JP2728072B2 - 半導体集積回路の試験方法 - Google Patents

半導体集積回路の試験方法

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【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路の試
験方法に関し、特にフェーズロックドループ回路(以
下、PLL回路と称す)を内蔵した半導体集積回路の試
験方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この半導体集積回路を動作させる
にあたり、高速動作を実現するには、PLL回路が用い
られている。かかる半導体集積回路を試験する際は、テ
スト専用のLSIテスタや汎用的なアナログテスタを接
続し、基準クロックやこの基準クロックよりも高い周波
数あるいは低い周波数の外部クロックおよび制御信号を
用いて内部回路やPLL回路などを試験している。
【0003】図2はかかる従来の一例を説明するための
半導体集積回路のブロック図である。図2に示すよう
に、従来の半導体集積回路12aを試験するときは、L
SIテスタに代表される試験装置11aを接続し、この
試験装置11aから基準クロック16およびこれに同期
した制御信号17を供給して半導体集積回路12aを動
作させるとともに、この半導体集積回路12aの出力信
号18を試験装置11aに取込み、あらかじめ試験装置
11a内部に用意した期待値データと比較することによ
り、正常動作か否かの判定を行っている。
【0004】しかし、最近の半導体分野においては、P
LL回路13aを内蔵し、高速動作を実現する半導体集
積回路12aが出現しているが、試験装置11aとして
用いるLSIテスタは、使用機器などの関係で測定を行
う基準クロック16の上限の周波数が決まっている。
【0005】このような高速動作の集積回路12aは、
基準クロック16を入力して所定の周波数を出力するP
LL回路13aと、このPLL回路13aの出力周波数
よりは低く、基準クロック16と同程度の周波数の外部
クロック23およびPLL回路13aの出力をテストモ
ードなどで切替えるセレクタ14と、このセレクタ14
の切替出力によって試験を行われる内部回路15とを備
えている。この集積回路12aの試験にあたっては、外
部クロック23をセレクタ14を介して内部回路15に
供給し、制御信号17に基ずいて出力信号18の値をチ
ュックすることにより、半導体集積回路12aの内部回
路15の動作試験を行っている。その際、外部クロック
23はPLL回路13aをスルーさせることになるた
め、PLL回路13aを試験する場合には、試験装置1
1aとして別個のアナログテスタなどを用いて単独試験
を行う必要がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路の試験方法、特にPLL回路を内蔵する集積回
路の試験方法は、集積回路の出力信号の周波数がLSI
テスタなどの上限の周波数を超えた場合には、試験を行
うことができず、また出来たとしても、周波数の高いあ
るいは低い外部クロックを供給するか、あるいは高価な
高速テスタを必要とするという欠点がある。
【0007】本発明の目的は、低速動作の試験装置を用
いて動作試験を可能にし、試験装置そのものを簡略化す
るとともに、試験時間を短縮することのできる半導体集
積回路の試験方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
の試験方法は、フェーズロックドループ回路を内蔵し且
つ高速で動作する内部回路を備えた半導体集積回路に低
速動作の試験装置を接続し、前記試験装置から基準クロ
ックおよび前記基準クロックに同期した制御信号を前記
半導体集積回路の前記フェーズロックドループ回路およ
び前記内部回路に供給するとともに、前記内部回路から
の出力信号を前記試験装置に取り込み、前記半導体集積
回路の動作試験を行う半導体集積回路の試験方法におい
て、前記フェーズロックドループ回路で前記基準クロッ
クを逓倍した第1の出力と、前記第1の出力を分周し前
記基準クロックに位相を合わせた第2の出力とをセレク
タを介して前記内部回路に供給し、前記試験装置からの
前記基準クロックおよび前記制御信号のみにより前記半
導体集積回路の動作試験を行うように構成される。
【0009】また、本発明の半導体集積回路の試験方法
は、前記フェーズロックドループ回路を、前記基準クロ
ックおよび前記第2の出力の位相を比較する位相比較器
と、前記位相比較器の出力のうち低域のみを通過させる
低域フィルタと、前記低域フィルタの出力により前記第
1の出力を発生させる電圧制御発振器と、前記電圧制御
発振器からの前記第1の出力を分周して前記第2の出力
を作成する分周器とで構成し、前記試験装置からの前記
基準クロックおよび前記制御信号のみにより、前記内部
回路および前記フェーズロックドループ回路の動作試験
を行うように構成される。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0011】図1は本発明の一実施の形態を説明するた
めの半導体集積回路のブロック図である。図1に示すよ
うに、この実施の形態による試験方法は、逓倍機能を有
するPLL回路13を内蔵した高速で動作する半導体集
積回路12を低速動作の試験装置11に接続し、この試
験装置11から基準クロック16および制御信号17を
供給する一方、半導体集積回路12の内部回路15より
出力信号18を取込むことにより、集積回路の動作試験
を行うものである。
【0012】このPLL回路13は、基準クロック1
6,第2のPLL出力S2の位相を比較し、2つの信号
の位相差に比例した電圧を供給する位相比較器19と、
この位相比較器19の出力のうち低域のみを通過させる
低域フィルタ20と、この低域フィルタ20の出力によ
り第1のPLL出力S1を発生させる電圧制御発振器
(VCO)21と、VCO21の出力、すなわち第1の
PLL出力S1を分周して前述した第2のPLL出力S
2を作成する分周器22とで構成する。このため、試験
装置11からの基準クロック16および制御信号17の
みにより、PLL回路13の位相比較器19に入力され
る信号のうち、帰還された信号、すなわち第2のPLL
出力S2をセレクタ14を介して内部回路15に供給す
ることにより、内部回路15およびPLL回路13の動
作試験を行うことができる。
【0013】以下、半導体集積回路12の動作試験につ
いて、より詳細に説明する。
【0014】まず、試験装置11としてのLSIテスタ
は、従来と同一のものを使用し、基準クロック16およ
びこれに同期した制御信号17を半導体集積回路12の
PLL回路13および内部回路15に供給する。この基
準クロック16はPLL回路13の位相比較器19に第
2のPLL出力S2とともに入力される。位相比較器1
9では、入力された2つの信号の位相を比較し、その位
相差に比例した電圧を発生する。この位相差比例電圧
は、低域フィルタ20を介してVCO21に供給され、
その電圧に応じた発信周波数を変化させるとともに、第
1のPLL出力としてセレクタ14に供給される。さら
に、VCO21で生成されたクロック、すなわち第1の
PLL出力S1は分周器22に供給されて1/N分周さ
れ、位相比較器19にフィードバックされるとともに、
第2のPLL出力S2としてセレクタ14に供給され
る。なお、セレクタ14の制御は、図示省略したテスト
モード信号などにより、切替制御される。
【0015】また、通常動作時は、VCO21の出力
(第1のPLL出力)S1が内部回路15に供給される
が、テスト時には、セレクタ14を切替え、分周器22
の出力(第2のPLL出力)S2が内部回路15に供給
される。すなわち、VCO21の出力S1は基準クロッ
ク16の周波数を逓倍したクロックとなり、分周器22
の出力S2は基準クロック16の周波数と等しい周波数
のクロックになる。さらに、分周器22の出力S2は、
試験装置11からの基準クロック16にほぼ同期してい
る。
【0016】しかるに、試験装置11からの制御信号1
7は、基準クロック16に同期して半導体集積回路12
の内部回路15に供給されるため、セレクタ14を介し
て内部回路15に供給される分周器22の出力S2とも
同期している。また、半導体集積回路12からの出力信
号18、すなわち内部回路15の出力は、基準クロック
16の周波数を超えることがないため、試験装置11と
しては、従来のLSIテスタを用いて取り込むことがで
きる。
【0017】このように、本実施の形態によれば、前述
したPLL回路13が位相同期するまでの一定期間を経
た後、通常のLSIテスタからなる試験装置11を用い
て、PLL回路13を含む半導体集積回路12の動作試
験を行うことができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路、特にPLL回路を内蔵した半導体集積回路の試
験方法は、このPLL回路を形成する分周器の出力を内
部回路に供給することにより、試験装置から基準クロッ
クよりも高い周波数あるいは低い周波数の外部クロック
を供給しないで済み、高速動作の半導体集積回路を高価
なテスタを導入することなく、従来のLSIテスタをそ
のまま使用して動作試験することができるという効果が
ある。
【0019】また、本発明の試験方法は、基準クロック
よりも高い周波数あるいは低い周波数の外部クロックを
外部より供給しなくても済むので、少なくとも1つのク
ロック供給端子を削減でき、試験装置そのものを簡略化
することができるという効果がある。
【0020】また、本発明の試験方法によれば、PLL
回路および内部回路を同時に試験できるので、試験時間
を短縮することができるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を説明するための半導体
集積回路のブロック図である。
【図2】従来の一例を説明するための半導体集積回路の
ブロック図である。
【符号の説明】
11 試験装置 12 半導体集積回路 13 PLL回路 14 セレクタ 15 内部回路 16 基準クロック 17 制御信号 18 出力信号 19 位相比較器 20 低域フィルタ 21 VCO 22 分周器

