JP2723872B2 - Tabテープキャリア及び半導体装置 - Google Patents
Tabテープキャリア及び半導体装置Info
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- JP2723872B2 JP2723872B2 JP7333067A JP33306795A JP2723872B2 JP 2723872 B2 JP2723872 B2 JP 2723872B2 JP 7333067 A JP7333067 A JP 7333067A JP 33306795 A JP33306795 A JP 33306795A JP 2723872 B2 JP2723872 B2 JP 2723872B2
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- tab tape
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はTABテープキャリ
ア及びこのTABテープキャリアを用いた半導体装置に
関する。
ア及びこのTABテープキャリアを用いた半導体装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体チップを実装するパッケー
ジは小型化されると共に、多ピン化されてきている。こ
の多ピン化に伴ないリードフレームの内部リードのピッ
チはより狭くなり、長い内部リードの場合はリード間シ
ョートが発生するという問題がある。この対策としてよ
り細いリードの形成が可能なTABテープの配線を内部
リードとして用いて半導体チップと外部リードとを接続
する方法が多用されてきている。以下従来のTABテー
プキャリア及び半導体装置について図面を用いて説明す
る。
ジは小型化されると共に、多ピン化されてきている。こ
の多ピン化に伴ないリードフレームの内部リードのピッ
チはより狭くなり、長い内部リードの場合はリード間シ
ョートが発生するという問題がある。この対策としてよ
り細いリードの形成が可能なTABテープの配線を内部
リードとして用いて半導体チップと外部リードとを接続
する方法が多用されてきている。以下従来のTABテー
プキャリア及び半導体装置について図面を用いて説明す
る。
【0003】図4(a),(b)は従来のTABテープ
キャリアの上面図及びB−B線拡大断面図、図5は従来
のTABテープキャリアを用いた半導体装置の断面図で
ある。
キャリアの上面図及びB−B線拡大断面図、図5は従来
のTABテープキャリアを用いた半導体装置の断面図で
ある。
【0004】図4(a),(b)においてTABテープ
キャリア10Aは、デバイスホール1とリードボンディ
ング(LB)ホール13が形成された厚さ約200μm
のポリイミド等からなる絶縁フィルム2と、このフィル
ム2上に接着剤3を介して形成されデバイスホール1内
に延在する厚さ約50μmの銅箔等からなる配線4とか
ら形成される。尚、図4(a)において6はスプロケッ
トホールである。
キャリア10Aは、デバイスホール1とリードボンディ
ング(LB)ホール13が形成された厚さ約200μm
のポリイミド等からなる絶縁フィルム2と、このフィル
ム2上に接着剤3を介して形成されデバイスホール1内
に延在する厚さ約50μmの銅箔等からなる配線4とか
ら形成される。尚、図4(a)において6はスプロケッ
トホールである。
【0005】次に、このように構成された従来のTAB
テープキャリアを用いた半導体装置の製造方法について
図5を併用して説明する。まずリードフレームのアイラ
ンド11上に半導体チップ7をダイマウントし、次でこ
の半導体チップ7をTABテープキャリア10Aのデバ
イスホール1内に位置合わせしてチップ7のボンディン
グパッド上に配線4の先端をボンディングする。次にL
Bホール13内で配線4の端部を外部リード8に金型を
用いたプレスによりボンディングすると共に配線4をT
ABテープより分離させる。その後エポキシ等の樹脂9
により半導体チップ7等を封止したのち、外部リード8
を成型して樹脂封止型の半導体装置を完成させる。
テープキャリアを用いた半導体装置の製造方法について
図5を併用して説明する。まずリードフレームのアイラ
ンド11上に半導体チップ7をダイマウントし、次でこ
の半導体チップ7をTABテープキャリア10Aのデバ
イスホール1内に位置合わせしてチップ7のボンディン
グパッド上に配線4の先端をボンディングする。次にL
Bホール13内で配線4の端部を外部リード8に金型を
用いたプレスによりボンディングすると共に配線4をT
ABテープより分離させる。その後エポキシ等の樹脂9
により半導体チップ7等を封止したのち、外部リード8
を成型して樹脂封止型の半導体装置を完成させる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】一般に樹脂封止された
半導体装置は、保管環境下の湿度により水分を吸収す
る。特にTABテープキャリアの絶縁フィルム2はポリ
イミド等の有機物で形成されている為多くの水分を吸収
する。水分が吸収された状態で半導体装置をプリント基
板等に半田実装すると、実装時の200℃以上の熱スト
レスにより吸着した水分が気化し膨張する。水分の蒸発
は絶縁フィルム2の近辺で顕著になる。
半導体装置は、保管環境下の湿度により水分を吸収す
