JP2726794B2 - 被検出物の真正さをチェックする方法および装置 - Google Patents
被検出物の真正さをチェックする方法および装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、重要書類や有価証
券，紙幣および小切手等の金券，トラベラーズチェッ
ク，ＩＤカード，ＣＤカード，クレジットカード等のカ
ード類，パスポート，あるいは美術品等のように、偽造
を防止する必要のある被検出物のチェック方法および装
置に関する。
券，紙幣および小切手等の金券，トラベラーズチェッ
ク，ＩＤカード，ＣＤカード，クレジットカード等のカ
ード類，パスポート，あるいは美術品等のように、偽造
を防止する必要のある被検出物のチェック方法および装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】書類等の真正さをチェックするための手
段として、特許出願公表昭63-501250号（ＵＳＰ 4,820,
912号）に見られるように、マイクロ波を用いたチェッ
ク方法と装置が公知である。この先行技術は、書類中に
ランダムに分布された多数の金属線にマイクロ波を入射
させ、応答マイクロ波束に応じた固有のディジタルマー
クを、一定のルールで書類の適宜箇所に記録している。
そして書類の真正さを判断する際には、書類にマイクロ
波を入射させるとともに、応答マイクロ波束と上記ディ
ジタルマークとを照合することにより、両者が一致した
時に、本物であると判断している。
段として、特許出願公表昭63-501250号（ＵＳＰ 4,820,
912号）に見られるように、マイクロ波を用いたチェッ
ク方法と装置が公知である。この先行技術は、書類中に
ランダムに分布された多数の金属線にマイクロ波を入射
させ、応答マイクロ波束に応じた固有のディジタルマー
クを、一定のルールで書類の適宜箇所に記録している。
そして書類の真正さを判断する際には、書類にマイクロ
波を入射させるとともに、応答マイクロ波束と上記ディ
ジタルマークとを照合することにより、両者が一致した
時に、本物であると判断している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記先行技術のような
マイクロ波を用いるチェック手段では、応答マイクロ波
束を計測する際に、外部ノイズの影響を受けやすいた
め、ＳＮ比が悪くなる。また上記先行技術の装置はマイ
クロ波を発振するため、ノイズ源になることも考えられ
る。更に、マイクロ波の発信器および受信器は一般に大
形であり、コストも高い。
マイクロ波を用いるチェック手段では、応答マイクロ波
束を計測する際に、外部ノイズの影響を受けやすいた
め、ＳＮ比が悪くなる。また上記先行技術の装置はマイ
クロ波を発振するため、ノイズ源になることも考えられ
る。更に、マイクロ波の発信器および受信器は一般に大
形であり、コストも高い。
【０００４】また従来の紙幣において、磁性インクによ
って紙幣の特定領域に紙幣の種類等を表す記号を記録す
ることが行われているが、その場合には紙幣の種類ごと
に共通の記号が記録されているため、一旦その内容が知
られてしまうと簡単に記号を複製することができる。こ
のため、単なる磁性インクによる記号の記録では偽造防
止にほとんど役に立たない。
って紙幣の特定領域に紙幣の種類等を表す記号を記録す
ることが行われているが、その場合には紙幣の種類ごと
に共通の記号が記録されているため、一旦その内容が知
られてしまうと簡単に記号を複製することができる。こ
のため、単なる磁性インクによる記号の記録では偽造防
止にほとんど役に立たない。
【０００５】従って本発明の目的は、紙幣など被検出物
の偽造を困難なものにすることができ、しかもノイズの
発生源になることがなく、ＳＮ比が高い被検出物のチェ
ック方法および装置を提供することにある。
の偽造を困難なものにすることができ、しかもノイズの
発生源になることがなく、ＳＮ比が高い被検出物のチェ
ック方法および装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を果たすため
に開発された本発明装置は、高透磁率材料からなる基材
と、磁性材料からなる多数の磁性素子をランダムに混入
した走査領域とを有する被検出物の真正さをチェックす
る装置であって、上記走査領域を走査する方向に並べら
れた第１および第２の磁電変換素子を備える磁気センサ
と、上記磁電変換素子と走査領域に外部磁界を与える磁
界発生手段と、上記被検出物を上記磁電変換素子に対し
て上記走査方向に相対移動させる移送手段と、上記磁性
素子が上記磁電変換素子の近傍を通る時に上記磁性素子
の透磁率に応じた磁束変化により上記一対の磁電変換素
子間に生じる電気的出力の変化をとらえてこの走査領域
に固有の検出信号を得る検出回路と、上記検出信号を暗
