JP2725459B2 - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JP2725459B2 JP2725459B2 JP3001833A JP183391A JP2725459B2 JP 2725459 B2 JP2725459 B2 JP 2725459B2 JP 3001833 A JP3001833 A JP 3001833A JP 183391 A JP183391 A JP 183391A JP 2725459 B2 JP2725459 B2 JP 2725459B2
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- Japan
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- insulating film
- forming
- wiring
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置特に電荷転
送機構を備えた固体撮像装置およびその製造方法に関す
る。
送機構を備えた固体撮像装置およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、固体撮像装置に広く用いられてい
る電荷転送素子である電荷結合素子（以下ＣＣＤとす
る）は、極めて狭い間隔で電気的に分離された多数のＭ
ＯＳキャパシタを配列させた構造を持っており、各々の
ＭＯＳキャパシタに電圧信号パルスを印加することによ
り撮像装置の受光部で光電変換された電荷をＭＯＳキャ
パシタ列に沿って出力部まで転送するという機構を持
つ。図１８および図１９は４相駆動方式によるＣＣＤを
用いた従来の固体撮像素子の平面図および断面図であ
る。このＣＣＤの各ＭＯＳキャパシタのゲート電極を１
μｍ以下の間隔で形成するためには、一般に次のような
方法が採用されている。すなわち、図１９においてシリ
コン半導体基板１上にゲート絶縁膜１３を形成し、その
上にＣＶＤ法によって多結晶シリコンを成長させた後、
パターニングして第１層電極２０を形成する。次に熱酸
化によって第１層電極２０表面に薄い絶縁膜として酸化
シリコン膜３を形成し、その上にＣＶＤ法によって多結
晶シリコンを成長させパターニングして第２層電極４を
形成する。
る電荷転送素子である電荷結合素子（以下ＣＣＤとす
る）は、極めて狭い間隔で電気的に分離された多数のＭ
ＯＳキャパシタを配列させた構造を持っており、各々の
ＭＯＳキャパシタに電圧信号パルスを印加することによ
り撮像装置の受光部で光電変換された電荷をＭＯＳキャ
パシタ列に沿って出力部まで転送するという機構を持
つ。図１８および図１９は４相駆動方式によるＣＣＤを
用いた従来の固体撮像素子の平面図および断面図であ
る。このＣＣＤの各ＭＯＳキャパシタのゲート電極を１
μｍ以下の間隔で形成するためには、一般に次のような
方法が採用されている。すなわち、図１９においてシリ
コン半導体基板１上にゲート絶縁膜１３を形成し、その
上にＣＶＤ法によって多結晶シリコンを成長させた後、
パターニングして第１層電極２０を形成する。次に熱酸
化によって第１層電極２０表面に薄い絶縁膜として酸化
シリコン膜３を形成し、その上にＣＶＤ法によって多結
晶シリコンを成長させパターニングして第２層電極４を
形成する。
【０００３】このような構造のＣＣＤを持つ従来の固体
撮像装置の平面図が図１８である。すなわちくし形の形
状を持つ第１層電極２０と第２層電極４にそれぞれ印加
電圧パルスφ１，φ３およびφ２，φ４を対応させ、こ
れによって二次元的に配列されている各受光部１９で光
電変換された電荷をいっせいに転送させる。なお、受光
部１９の面積をできるだけ広くとるために、ゲート部分
以外の第１層電極２０と第２層電極は層間絶縁膜（ここ
では図１９における酸化シリコン膜３）をはさんで積み
重ねて配線する構造を持っている。
撮像装置の平面図が図１８である。すなわちくし形の形
状を持つ第１層電極２０と第２層電極４にそれぞれ印加
電圧パルスφ１，φ３およびφ２，φ４を対応させ、こ
れによって二次元的に配列されている各受光部１９で光
電変換された電荷をいっせいに転送させる。なお、受光
部１９の面積をできるだけ広くとるために、ゲート部分
以外の第１層電極２０と第２層電極は層間絶縁膜（ここ
では図１９における酸化シリコン膜３）をはさんで積み
