JP2725761B2 - 窒化珪素セラミックス材料及びその製造方法 - Google Patents
窒化珪素セラミックス材料及びその製造方法Info
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- JP2725761B2 JP2725761B2 JP5348400A JP34840093A JP2725761B2 JP 2725761 B2 JP2725761 B2 JP 2725761B2 JP 5348400 A JP5348400 A JP 5348400A JP 34840093 A JP34840093 A JP 34840093A JP 2725761 B2 JP2725761 B2 JP 2725761B2
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- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳi3Ｎ4（窒化珪素）を
主成分とした窒化珪素セラミックス材料に関する。
主成分とした窒化珪素セラミックス材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓi3Ｎ4（窒化珪素）を主成分とした窒
化珪素セラミックス材料は耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、
熱膨張係数も小さく、更に金属と接触しても金属を腐食
させることがないので、種々の機械部品として使用され
ている。
化珪素セラミックス材料は耐熱性、耐熱衝撃性に優れ、
熱膨張係数も小さく、更に金属と接触しても金属を腐食
させることがないので、種々の機械部品として使用され
ている。
【０００３】そして、Ｓi3Ｎ4を単独で焼結した場合に
は組織の緻密化が不十分となるので、従来から焼結の際
に助剤を添加するようにしている。例えば特公昭４９−
２１０９１号公報にあっては焼結助剤としてＡl2Ｏ3や
Ｙ2Ｏ3を用いることが記載され、またこの他にも焼結助
剤としてＹb2Ｏ3或いはＬa2Ｏ3、Ｎd2Ｏ3、Ｃe2Ｏ3等を
用いることが行われている。
は組織の緻密化が不十分となるので、従来から焼結の際
に助剤を添加するようにしている。例えば特公昭４９−
２１０９１号公報にあっては焼結助剤としてＡl2Ｏ3や
Ｙ2Ｏ3を用いることが記載され、またこの他にも焼結助
剤としてＹb2Ｏ3或いはＬa2Ｏ3、Ｎd2Ｏ3、Ｃe2Ｏ3等を
用いることが行われている。
【０００４】ところで、上記公報にも記載されるよう
に、Ｓi3Ｎ4を主成分とした窒化珪素セラミックス材料
の焼結温度は１４００〜１９００℃とされている。これ
は１４００℃以下では焼結が進行せず、１９００℃を越
えるとＳi3Ｎ4の昇華分解が活発になり、密度の低下を
来たすからとされている。このため従来にあっては、焼
結温度を焼結体が最高密度に達する温度よりも若干低い
温度、具体的にはＳi3Ｎ4を主成分としたものにあって
は通常１８５０℃を上限温度に設定している。
に、Ｓi3Ｎ4を主成分とした窒化珪素セラミックス材料
の焼結温度は１４００〜１９００℃とされている。これ
は１４００℃以下では焼結が進行せず、１９００℃を越
えるとＳi3Ｎ4の昇華分解が活発になり、密度の低下を
来たすからとされている。このため従来にあっては、焼
結温度を焼結体が最高密度に達する温度よりも若干低い
温度、具体的にはＳi3Ｎ4を主成分としたものにあって
は通常１８５０℃を上限温度に設定している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来に
あっては焼結温度を焼結体の密度のみを基準として設定
している。しかしながら、セラミックス材料を金属部品
と接触する箇所に使用する場合にはセラミックス材料の
熱伝導度が極めて重要な要素となる。つまり、熱伝導度
が低いとセラミックス材料と金属部品との接触部におい
て発生した熱を除去しにくくなり、金属部品が溶解する
不利が生じる。このため、従来にあってはセラミックス
材料からなる部品の使用箇所に制限が課せられている。
あっては焼結温度を焼結体の密度のみを基準として設定
