JP2720660B2 - 超電導配線 - Google Patents
超電導配線Info
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Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導配線に関する。
より詳細には、ｃ軸配向の酸化物超電導薄膜で構成され
た第１の超電導電線路と、ａ軸配向の酸化物超電導薄膜
で構成された第２の超電導電線路を具備する超電導電界
効果型素子に関する。
より詳細には、ｃ軸配向の酸化物超電導薄膜で構成され
た第１の超電導電線路と、ａ軸配向の酸化物超電導薄膜
で構成された第２の超電導電線路を具備する超電導電界
効果型素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】超電導体の電子機器への応用は、大きく
分けて２種類ある。即ち、超電導体を使用し、従来の半
導体素子とは異なる原理で動作する超電導素子と、電子
機器内の電線路に超電導体を使用する超電導配線であ
る。現在使用されている半導体素子を超電導素子に置き
換えることにより、電子機器の飛躍的な高性能化が可能
であると考えられている。超電導素子を、超電導配線と
組み合わせて使用するとより高い効果が得られ、一方、
超電導配線だけでも電子機器を高速化できることがわか
っている。特に、信号線路に超電導電線路を使用する
と、従来よりも高い周波数の信号を伝送することが可能
であり、これが電子機器の高速化につながる。また、信
号の減衰も少なくなるので、増幅器等を減らすことがで
き、消費電力を減少させる効果もある。
分けて２種類ある。即ち、超電導体を使用し、従来の半
導体素子とは異なる原理で動作する超電導素子と、電子
機器内の電線路に超電導体を使用する超電導配線であ
る。現在使用されている半導体素子を超電導素子に置き
換えることにより、電子機器の飛躍的な高性能化が可能
であると考えられている。超電導素子を、超電導配線と
組み合わせて使用するとより高い効果が得られ、一方、
超電導配線だけでも電子機器を高速化できることがわか
っている。特に、信号線路に超電導電線路を使用する
と、従来よりも高い周波数の信号を伝送することが可能
であり、これが電子機器の高速化につながる。また、信
号の減衰も少なくなるので、増幅器等を減らすことがで
き、消費電力を減少させる効果もある。
【０００３】一方、近年、臨界温度が高い酸化物超電導
体の研究が進み、従来の金属超電導体に加えて酸化物超
電導体が実用化されつつある。酸化物超電導体は非常に
種類が多いが、代表的なものとしては、臨界温度が80Ｋ
前後のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X系酸化物超電導体、臨界温度が10
0 Ｋ前後のBi2Sr2Ca2Cu3Ｏy系酸化物超電導体、臨界温
度が120 Ｋ前後のTl2Ba2Ca2Cu3Ｏz 系酸化物超電導体等
がある。いずれの酸化物超電導体も金属超電導体の臨界
温度よりもかなり高い臨界温度を有する。
体の研究が進み、従来の金属超電導体に加えて酸化物超
電導体が実用化されつつある。酸化物超電導体は非常に
種類が多いが、代表的なものとしては、臨界温度が80Ｋ
前後のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X系酸化物超電導体、臨界温度が10
0 Ｋ前後のBi2Sr2Ca2Cu3Ｏy系酸化物超電導体、臨界温
度が120 Ｋ前後のTl2Ba2Ca2Cu3Ｏz 系酸化物超電導体等
がある。いずれの酸化物超電導体も金属超電導体の臨界
温度よりもかなり高い臨界温度を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】酸化物超電導体は、超
電導特性に結晶異方性があることが知られており、特
に、臨界電流密度Ｊc は酸化物超電導体結晶のｃ軸に垂
直な方向が最大であることが知られている。従って、酸
化物超電導体を超電導配線に使用する場合、電流が流れ
る方向に、酸化物超電導体結晶の臨界電流密度が最大で
ある方向を一致させて、超電導配線を形成している。
電導特性に結晶異方性があることが知られており、特
に、臨界電流密度Ｊc は酸化物超電導体結晶のｃ軸に垂
直な方向が最大であることが知られている。従って、酸
化物超電導体を超電導配線に使用する場合、電流が流れ
る方向に、酸化物超電導体結晶の臨界電流密度が最大で
ある方向を一致させて、超電導配線を形成している。
【０００５】図２に酸化物超電導体を使用した超電導配
線の一例の断面図を示す。図２の超電導配線は、集積回
路等で使用される２層配線を酸化物超電導体で形成した
ものであり、基板10上に形成され、間に絶縁層４が配置
されている下層の超電導電線路１と上層の超電導電線路
２とが超電導層間配線３により接続されている。超電導
電線路１および２には水平方向の超電導電流が流れる。
従って、超電導電線路１および２には水平方向により大
きな電流を流すことができるｃ軸配向の酸化物超電導薄
膜が使用される。それに対し、超電導層間配線３には、
垂直方向の超電導電流が流れるので、超電導層間配線３
はａ軸配向（またはｂ軸配向、以下本明細書ではより一
般的なａ軸配向に代表させて記述する）の酸化物超電導
薄膜で構成されている。
線の一例の断面図を示す。図２の超電導配線は、集積回