重ねて配線する構造を持っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように一般に
ＣＣＤの第１層電極と第２層電極との間の層間絶縁膜に
は熱酸化膜によって形成した酸化シリコン膜が用いられ
る。ここで第１層電極と第２層電極との間の層間絶縁膜
としてたとえばＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜
を用いることも考えられるが、この場合ＣＣＤの構造上
第２層電極直下のゲート絶縁膜がＣＶＤ法による酸化シ
リコン膜となる。ＣＶＤ法による膜は電気特性の安定性
が熱酸化膜に劣るためゲート酸化膜として使用されるの
は難しい。従って、層間絶縁膜としては熱酸化による酸
化シリコン膜を用いるのが望ましく、その場合、少なく
とも第１層電極は多結晶シリコンを用いざるを得ない。
ＣＣＤの第１層電極と第２層電極との間の層間絶縁膜に
は熱酸化膜によって形成した酸化シリコン膜が用いられ
る。ここで第１層電極と第２層電極との間の層間絶縁膜
としてたとえばＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜
を用いることも考えられるが、この場合ＣＣＤの構造上
第２層電極直下のゲート絶縁膜がＣＶＤ法による酸化シ
リコン膜となる。ＣＶＤ法による膜は電気特性の安定性
が熱酸化膜に劣るためゲート酸化膜として使用されるの
は難しい。従って、層間絶縁膜としては熱酸化による酸
化シリコン膜を用いるのが望ましく、その場合、少なく
とも第１層電極は多結晶シリコンを用いざるを得ない。
【０００５】しかしながら上述した従来の固体撮像装置
の構造では画素の高密度化に伴ない、配線幅は狭くな
り、一方ある程度感度を確保したまま限られたチップ面
積の中に高密度に画素を形成するためには受光部の面積
を単純に縮小することはできず、配線幅はいっそう狭く
ならざるを得ない。すなわち画素数を増加させ、高密度
化すると、駆動周波数が上昇する一方で配線抵抗も高く
なり、電極の時定数で決定されるパルス遅延によって駆
動が極めて困難になるため固体撮像装置の多画素化には
限界があるという問題点があった。
の構造では画素の高密度化に伴ない、配線幅は狭くな
り、一方ある程度感度を確保したまま限られたチップ面
積の中に高密度に画素を形成するためには受光部の面積
を単純に縮小することはできず、配線幅はいっそう狭く
ならざるを得ない。すなわち画素数を増加させ、高密度
化すると、駆動周波数が上昇する一方で配線抵抗も高く
なり、電極の時定数で決定されるパルス遅延によって駆
動が極めて困難になるため固体撮像装置の多画素化には
限界があるという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、半導
体基板上にゲ―ト絶縁膜を介し所定の間隔およびピッチ
で配列された第１層電極群と、前記第１層電極とこれを
覆う酸化シリコン膜を介して部分的に重なって前記第１
層電極の間にそれぞれ配置された第２層電極群とを有す
るＭＯＳキャパシタ列を複数個並列に配置した電荷転送
素子を備えた個体撮像装置において、前記各ＭＯＳキャ
パシタ列の同一行の第２層電極に被着される第１配線
と、前記第１配線を被覆し前記ＭＯＳキャパシタ列の第
１層電極の１つおきに設けられた第１コンタクト孔を有
する第１絶縁膜と、前記第１コンタクト孔を介して第１
層電極に接続される第２配線と、前記第２配線に接続さ
れていない第１層電極上に設けられた開口を有する第２
絶縁膜と、前記開口の側面に被着された第３絶縁膜を有
する第２コンタクト孔と、前記第２コンタクト孔を介し
て第１層電極に接続される第３配線とを有するというも
のである。
体基板上にゲ―ト絶縁膜を介し所定の間隔およびピッチ
で配列された第１層電極群と、前記第１層電極とこれを
覆う酸化シリコン膜を介して部分的に重なって前記第１
層電極の間にそれぞれ配置された第２層電極群とを有す
るＭＯＳキャパシタ列を複数個並列に配置した電荷転送
素子を備えた個体撮像装置において、前記各ＭＯＳキャ
パシタ列の同一行の第２層電極に被着される第１配線
と、前記第１配線を被覆し前記ＭＯＳキャパシタ列の第
１層電極の１つおきに設けられた第１コンタクト孔を有
する第１絶縁膜と、前記第１コンタクト孔を介して第１
層電極に接続される第２配線と、前記第２配線に接続さ
れていない第１層電極上に設けられた開口を有する第２
絶縁膜と、前記開口の側面に被着された第３絶縁膜を有