号化することによって暗号コードを得る手段と、上記暗
号コードをコード表示部に記録するコード書込み手段
と、上記コード表示部に記録されている上記暗号コード
を読取る読取り手段と、上記読取り手段によって読取ら
れた暗号コードを上記磁気センサによって検出された検
出信号と照合しかつ両者が互いに対応した時にこの被検
出物が真正であると判断する手段とを具備したことを特
徴とするものである。
に開発された本発明装置は、高透磁率材料からなる基材
と、磁性材料からなる多数の磁性素子をランダムに混入
した走査領域とを有する被検出物の真正さをチェックす
る装置であって、上記走査領域を走査する方向に並べら
れた第１および第２の磁電変換素子を備える磁気センサ
と、上記磁電変換素子と走査領域に外部磁界を与える磁
界発生手段と、上記被検出物を上記磁電変換素子に対し
て上記走査方向に相対移動させる移送手段と、上記磁性
素子が上記磁電変換素子の近傍を通る時に上記磁性素子
の透磁率に応じた磁束変化により上記一対の磁電変換素
子間に生じる電気的出力の変化をとらえてこの走査領域
に固有の検出信号を得る検出回路と、上記検出信号を暗
号化することによって暗号コードを得る手段と、上記暗
号コードをコード表示部に記録するコード書込み手段
と、上記コード表示部に記録されている上記暗号コード
を読取る読取り手段と、上記読取り手段によって読取ら
れた暗号コードを上記磁気センサによって検出された検
出信号と照合しかつ両者が互いに対応した時にこの被検
出物が真正であると判断する手段とを具備したことを特
徴とするものである。
【０００７】磁電変換素子は、磁界の強さにほぼ比例し
て抵抗値が高くなるような磁気抵抗素子（ＭＲ素子）が
適しているが、要するに磁界の強さに応じて抵抗値等の
電気的特性が変化するものであればよいから、ＭＲ素子
以外に例えば磁気ダイオードやホール素子が使用されて
もよい。また、磁性素子を構成する高透磁率材料は、下
記実施例中に示すように例えばパーマロイ，Ｃｏ系アモ
ルファス，Ｆｅ−Ｎｉ系合金あるいはソフトフェライト
等が適している。
て抵抗値が高くなるような磁気抵抗素子（ＭＲ素子）が
適しているが、要するに磁界の強さに応じて抵抗値等の
電気的特性が変化するものであればよいから、ＭＲ素子
以外に例えば磁気ダイオードやホール素子が使用されて
もよい。また、磁性素子を構成する高透磁率材料は、下
記実施例中に示すように例えばパーマロイ，Ｃｏ系アモ
ルファス，Ｆｅ−Ｎｉ系合金あるいはソフトフェライト
等が適している。
【０００８】
【作用】本発明では、被検出物を作成するための作成プ
ロセスにおいて被検出物の走査領域に多数の磁性素子を
ランダムに混入しておく。磁性素子はワイヤ，箔，粉体
などであり、磁性素子がワイヤや箔の場合、被検出物の
走査領域に多数の磁性素子をランダムに混入しておく。
磁性素子が粉体の場合には、被検出物の走査領域にラン
ダムな粉体の濃淡（密度の変化）をつけるか、粉体の密
度を一定にしてランダムな模様を描くか、あるいはこれ
ら両者を組合わせておく。そして、この走査領域を上記
磁気センサによって走査する時に得られる固有の検出信
号を被検出物の真正さのチェックに利用する。
ロセスにおいて被検出物の走査領域に多数の磁性素子を
ランダムに混入しておく。磁性素子はワイヤ，箔，粉体
などであり、磁性素子がワイヤや箔の場合、被検出物の
走査領域に多数の磁性素子をランダムに混入しておく。
磁性素子が粉体の場合には、被検出物の走査領域にラン
ダムな粉体の濃淡（密度の変化）をつけるか、粉体の密
度を一定にしてランダムな模様を描くか、あるいはこれ
ら両者を組合わせておく。そして、この走査領域を上記
磁気センサによって走査する時に得られる固有の検出信
号を被検出物の真正さのチェックに利用する。
【０００９】すなわち、一対の磁電変換素子に対して走
査領域を移動させると、磁性素子の分布等に応じて、第
１および第２の磁電変換素子を通る磁束が変化するた
め、各磁電変換素子の特性が経時的に変化する。これに
より、各磁電変換素子間に出力の変化が生じ、検出信号
としてとり出される。この検出信号は、磁性素子の混入
密度や磁性素子のサイズあるいは配置方向などによって
走査領域の微小部分ごとに変化するため、各走査領域に
固有の出力パターンをもっている。この検出信号は、被
検出物を作成する際に特定のルールで暗号化されて被検
出物あるいはホストコンピュータなどのコード表示部に
記録される。
査領域を移動させると、磁性素子の分布等に応じて、第
１および第２の磁電変換素子を通る磁束が変化するた
め、各磁電変換素子の特性が経時的に変化する。これに
より、各磁電変換素子間に出力の変化が生じ、検出信号
としてとり出される。この検出信号は、磁性素子の混入
密度や磁性素子のサイズあるいは配置方向などによって
走査領域の微小部分ごとに変化するため、各走査領域に
