JP2727194B2 - 電子放出装置及び電子線発光装置 - Google Patents
電子放出装置及び電子線発光装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電子放出素子を利用して、面状の電子放出を
行なわせる電子放出装置及び該電子放出装置を用いた電
子線発光装置に関するものである。
行なわせる電子放出装置及び該電子放出装置を用いた電
子線発光装置に関するものである。
［従来の技術］ 従来、簡単な構造で電子の放出が得られる素子とし
て、例えばエム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）等
によって発表された冷陰極素子が知られている。［ラジ
オ・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス
（Radio Eng.Electron.Phys.）第10巻,1290〜1296頁,19
65年］ これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれ
ている。
て、例えばエム・アイ・エリンソン（M.I.Elinson）等
によって発表された冷陰極素子が知られている。［ラジ
オ・エンジニアリング・エレクトロン・フィジィッス
（Radio Eng.Electron.Phys.）第10巻,1290〜1296頁,19
65年］ これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に
平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を
利用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれ
ている。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等
により開発されたSnO2（Sb）薄膜を用いたものの他、Au
薄膜によるもの［ジー・ディトマー：“スイン・ソリド
・フィルムス”（G.Dittmer:“Thin Solid Films"）,9
巻,317頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの［エム・
ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンスタッド：
“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・ディー・
コンフ”（M.Hartwell and C.G.Fonstad:“IEEE Trans.
ED Conf."）519頁，（1975年）］、カーボン薄膜による
もの［荒木久他：“真空",第26巻，第１号,22頁，（198
3年）］等が報告されている。
により開発されたSnO2（Sb）薄膜を用いたものの他、Au
薄膜によるもの［ジー・ディトマー：“スイン・ソリド
・フィルムス”（G.Dittmer:“Thin Solid Films"）,9
巻,317頁，（1972年）］、ITO薄膜によるもの［エム・
ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンスタッド：
“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・ディー・
コンフ”（M.Hartwell and C.G.Fonstad:“IEEE Trans.
ED Conf."）519頁，（1975年）］、カーボン薄膜による
もの［荒木久他：“真空",第26巻，第１号,22頁，（198
3年）］等が報告されている。
これらの表面伝導形放出素子の典型的な素子構成を第
５図に示す。同第５図において、１および２は電気的接
続を得る為の電極、３は電子放出材料で形成される薄
膜、４は基板、５は電子放出部を示す。
５図に示す。同第５図において、１および２は電気的接
続を得る為の電極、３は電子放出材料で形成される薄
膜、４は基板、５は電子放出部を示す。
この表面伝導形放出素子において、電子放出部５は、
電子放出を行なう前にあらかじめフォーミングと呼ばれ