する第２コンタクト孔と、前記第２コンタクト孔を介し
て第１層電極に接続される第３配線とを有するというも
のである。
【０００７】本願第２の発明の固体撮像装置の製造方法
は、半導体基板上にゲ―ト絶縁膜を介し所定の間隔およ
びピッチで配列された第１層電極群を形成する工程と、
前記第１層電極を絶縁膜で覆った後前記第１層電極の間
にそれぞれ第２層電極を形成する工程と、前記第２層電
極に接続される第１配線を形成する工程と、第１絶縁膜
を形成したのち前記第２層電極の１つおきにつき第１コ
ンタクト孔を形成する工程と、前記第１コンタクト孔を
介して第１層電極に接続される第２配線を形成する工程
と、更に第２絶縁膜を形成したのち前記第２配線に接続
されていない第１層電極部に開口を形成したのちその側
面に第３絶縁膜を被着して第２コンタクト孔を形成する
工程と、前記第２コンタクト孔を介して第１層電極に接
続される第３配線を形成する工程とにより電荷転送素子
を形成するというものである。
は、半導体基板上にゲ―ト絶縁膜を介し所定の間隔およ
びピッチで配列された第１層電極群を形成する工程と、
前記第１層電極を絶縁膜で覆った後前記第１層電極の間
にそれぞれ第２層電極を形成する工程と、前記第２層電
極に接続される第１配線を形成する工程と、第１絶縁膜
を形成したのち前記第２層電極の１つおきにつき第１コ
ンタクト孔を形成する工程と、前記第１コンタクト孔を
介して第１層電極に接続される第２配線を形成する工程
と、更に第２絶縁膜を形成したのち前記第２配線に接続
されていない第１層電極部に開口を形成したのちその側
面に第３絶縁膜を被着して第２コンタクト孔を形成する
工程と、前記第２コンタクト孔を介して第１層電極に接
続される第３配線を形成する工程とにより電荷転送素子
を形成するというものである。
【０００８】
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１および図２はそれぞれ本願第１の発明の
固体撮像装置の一実施例を示す平面図および固体撮像装
置の電荷転送部の断面図である。
説明する。図１および図２はそれぞれ本願第１の発明の
固体撮像装置の一実施例を示す平面図および固体撮像装
置の電荷転送部の断面図である。
【００１０】この実施例は、シリコン半導体基板１上に
ゲート絶縁膜１３を介して形成されている多結晶シリコ
ンの第１層電極２および第２層電極４にそれぞれ駆動パ
ルスφ１，φ３およびφ２，φ４が印加される４相駆動
方式の固体撮像装置であるが、ここで第２層電極４の表
面には電荷転送方向と垂直方向に第１配線５が設けられ
１電極おきにφ２とφ４に接続される。これによって第
２層電極４の電気抵抗は大幅に低減される。また第１層
電極２は電荷転送方向に沿って設けられた第２配線およ
び第３配線９に、１電極おきに第１コンタクト孔６およ
び第２コンタクト孔７を介してそれぞれ接続され、第２
配線８はφ３に第３配線９はφ１に接続される。これに
より第１層電極２の電気抵抗は大幅に低減される。
ゲート絶縁膜１３を介して形成されている多結晶シリコ
ンの第１層電極２および第２層電極４にそれぞれ駆動パ
ルスφ１，φ３およびφ２，φ４が印加される４相駆動
方式の固体撮像装置であるが、ここで第２層電極４の表
面には電荷転送方向と垂直方向に第１配線５が設けられ
１電極おきにφ２とφ４に接続される。これによって第
２層電極４の電気抵抗は大幅に低減される。また第１層
電極２は電荷転送方向に沿って設けられた第２配線およ
び第３配線９に、１電極おきに第１コンタクト孔６およ
び第２コンタクト孔７を介してそれぞれ接続され、第２
配線８はφ３に第３配線９はφ１に接続される。これに
より第１層電極２の電気抵抗は大幅に低減される。
【００１１】なお、第１配線５と第２配線８は第１絶縁
膜１０で絶縁され、さらに第２配線８と第３配線９は第
２絶縁膜１１および第２コンタクト孔７の側壁に形成さ
れた第３絶縁膜１２によって絶縁された構造となってい
る。
膜１０で絶縁され、さらに第２配線８と第３配線９は第
２絶縁膜１１および第２コンタクト孔７の側壁に形成さ
れた第３絶縁膜１２によって絶縁された構造となってい
る。
【００１２】図３〜図１２は、本願第２の発明の一実施
例を説明するための平面図あるいは断面図である。
例を説明するための平面図あるいは断面図である。
【００１３】まず図３に示すように表面にゲート絶縁膜
（図示せず）が形成されたシリコン半導体基板１上にＣ
ＶＤ法とフオトエッチング法によって多結晶シリコンの