固有の出力パターンをもっている。この検出信号は、被
検出物を作成する際に特定のルールで暗号化されて被検
出物あるいはホストコンピュータなどのコード表示部に
記録される。
【００１０】被検出物が真正なものであるか否かを照合
するプロセスでは、上記走査領域を上記作成プロセスと
同様に走査することにより、この走査領域に固有の検出
信号を得るとともに、この検出信号がコード表示部に記
録されている暗号コードと対応した時に、被検出物が真
正なものであると判断する。
するプロセスでは、上記走査領域を上記作成プロセスと
同様に走査することにより、この走査領域に固有の検出
信号を得るとともに、この検出信号がコード表示部に記
録されている暗号コードと対応した時に、被検出物が真
正なものであると判断する。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の一実施例について、図１ない
し図７を参照して説明する。図２に示されるように、被
検出物１０の基材１１の中に、多数の磁性素子１２が不
特定多数の方向を向くようにランダムに混入されてい
る。基材１１は紙やプラスチックなどの非磁性体からな
る。
し図７を参照して説明する。図２に示されるように、被
検出物１０の基材１１の中に、多数の磁性素子１２が不
特定多数の方向を向くようにランダムに混入されてい
る。基材１１は紙やプラスチックなどの非磁性体からな
る。
【００１２】磁性素子１２は、例えばパーマロイ，Ｃｏ
系アモルファス，Ｆｅ−Ｎｉ系合金あるいはソフトフェ
ライト等の高透磁率材料が適している。磁性素子１２の
断面形状は円形に限らず、例えば多角形や矩形、長円
形、その他であってもよい。図示例の磁性素子１２はワ
イヤ状であるが、箔あるいは粉体であってもよい。また
ワイヤ，箔，粉体の２種類または３種類が混ざっていて
もよい。
系アモルファス，Ｆｅ−Ｎｉ系合金あるいはソフトフェ
ライト等の高透磁率材料が適している。磁性素子１２の
断面形状は円形に限らず、例えば多角形や矩形、長円
形、その他であってもよい。図示例の磁性素子１２はワ
イヤ状であるが、箔あるいは粉体であってもよい。また
ワイヤ，箔，粉体の２種類または３種類が混ざっていて
もよい。
【００１３】磁性素子１２がワイヤあるいは箔の場合、
磁性素子１２の外径（または厚み）は、被検出物１０の
サイズにもよるが、例えば５〜５０μｍ程度であり、そ
の長さは例えば１〜３０mm程度である。磁性素子１２が
粉体の場合は、直径が０．１μｍ〜１０μｍ程度であ
る。これらの磁性素子１２は、被検出物１０を製造する
際に、特定の走査領域１７に、ある程度の密度で含まれ
るように混入される。
磁性素子１２の外径（または厚み）は、被検出物１０の
サイズにもよるが、例えば５〜５０μｍ程度であり、そ
の長さは例えば１〜３０mm程度である。磁性素子１２が
粉体の場合は、直径が０．１μｍ〜１０μｍ程度であ
る。これらの磁性素子１２は、被検出物１０を製造する
際に、特定の走査領域１７に、ある程度の密度で含まれ
るように混入される。
【００１４】上記被検出物１０にコード表示部１８が設
けられている。コード表示部１８には、走査領域１７に
おける磁性素子１２の分布状態等に応じた固有の情報
が、図１に例示した処理装置２０によって暗号化されて
書込まれる。
けられている。コード表示部１８には、走査領域１７に
おける磁性素子１２の分布状態等に応じた固有の情報
が、図１に例示した処理装置２０によって暗号化されて
書込まれる。
【００１５】処理装置２０は、ハウジング２５と移送機
構２６を備えている。移送機構２６は、ベルトやローラ
等を用いた移送用部材２７によって、被検出物１０を所
定速度で図中の矢印Ｆ方向に移動させるようになってい
る。
構２６を備えている。移送機構２６は、ベルトやローラ
等を用いた移送用部材２７によって、被検出物１０を所
定速度で図中の矢印Ｆ方向に移動させるようになってい
る。
【００１６】被検出物１０の移動経路の途中に、磁気セ
ンサ３０が設けられている。この磁気センサ３０は、一
対の磁電変換素子の一例としての第１のＭＲ素子３１と
第２のＭＲ素子３２とを被検出物１０の移動方向に並べ
るとともに、これらＭＲ素子３１，３２の背後に磁界発
生手段の一例としてのマグネット３３を配置したもので
ある。マグネット３３は図１のような永久磁石でもよい
し、図８に示すようなコイル３３ａを用いた電磁石が使
われてもよい。
ンサ３０が設けられている。この磁気センサ３０は、一
対の磁電変換素子の一例としての第１のＭＲ素子３１と
第２のＭＲ素子３２とを被検出物１０の移動方向に並べ
るとともに、これらＭＲ素子３１，３２の背後に磁界発
生手段の一例としてのマグネット３３を配置したもので
ある。マグネット３３は図１のような永久磁石でもよい
し、図８に示すようなコイル３３ａを用いた電磁石が使
われてもよい。