路等で使用される２層配線を酸化物超電導体で形成した
ものであり、基板10上に形成され、間に絶縁層４が配置
されている下層の超電導電線路１と上層の超電導電線路
２とが超電導層間配線３により接続されている。超電導
電線路１および２には水平方向の超電導電流が流れる。
従って、超電導電線路１および２には水平方向により大
きな電流を流すことができるｃ軸配向の酸化物超電導薄
膜が使用される。それに対し、超電導層間配線３には、
垂直方向の超電導電流が流れるので、超電導層間配線３
はａ軸配向（またはｂ軸配向、以下本明細書ではより一
般的なａ軸配向に代表させて記述する）の酸化物超電導
薄膜で構成されている。
【０００６】上記のように超電導電線路１および２と、
超電導層間配線３とで配向性の異なる酸化物超電導薄膜
を使用すると、それぞれの界面11、12、21および22が結
晶粒界となって不具合が生じる。例えば、界面の結晶粒
界が超電導接合となっている場合には、界面にはトンネ
ル電流しか流れないので電流容量が制限される。また、
界面の超電導接合により入出力特性が非線型となる。界
面が超電導接合ではない場合でも、界面の電気抵抗によ
りジュール熱が発生し、超電導配線の超電導性が失われ
たり、超電導電線路と超電導層間配線とが相互に影響し
あって互いの組成が劣化することがある。
超電導層間配線３とで配向性の異なる酸化物超電導薄膜
を使用すると、それぞれの界面11、12、21および22が結
晶粒界となって不具合が生じる。例えば、界面の結晶粒
界が超電導接合となっている場合には、界面にはトンネ
ル電流しか流れないので電流容量が制限される。また、
界面の超電導接合により入出力特性が非線型となる。界
面が超電導接合ではない場合でも、界面の電気抵抗によ
りジュール熱が発生し、超電導配線の超電導性が失われ
たり、超電導電線路と超電導層間配線とが相互に影響し
あって互いの組成が劣化することがある。
【０００７】超電導電線路と、超電導層間配線との界面
で上記のような不具合を発生させないために、界面にA
u、Ag等の貴金属層を形成し、界面が酸化物超電導体の
結晶粒界にならないようにすることが提案されている。
しかしながら、Au、Ag等の貴金属層は電気抵抗を有する
ので、やはりジュール熱が発生し、超電導配線の超電導
性が失われることがある。
で上記のような不具合を発生させないために、界面にA
u、Ag等の貴金属層を形成し、界面が酸化物超電導体の
結晶粒界にならないようにすることが提案されている。
しかしながら、Au、Ag等の貴金属層は電気抵抗を有する
ので、やはりジュール熱が発生し、超電導配線の超電導
性が失われることがある。
【０００８】そこで本発明の目的は、上記従来技術の問
題点を解決した超電導配線を提供することにある。
題点を解決した超電導配線を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、ｃ軸配
向の酸化物超電導体結晶からなる酸化物超電導薄膜で構
成された第１の超電導電線路と、該第１の超電導配線に
電気的に接続されたａ軸配向の酸化物超電導体結晶から
なる酸化物超電導薄膜で構成された第２の超電導電線路
とを具備する超電導配線において、前記第１の超電導電
線路と前記第２の超電導電線路との間に、酸化物超電導
体が長距離近接効果を示す酸化物半導体で構成されたバ
ッファ層を具備することを特徴とする超電導配線が提供
される。
向の酸化物超電導体結晶からなる酸化物超電導薄膜で構
成された第１の超電導電線路と、該第１の超電導配線に
電気的に接続されたａ軸配向の酸化物超電導体結晶から
なる酸化物超電導薄膜で構成された第２の超電導電線路
とを具備する超電導配線において、前記第１の超電導電
線路と前記第２の超電導電線路との間に、酸化物超電導
体が長距離近接効果を示す酸化物半導体で構成されたバ
ッファ層を具備することを特徴とする超電導配線が提供
される。
【００１０】
【作用】本発明の超電導配線は、ｃ軸配向の酸化物超電
導薄膜で構成された第１の超電導電線路と、ａ軸配向の
酸化物超電導薄膜で構成された第２の超電導電線路との
間に酸化物超電導体が長距離近接効果を示す酸化物半導
体で構成されたバッファ層を具備するところにその主要
な特徴がある。本発明の超電導配線は、このバッファ層
によりｃ軸配向の酸化物超電導薄膜で構成された第１の
超電導電線路と、ａ軸配向の酸化物超電導薄膜で構成さ
れた第２の超電導電線路との間の界面が、酸化物超電導
体の結晶粒界ではないので、従来の超電導配線の上記界
面における各種の不具合が抑えられる。
導薄膜で構成された第１の超電導電線路と、ａ軸配向の
酸化物超電導薄膜で構成された第２の超電導電線路との
間に酸化物超電導体が長距離近接効果を示す酸化物半導
体で構成されたバッファ層を具備するところにその主要
な特徴がある。本発明の超電導配線は、このバッファ層
によりｃ軸配向の酸化物超電導薄膜で構成された第１の
超電導電線路と、ａ軸配向の酸化物超電導薄膜で構成さ
れた第２の超電導電線路との間の界面が、酸化物超電導
体の結晶粒界ではないので、従来の超電導配線の上記界
面における各種の不具合が抑えられる。
【００１１】酸化物超電導体の長距離近接効果というの
は、一対の酸化物超電導体の間に特定の絶縁体または半
導体を挟んだ場合には、通常よりもかなり広い間隔の酸
化物超電導体間を超電導電流が流れる現象である。本発
明の超電導配線のバッファ層として使用するのは、上記
の長距離近接効果を示す酸化物半導体であり、例えば、