第１層電極２を島状に形成する。次に、熱酸化によって
第１層電極２の表面に薄い酸化シリコン膜３を形成した
後、図４に示すようにＣＶＤ法とフオトエッチング法に
よって多結晶シリコンの第２層電極４をくし形に形成す
る。続いて図５に示すようにスパッタリング法あるいは
ＣＶＤ法とフォトエッチング法により第２層電極４の表
面に電荷転送方向とは直角の方向に沿って第１配線５を
形成する。次にシリコン半導体基板１の表面全体を透明
な第１絶縁膜（図示せず）で覆った後、図６に示すよう
に電荷転送方向に沿って１つおきの第１層電極２上の第
１絶縁膜に、フォトエッチング法によって第１コンタク
ト孔６を形成し、続いて図７に示すようにスパッ夕リン
グ法あるいはＣＶＤ法とフォトエッチング法によって電
荷転送方向に沿って第２配線８を形成する。続いてシリ
コン半導体基板１の表面全体を透明な第２絶縁膜（図示
せず）で覆った後、図８に示すように第１コンタクト孔
６が形成されていない残りの第１層電極２上に第２コン
タクト孔７を形成する。図９は図８の電荷転送部の断面
図で、第２コンタクト孔７を形成した時点を示す。１０
は前述の第１絶縁膜、１１は第２絶縁膜である。第２コ
ンタクト孔７の側壁には第２配線８が露出している。こ
れを覆うために、図１０に示すようにＣＶＤ法により第
２コンタクト孔７の内壁を覆って第３絶縁膜１２を形成
し、続いて図１１に示すように異方性エッチングにより
第２コンタクト孔７の側壁部分だけを残して第３絶縁膜
１２を除去する。次に図１２に示すようにスパッタリン
グ法あるいはＣＶＤ法とＰＲ法によって第３配線９を第
２配線８上に電荷転送方向に沿って形成する。このよう
な構造にすることにより第１配線５、第２配線８、第３
配線９は互いに短絡することなく積層させることができ
る。また各配線材料には通常用いられるアルミニウムや
タングステンあるいはタングステンシリサイド等の低抵
抗の材料を用いる。なお図１、図２に示したとおり、第
３配線９には駆動パルスφ１第２配線８には駆動パルス
φ３，第１配線５には交互に駆動パルスφ２とφ４を印
加する。
（図示せず）が形成されたシリコン半導体基板１上にＣ
ＶＤ法とフオトエッチング法によって多結晶シリコンの
第１層電極２を島状に形成する。次に、熱酸化によって
第１層電極２の表面に薄い酸化シリコン膜３を形成した
後、図４に示すようにＣＶＤ法とフオトエッチング法に
よって多結晶シリコンの第２層電極４をくし形に形成す
る。続いて図５に示すようにスパッタリング法あるいは
ＣＶＤ法とフォトエッチング法により第２層電極４の表
面に電荷転送方向とは直角の方向に沿って第１配線５を
形成する。次にシリコン半導体基板１の表面全体を透明
な第１絶縁膜（図示せず）で覆った後、図６に示すよう
に電荷転送方向に沿って１つおきの第１層電極２上の第
１絶縁膜に、フォトエッチング法によって第１コンタク
ト孔６を形成し、続いて図７に示すようにスパッ夕リン
グ法あるいはＣＶＤ法とフォトエッチング法によって電
荷転送方向に沿って第２配線８を形成する。続いてシリ
コン半導体基板１の表面全体を透明な第２絶縁膜（図示
せず）で覆った後、図８に示すように第１コンタクト孔
６が形成されていない残りの第１層電極２上に第２コン
タクト孔７を形成する。図９は図８の電荷転送部の断面
図で、第２コンタクト孔７を形成した時点を示す。１０
は前述の第１絶縁膜、１１は第２絶縁膜である。第２コ
ンタクト孔７の側壁には第２配線８が露出している。こ
れを覆うために、図１０に示すようにＣＶＤ法により第
２コンタクト孔７の内壁を覆って第３絶縁膜１２を形成
し、続いて図１１に示すように異方性エッチングにより
第２コンタクト孔７の側壁部分だけを残して第３絶縁膜
１２を除去する。次に図１２に示すようにスパッタリン
グ法あるいはＣＶＤ法とＰＲ法によって第３配線９を第
２配線８上に電荷転送方向に沿って形成する。このよう
な構造にすることにより第１配線５、第２配線８、第３
配線９は互いに短絡することなく積層させることができ
る。また各配線材料には通常用いられるアルミニウムや
タングステンあるいはタングステンシリサイド等の低抵
抗の材料を用いる。なお図１、図２に示したとおり、第
３配線９には駆動パルスφ１第２配線８には駆動パルス
φ３，第１配線５には交互に駆動パルスφ２とφ４を印
加する。
【００１４】このような構造を持つ固体撮像素子は従来
の多結晶シリコンだけで配線されていた固体撮像素子と
比べ、例えば配線にアルミニウムを用いた場合には配線