【００１７】ＭＲ素子３１，３２は磁界の強さに応じて
電気抵抗値が変化する磁気抵抗素子であり、要求仕様に
応じて、例えばインジウムアンチモンやガリウムヒ素な
どの化合物半導体を用いた正の磁気特性を有するもの
や、ニッケルコバルトやパーマロイ等の強磁性体などの
ように負の磁気特性を有するものが使用される。
電気抵抗値が変化する磁気抵抗素子であり、要求仕様に
応じて、例えばインジウムアンチモンやガリウムヒ素な
どの化合物半導体を用いた正の磁気特性を有するもの
や、ニッケルコバルトやパーマロイ等の強磁性体などの
ように負の磁気特性を有するものが使用される。
【００１８】これらのＭＲ素子３１，３２は互いに電気
的に接続されており、しかも各ＭＲ素子３１，３２に、
マグネット３３による同じ強さの磁界が及ぶようになっ
ている。また、第１のＭＲ素子３１は検出回路４４を介
して下記コントローラ５０に接続されている。第２のＭ
Ｒ素子３２は直流電源回路４５に接続されている。そし
てこのＭＲ素子３１，３２が並んでいる方向に沿って走
査領域１７が移動させられるようになっている。
的に接続されており、しかも各ＭＲ素子３１，３２に、
マグネット３３による同じ強さの磁界が及ぶようになっ
ている。また、第１のＭＲ素子３１は検出回路４４を介
して下記コントローラ５０に接続されている。第２のＭ
Ｒ素子３２は直流電源回路４５に接続されている。そし
てこのＭＲ素子３１，３２が並んでいる方向に沿って走
査領域１７が移動させられるようになっている。
【００１９】図３に概念的に示したように、ＭＲ素子３
１，３２の下を磁性素子１２が通る時、磁性素子１２の
位置がａ，ｂ，ｃと変化するのに伴って、図４に示され
るように出力電圧Ｖout が変化する。すなわち、ＭＲ素
子３１，３２の近傍に磁性素子１２が存在しない時には
各ＭＲ素子３１，３２にマグネット３３の磁界が均等に
かかり、ＭＲ素子３１，３２の抵抗値が互いに等しいの
で、入力電圧Ｖinに対して出力電圧Ｖout は約半分（Ｖ
in／２）となる。そして矢印Ｆ方向に磁性素子１２が移
動することによってＭＲ素子３１，３２の下を磁性素子
１２が通ると、磁性素子１２の位置に応じて各ＭＲ素子
３１，３２を通る磁束が経時的に変化するとともに、各
ＭＲ素子３１，３２の抵抗値に差が出るため、出力電圧
Ｖout がほぼ（Ｖin／２）を上下するようになる。
１，３２の下を磁性素子１２が通る時、磁性素子１２の
位置がａ，ｂ，ｃと変化するのに伴って、図４に示され
るように出力電圧Ｖout が変化する。すなわち、ＭＲ素
子３１，３２の近傍に磁性素子１２が存在しない時には
各ＭＲ素子３１，３２にマグネット３３の磁界が均等に
かかり、ＭＲ素子３１，３２の抵抗値が互いに等しいの
で、入力電圧Ｖinに対して出力電圧Ｖout は約半分（Ｖ
in／２）となる。そして矢印Ｆ方向に磁性素子１２が移
動することによってＭＲ素子３１，３２の下を磁性素子
１２が通ると、磁性素子１２の位置に応じて各ＭＲ素子
３１，３２を通る磁束が経時的に変化するとともに、各
ＭＲ素子３１，３２の抵抗値に差が出るため、出力電圧
Ｖout がほぼ（Ｖin／２）を上下するようになる。
【００２０】ここで第１のＭＲ素子３１の抵抗をＲ1 、
第２のＭＲ素子３２の抵抗をＲ2 とすると、出力電圧Ｖ
out は Ｖout ＝Ｖin×｛Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝ で
表される。そしてこの出力電圧Ｖout は、磁性素子１２
の分布密度や磁性素子１２の径（または厚さ）、長さ、
方向などの分布状態に応じて大きさが変化するので、例
えば図５に示されるように固有の出力電圧パターンが検
出される。
第２のＭＲ素子３２の抵抗をＲ2 とすると、出力電圧Ｖ
out は Ｖout ＝Ｖin×｛Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）｝ で
表される。そしてこの出力電圧Ｖout は、磁性素子１２
の分布密度や磁性素子１２の径（または厚さ）、長さ、
方向などの分布状態に応じて大きさが変化するので、例
えば図５に示されるように固有の出力電圧パターンが検
出される。
【００２１】また上記処理装置２０は、マイクロコンピ
ュータ等を用いたコントローラ５０と、被検出物１０の
コード表示部１８に下記暗号コードを記録するためのコ
ード書込み部５１と、コード表示部１８に記録された暗
号コードを読取るためのコード読取り部５２などを備え
ている。コード書込み部５１と読取り部５２は、読取り
／書込み用の回路５３に接続されている。コントローラ
５０は、Ａ／Ｄ変換器６０や比較器６１および暗号コー
ド変換器６２などを含んでいる。コントローラ５０に表
示器６５が接続されている。
ュータ等を用いたコントローラ５０と、被検出物１０の
コード表示部１８に下記暗号コードを記録するためのコ