している。しかしながら、セラミックス材料を金属部品
と接触する箇所に使用する場合にはセラミックス材料の
熱伝導度が極めて重要な要素となる。つまり、熱伝導度
が低いとセラミックス材料と金属部品との接触部におい
て発生した熱を除去しにくくなり、金属部品が溶解する
不利が生じる。このため、従来にあってはセラミックス
材料からなる部品の使用箇所に制限が課せられている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は焼結温度は焼結
体の熱伝導度に影響を及ぼすという知見に基づいてなし
たものである。請求項１は、金属材料に接触させる材料
であって、Ｓi 3 Ｎ 4 を主成分とし、これに焼結助剤とし
てＡl 2 Ｏ 3 、Ｙ 2 Ｏ 3 、Ｙb 2 Ｏ 3 、Ｌa 2 Ｏ 3 、Ｎd 2 Ｏ 3 、Ｃe 2
Ｏ 3 の中から選ばれた少なくとも一種を添加し焼結せし
めて得られる窒化珪素セラミックス材料において、この
窒化珪素セラミックス材料は、熱伝導度を３２．４〜３
９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)にするために、前記焼結助剤の添加
量を２〜１０ｗｔ％とし且つ焼結体が最高密度に達する
温度よりも０℃〜１５０℃高い温度で焼結したものであ
ることを特徴とする。焼結助剤の添加量を２〜１０ｗｔ
％としたのは、２ｗｔ％未満だと、焼結体の密度が不足
して形状維持が困難になり、１０ｗｔ％を越えても、こ
れ以上の熱伝導度の向上は見られないことによる。請求
項２は、金属材料に接触させる材料の製造方法であっ
て、Ｓi 3 Ｎ4を主成分とする原料にＡl 2 Ｏ 3 、Ｙ 2 Ｏ 3 、Ｙ
b 2 Ｏ 3 、Ｌa 2 Ｏ 3 、Ｎd 2 Ｏ 3 、Ｃe 2 Ｏ 3 の中から選んだ少な
くとも一種を焼結助剤として添加し、この原料を乾燥し
て顆粒物とした後成形し、この成形した成形体を、焼結
体の熱伝導度を３２．４〜３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)にする
ために、焼結体が最高密度に達する温度よりも０℃〜１
５０℃高い温度で焼結したことを特徴とする。
体の熱伝導度に影響を及ぼすという知見に基づいてなし
たものである。請求項１は、金属材料に接触させる材料
であって、Ｓi 3 Ｎ 4 を主成分とし、これに焼結助剤とし
てＡl 2 Ｏ 3 、Ｙ 2 Ｏ 3 、Ｙb 2 Ｏ 3 、Ｌa 2 Ｏ 3 、Ｎd 2 Ｏ 3 、Ｃe 2
Ｏ 3 の中から選ばれた少なくとも一種を添加し焼結せし
めて得られる窒化珪素セラミックス材料において、この
窒化珪素セラミックス材料は、熱伝導度を３２．４〜３
９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)にするために、前記焼結助剤の添加
量を２〜１０ｗｔ％とし且つ焼結体が最高密度に達する
温度よりも０℃〜１５０℃高い温度で焼結したものであ
ることを特徴とする。焼結助剤の添加量を２〜１０ｗｔ
％としたのは、２ｗｔ％未満だと、焼結体の密度が不足
して形状維持が困難になり、１０ｗｔ％を越えても、こ
れ以上の熱伝導度の向上は見られないことによる。請求
項２は、金属材料に接触させる材料の製造方法であっ
て、Ｓi 3 Ｎ4を主成分とする原料にＡl 2 Ｏ 3 、Ｙ 2 Ｏ 3 、Ｙ
b 2 Ｏ 3 、Ｌa 2 Ｏ 3 、Ｎd 2 Ｏ 3 、Ｃe 2 Ｏ 3 の中から選んだ少な
くとも一種を焼結助剤として添加し、この原料を乾燥し
て顆粒物とした後成形し、この成形した成形体を、焼結
体の熱伝導度を３２．４〜３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)にする
ために、焼結体が最高密度に達する温度よりも０℃〜１
５０℃高い温度で焼結したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】請求項１は、焼結温度を焼結体が最高密度に達
する温度以上とすることで、焼結体の熱伝導度を高める
ことができる。特に焼結助剤の添加量を２〜１０ｗｔ％
とし、且つ前記焼結温度を焼結体が最高密度に達する温