る。特にTABテープキャリアの絶縁フィルム2はポリ
イミド等の有機物で形成されている為多くの水分を吸収
する。水分が吸収された状態で半導体装置をプリント基
板等に半田実装すると、実装時の200℃以上の熱スト
レスにより吸着した水分が気化し膨張する。水分の蒸発
は絶縁フィルム2の近辺で顕著になる。
【0007】すなわち図6(a)に示すように、樹脂9
により配線4は封止されるが、水蒸気の発生により最も
密着性の悪い配線4と樹脂9との界面が剥離し図6
(b)に示すように、隙間12Aが生じて配線4が樹脂
9から外れる。その後水蒸気がパッケージの外部へ放出
されたり、冷却により圧縮されて絶縁フィルム2が復元
しても図6(c)に示すように、配線4が元の位置に戻
らず、配線4が断線したり、配線4同志がショートした
りするという問題点がある。
により配線4は封止されるが、水蒸気の発生により最も
密着性の悪い配線4と樹脂9との界面が剥離し図6
(b)に示すように、隙間12Aが生じて配線4が樹脂
9から外れる。その後水蒸気がパッケージの外部へ放出
されたり、冷却により圧縮されて絶縁フィルム2が復元
しても図6(c)に示すように、配線4が元の位置に戻
らず、配線4が断線したり、配線4同志がショートした
りするという問題点がある。
【0008】これは配線4を有するTABテープと樹脂
9との界面が凹凸状になっている為である。
9との界面が凹凸状になっている為である。
【0009】本発明の目的は、上記欠点を除去し、半導
体装置の実装時の熱ストレスによりTABテープと封止
樹脂の界面に隙間を生じても配線の断線やショートの発
生することのない信頼性の向上したTABテープキャリ
ア及び半導体装置を提供することにある。
体装置の実装時の熱ストレスによりTABテープと封止
樹脂の界面に隙間を生じても配線の断線やショートの発
生することのない信頼性の向上したTABテープキャリ
ア及び半導体装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】第1の発明のTABテー
プキャリアは、デバイスホールが形成された絶縁フィル
ム上に接着剤を介して形成された金属箔からなる複数の
配線を有するTABテープキャリアにおいて、前記配線
は端部を除きその表面が平坦化された保護膜により覆わ
れていることを特徴とするものである。
プキャリアは、デバイスホールが形成された絶縁フィル
ム上に接着剤を介して形成された金属箔からなる複数の
配線を有するTABテープキャリアにおいて、前記配線
は端部を除きその表面が平坦化された保護膜により覆わ
れていることを特徴とするものである。
【0011】第2の発明の半導体装置は、デバイスホー
ルが形成された絶縁フィルムと、この絶縁フィルム上に
接着剤を介して形成されデバイスホール内に延在する金
属箔からなる配線と、この配線の端部を除く表面に形成
され平坦化された保護膜と、前記デバイスホール部に配
設され前記配線の一方の端部にボンディングパッドが接
続された半導体チップと、前記配線の他方の端部に接続
されたリードと、前記半導体チップと前記配線と前記保
護膜と前記絶縁フィルムと前記リードの一部とを封止す
る樹脂とを含むことを特徴とするものである。
ルが形成された絶縁フィルムと、この絶縁フィルム上に
接着剤を介して形成されデバイスホール内に延在する金
属箔からなる配線と、この配線の端部を除く表面に形成
され平坦化された保護膜と、前記デバイスホール部に配
設され前記配線の一方の端部にボンディングパッドが接
続された半導体チップと、前記配線の他方の端部に接続
されたリードと、前記半導体チップと前記配線と前記保
護膜と前記絶縁フィルムと前記リードの一部とを封止す
る樹脂とを含むことを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図1(a),(b)は本発明の第1の実施
の形態を説明する為のTABテープキャリアの上面図及
びA−A線拡大断面図である。
て説明する。図1(a),(b)は本発明の第1の実施
の形態を説明する為のTABテープキャリアの上面図及
びA−A線拡大断面図である。
【0013】図1(a),(b)においてTABテープ
キャリア10は、デバイスホール1とLBホール13と
が形成されたポリイミド等の厚さ約200μmの絶縁フ
ィルム2と、この絶縁フィルム2上に樹脂からなる接着
剤3を介して形成されデバイスホール1内に延在する銅
箔等からなる厚さ約50μmの配線4と、この配線4の
端部を除く表面を覆うように形成された表面が平坦な樹
脂からなる厚さ約50μmの保護膜5とから主に構成さ
れている。尚、図1(a)において6はスプロケットホ
ールである。接着剤3及び保護膜5としては、フェノー
ル樹脂,エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を用いること
ができる。
キャリア10は、デバイスホール1とLBホール13と
が形成されたポリイミド等の厚さ約200μmの絶縁フ
ィルム2と、この絶縁フィルム2上に樹脂からなる接着
剤3を介して形成されデバイスホール1内に延在する銅
箔等からなる厚さ約50μmの配線4と、この配線4の
端部を除く表面を覆うように形成された表面が平坦な樹
脂からなる厚さ約50μmの保護膜5とから主に構成さ
れている。尚、図1(a)において6はスプロケットホ
ールである。接着剤3及び保護膜5としては、フェノー