る通電加熱処理を施すことによって形成される。即ち、
前記電極１と電極２の間に電圧を印加することにより、
薄膜３に通電し、これにより発生するジュール熱で薄膜
３を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に
高抵抗な状態にすることによって形成されるもので、こ
の電子放出部５を形成することにより電子放出機能を得
ている。
電子放出を行なう前にあらかじめフォーミングと呼ばれ
る通電加熱処理を施すことによって形成される。即ち、
前記電極１と電極２の間に電圧を印加することにより、
薄膜３に通電し、これにより発生するジュール熱で薄膜
３を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に
高抵抗な状態にすることによって形成されるもので、こ
の電子放出部５を形成することにより電子放出機能を得
ている。
上述の表面伝導形素子は、 １）高い電子放出効率が得られる、 ２）構造が簡単であるため、製造が容易である、 ３）同一基板上に多数の素子を配列形成できる、 ４）応答速度が速い 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
る。
一方、縦横等間隔で面状に複数の電子源を展開した電
子放出装置が知られている（特開昭56−28445号）。
子放出装置が知られている（特開昭56−28445号）。
しかしながら、残念なことに、上記電子放出装置で
は、電子源としてコイル状ヒータ形式の熱カソードを用
いているため、電子放出効率が低く、しかも構造が複雑
化してしまい、装置の消費電力や製造コストが莫大なも
のとなることから、実用化されるまでには至っていな
い。
は、電子源としてコイル状ヒータ形式の熱カソードを用
いているため、電子放出効率が低く、しかも構造が複雑
化してしまい、装置の消費電力や製造コストが莫大なも
のとなることから、実用化されるまでには至っていな
い。
そこで、上記コイル状ヒータ形式の熱カソードに代え
て、電子源として前記表面伝導形放出素子を使用するこ
とにより、電子放出効率の向上並びに構造の簡略化を図
り、実用的な電子放出装置とすることが考えられるが、
これには次のような問題がある。
て、電子源として前記表面伝導形放出素子を使用するこ
とにより、電子放出効率の向上並びに構造の簡略化を図
り、実用的な電子放出装置とすることが考えられるが、
これには次のような問題がある。
［発明が解決しようとする課題］ 前記熱カソードを単に表面伝導形放出素子に置き代え
ただけでは、各素子からの電子照射領域間に大きな隙間
を生じたり過度の重複を生じやすく、表状にほぼ均一な
電子の放出が得られない問題がある。
ただけでは、各素子からの電子照射領域間に大きな隙間
を生じたり過度の重複を生じやすく、表状にほぼ均一な
電子の放出が得られない問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、表面
伝導形放出素子を平面状に展開して電子放出装置とした
ときの、電子照射領域間の大きな隙間や過度の重複を無
くすことをその解決すべき課題とするものである。
伝導形放出素子を平面状に展開して電子放出装置とした
ときの、電子照射領域間の大きな隙間や過度の重複を無
くすことをその解決すべき課題とするものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、前述の問題点が表面伝導形放出素子の特性
に起因することを見出したことによって完成されたもの
である。
に起因することを見出したことによって完成されたもの
である。
本発明において、前記課題を解決するために講じられ
た手段を、本発明の特徴を最も良く表わしている第２図
で説明すると、本発明では、複数の電子放出素子を一列
に並べたライン状電子源を複数列有する電子放出装置に
おいて、前記電子放出素子が、対向する電極間に設けら
れた薄膜に、当該電極の対向側端縁に沿った方向に長く
形成された電子放出部を有するもので、電子放出部の長
手方向に相隣接する電子放出素子の素子間隔P2が、前記
長手方向に直交する方向に相隣接する電子放出素子の素