度よりも０℃〜１５０℃高温とすることで、焼結体の密
度をそれほど低下させることなく熱伝導度を３２．４〜
３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)に高めることができる。したがっ
て、金属製部品と接触する部品として使用する場合に、
金属製部品との接触面に発生する熱を有効に逃すことが
できる。 請求項２は、焼結助剤を２〜１０ｗｔ％添加
し、この原料を成形した後、焼結体が最高密度に達する
温度よりも０℃〜１５０℃高い温度で焼結することによ
り、焼結体の密度をそれほど低下させることなく熱伝導
度を３２．４〜３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)に高めることがで
きる。 したがって、金属製部品と接触する部品として使
用する場合に、金属製部品との接触面に発生する熱を有
効に逃すことができる。
する温度以上とすることで、焼結体の熱伝導度を高める
ことができる。特に焼結助剤の添加量を２〜１０ｗｔ％
とし、且つ前記焼結温度を焼結体が最高密度に達する温
度よりも０℃〜１５０℃高温とすることで、焼結体の密
度をそれほど低下させることなく熱伝導度を３２．４〜
３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)に高めることができる。したがっ
て、金属製部品と接触する部品として使用する場合に、
金属製部品との接触面に発生する熱を有効に逃すことが
できる。 請求項２は、焼結助剤を２〜１０ｗｔ％添加
し、この原料を成形した後、焼結体が最高密度に達する
温度よりも０℃〜１５０℃高い温度で焼結することによ
り、焼結体の密度をそれほど低下させることなく熱伝導
度を３２．４〜３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)に高めることがで
きる。 したがって、金属製部品と接触する部品として使
用する場合に、金属製部品との接触面に発生する熱を有
効に逃すことができる。
【０００８】このように焼結温度を上昇させると熱伝導
度が高くなるのは、焼結温度の上昇によって焼結助剤成
分が昇華或いは気化し窒化珪素同士が固相反応を起こ
し、結合の形態がイオン結合から共有結合へ移行し、こ
の共有結合が熱伝導度に優れるためと考えられる。
度が高くなるのは、焼結温度の上昇によって焼結助剤成
分が昇華或いは気化し窒化珪素同士が固相反応を起こ
し、結合の形態がイオン結合から共有結合へ移行し、こ
の共有結合が熱伝導度に優れるためと考えられる。
【０００９】
【実施例】以下の材料を用意し、焼結を行った。 主原料 ：Ｓi3Ｎ4（酸素含有量１．５〜２．０％） 粒径１μｍ（比表面積７ｍ2/g） 焼結助剤：Ａl2Ｏ3（粒径 0.38μｍ 比表面積 7.0ｍ2/
g） Ｙ2Ｏ3 （粒径 0.4μｍ 比表面積 0.8ｍ2/g） Ｙb2Ｏ3（粒径 0.4μｍ 比表面積 6.7ｍ2/g） Ｌa2Ｏ3（粒径 0.4μｍ 比表面積 6.7ｍ2/g） Ｎd2Ｏ3（粒径 0.4μｍ 比表面積 6.9ｍ2/g） Ｃe2Ｏ3（粒径 0.4μｍ 比表面積 7.2ｍ2/g）
g） Ｙ2Ｏ3 （粒径 0.4μｍ 比表面積 0.8ｍ2/g） Ｙb2Ｏ3（粒径 0.4μｍ 比表面積 6.7ｍ2/g） Ｌa2Ｏ3（粒径 0.4μｍ 比表面積 6.7ｍ2/g） Ｎd2Ｏ3（粒径 0.4μｍ 比表面積 6.9ｍ2/g） Ｃe2Ｏ3（粒径 0.4μｍ 比表面積 7.2ｍ2/g）
【００１０】原料の混合は、ボールミルの５００リット
ルポットにエタノール１００ｇ、窒化珪素１００ｇと上
記各焼結助剤の少なくとも１つを入れ、更に攪拌用の窒
化珪素のボール（直径15mm）を１００ｇ入れ、６０時間
３００ｒｐｍで混合し、この混合物をエバポレータに
て粉末になるまで乾燥し、この粉末を０．５ｍｍの篩い
にかけて顆粒化した。次いで行う成形は、金型プレス
（１ton/cm2）にて３５×５０×７程度の寸法にし、Ｃ
ＩＰにて３ton/cm2で１分間処理した。焼結は、詰粉と
してβ−Ｓi3Ｎ4（５０％）＋ＢＮ（５０％）を用いＮ2
（１ｋｇ／ｃｍ2以上）雰囲気中で焼結した。焼結温度