ル樹脂,エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を用いること
ができる。
【0014】このようなTABテープキャリア10を形
成する為には、従来と同様に絶縁フィルム2上に接着剤
(厚さ約20μm)3を介して圧延銅箔をラミネート
し、フォトエッチング技術により配線4を形成する。次
に保護膜5として接着剤3と同一樹脂を配線4上に塗布
したのち、塗布面をシート等を介してローラ等で平坦化
する。その後この保護膜5を硬化させることにより平坦
化された保護膜5を有するTABテープキャリア10が
完成する。
成する為には、従来と同様に絶縁フィルム2上に接着剤
(厚さ約20μm)3を介して圧延銅箔をラミネート
し、フォトエッチング技術により配線4を形成する。次
に保護膜5として接着剤3と同一樹脂を配線4上に塗布
したのち、塗布面をシート等を介してローラ等で平坦化
する。その後この保護膜5を硬化させることにより平坦
化された保護膜5を有するTABテープキャリア10が
完成する。
【0015】図2は本発明の第2の実施の形態を説明す
る為の半導体装置の断面図である。以下図1を併用して
説明する。
る為の半導体装置の断面図である。以下図1を併用して
説明する。
【0016】図2において半導体装置は、デバイスホー
ル1が形成された絶縁フィルム2と、この絶縁フィルム
2上に接着剤3を介して形成されデバイスホール1内に
延在する銅箔からなる配線4と、この配線4の端部を除
く表面に形成され平坦化された保護膜5と、デバイスホ
ール1内に配設され配線4の一方の端部にボンディング
パッドが接続されたアイランド11上の半導体チップ7
と、配線4の他方の端部に接続された外部リード8と、
半導体チップ7と保護膜5と配線4と絶縁フィルム2と
外部リード8の一部とを封止するエポキシ等の樹脂9と
から主に構成されている。
ル1が形成された絶縁フィルム2と、この絶縁フィルム
2上に接着剤3を介して形成されデバイスホール1内に
延在する銅箔からなる配線4と、この配線4の端部を除
く表面に形成され平坦化された保護膜5と、デバイスホ
ール1内に配設され配線4の一方の端部にボンディング
パッドが接続されたアイランド11上の半導体チップ7
と、配線4の他方の端部に接続された外部リード8と、
半導体チップ7と保護膜5と配線4と絶縁フィルム2と
外部リード8の一部とを封止するエポキシ等の樹脂9と
から主に構成されている。
【0017】次に、このように構成された半導体装置を
プリント基板等に半田実装する場合について図3を併用
して説明する。
プリント基板等に半田実装する場合について図3を併用
して説明する。
【0018】樹脂封止された半導体装置は保管環境下で
水分を吸収する。この水分は実装時の熱により蒸発し、
その熱ストレスにより図3(a)に示すように、保護膜
5と樹脂9とが湾曲して剥離し、その界面に隙間12を
生じる。
水分を吸収する。この水分は実装時の熱により蒸発し、
その熱ストレスにより図3(a)に示すように、保護膜
5と樹脂9とが湾曲して剥離し、その界面に隙間12を
生じる。
【0019】しかし、水蒸気がパッケージの外部へ放出
されたり、冷却により絶縁フィルム2が復元すると、図
3(b)に示すように、樹脂9と保護膜5の界面の隙間
12はほとんどなくなる。この絶縁フィルム2の復元に
よっても配線4は保護膜5により保持されている為、従
来のように樹脂9の凹凸部にぶつかり、ずれて配線が断
線さたりショートすることはない。特に接着剤3と保護
膜5とを同一の樹脂により形成することにより、配線4
は接着剤3と保護膜5の内部に完全に埋設される為、熱
ストレスによって配線4が剥離することはなくなる。こ
の為配線4のずれを完全に抑制することができる。
されたり、冷却により絶縁フィルム2が復元すると、図
3(b)に示すように、樹脂9と保護膜5の界面の隙間
12はほとんどなくなる。この絶縁フィルム2の復元に
よっても配線4は保護膜5により保持されている為、従
来のように樹脂9の凹凸部にぶつかり、ずれて配線が断
線さたりショートすることはない。特に接着剤3と保護
膜5とを同一の樹脂により形成することにより、配線4
は接着剤3と保護膜5の内部に完全に埋設される為、熱
ストレスによって配線4が剥離することはなくなる。こ
の為配線4のずれを完全に抑制することができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、絶縁フィ
ルム上に形成された配線上に、平坦化された保護膜を有
するTABテープキャリアを用いて樹脂封止型の半導体
装置を形成することにより、半田実装においても従来の
ように熱ストレスにより配線がずれて断線やショート不
良が発生することがなくなる為、信頼性の向上した半導
体装置が得られる。
ルム上に形成された配線上に、平坦化された保護膜を有
するTABテープキャリアを用いて樹脂封止型の半導体
装置を形成することにより、半田実装においても従来の
ように熱ストレスにより配線がずれて断線やショート不
良が発生することがなくなる為、信頼性の向上した半導
体装置が得られる。
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明する為のTA
Bテープキャリアの上面図及び断面図。
Bテープキャリアの上面図及び断面図。