La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y、La1.5Ca1.5Mn3Ｏ7-z等が好まし
い。これらの酸化物半導体は、いずれも組成が酸化物超
電導体に近いので、酸化物超電導薄膜中に拡散しても酸
化物超電導薄膜の特性を劣化させることがない。また、
第１の超電導電線路と、第２の超電導電線路との間に上
記の半導体によるバッファ層を形成すると、第１および
第２の超電導電線路の異方性は補償される。また、本発
明の超電導配線において、上記の半導体によるバッファ
層には長距離近接効果により超電導電流が流れる。従っ
て、上記の半導体によるバッファ層を形成しても、超電
導配線の本来の特性はなんら低下しない。
は、一対の酸化物超電導体の間に特定の絶縁体または半
導体を挟んだ場合には、通常よりもかなり広い間隔の酸
化物超電導体間を超電導電流が流れる現象である。本発
明の超電導配線のバッファ層として使用するのは、上記
の長距離近接効果を示す酸化物半導体であり、例えば、
La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y、La1.5Ca1.5Mn3Ｏ7-z等が好まし
い。これらの酸化物半導体は、いずれも組成が酸化物超
電導体に近いので、酸化物超電導薄膜中に拡散しても酸
化物超電導薄膜の特性を劣化させることがない。また、
第１の超電導電線路と、第２の超電導電線路との間に上
記の半導体によるバッファ層を形成すると、第１および
第２の超電導電線路の異方性は補償される。また、本発
明の超電導配線において、上記の半導体によるバッファ
層には長距離近接効果により超電導電流が流れる。従っ
て、上記の半導体によるバッファ層を形成しても、超電
導配線の本来の特性はなんら低下しない。
【００１２】本発明の超電導配線では、上記のバッファ
層の厚さは50〜500 nm程度が好ましい。バッファ層の厚
さが50nm未満の場合はバッファ層の効果が十分ではな
く、バッファ層の厚さが500 nmを超えるとバッファ層中
に超電導電流が流れ難くなるからである。この場合、上
記のバッファ層の厚さは、第１および第２の超電導配線
の間のバッファ層の厚さを意味している。
層の厚さは50〜500 nm程度が好ましい。バッファ層の厚
さが50nm未満の場合はバッファ層の効果が十分ではな
く、バッファ層の厚さが500 nmを超えるとバッファ層中
に超電導電流が流れ難くなるからである。この場合、上
記のバッファ層の厚さは、第１および第２の超電導配線
の間のバッファ層の厚さを意味している。
【００１３】本発明は、任意の酸化物超電導体に適用で
きるが、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X系酸化物超電導体は安定的に高
品質の結晶性のよい薄膜が得られるので好ましい。ま
た、Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏx 系酸化物超電導体は、特にその超
電導臨界温度Ｔc が高いので好ましい。
きるが、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-X系酸化物超電導体は安定的に高
品質の結晶性のよい薄膜が得られるので好ましい。ま
た、Bi2Sr2Ca2Cu3Ｏx 系酸化物超電導体は、特にその超
電導臨界温度Ｔc が高いので好ましい。
【００１４】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
説明するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲をなんら制限するものではな
い。
【００１５】
【実施例】本発明の超電導配線を作製した。図１を参照
して、その工程を説明する。まず、図１(a)に示すよう
なSrTiＯ3（１１０）基板10上に図１(b)に示すようｃ軸
配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の第１の超電導
電線路１、SrTiＯ3 絶縁層４およびｃ軸配向のＹ1Ba2Cu
3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の第２の超電導電線路２を順に
積層する。ｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜
の成膜方法としては、各種のスパッタリング法、ＭＢＥ
法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等任意の方法が使用可能であ
る。スパッタリング法で成膜を行う際の主な成膜条件を
以下に示す。 基板温度 700℃ スパッタリングガス Ar 90 ％ Ｏ2 10 ％ 圧力 ５×10-2Torr 膜厚 400nm また、基板10および絶縁層４には、SrTiＯ3 に替えてMg
Ｏを使用することもできる。
して、その工程を説明する。まず、図１(a)に示すよう
なSrTiＯ3（１１０）基板10上に図１(b)に示すようｃ軸
配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の第１の超電導
電線路１、SrTiＯ3 絶縁層４およびｃ軸配向のＹ1Ba2Cu
3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜の第２の超電導電線路２を順に