ード書込み部５１と、コード表示部１８に記録された暗
号コードを読取るためのコード読取り部５２などを備え
ている。コード書込み部５１と読取り部５２は、読取り
／書込み用の回路５３に接続されている。コントローラ
５０は、Ａ／Ｄ変換器６０や比較器６１および暗号コー
ド変換器６２などを含んでいる。コントローラ５０に表
示器６５が接続されている。
【００２２】次に、上記実施例装置２０の作用について
説明する。図６は被検出物１０を作成するためのプロセ
スの概略を示している。ステップＳ１においては、被検
出物１０の基材１１が製造される際に、磁性素子１２が
ワイヤ状あるいは箔の場合は、走査領域１７に多数の磁
性素子１２が散乱するように磁性素子１２がランダムに
混入される。磁性素子１２が粉体の場合には、走査領域
１７にランダムな粉体の濃淡（密度の変化）をつける
か、粉体の密度を一定にしてランダムな模様を描くか、
あるいはこれら両者を組合わせておく。
説明する。図６は被検出物１０を作成するためのプロセ
スの概略を示している。ステップＳ１においては、被検
出物１０の基材１１が製造される際に、磁性素子１２が
ワイヤ状あるいは箔の場合は、走査領域１７に多数の磁
性素子１２が散乱するように磁性素子１２がランダムに
混入される。磁性素子１２が粉体の場合には、走査領域
１７にランダムな粉体の濃淡（密度の変化）をつける
か、粉体の密度を一定にしてランダムな模様を描くか、
あるいはこれら両者を組合わせておく。
【００２３】走査・検出ステップＳ２は、走査ステップ
Ｓ３と、検出ステップＳ４を含み、被検出物１０が移送
機構２６によって所定速度で矢印Ｆ方向に移動させられ
ることにより、走査領域１７に応じた検出信号が得られ
る。
Ｓ３と、検出ステップＳ４を含み、被検出物１０が移送
機構２６によって所定速度で矢印Ｆ方向に移動させられ
ることにより、走査領域１７に応じた検出信号が得られ
る。
【００２４】すなわち走査ステップＳ３において、移送
機構２６によって被検出物１０を所定速度で矢印Ｆ方向
に移動させると、走査領域１７の複数の微小部分がＭＲ
素子３１，３２の近傍を順次通過する。この時、磁性素
子１２の分布状態等に応じて各ＭＲ素子３１，３２を通
る磁束が経時的に変化するため、ＭＲ素子３１，３２の
抵抗値Ｒ1 ，Ｒ2 に差が出ることによって、出力電圧Ｖ
out は図５に例示するような固有の出力電圧パターンと
して測定される。この実施例では、検出ステップＳ４に
おいて、走査領域１７が微小時間ごとに区切られて検出
され、各微小時間ごとの出力電圧が複数段階にランク付
けされてディジタル化される。こうして走査領域１７に
固有のコード化された検出信号が得られる。
機構２６によって被検出物１０を所定速度で矢印Ｆ方向
に移動させると、走査領域１７の複数の微小部分がＭＲ
素子３１，３２の近傍を順次通過する。この時、磁性素
子１２の分布状態等に応じて各ＭＲ素子３１，３２を通
る磁束が経時的に変化するため、ＭＲ素子３１，３２の
抵抗値Ｒ1 ，Ｒ2 に差が出ることによって、出力電圧Ｖ
out は図５に例示するような固有の出力電圧パターンと
して測定される。この実施例では、検出ステップＳ４に
おいて、走査領域１７が微小時間ごとに区切られて検出
され、各微小時間ごとの出力電圧が複数段階にランク付
けされてディジタル化される。こうして走査領域１７に
固有のコード化された検出信号が得られる。
【００２５】上述の検出信号を、暗号化ステップＳ５に
おいて、暗号コード変換器６２によって、特定のルール
に従って暗号化する。こうして暗号化されたコードが、
書込みステップＳ６において、コード書込み部５１の磁
気ヘッドによって、コード表示部１８に記録される。こ
の実施例のコード表示部１８は磁気帯であるが、例えば
印字ヘッドを用いて上記暗号コードをコード表示部１８
にバーコードで記録するようにしてもよい。また、ホス
トコンピュータのコード記憶領域に上記暗号コードを記
憶させるようにしてもよい。
おいて、暗号コード変換器６２によって、特定のルール
に従って暗号化する。こうして暗号化されたコードが、
書込みステップＳ６において、コード書込み部５１の磁
気ヘッドによって、コード表示部１８に記録される。こ
の実施例のコード表示部１８は磁気帯であるが、例えば
印字ヘッドを用いて上記暗号コードをコード表示部１８
にバーコードで記録するようにしてもよい。また、ホス
トコンピュータのコード記憶領域に上記暗号コードを記
憶させるようにしてもよい。
【００２６】被検出物１０が真正であるか否かのチェッ
クも上記処理装置２０を使って行われる。図７は、被検
出物１０の真正さをチェックするための照合プロセスの
概略を示している。ステップＳ１１は、前述した被検出
物１０の作成プロセスと同様の走査ステップＳ３と検出
ステップＳ４を含んでおり、磁気センサ３０によって走
査領域１７を所定速度で走査することにより、磁性素子