【図2】本発明の第2の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。
体装置の断面図。
【図3】本発明の効果を説明する為の配線近傍の断面
図。
図。
【図4】従来のTABテープキャリアの上面図及び断面
図。
図。
【図5】従来の半導体装置の断面図。
【図6】従来の半導体装置の欠点を説明する為の配線近
傍の断面図。
傍の断面図。
1 デバイスホール 2 絶縁フィルム 3 接着剤 4 配線 5 保護膜 6 スプロケットホール 7 半導体チップ 8 外部リード 9 樹脂 10,10A TABテープキャリア 11 アイランド 12,12A 隙間 13 LBホール
Claims (5)
- 【請求項1】 デバイスホールが形成された絶縁フィル
ム上に接着剤を介して形成された金属箔からなる複数の
配線を有するTABテープキャリアにおいて、前記配線
は端部を除きその表面が平坦化された保護膜により覆わ
れていることを特徴とするTABテープキャリア。 - 【請求項2】 保護膜は接着剤と同一材料で形成されて
いる請求項1記載のTABテープキャリア。 - 【請求項3】 保護膜はフェノール樹脂又はエポキシ樹
脂又はポリイミド樹脂から形成されている請求項1又は
請求項2記載のTABテープキャリア。 - 【請求項4】 デバイスホールが形成された絶縁フィル
ムと、この絶縁フィルム上に接着剤を介して形成されデ
バイスホール内に延在する金属箔からなる配線と、この
配線の端部を除く表面に形成され平坦化された保護膜
と、前記デバイスホール部に配設され前記配線の一方の
端部にボンディングパッドが接続された半導体チップ
と、前記配線の他方の端部に接続されたリードと、前記
半導体チップと前記配線と前記保護膜と前記絶縁フィル
ムと前記リードの一部とを封止する樹脂とを含むことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】 保護膜は接着剤と同一樹脂から形成され
ている請求項4記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7333067A JP2723872B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | Tabテープキャリア及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7333067A JP2723872B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | Tabテープキャリア及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09172043A JPH09172043A (ja) | 1997-06-30 |
JP2723872B2 true JP2723872B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=18261902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7333067A Expired - Lifetime JP2723872B2 (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | Tabテープキャリア及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2723872B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10240461A1 (de) | 2002-08-29 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Universelles Gehäuse für ein elektronisches Bauteil mit Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53101270A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-04 | Seiko Epson Corp | Substraet for semiconductor device |
JPH04162734A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその形成方法 |
JPH04291737A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Toshiba Corp | Tabフィルムキャリアテープ |
JPH06112267A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Nec Kansai Ltd | Tab式半導体装置 |
-
1995
- 1995-12-21 JP JP7333067A patent/JP2723872B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09172043A (ja) | 1997-06-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971028 |