積層する。ｃ軸配向のＹ1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜
の成膜方法としては、各種のスパッタリング法、ＭＢＥ
法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等任意の方法が使用可能であ
る。スパッタリング法で成膜を行う際の主な成膜条件を
以下に示す。 基板温度 700℃ スパッタリングガス Ar 90 ％ Ｏ2 10 ％ 圧力 ５×10-2Torr 膜厚 400nm また、基板10および絶縁層４には、SrTiＯ3 に替えてMg
Ｏを使用することもできる。
【００１６】次に、図１(c)に示すよう第１および第２
の超電導電線路を接続する超電導層間配線を形成する部
分30をCl系のガスによる反応性イオンエッチングで加工
し、図１(d)に示すよう、La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y酸化物半
導体層５をスパッタリング法により積層する。La1.5Ba
1.5Cu3Ｏ7-yに替えて、La1.5Ca1.5Mn3Ｏ7-zを使用して
もよい。スパッタリング法でLa1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y酸化物
半導体層を形成する際の主な条件を以下に示す。 基板温度 700℃ スパッタリングガス Ar 50 ％ Ｏ2 50 ％ 圧力 ５×10-2Torr 膜厚 100nm
の超電導電線路を接続する超電導層間配線を形成する部
分30をCl系のガスによる反応性イオンエッチングで加工
し、図１(d)に示すよう、La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y酸化物半
導体層５をスパッタリング法により積層する。La1.5Ba
1.5Cu3Ｏ7-yに替えて、La1.5Ca1.5Mn3Ｏ7-zを使用して
もよい。スパッタリング法でLa1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y酸化物
半導体層を形成する際の主な条件を以下に示す。 基板温度 700℃ スパッタリングガス Ar 50 ％ Ｏ2 50 ％ 圧力 ５×10-2Torr 膜厚 100nm
【００１７】最後に図１(e)に示すようａ軸配向Ｙ1Ba2C
u3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜により、超電導層間配線３を
形成して、本発明の超電導配線が完成する。ａ軸配向Ｙ
1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜をＭＢＥ法で成膜する際
の主な成膜条件を以下に示す。 基板温度 630℃ 圧力 ５×10-5Torr 膜厚 400nm
u3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜により、超電導層間配線３を
形成して、本発明の超電導配線が完成する。ａ軸配向Ｙ
1Ba2Cu3Ｏ7-X酸化物超電導薄膜をＭＢＥ法で成膜する際
の主な成膜条件を以下に示す。 基板温度 630℃ 圧力 ５×10-5Torr 膜厚 400nm
【００１８】上記本発明の超電導配線では、超電導電線
路１および２と、超電導層間配線３との間にLa1.5Ba1.5
Cu3Ｏ7-y層５が形成されている。La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-yに
接する酸化物超電導体は長距離近接効果を示すので、超
電導電線路１および２と、超電導層間配線３との間には
超電導電流が流れる。また、超電導電線路１および２と
La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y層５との界面および超電導配線３と
La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y層５との界面はいずれも良好に形成
されており、超電導接合、抵抗成分等は一切存在しな
い。従って、本発明の超電導配線は、良好な特性を有す
る。
路１および２と、超電導層間配線３との間にLa1.5Ba1.5
Cu3Ｏ7-y層５が形成されている。La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-yに
接する酸化物超電導体は長距離近接効果を示すので、超
電導電線路１および２と、超電導層間配線３との間には
超電導電流が流れる。また、超電導電線路１および２と
La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y層５との界面および超電導配線３と
La1.5Ba1.5Cu3Ｏ7-y層５との界面はいずれも良好に形成
されており、超電導接合、抵抗成分等は一切存在しな
い。従って、本発明の超電導配線は、良好な特性を有す
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に従えば、
高性能な超電導配線が提供される。本発明の超電導電界
効果型素子は、配向性の異なる酸化物超電導体で構成さ
れた超電導電線路同士が直接接触せず、長距離近接効果