１２の分布等に応じた検出信号を得る。
クも上記処理装置２０を使って行われる。図７は、被検
出物１０の真正さをチェックするための照合プロセスの
概略を示している。ステップＳ１１は、前述した被検出
物１０の作成プロセスと同様の走査ステップＳ３と検出
ステップＳ４を含んでおり、磁気センサ３０によって走
査領域１７を所定速度で走査することにより、磁性素子
１２の分布等に応じた検出信号を得る。
【００２７】コード読取りステップＳ１２においては、
コード表示部１８に記録されている暗号コードがコード
読取り部５２によって読取られる。この暗号コードが、
コード再生ステップＳ１３において、暗号コード変換器
６２によって所定のルールに基いて解読されることによ
り、照合用コードが再生される。そして判別ステップＳ
１４において、上記照合用コードと、検出ステップＳ４
で検出された検出信号とが比較器６１によって比較さ
れ、両者が一致した時のみ、この被検出物１０が本物で
あると判断され、その照合結果が表示器６５に表示され
る。
コード表示部１８に記録されている暗号コードがコード
読取り部５２によって読取られる。この暗号コードが、
コード再生ステップＳ１３において、暗号コード変換器
６２によって所定のルールに基いて解読されることによ
り、照合用コードが再生される。そして判別ステップＳ
１４において、上記照合用コードと、検出ステップＳ４
で検出された検出信号とが比較器６１によって比較さ
れ、両者が一致した時のみ、この被検出物１０が本物で
あると判断され、その照合結果が表示器６５に表示され
る。
【００２８】上記処理装置２０によれば、被検出物１０
に与える外部磁界が微弱でも走査領域１７の検出が可能
であるから、暗号コードやその他の情報がコード表示部
１８あるいはそれ以外の箇所に磁気的に記録されていて
も、これらの磁気的情報を破壊することがない。そして
上記磁気センサ３０は、２つのＭＲ素子３１，３２の出
力比に基く検出信号を得るようにしているので、温度変
化やノイズの影響を受けにくい。また、一般の磁気ヘッ
ドでは被検出物の移動速度によって出力の大きさが変化
してしまうが、本実施例の磁気センサ３０を備えた処理
装置２０であれば、移動速度や温度変化の影響を受けに
くく、出力が常にほぼ一定の大きさを示すようになる。
に与える外部磁界が微弱でも走査領域１７の検出が可能
であるから、暗号コードやその他の情報がコード表示部
１８あるいはそれ以外の箇所に磁気的に記録されていて
も、これらの磁気的情報を破壊することがない。そして
上記磁気センサ３０は、２つのＭＲ素子３１，３２の出
力比に基く検出信号を得るようにしているので、温度変
化やノイズの影響を受けにくい。また、一般の磁気ヘッ
ドでは被検出物の移動速度によって出力の大きさが変化
してしまうが、本実施例の磁気センサ３０を備えた処理
装置２０であれば、移動速度や温度変化の影響を受けに
くく、出力が常にほぼ一定の大きさを示すようになる。
【００２９】なお、前述した被検出物１０の作成プロセ
スにおいて、暗号コードをホストコンピュータのコード
記憶領域に登録した場合に、照合プロセスにおいてこの
ホストコンピュータから暗号コードを呼び出し、検出信
号と照合させるようにしてもよい。あるいは、照合プロ
セスにおいて、検出ステップＳ４で得た検出信号を作成
プロセスの場合と同じルールで暗号化し、この暗号コー
ドを、コード読取りステップＳ１２で読取った暗号コー
ドと照合させるようにしてもよい。
スにおいて、暗号コードをホストコンピュータのコード
記憶領域に登録した場合に、照合プロセスにおいてこの
ホストコンピュータから暗号コードを呼び出し、検出信
号と照合させるようにしてもよい。あるいは、照合プロ
セスにおいて、検出ステップＳ４で得た検出信号を作成
プロセスの場合と同じルールで暗号化し、この暗号コー
ドを、コード読取りステップＳ１２で読取った暗号コー
ドと照合させるようにしてもよい。
【００３０】なお本発明は、絵画のキャンバスの裏面に
磁性素子１２を埋設しかつコード表示部に前記暗号コー
ドを記録することにより、この絵画が本物であることの
証しとすることもできる。また本発明は、美術品等の立
体物に磁性素子１２を埋設すれば本物とイミテーション
の判別にも役立つ。
磁性素子１２を埋設しかつコード表示部に前記暗号コー
ドを記録することにより、この絵画が本物であることの
証しとすることもできる。また本発明は、美術品等の立
体物に磁性素子１２を埋設すれば本物とイミテーション
の判別にも役立つ。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、例えばパーマロイやソ
フトフェライト等の高透磁率材料からなる多数の磁性素
子がランダムに混入された被検出物の走査領域の磁束変
化のパターンを磁電変換素子の出力に基いて磁気的にチ