子間隔P1より大きい電子放出装置とするという手段を講
じているものである。
た手段を、本発明の特徴を最も良く表わしている第２図
で説明すると、本発明では、複数の電子放出素子を一列
に並べたライン状電子源を複数列有する電子放出装置に
おいて、前記電子放出素子が、対向する電極間に設けら
れた薄膜に、当該電極の対向側端縁に沿った方向に長く
形成された電子放出部を有するもので、電子放出部の長
手方向に相隣接する電子放出素子の素子間隔P2が、前記
長手方向に直交する方向に相隣接する電子放出素子の素
子間隔P1より大きい電子放出装置とするという手段を講
じているものである。
また、本発明は、前記本発明の電子放出装置と、該電
子放出装置から放出される電子線の照射により発光する
発光部材とを有する電子線発光装置を提供するものであ
り、該電子放出装置においては、上記発光部材上での各
電子放出素子による電子照射領域の長軸をL,短軸をＷと
する（第１図参照）と、P2＜ＬかつP1＜Ｗの関係を満た
すように各電子放出素子が配列されていることが好まし
い。尚、本発明において、電子照射領域７の幅Ｗとは、
相対向する電極1,2間の間隔と平行方向の電子照射領域
７の長さをいい、電子照射領域７の長さＬとは、電極1,
2と平行方向の電子照射領域７の長さをいう。
子放出装置から放出される電子線の照射により発光する
発光部材とを有する電子線発光装置を提供するものであ
り、該電子放出装置においては、上記発光部材上での各
電子放出素子による電子照射領域の長軸をL,短軸をＷと
する（第１図参照）と、P2＜ＬかつP1＜Ｗの関係を満た
すように各電子放出素子が配列されていることが好まし
い。尚、本発明において、電子照射領域７の幅Ｗとは、
相対向する電極1,2間の間隔と平行方向の電子照射領域
７の長さをいい、電子照射領域７の長さＬとは、電極1,
2と平行方向の電子照射領域７の長さをいう。
本発明で用いる表面伝導形放出素子の構成材料に特に
制限はないが、基板４としては、例えばガラス、石英等
の絶縁材料が用いられる。薄膜３としては、例えば、In
2O3，SnO2,PbO等の金属酸化物、Au,Pg,Px等の金属、カ
ーボン、その他の各種半導体等の電子放出材料が用いら
れる。また、電気1,2としては、Ni,Pt,Al,Cu,Au等の導
電性材料が用いられる。
制限はないが、基板４としては、例えばガラス、石英等
の絶縁材料が用いられる。薄膜３としては、例えば、In
2O3，SnO2,PbO等の金属酸化物、Au,Pg,Px等の金属、カ
ーボン、その他の各種半導体等の電子放出材料が用いら
れる。また、電気1,2としては、Ni,Pt,Al,Cu,Au等の導
電性材料が用いられる。
［作用］ 第１図に示されるように、表面伝導形放出素子による
電子照射領域７は、その特性上、Ｌ＞Ｗとなっただ円形
に近い形状となる。
電子照射領域７は、その特性上、Ｌ＞Ｗとなっただ円形
に近い形状となる。
本発明において、P2＞P1としているので、上記特性に
合わせた電子放出部５の配列状態を得るためのものであ
る。即ち、相隣接する電子照射領域７間の間隔を、Ｗ方
向には小さく、Ｌ方向には大きくする働きをなす。また
Ｌ＞P2かつＷ＞P1とすることは、各電子照射領域７を部
分的に重複させて、隙間を無くす働きをなすものであ
る。
合わせた電子放出部５の配列状態を得るためのものであ
る。即ち、相隣接する電子照射領域７間の間隔を、Ｗ方
向には小さく、Ｌ方向には大きくする働きをなす。また
Ｌ＞P2かつＷ＞P1とすることは、各電子照射領域７を部
分的に重複させて、隙間を無くす働きをなすものであ
る。
［実施例］ 実施例１ まず、第１図に示されるような単の表面伝導形放出素
子と蛍光体ターゲット６を以下のようにして作製し、そ
の特性を調べた。尚、第２図において、４は基板、３は
薄膜、１および２は電気的接続を得るための電極、５は
電子放出部、６は電子放出面積を測定するための蛍光体
ターゲット、７は電子照射領域（発光部）、８は透明
板、９は透明電極、10は蛍光体である。
子と蛍光体ターゲット６を以下のようにして作製し、そ
の特性を調べた。尚、第２図において、４は基板、３は
薄膜、１および２は電気的接続を得るための電極、５は
電子放出部、６は電子放出面積を測定するための蛍光体
