サスペンダ
ー１８ｂの厚５０μｍ程度と同値とする。
【００１０】下金型１２ｂは、半導体チップ５ｂの裏面
と常に接触する様に図１（ａ）の如く加工されパッケー
ジ厚溝は、ゲート付サスペンダー１８ｂの表面から半導
体チップ５ｂの裏面までの高さ６３５μｍ程度から前記
ゲート付サスペンダー１８ｂの表面からポリイミド２ｂ
の表面の高さ２１０μｍ程度を引いた値４２５μｍ程度
と同値とする。
と常に接触する様に図１（ａ）の如く加工されパッケー
ジ厚溝は、ゲート付サスペンダー１８ｂの表面から半導
体チップ５ｂの裏面までの高さ６３５μｍ程度から前記
ゲート付サスペンダー１８ｂの表面からポリイミド２ｂ
の表面の高さ２１０μｍ程度を引いた値４２５μｍ程度
と同値とする。
【００１１】前記半導体チップ５ｂをインナーリードボ
ンディングしたフィルムキャリヤテープ８ｂを前記トラ
ンスファーモールド金型の上金型１１ｂと下金型１２ｂ
とで高圧力を加え挟み込む事で半導体チップ５ｂの裏面
は、下金型１２ｂの溝表面が上金型１１ｂ側へ押し込ま
れる。押し込まれた半導体チップ５ｂの応力によりゲー
ト付サスペンダー１８ｂの表面は、上金型１１ｂの溝表
面に常に応力を加えることになる。
ンディングしたフィルムキャリヤテープ８ｂを前記トラ
ンスファーモールド金型の上金型１１ｂと下金型１２ｂ
とで高圧力を加え挟み込む事で半導体チップ５ｂの裏面
は、下金型１２ｂの溝表面が上金型１１ｂ側へ押し込ま
れる。押し込まれた半導体チップ５ｂの応力によりゲー
ト付サスペンダー１８ｂの表面は、上金型１１ｂの溝表
面に常に応力を加えることになる。
【００１２】又、上金型１１ｂの溝表面は、ゲート付サ
スペンダー１８ｂの表面を下金型１２ｂ側へ押し下げ
る。
スペンダー１８ｂの表面を下金型１２ｂ側へ押し下げ
る。
【００１３】前記状態で前記金型へ樹脂を流出させる事
で更にゲート付サスペンダー１８ｂの表面は上金型１１
ｂの溝表面に応力を加える状態になり、トランスファー
モールドが完了した時点では図１（ａ）の如くトランス
ファーモールド・パッケージ１７ｂが形成される。この
第１の実施例は、ゲート付サスペンダー１８ｂが支え架
台となる為、パッケージ内部のチップの傾きの減少，ボ
イド発生率の減少等の問題が解決される。
で更にゲート付サスペンダー１８ｂの表面は上金型１１
ｂの溝表面に応力を加える状態になり、トランスファー
モールドが完了した時点では図１（ａ）の如くトランス
ファーモールド・パッケージ１７ｂが形成される。この
第１の実施例は、ゲート付サスペンダー１８ｂが支え架
台となる為、パッケージ内部のチップの傾きの減少，ボ
イド発生率の減少等の問題が解決される。
【００１４】次に第２の実施例について説明する。図２
は本発明の第２の実施例を説明するためのトランスァー
モールドパッケージの断面図及びフィルムキャリヤテー
プの表面の平面図である。図２（ｂ）のトランスファー
モールド前のフィルムキャリヤ方式による半導体チップ
５ｂとフィルムキャリヤテープ８ｂ1 の接合時の平面図
の通り、ゲート付サスペンダー１８ｂ1 は、トランスフ
ァーモールド時の樹脂を半導体チップへ流出させる為の
隙間ゲート１３ｂ1 を設ける様フィルムキャリヤテープ
のリード４ｂ側のサスペンダー上、下の両端へ接着剤に
より貼り付けられている。材質は、ポリイミド等からな
り厚みは、例えば上金型１１ｂ1 側は、５０μｍ程度、
下金型１２ｂ1 側は、５５０μｍ程度である。
は本発明の第２の実施例を説明するためのトランスァー
モールドパッケージの断面図及びフィルムキャリヤテー
プの表面の平面図である。図２（ｂ）のトランスファー
モールド前のフィルムキャリヤ方式による半導体チップ
５ｂとフィルムキャリヤテープ８ｂ1 の接合時の平面図
の通り、ゲート付サスペンダー１８ｂ1 は、トランスフ
ァーモールド時の樹脂を半導体チップへ流出させる為の
隙間ゲート１３ｂ1 を設ける様フィルムキャリヤテープ
のリード４ｂ側のサスペンダー上、下の両端へ接着剤に
より貼り付けられている。材質は、ポリイミド等からな
り厚みは、例えば上金型１１ｂ1 側は、５０μｍ程度、
下金型１２ｂ1 側は、５５０μｍ程度である。
【００１５】図２（ａ）のトランスファーモールド後の
パッケージの断面図と上下金型の断面図の通り、上金型
１１ｂ1 は、上金型１１ｂ1 側の前記ゲート付サスペン
ダー１８ｂ1 の表面と常に接触する様に図２（ａ）の如
く加工され、パッケージ厚溝は例えば、前記ゲート付サ
スペンダー１８ｂ1 の厚の５０μｍ程度と同値とする。
下金型１２ｂ1 側は、下金型１２ｂ1 側の前記サスペン
ダー１８ｂ1 の表面と常に接触する様に図２（ａ）の如
く加工されパッケージ厚溝は前記実施例１と同値であ