ェックするため、マイクロ波使用のチェック手段に比べ
て処理装置のコストが安く、しかも装置を小形に構成す
ることができる。また、微弱な磁界を用いて検出できる
ため、ノイズ発生が回避され、ＳＮ比も高い。そして走
査領域にランダムに混入された磁性素子の分布状態を個
々の被検出物ごとに読取って暗号化するため、偽造を困
難なものにすることができる。
フトフェライト等の高透磁率材料からなる多数の磁性素
子がランダムに混入された被検出物の走査領域の磁束変
化のパターンを磁電変換素子の出力に基いて磁気的にチ
ェックするため、マイクロ波使用のチェック手段に比べ
て処理装置のコストが安く、しかも装置を小形に構成す
ることができる。また、微弱な磁界を用いて検出できる
ため、ノイズ発生が回避され、ＳＮ比も高い。そして走
査領域にランダムに混入された磁性素子の分布状態を個
々の被検出物ごとに読取って暗号化するため、偽造を困
難なものにすることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す装置の概略を一部断面
で示す側面図。
で示す側面図。
【図２】被検出物の一例を概念的に示す平面図。
【図３】図１に示された装置における磁気センサの概略
図。
図。
【図４】図３に示された磁気センサの基本的な出力電圧
の変化を示す図。
の変化を示す図。
【図５】図１に示された装置の出力パターンの一例を示
す図。
す図。
【図６】被検出物を作成する際の処理のステップを示す
フローチャート。
フローチャート。
【図７】被検出物の照合を行う際の処理のステップを示
すフローチャート。
すフローチャート。
【図８】磁気センサの変形例を示す概略図。
１０…被検出物、１１…基材、１２…磁性素子、１７…
走査領域、１８…コード表示部、２０…処理装置、３０
…磁気センサ、３１…第１の磁電変換素子、３２…第２
の磁電変換素子、５０…コントローラ、５１…コード書
込み部、５２…コード読取り部。
走査領域、１８…コード表示部、２０…処理装置、３０
…磁気センサ、３１…第１の磁電変換素子、３２…第２
の磁電変換素子、５０…コントローラ、５１…コード書
込み部、５２…コード読取り部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０７Ｄ 7/00 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】非磁性材料からなる基材と、高透磁率材料
からなる多数の磁性素子をランダムに混入した走査領域
とを有する被検出物の真正さをチェックする方法であっ
て、上記被検出物を作成するための作成プロセスと、上
記被検出物をチェックするための照合プロセスとを含
み、 上記作成プロセスは、上記走査領域を走査する方向に並
べた一対の磁電変換素子に対して上記走査領域を相対移
動させながら上記磁電変換素子と走査領域に外部磁界を
与える走査ステップと、上記多数の磁性素子が上記磁電
変換素子の近傍を順次通る時に上記磁性素子の透磁率に
応じた磁束変化により上記一対の磁電変換素子間に生じ
る電気的出力の変化をとらえてこの走査領域に固有の検
出信号を得る検出ステップと、上記検出信号を暗号化す
ることによって暗号コードを得るステップと、上記暗号
コードをコード表示部に記録するステップとを含み、 また上記照合プロセスは、上記一対の磁電変換素子に対
して上記走査領域を相対移動させながら上記磁電変換素
子と走査領域に外部磁界を与える走査ステップと、上記
多数の磁性素子が上記磁電変換素子の近傍を順次通る時
に上記磁性素子の透磁率に応じた磁束変化により上記一
対の磁電変換素子間に生じる電気的出力の変化をとらえ
てこの走査領域に固有の検出信号を得る検出ステップ
と、上記検出ステップによって検出された検出信号と上
記コード表示部に記録されている暗号コードとを照合し
かつ両者が対応した時にこの被検出物が真正であると判
断する判別ステップとを具備していることを特徴とする
被検出物の真正さをチェックするための方法。 - 【請求項２】非磁性材料からなる基材と、高透磁率材料
からなる多数の磁性素子をランダムに混入した走査領域
とを有する被検出物の真正さをチェックする装置であっ
て、 上記走査領域を走査する方向に並べられた第１および第
２の磁電変換素子を備える磁気センサと、上記磁電変換
素子と走査領域に外部磁界を与える磁界発生手段と、上
記被検出物を上記磁電変換素子に対して上記走査方向に
相対移動させる移送手段と、上記磁性素子が上記磁電変
換素子の近傍を通る時に上記磁性素子の 透磁率に応じた
磁束変化により上記一対の磁電変換素子間に生じる電気
的出力の変化をとらえてこの走査領域に固有の検出信号
を得る検出回路と、上記検出信号を暗号化することによ
って暗号コードを得る手段と、上記暗号コードをコード
表示部に記録するコード書込み手段と、上記コード表示