ターゲット、７は電子照射領域（発光部）、８は透明
板、９は透明電極、10は蛍光体である。
基板４に石英基板を用い、洗浄した石英基板４上に、
電子放出材料としてIn2O3を用い、1000Åの薄膜３を成
膜した。次いで、フォトリソグラフィー技術により、電
子放出部５が形成される、長さｌ＝0.3mm,幅ｗ＝0.1mm
のネック部を有する形状の薄膜３とした。
電子放出材料としてIn2O3を用い、1000Åの薄膜３を成
膜した。次いで、フォトリソグラフィー技術により、電
子放出部５が形成される、長さｌ＝0.3mm,幅ｗ＝0.1mm
のネック部を有する形状の薄膜３とした。
上記薄膜３のネック部に形成される電子放出部５と電
気的接続を得るための電極1,2としてNiをマスク蒸着に
より1500Åの膜厚で付着させた。
気的接続を得るための電極1,2としてNiをマスク蒸着に
より1500Åの膜厚で付着させた。
上記電極１と電極２の間に、30V程度の電圧を印加す
ることにより、薄膜３に通電し、これにより発生するジ
ュール熱で、薄膜３を局所的に破壊変形もしくは変質せ
しめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形成
した。
ることにより、薄膜３に通電し、これにより発生するジ
ュール熱で、薄膜３を局所的に破壊変形もしくは変質せ
しめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形成
した。
次に、透明板８に青板ガラスを用い、洗浄した後、透
明電極９としてITO（In2O3：SnO2＝95:5）を蒸着により
1000Å厚で付着させ、更に、電子により発光する蛍光体
10を塗布し、蛍光体ターゲット６を形成した。
明電極９としてITO（In2O3：SnO2＝95:5）を蒸着により
1000Å厚で付着させ、更に、電子により発光する蛍光体
10を塗布し、蛍光体ターゲット６を形成した。
上記のごとく形成された、表面伝導形電子放出素子と
蛍光体ターゲット６を用い、上記素子の電極1,2間に駆
動電圧14Vを印加し、蛍光体ターゲット６を上記素子か
ら約5mmの位置に配置して、透明電極９に1000Vの電圧を
印加した。上記素子の電子照射領域（発光部）７を測定
したところ、幅Ｗ方向に約2mm、長さＬ方向に約4mmの発
光を得た。すなわち、上記素子において、１素子当りの
電子放出部５の長手方向（幅ｗ方向）と同じ方向に長細
く広がる特性を得た。
蛍光体ターゲット６を用い、上記素子の電極1,2間に駆
動電圧14Vを印加し、蛍光体ターゲット６を上記素子か
ら約5mmの位置に配置して、透明電極９に1000Vの電圧を
印加した。上記素子の電子照射領域（発光部）７を測定
したところ、幅Ｗ方向に約2mm、長さＬ方向に約4mmの発
光を得た。すなわち、上記素子において、１素子当りの
電子放出部５の長手方向（幅ｗ方向）と同じ方向に長細
く広がる特性を得た。
上記特性は上記表面伝導形放出素子の固有の特性で、
電子放出部５の幅ｗが広がれば、蛍光体ターゲット６上
の電子照射領域７の長さＬが長くなる性質が認められ
た。
電子放出部５の幅ｗが広がれば、蛍光体ターゲット６上
の電子照射領域７の長さＬが長くなる性質が認められ
た。
上記素子と同様の表面伝導形放出素子を複数個用い
て、第２図のごとく、電子照射領域７の幅ｗ方向の素子
間隔、すなわち電子放出部５の長手方向に直交する方向
に相隣接する電子放出素子の素子間隔をP1、電子照射領
域７の長さＬ方向の素子間隔、すなわち電子放出部５の
長手方向に相隣接する電子放出素子の素子間隔をP1とし
たとき、素子間隔P1，P2の関係がP1＜P2の関係となるよ
う素子を配置した。また、第３図のごとく、電子照射領
域７が重なり合って面状の電子放出が得られるよう、素
子間隔P1，P2と電子照射領域７のW,Lとの関係をP1＜W,P
2＜Ｌとした。また、ネック部のどの位置に電子放出部
が形成されても面状の電子照射領域７が得られるように
素子間隔P1，P2とネック部の長さｌとの関係をP1−ｌ＜
P1として。更に具体的に説明すると、電子照射領域７に
ついては、前記の通りＷ＝2mm,L＝4mmであるため、P1＜
P2，P1＜W,P2＜L,P1−ｌ＜P2を満足するように、P1＝1.