は１６００〜２０００℃とした。尚、焼結助剤として
は、以下の（表１）のように組み合わせたものを用意
し、それぞれ秤量して添加した。
ルポットにエタノール１００ｇ、窒化珪素１００ｇと上
記各焼結助剤の少なくとも１つを入れ、更に攪拌用の窒
化珪素のボール（直径15mm）を１００ｇ入れ、６０時間
３００ｒｐｍで混合し、この混合物をエバポレータに
て粉末になるまで乾燥し、この粉末を０．５ｍｍの篩い
にかけて顆粒化した。次いで行う成形は、金型プレス
（１ton/cm2）にて３５×５０×７程度の寸法にし、Ｃ
ＩＰにて３ton/cm2で１分間処理した。焼結は、詰粉と
してβ−Ｓi3Ｎ4（５０％）＋ＢＮ（５０％）を用いＮ2
（１ｋｇ／ｃｍ2以上）雰囲気中で焼結した。焼結温度
は１６００〜２０００℃とした。尚、焼結助剤として
は、以下の（表１）のように組み合わせたものを用意
し、それぞれ秤量して添加した。
【００１１】
【表１】
【００１２】以上の条件で焼結した焼結体の密度（kg/c
m3）及び熱伝導度(Ｗ／(m・Ｋ))を図１〜図３に示す。
尚、熱伝導度(Ｗ／(m・Ｋ))のＷはワット、mはメータ、
Ｋは温度であり、測定はレーザフラッシュ法で室温測定
した。尚、図１は焼結助剤としてＹ2Ｏ3を2.5%、Ａl2Ｏ
3を1.0%用い、図２は焼結助剤としてＹ2Ｏ3を5.0%、Ａl
2Ｏ3を3.0%用い、図３は焼結助剤としてＹ2Ｏ3を7.0%Ａ
l2Ｏ3を7.0%用いている。
m3）及び熱伝導度(Ｗ／(m・Ｋ))を図１〜図３に示す。
尚、熱伝導度(Ｗ／(m・Ｋ))のＷはワット、mはメータ、
Ｋは温度であり、測定はレーザフラッシュ法で室温測定
した。尚、図１は焼結助剤としてＹ2Ｏ3を2.5%、Ａl2Ｏ
3を1.0%用い、図２は焼結助剤としてＹ2Ｏ3を5.0%、Ａl
2Ｏ3を3.0%用い、図３は焼結助剤としてＹ2Ｏ3を7.0%Ａ
l2Ｏ3を7.0%用いている。
【００１３】これら図１〜図３から焼結温度が焼結体の
最高密度に達する温度以上の場合に、熱伝導度の向上が
見られる。特に焼結助剤の添加量が２〜１０ｗｔ％で、
最高密度に達する温度よりも０〜１５０℃の範囲で熱伝
導度の向上が顕著である。また（表１）からは焼結助剤
として Ｙ2Ｏ3とＡl2Ｏ3以外のものを用いても、図１〜
図３同様の効果が得られることが分り、更に焼結助剤と
してＭgＯ及びＳrＯ2なども同様の効果を発揮し得ると
推測される。
最高密度に達する温度以上の場合に、熱伝導度の向上が
見られる。特に焼結助剤の添加量が２〜１０ｗｔ％で、
最高密度に達する温度よりも０〜１５０℃の範囲で熱伝
導度の向上が顕著である。また（表１）からは焼結助剤
として Ｙ2Ｏ3とＡl2Ｏ3以外のものを用いても、図１〜
図３同様の効果が得られることが分り、更に焼結助剤と
してＭgＯ及びＳrＯ2なども同様の効果を発揮し得ると
推測される。
【００１４】
【発明の効果】本発明は上記構成により次の効果を発揮
する。請求項１は、焼結助剤の添加量を２〜１０ｗｔ％
とし、且つ焼結温度を焼結体が最高密度に達する温度よ
りも０℃〜１５０℃高温とすることで、焼結体の密度を
それほど低下させることなく熱伝導度を３２．４〜３
９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)に高めることができる。 したがっ
て、金属製部品と接触する部品として使用する場合に、
金属製部品との接触面に発生する熱を有効に逃すことに
より、金属製部品が溶解することを防止できる。この結
果、窒化珪素セラミックス材料の使用可能範囲を広げる
ことができる。 請求項２は、焼結助剤を２〜１０ｗｔ％
添加し、この原料を成形した後、焼結体が最高密度に達
する温度よりも０℃〜１５０℃高い温度で焼結すること
により、焼結体の密度をそれほど低下させることなく熱
伝導度を３２．４〜３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)に高めること
ができる。 したがって、金属製部品と接触する部品とし
て使用する場合に、金属製部品との接触面に発生する熱
を有効に逃すことにより、金属製部品が溶解することを
防止できる。この結果、窒化珪素セラミックス材料の使
用可能範囲を広げることができる。