抵抗が数１００分の１程度に低減されているため画素数
を大幅に増大させても電極の時定数で決定されるパルス
遅延が低減され、高速動作が可能となる。さらに配線幅
を狭くすることができるためその分受光部の面積を大き
くとることができ、したがって小さなチップ内に極めて
多数の画素を集積した高感度の固体撮像装置を実現する
ことができる。
の多結晶シリコンだけで配線されていた固体撮像素子と
比べ、例えば配線にアルミニウムを用いた場合には配線
抵抗が数１００分の１程度に低減されているため画素数
を大幅に増大させても電極の時定数で決定されるパルス
遅延が低減され、高速動作が可能となる。さらに配線幅
を狭くすることができるためその分受光部の面積を大き
くとることができ、したがって小さなチップ内に極めて
多数の画素を集積した高感度の固体撮像装置を実現する
ことができる。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の固体撮像素
子は、電荷転送素子を構成するＭＯＳキャパシタ列上
に、各々の電荷転送方向に沿って該電荷転送素子の駆動
パルスを印加する，１本あるいは２本以上の配線が形成
されているため、多結晶シリコンだけで配線されていた
従来の固体撮像装置と異なり配線抵抗が大幅に低減でき
したがって画素数を大幅に増大させても、電極の時定数
で決定されるパルス遅延が低減され高速動作が可能とな
る。また配線幅を狭くすることができるためその分受光
部の面積を大きくとることができ、したがって小さなチ
ップ内に極めて多画素を集積した高感度の固体撮像装置
を製造できる効果がある。
子は、電荷転送素子を構成するＭＯＳキャパシタ列上
に、各々の電荷転送方向に沿って該電荷転送素子の駆動
パルスを印加する，１本あるいは２本以上の配線が形成
されているため、多結晶シリコンだけで配線されていた
従来の固体撮像装置と異なり配線抵抗が大幅に低減でき
したがって画素数を大幅に増大させても、電極の時定数
で決定されるパルス遅延が低減され高速動作が可能とな
る。また配線幅を狭くすることができるためその分受光
部の面積を大きくとることができ、したがって小さなチ
ップ内に極めて多画素を集積した高感度の固体撮像装置
を製造できる効果がある。
【図１】本願第１の発明の一実施例を示す平面図であ
る。
る。
【図２】本願第１の発明の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する平
面図である。
面図である。
【図４】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する平
面図である。
面図である。
【図５】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する平
面図である。
面図である。
【図６】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する平
面図である。
面図である。
【図７】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する平
面図である。
面図である。
【図８】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する平
面図である。
面図である。
【図９】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する断
面図である。
面図である。
【図１０】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する
断面図である。
断面図である。
【図１１】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する
断面図である。
断面図である。
【図１２】本願第２の発明の一実施例の説明に使用する
断面図である。
断面図である。
【図１３】従来の固体撮像装置を示す平面図である。
【図１４】従来の固体撮像装置を示す断面図である。
【図１５】本願第３の発明の一実施例の説明に使用する
平面図である。
平面図である。
【図１６】本願第３の発明の一実施例の説明に使用する
平面図である。
平面図である。
【図１７】本願第３の発明の一実施例の説明に使用する
平面図である。
平面図である。
【図１８】従来の固体撮像装置を示す平面図である。