部に記録されている上記暗号コードを読取る読取り手段
と、上記読取り手段によって読取られた暗号コードを上
記磁気センサによって検出された検出信号と照合しかつ
両者が互いに対応した時にこの被検出物が真正であると
判断する手段とを具備したことを特徴とする被検出物の
真正さをチェックするための装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5231119A JP2726794B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-09-17 | 被検出物の真正さをチェックする方法および装置 |
| US08/263,050 US5451759A (en) | 1993-06-24 | 1994-06-21 | Using high-permeability magnetic elements randomly scattered in the objects |
| DE69420335T DE69420335T2 (de) | 1993-06-24 | 1994-06-24 | Verfahren und Gerät zur Echtheitskontrolle von Objekten |
| EP94109846A EP0632398B1 (en) | 1993-06-24 | 1994-06-24 | Method and apparatus for checking whether or not objects are authentic |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15353293 | 1993-06-24 | ||
| JP5-153532 | 1993-06-24 | ||
| JP5231119A JP2726794B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-09-17 | 被検出物の真正さをチェックする方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0798744A JPH0798744A (ja) | 1995-04-11 |
| JP2726794B2 true JP2726794B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=26482121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5231119A Expired - Fee Related JP2726794B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-09-17 | 被検出物の真正さをチェックする方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2726794B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103106727B (zh) * | 2013-01-23 | 2014-04-09 | 广州纳龙智能科技有限公司 | 一种磁传感器及量化鉴定磁码磁滞迴线特征的方法 |
| KR101886839B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2018-08-08 | 주식회사 히타치터미널솔루션즈코리아 | 두 종류의 자성을 이용한 위폐감별장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8502567A (nl) * | 1985-09-19 | 1987-04-16 | Bekaert Sa Nv | Werkwijze en inrichting voor het op echtheid controleren van voorwerpen en voorwerp geschikt voor het toepassen van deze werkwijze. |
| JPS63282588A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Toshiba Corp | 暗号化回路のチェック方式 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP5231119A patent/JP2726794B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0798744A (ja) | 1995-04-11 |
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