する。請求項１は、焼結助剤の添加量を２〜１０ｗｔ％
とし、且つ焼結温度を焼結体が最高密度に達する温度よ
りも０℃〜１５０℃高温とすることで、焼結体の密度を
それほど低下させることなく熱伝導度を３２．４〜３
９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)に高めることができる。 したがっ
て、金属製部品と接触する部品として使用する場合に、
金属製部品との接触面に発生する熱を有効に逃すことに
より、金属製部品が溶解することを防止できる。この結
果、窒化珪素セラミックス材料の使用可能範囲を広げる
ことができる。 請求項２は、焼結助剤を２〜１０ｗｔ％
添加し、この原料を成形した後、焼結体が最高密度に達
する温度よりも０℃〜１５０℃高い温度で焼結すること
により、焼結体の密度をそれほど低下させることなく熱
伝導度を３２．４〜３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)に高めること
ができる。 したがって、金属製部品と接触する部品とし
て使用する場合に、金属製部品との接触面に発生する熱
を有効に逃すことにより、金属製部品が溶解することを
防止できる。この結果、窒化珪素セラミックス材料の使
用可能範囲を広げることができる。
【００１５】特に、図１〜図３から明らかなように、焼
結助剤の添加量は２〜１０ｗｔ％以下とし、且つ前記焼
結温度は焼結体が最高密度に達する温度よりも０℃〜１
５０℃高温とするのが、焼結体の密度をそれほど低下さ
せることなく熱伝導度を高める上で好ましい。
結助剤の添加量は２〜１０ｗｔ％以下とし、且つ前記焼
結温度は焼結体が最高密度に達する温度よりも０℃〜１
５０℃高温とするのが、焼結体の密度をそれほど低下さ
せることなく熱伝導度を高める上で好ましい。
【図１】焼結助剤の添加量を３．５ｗｔ％とした場合の
焼結温度と密度及び熱伝導度との関係を示すグラフ
焼結温度と密度及び熱伝導度との関係を示すグラフ
【図２】焼結助剤の添加量を８ｗｔ％とした場合の焼結
温度と密度及び熱伝導度との関係を示すグラフ
温度と密度及び熱伝導度との関係を示すグラフ
【図３】焼結助剤の添加量を１４ｗｔ％とした場合の焼
結温度と密度及び熱伝導度との関係を示すグラフ
結温度と密度及び熱伝導度との関係を示すグラフ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川上 泰伸 埼玉県和光市中央１丁目４番１号 株式 会社本田技術研究所内 (56)参考文献 特開 平６−135771（ＪＰ，Ａ) 特表 平３−504959（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 金属材料に接触させる材料であって、Ｓ
i3Ｎ4を主成分とし、これに焼結助剤としてＡl2Ｏ3、Ｙ
2Ｏ3、Ｙb2Ｏ3、Ｌa2Ｏ3、Ｎd2Ｏ3、Ｃe2Ｏ3の中から選
ばれた少なくとも一種を添加し焼結せしめて得られる窒
化珪素セラミックス材料において、この窒化珪素セラミックス材料は、熱伝導度を３２．４
〜３９．７Ｗ／(ｍ・Ｋ)にするために、 前記焼結助剤の
添加量を２〜１０ｗｔ％とし且つ焼結体が最高密度に達
する温度よりも０℃〜１５０℃高い温度で焼結したもの
であることを特徴とする窒化珪素セラミックス材料。 - 【請求項２】 金属材料に接触させる材料の製造方法で
あって、Ｓi 3 Ｎ 4 を主成分とする原料にＡl 2 Ｏ 3 、Ｙ
2 Ｏ 3 、Ｙb 2 Ｏ 3 、Ｌa 2 Ｏ 3 、Ｎd 2 Ｏ 3 、Ｃe 2 Ｏ 3 の中から選
んだ少なくとも一種を焼結助剤として添加し、この原料
を乾燥して顆粒物とした後成形し、この成形した成形体
を、焼結体の熱伝導度を３２．４〜３９．７Ｗ／(ｍ・
Ｋ)にするために、焼結体が最高密度に達する温度より
も０℃〜１５０℃高い温度で焼結したことを特徴とする
窒化珪素セラミックス材料の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348400A JP2725761B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 窒化珪素セラミックス材料及びその製造方法 |