を示す半導体によるバッファ層を介している。従って、
配向性の異なる酸化物超電導体で構成された超電導電線
路間の界面で、超電導接合が生じたり、抵抗成分が発生
する等の不具合がない。
高性能な超電導配線が提供される。本発明の超電導電界
効果型素子は、配向性の異なる酸化物超電導体で構成さ
れた超電導電線路同士が直接接触せず、長距離近接効果
を示す半導体によるバッファ層を介している。従って、
配向性の異なる酸化物超電導体で構成された超電導電線
路間の界面で、超電導接合が生じたり、抵抗成分が発生
する等の不具合がない。
【図１】本発明の超電導配線を作製する工程を説明する
図である。
図である。
【図２】超電導配線の構成を説明する図である。
１、２ 超電導電線路 ３ 超電導層間配線 ４ 絶縁層
Claims (1)
- 【請求項１】 ｃ軸配向の酸化物超電導体結晶からなる
酸化物超電導薄膜で構成された第１の超電導電線路と、
該第１の超電導配線に電気的に接続されたａ軸配向の酸
化物超電導体結晶からなる酸化物超電導薄膜で構成され
た第２の超電導電線路とを具備する超電導配線におい
て、前記第１の超電導電線路と前記第２の超電導電線路
との間に、酸化物超電導体が長距離近接効果を示す酸化
物半導体で構成されたバッファ層を具備することを特徴
とする超電導配線。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272159A JP2720660B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 超電導配線 |
| DE69223371T DE69223371T2 (de) | 1991-09-24 | 1992-09-24 | Supraleitende Dünnschicht aus oxidisch supraleitendem Material, supraleitender Strompfad und supraleitende Einrichtung mit der supraleitenden Dünnschicht |
| EP92402625A EP0534854B1 (en) | 1991-09-24 | 1992-09-24 | Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting current path and superconducting device utilizing the superconducting thin film |
| CA002079357A CA2079357C (en) | 1991-09-24 | 1992-09-24 | Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting current path and superconducting device utilizing the superconducting thin film |
| US08/327,883 US5430013A (en) | 1991-09-24 | 1994-10-24 | Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting current path and superconducting device utilizing the superconducting thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272159A JP2720660B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 超電導配線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582842A JPH0582842A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2720660B2 true JP2720660B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=17509915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3272159A Expired - Lifetime JP2720660B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 超電導配線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2720660B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786644A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 超伝導配線装置 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3272159A patent/JP2720660B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582842A (ja) | 1993-04-02 |
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