る。前記半導体チップ５ｂをインナーリードボンディン
グにより形成されたフィルムキャリヤテープ８ｂ1 を前
記トランスファーモールド金型の上金型１１ｂ1 と下金
型１２ｂ1 とで高圧力を加え、挟み込む事で、下金型１
２ｂ1 側のゲート付サスペンダー１８ｂ1 の表面を下金
型１２ｂ1 の溝表面が上金型１１ｂ1 側へ押し込まれ
る。押し込まれた下金型１２ｂ1 側のゲート付サスペン
ダー１８ｂ1 の応力により上金型１１ｂ1 側のゲート付
サスペンダー１８ｂ1 の表面は、上金型１１ｂ1 の溝表
面は、常に応力を加える。
パッケージの断面図と上下金型の断面図の通り、上金型
１１ｂ1 は、上金型１１ｂ1 側の前記ゲート付サスペン
ダー１８ｂ1 の表面と常に接触する様に図２（ａ）の如
く加工され、パッケージ厚溝は例えば、前記ゲート付サ
スペンダー１８ｂ1 の厚の５０μｍ程度と同値とする。
下金型１２ｂ1 側は、下金型１２ｂ1 側の前記サスペン
ダー１８ｂ1 の表面と常に接触する様に図２（ａ）の如
く加工されパッケージ厚溝は前記実施例１と同値であ
る。前記半導体チップ５ｂをインナーリードボンディン
グにより形成されたフィルムキャリヤテープ８ｂ1 を前
記トランスファーモールド金型の上金型１１ｂ1 と下金
型１２ｂ1 とで高圧力を加え、挟み込む事で、下金型１
２ｂ1 側のゲート付サスペンダー１８ｂ1 の表面を下金
型１２ｂ1 の溝表面が上金型１１ｂ1 側へ押し込まれ
る。押し込まれた下金型１２ｂ1 側のゲート付サスペン
ダー１８ｂ1 の応力により上金型１１ｂ1 側のゲート付
サスペンダー１８ｂ1 の表面は、上金型１１ｂ1 の溝表
面は、常に応力を加える。
【００１６】又、上金型１１ｂ1 の溝表面は、上金型１
１ｂ1 側のゲート付サスペンダー１８ｂ1 の表面を下金
型１２ｂ1 側へ押し込む。押し込まれた上金型１１ｂ1
側のゲート付サスペンダー１８ｂ1 の応力により下金型
１２ｂ1 側のサスペンダー１８ｂ1 の表面は、下金型１
２ｂ1 の溝表面に常に応力を加える。
１ｂ1 側のゲート付サスペンダー１８ｂ1 の表面を下金
型１２ｂ1 側へ押し込む。押し込まれた上金型１１ｂ1
側のゲート付サスペンダー１８ｂ1 の応力により下金型
１２ｂ1 側のサスペンダー１８ｂ1 の表面は、下金型１
２ｂ1 の溝表面に常に応力を加える。
【００１７】前記状態で前記金型から樹脂を流出させる
事でトランスファーモールドが完了した時点では、図２
（ａ）の如く、トランスファーモールド・パッケージ１
７ｂ1 が形成される。
事でトランスファーモールドが完了した時点では、図２
（ａ）の如く、トランスファーモールド・パッケージ１
７ｂ1 が形成される。
【００１８】この第２の実施例は、上金型１１ｂ1 側の
ゲート付サスペンダー１８ｂ1 とが支え架台となる為、
第１の実施例より更にチップの傾きの減少，ボイド発生
率の減少等の問題が解決される。
ゲート付サスペンダー１８ｂ1 とが支え架台となる為、
第１の実施例より更にチップの傾きの減少，ボイド発生
率の減少等の問題が解決される。
【００１９】又、下金型１２ｂ1 側ゲート付サスペンダ
ー１８ｂ1 のゲート１３ｂ1 と上金型１１ｂ1 側サスペ
ンダー１８ｂ1 のゲート１３ｂ1 のゲート付サスペンダ
ー１８ｂ1 の形状例えば幅等及び貼り付け位置等を変更
する事で、ゲートサイズの制御が可能となり、樹脂の半
導体チップ５ｂへの流出速度等を制御することにより、
信頼性の高い製品の製造が可能となる。
ー１８ｂ1 のゲート１３ｂ1 と上金型１１ｂ1 側サスペ
ンダー１８ｂ1 のゲート１３ｂ1 のゲート付サスペンダ
ー１８ｂ1 の形状例えば幅等及び貼り付け位置等を変更
する事で、ゲートサイズの制御が可能となり、樹脂の半
導体チップ５ｂへの流出速度等を制御することにより、
信頼性の高い製品の製造が可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した様に本発明はフィルムキャ
リヤテープのリードに半導体チップの方向へ樹脂が流出
する様に隙間を設けてゲート付サスペンダーを貼り付け
且つ、トランスファーモールド用金型を前記ゲート付サ
スペンダー厚と同値程度に加工し、従来のトランスファ
ーモールドを実施し、トランスファーモールド・パッケ
ージを形成する為以下の効果を有している。 （１）前記ゲート付サスペンダー表面と前記金型パッケ
ージ溝深さ表面とが常に接触し半導体チップ及びリード
等の支え架台となり、トランスファーモールド時の樹脂
の流出による前記半導体チップ及び前記リードの傾きを
抑える事が可能となる。 （２）前記ゲート付サスペンダーの貼り付け位置及び形
状等を変更する事で樹脂の流出状態を金型の加工を必要
としないで容易に制御可能となる。