| EP94309723A EP0661245A3 (en) | 1993-12-27 | 1994-12-22 | Ceramic material made of silicon nitride. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5348400A JP2725761B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 窒化珪素セラミックス材料及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07187795A JPH07187795A (ja) | 1995-07-25 |
| JP2725761B2 true JP2725761B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=18396770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5348400A Expired - Lifetime JP2725761B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 窒化珪素セラミックス材料及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0661245A3 (ja) |
| JP (1) | JP2725761B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002226274A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-14 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性セラミック材料、その製造方法および半導体製造用製品 |
| CN101595077A (zh) | 2006-12-22 | 2009-12-02 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 氮化硅体及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2045563A1 (en) * | 1989-01-17 | 1990-07-18 | Chien-Wei Li | Super tough monolithic silicon nitride |
| JPH02255573A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 高靭性窒化珪素焼結体の製造法 |
| US5439856A (en) * | 1992-09-08 | 1995-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High thermal conductive silicon nitride sintered body and method of producing the same |
| JP2871410B2 (ja) * | 1992-09-08 | 1999-03-17 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5348400A patent/JP2725761B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-22 EP EP94309723A patent/EP0661245A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0661245A2 (en) | 1995-07-05 |
| EP0661245A3 (en) | 1995-10-25 |
| JPH07187795A (ja) | 1995-07-25 |
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