6mm、P2＝3.4mmとした。
て、第２図のごとく、電子照射領域７の幅ｗ方向の素子
間隔、すなわち電子放出部５の長手方向に直交する方向
に相隣接する電子放出素子の素子間隔をP1、電子照射領
域７の長さＬ方向の素子間隔、すなわち電子放出部５の
長手方向に相隣接する電子放出素子の素子間隔をP1とし
たとき、素子間隔P1，P2の関係がP1＜P2の関係となるよ
う素子を配置した。また、第３図のごとく、電子照射領
域７が重なり合って面状の電子放出が得られるよう、素
子間隔P1，P2と電子照射領域７のW,Lとの関係をP1＜W,P
2＜Ｌとした。また、ネック部のどの位置に電子放出部
が形成されても面状の電子照射領域７が得られるように
素子間隔P1，P2とネック部の長さｌとの関係をP1−ｌ＜
P1として。更に具体的に説明すると、電子照射領域７に
ついては、前記の通りＷ＝2mm,L＝4mmであるため、P1＜
P2，P1＜W,P2＜L,P1−ｌ＜P2を満足するように、P1＝1.
6mm、P2＝3.4mmとした。
上記の通り配置し、前記１素子の駆動条件と同じ条件
で蛍光体ターゲット６を発光させたところ、目視では各
素子による発光領域を各々識別不可能な、発光面積が約
26mm×28mmの面状発光状態を得ることができた。
で蛍光体ターゲット６を発光させたところ、目視では各
素子による発光領域を各々識別不可能な、発光面積が約
26mm×28mmの面状発光状態を得ることができた。
更に、上記素子の安定性は、１素子では±15％の電子
放出のバラツキがあるのに対して、面全体では±10％
と、電子放出のバラツキが改善された。
放出のバラツキがあるのに対して、面全体では±10％
と、電子放出のバラツキが改善された。
また、表面伝導形放出素子を、P1＜W,P2＜Ｌの条件下
に配列することが困難な場合は、蛍光体ダーゲット６と
素子の距離をひろげることにより、W.Lを大きくし、面
状に均一な電子放出を得ることができた。
に配列することが困難な場合は、蛍光体ダーゲット６と
素子の距離をひろげることにより、W.Lを大きくし、面
状に均一な電子放出を得ることができた。
実施例２ 第１図に示すように、基板４に石英基板を用い、電極
1,2に膜厚1000ÅのNiをEB蒸着し、フォトリソグラフィ
ー技術により、薄膜３を幅ｗ＝0.3mm、間隔ｌ＝0.01mm
で形成し、次いで、電極1,2間へ、電子放出材料となる
１次粒径80〜200ÅのSnO2分散液（SnO2:1g、溶剤:MEK/
シクロヘキサン＝3/1を1000cc,ブチラール1g）をスピン
コートして塗布し、250℃で加熱処理し、電子放出部５
を形成した。
1,2に膜厚1000ÅのNiをEB蒸着し、フォトリソグラフィ
ー技術により、薄膜３を幅ｗ＝0.3mm、間隔ｌ＝0.01mm
で形成し、次いで、電極1,2間へ、電子放出材料となる
１次粒径80〜200ÅのSnO2分散液（SnO2:1g、溶剤:MEK/
シクロヘキサン＝3/1を1000cc,ブチラール1g）をスピン
コートして塗布し、250℃で加熱処理し、電子放出部５
を形成した。
上記のごとく形成された表面伝導形放出素子と実施例
１と同様の蛍光体ターゲット６とを用い、上記素子に駆
動電圧13Vを印加し、蛍光体ターゲット６を上記素子か
ら約3mmの位置に配置して1000vの電圧を印加し、蛍光体
ターゲット６を発光させて電子照射領域７を測定したと
ころ、幅Ｗ方向に約1.5mm、長さＬ方向に約3mmの発光を
した。
１と同様の蛍光体ターゲット６とを用い、上記素子に駆
動電圧13Vを印加し、蛍光体ターゲット６を上記素子か
ら約3mmの位置に配置して1000vの電圧を印加し、蛍光体
ターゲット６を発光させて電子照射領域７を測定したと
ころ、幅Ｗ方向に約1.5mm、長さＬ方向に約3mmの発光を
した。
上記素子をP1＜P2,W＞P1,L＞P2，P1−ｌ＜P2の関係を
満足しうるよう、素子間隔をP1＝1.2mm、P2＝2.5mmと
し、第２図に示されるものと同様に、４×２のマトリッ
クスに配置して、１素子と同条件で電子放出させ、蛍光
体ターゲット６を発光させたところ、約6.0mm×5.5mmの
面積で均一な、目視で各素子による発光領域の識別が困
難な面状の発光状態を得ることができた。
満足しうるよう、素子間隔をP1＝1.2mm、P2＝2.5mmと