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フェーズロックドループ回路を内蔵し且
    つ高速で動作する内部回路を備えた半導体集積回路に低
    速動作の試験装置を接続し、前記試験装置から基準クロ
    ックおよび前記基準クロックに同期した制御信号を前記
    半導体集積回路の前記フェーズロックドループ回路およ
    び前記内部回路に供給するとともに、前記内部回路から
    の出力信号を前記試験装置に取り込み、前記半導体集積
    回路の動作試験を行う半導体集積回路の試験方法におい
    て、前記フェーズロックドループ回路で前記基準クロッ
    クを逓倍した第1の出力と、前記第1の出力を分周し前
    記基準クロックに位相を合わせた第2の出力とをセレク
    タを介して前記内部回路に供給し、前記試験装置からの
    前記基準クロックおよび前記制御信号のみにより前記半
    導体集積回路の動作試験を行うことを特徴とする半導体
    集積回路の試験方法。
  2. 【請求項2】 前記フェーズロックドループ回路は、前
    記基準クロックおよび前記第2の出力の位相を比較する
    位相比較器と、前記位相比較器の出力のうち低域のみを
    通過させる低域フィルタと、前記低域フィルタの出力に
    より前記第1の出力を発生させる電圧制御発振器と、前
    記電圧制御発振器からの前記第1の出力を分周して前記
    第2の出力を作成する分周器とで構成し、前記試験装置
    からの前記基準クロックおよび前記制御信号のみによ
    り、前記内部回路および前記フェーズロックドループ回
    路の動作試験を行う請求項1記載の半導体集積回路の試
    験方法。
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