リヤテープのリードに半導体チップの方向へ樹脂が流出
する様に隙間を設けてゲート付サスペンダーを貼り付け
且つ、トランスファーモールド用金型を前記ゲート付サ
スペンダー厚と同値程度に加工し、従来のトランスファ
ーモールドを実施し、トランスファーモールド・パッケ
ージを形成する為以下の効果を有している。 （１）前記ゲート付サスペンダー表面と前記金型パッケ
ージ溝深さ表面とが常に接触し半導体チップ及びリード
等の支え架台となり、トランスファーモールド時の樹脂
の流出による前記半導体チップ及び前記リードの傾きを
抑える事が可能となる。 （２）前記ゲート付サスペンダーの貼り付け位置及び形
状等を変更する事で樹脂の流出状態を金型の加工を必要
としないで容易に制御可能となる。
【図１】本発明の一実施例を説明するためのトランスフ
ァーモールド工程後の半導体装置の断面図及びトランス
ファーモールド工程前のゲート付サスペンダ付半導体装
置の平面図である。
ァーモールド工程後の半導体装置の断面図及びトランス
ファーモールド工程前のゲート付サスペンダ付半導体装
置の平面図である。
【図２】本発明の他の実施例を説明するための図１に対
応する断面図及び平面図である。
応する断面図及び平面図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
図１に対応する断面図及び平面図である。
図１に対応する断面図及び平面図である。
１ａ，１ｂ バンプ ２ａ，２ｂ ポリイミド・テープ ３ａ コーティング層 ４ａ，４ｂ リード ５ａ，５ｂ 半導体チップ ６ａ，６ｂ，６ｂ1 樹脂 ７ａ，７ｂ スプロケットホール ８ａ，８ｂ，８ｂ1 フィルムキャリヤテープ ９ａ，９ｂ，９ｂ1 デバイスホール １０ａ，１０ｂ 選別用パッド １１ｂ，１１ｂ1 上金型 １２ｂ，１２ｂ1 下金型 １３ｂ，１３ｂ1 ゲート １４ａ，１４ｂ 孔 １５ａ 接着剤 １６ａ プリント基板 １７ａ，１７ｂ，１７ｂ1 トランスファモールド・
パッケージ １８ｂ，１８ｂ1 ゲート付サスゲンダー
パッケージ １８ｂ，１８ｂ1 ゲート付サスゲンダー
Claims (2)
- 【請求項１】 アウターリードが入る孔であるアウター
リード用ホールに囲まれたサスぺンダーを有する絶縁フ
ィルム上に所望の形状のリードと選別用パッドとを有す
るフィルムキャリヤテープを用いて、前記サスぺンダー
上に枠状で且つ樹脂が流入するゲートとなるスリットが
設けられたゲート付サスぺンダーを形成する工程と、半
導体チップとリードとをインナーリードボンディングす
る工程と、トランスファーモールド金型の前記リードを
挟んだ前記絶縁フィルムの反対側に前記ゲート付サスぺ
ンダーが形成された側の金型の深さを前記ゲート付サス
ぺンダー厚と同等にしたトランスファーモールド金型で
樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記ゲート付きサスペンダーの貼り付け
位置及び形状を変更する事で金型を加工する必要がなく
容易にトランスファーモールド時の樹脂の流出状態の制
御を可能としたことを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12149792A JP2730397B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12149792A JP2730397B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315384A JPH05315384A (ja) | 1993-11-26 |
| JP2730397B2 true JP2730397B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=14812645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12149792A Expired - Lifetime JP2730397B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730397B2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP12149792A patent/JP2730397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05315384A (ja) | 1993-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971118 |