【図１９】従来の固体撮像装置を示す断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上にゲ―ト絶縁膜を介し所定
の間隔およびピッチで配列された第１層電極群と、前記
第１層電極とこれを覆う酸化シリコン膜を介して部分的
に重なって前記第１層電極の間にそれぞれ配置された第
２層電極群とを有するＭＯＳキャパシタ列を複数個並列
に配置した電荷転送素子を備えた個体撮像装置におい
て、前記各ＭＯＳキャパシタ列の同一行の第２層電極に
被着される第１配線と、前記第１配線を被覆し前記ＭＯ
Ｓキャパシタ列の第１層電極の１つおきに設けられた第
１コンタクト孔を有する第１絶縁膜と、前記第１コンタ
クト孔を介して第１層電極に接続される第２配線と、前
記第２配線に接続されていない第１層電極上に設けられ
た開口を有する第２絶縁膜と、前記開口の側面に被着さ
れた第３絶縁膜を有する第２コンタクト孔と、前記第２
コンタクト孔を介して第１層電極に接続される第３配線
とを有することを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板上にゲ―ト絶縁膜を介し所定
の間隔およびピッチで配列された第１層電極群を形成す
る工程と、前記第１層電極を絶縁膜で覆った後前記第１
層電極の間にそれぞれ第２層電極を形成する工程と、前
記第２層電極に接続される第１配線を形成する工程と、
第１絶縁膜を形成したのち前記第２層電極の１つおきに
つき第１コンタクト孔を形成する工程と、前記第１コン
タクト孔を介して第１層電極に接続される第２配線を形
成する工程と、更に第２絶縁膜を形成したのち前記第２
配線に接続されていない第１層電極部に開口を形成した
のちその側面に第３絶縁膜を被着して第２コンタクト孔
を形成する工程と、前記第２コンタクト孔を介して第１
層電極に接続される第３配線を形成する工程とにより電
荷転送素子を形成することを特徴とする固体撮像装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3001833A JP2725459B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3001833A JP2725459B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239172A JPH04239172A (ja) | 1992-08-27 |
| JP2725459B2 true JP2725459B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=11512561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3001833A Expired - Lifetime JP2725459B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725459B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0945888A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Lg Semicon Co Ltd | 固体撮像素子 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH061829B2 (ja) * | 1983-08-11 | 1994-01-05 | 日本電気株式会社 | 二次元ｃｃｄイメージセンサ |
| JPH0719883B2 (ja) * | 1987-01-26 | 1995-03-06 | 富士写真フイルム株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2714000B2 (ja) * | 1988-06-23 | 1998-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP3001833A patent/JP2725459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04239172A (ja) | 1992-08-27 |
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