し、第２図に示されるものと同様に、４×２のマトリッ
クスに配置して、１素子と同条件で電子放出させ、蛍光
体ターゲット６を発光させたところ、約6.0mm×5.5mmの
面積で均一な、目視で各素子による発光領域の識別が困
難な面状の発光状態を得ることができた。
実施例３ 第１図に示されるように、基板４として石英基板を用
い、洗浄された石英基板上に電子放出材料としてSnO2を
用いて1500Åの薄膜３を成膜し、次いでフォトリソグラ
フィー技術により電子放出部５が形成されるｌ＝0.3m
m、ｗ＝0.1mmのネック部を有する形状の薄膜３とした。
い、洗浄された石英基板上に電子放出材料としてSnO2を
用いて1500Åの薄膜３を成膜し、次いでフォトリソグラ
フィー技術により電子放出部５が形成されるｌ＝0.3m
m、ｗ＝0.1mmのネック部を有する形状の薄膜３とした。
次いで、前記薄膜３に形成される電子放出部５と電気
的接続を得る電極1,2としてNiをマスク蒸着により1500
Åの膜厚で付着させた。
的接続を得る電極1,2としてNiをマスク蒸着により1500
Åの膜厚で付着させた。
上記電極１と電極２の間に35V程度の電圧を印加する
ことにより、薄膜３に通電し、これにより発生するジュ
ール熱で薄膜３を局所的に破壊変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形成し
た。
ことにより、薄膜３に通電し、これにより発生するジュ
ール熱で薄膜３を局所的に破壊変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部５を形成し
た。
上記のごとく形成された表面伝導形放出素子と、前記
実施例１で用いた蛍光体ターゲット６とを用い上記素子
に駆動電圧14Vを印加し、蛍光体ターゲット６を上記素
子から約5mmの位置に配置して1000Vの電圧を印加し、上
記素子の電子照射領域を蛍光体ターゲット６の発光部の
面積より測定したところ、Ｗ＝約2.0mm,L＝約3.5mmであ
った。
実施例１で用いた蛍光体ターゲット６とを用い上記素子
に駆動電圧14Vを印加し、蛍光体ターゲット６を上記素
子から約5mmの位置に配置して1000Vの電圧を印加し、上
記素子の電子照射領域を蛍光体ターゲット６の発光部の
面積より測定したところ、Ｗ＝約2.0mm,L＝約3.5mmであ
った。
上記素子をP1＜P2,W＞P1,L＞P2，P1−ｌ＜P2の関係が
満足されうるように、素子間隔P1＝1.5mm,P2＝3.0mmと
し、第４図に示されるような５×４のマトリックスに配
置し、前記１素子のときと同条件で電子放出させ、蛍光
体ターゲット６を発光させたところ、約8.0mm×14.0mm
の面積で均一な、目視では各素子による発光領域の識別
の困難な面状の発光状態を得ることができた。
満足されうるように、素子間隔P1＝1.5mm,P2＝3.0mmと
し、第４図に示されるような５×４のマトリックスに配
置し、前記１素子のときと同条件で電子放出させ、蛍光
体ターゲット６を発光させたところ、約8.0mm×14.0mm
の面積で均一な、目視では各素子による発光領域の識別
の困難な面状の発光状態を得ることができた。
［発明の効果］ 以上説明したように、複数の電子放出素子を一列に並
べたライン状電子源の電子放出部５の長手方向に相隣接
する電子放出素子の素子間隔P2と、前記長手方向と直交
する方向に相隣接する電子放出素子の素子間隔P1の関係
を、P1＜P2とし、好ましくは、電子照射領域７のW,Lと
の関係をP1＜W,P2＜Ｌとした条件で素子を配置すること
により、均一な面状の電子照射領域が得られる効果があ
る。
べたライン状電子源の電子放出部５の長手方向に相隣接
する電子放出素子の素子間隔P2と、前記長手方向と直交
する方向に相隣接する電子放出素子の素子間隔P1の関係
を、P1＜P2とし、好ましくは、電子照射領域７のW,Lと
の関係をP1＜W,P2＜Ｌとした条件で素子を配置すること
により、均一な面状の電子照射領域が得られる効果があ
る。
第１図は本実施例で用いた表面伝導形放出素子の電子照
射領域確認のための試験の説明図、第２図は実施例１及
び２における素子の配列状態を示す平面図、第３図は実
施例１〜３における電子照射領域の説明図、第４図は実
施例３における素子の配列状態を示す平面図、第５図は
従来技術の説明図である。 1,2は電極、３は薄膜、４は基板、５は電子放出部、６
は蛍光体ターゲット、７は電子照射領域（発光部）、８
は透明板、９は透明電極、10は蛍光体。
射領域確認のための試験の説明図、第２図は実施例１及
び２における素子の配列状態を示す平面図、第３図は実
施例１〜３における電子照射領域の説明図、第４図は実
施例３における素子の配列状態を示す平面図、第５図は
従来技術の説明図である。 1,2は電極、３は薄膜、４は基板、５は電子放出部、６
は蛍光体ターゲット、７は電子照射領域（発光部）、８
は透明板、９は透明電極、10は蛍光体。
Claims (5)
- 【請求項１】複数の電子放出素子を一列に並べたライン
状電子源を複数列有する電子放出装置において、前記電
子放出素子が、対向する電極間に設けられた薄膜に、当
該電極の対向側端縁に沿った方向に長く形成された電子
放出部を有するもので、電子放出部の長手方向に相隣接
する電子放出素子の素子間隔P2が、前記長手方向に直交
する方向に相隣接する電子放出素子の素子間隔P1より大
きいことを特徴とする電子放出装置。 - 【請求項２】前記電子放出素子の電子放出部が、薄膜の
一部に形成された破壊、変形、あるいは変質部であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子放出装置。 - 【請求項３】前記電子放出素子が、表面伝導型電子放出
素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電
子放出装置。 - 【請求項４】複数の電子放出素子を一列に並べたライン
状電子源を複数列有する電子放出装置と、該電子放出装
置から放出される電子線の照射により発光する発光部材
とを有する電子線発光装置において、前記電子放出装置
が請求項１〜３のいずれかに記載の電子放出装置である
ことを特徴とする電子線発光装置。 - 【請求項５】前記発光部材上での各電子放出素子による
電子照射領域の長軸をＬ、短軸をＷとすると、P2＜Ｌか
つP1＜Ｗの関係を満たすように各電子放出素子が配列さ
れていることを特徴とする請求項４に記載の電子線発光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12186488A JP2727194B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 電子放出装置及び電子線発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12186488A JP2727194B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 電子放出装置及び電子線発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292732A JPH01292732A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2727194B2 true JP2727194B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=14821820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12186488A Expired - Fee Related JP2727194B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 電子放出装置及び電子線発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2727194B2 (ja) |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12186488A patent/JP2727194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01292732A (ja) | 1989-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |