JP2715769B2 - 基板の洗浄処理方法 - Google Patents
基板の洗浄処理方法Info
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
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Description
ロジン系ハンダフラックス洗浄剤および特定の揮発性の
すすぎ剤を用いてなる基板の洗浄処理方法に関する。
路板やプリント配線基板などのモジュールの製作におけ
るハンダ付けに際して使用されており、ハンダ付け終了
後は、洗浄剤により基板面から該フラックスのみを選択
的にしかも完全に除去している。すなわち、フラックス
の洗浄が不充分である場合には、残留フラックスによる
悪影響として、回路腐食が起こったり、あるいは基板表
面の電気絶縁性が低下し、最終的には回路破損につなが
るという不利がある。
の洗浄剤としてはトリクロロエチレン、トリクロロトリ
フルオロエタン等のいわゆるフロン等のハロゲン化炭化
水素溶剤が使用されている。該ハロゲン系の洗浄剤につ
いては、それ自体不燃性でありかつ乾燥性に優れるとい
う利点を有するものの、オゾン層破壊などの環境汚染の
問題から、それらの使用規制が本格化されつつあり、電
機業界においてもいわゆるフロン代替のハンダフラック
スの洗浄剤の開発が急務となってきた。
水素溶剤型、テルペン系溶剤型、高級アルコール型、グ
リコールエーテル型等の種々の非ハロゲン系のハンダフ
ラックス洗浄剤が開発されている。これら各種のフロン
代替洗浄剤は、フラックスを洗浄除去した後、優れた清
浄度の被洗浄物を得るために水すすぎ工程および水すす
ぎ工程に付随する乾燥工程が必須となっている。ここに
該乾燥工程の処理時間は基板の洗浄処理システムにおけ
る律速であり、乾燥時間が長くなればそれだけ生産性が
低下する。そのため、通常は80℃程度の加熱下に該乾
燥工程を行い、生産性が低下しないようにしている。
クスを洗浄除去して得られたプリント回路板やプリント
配線基板は、製造の最終チェック段階においてコネクタ
ー、スイッチ等の後付け部品を取り付けて、それらの部
品の作動テストがなされている。これら後付け部品も上
記基板と同様にハンダ処理されるため、ハンダフラック
スを洗浄除去しなければならないが、既にプリント回路
板やプリント配線基板に後付け部品が取り付けられてい
るため、80℃程度の加熱乾燥工程を伴う水すすぎ工程
は採用できない。また、前記作動テストにおいて、部品
の一部に不良が生じていることが判明した場合には、そ
の部品のみを取り除き、新たに正常な部品をハンダ処理
して基板を修整している。こうして得られる修整基板も
ハンダフラックスの洗浄が必須であり、同様に前記加熱
乾燥工程を伴う水すすぎ工程は採用できない。
の新規洗浄剤である非ハロゲン系のロジン系ハンダフラ
ックス洗浄剤を使用して基板の該フラックスを洗浄除去
した後のすすぎ工程に続く加熱乾燥工程を速やかに行う
ことができ、しかも、優れた清浄度の基板が得られる基
板の洗浄処理方法を提供することを目的とする。
達成すべく鋭意検討を重ねた結果、非ハロゲン系のロジ
ン系ハンダフラックス洗浄剤のなかでも特にグリコール
エーテル型の洗浄剤を用いて基板を洗浄した後に、しか
も特定のすすぎ剤を適用した場合にのみ前記課題をこと
ごとく解決しうることを見出し、本発明を完成するに至
った。
クスが付着した基板に、一般式(1):
少なくとも一種を有効成分として含有してなる非ハロゲ
ン系のロジン系ハンダフラックス洗浄剤を接触せしめ、
該基板よりフラックスを洗浄除去し、次いですすぎ剤と
して低級アルコールもしくはその水溶液または低級アル
キルエーテルを接触せしめることを特徴とする基板の洗
浄処理方法に関する。
ロジン系ハンダフラックスが付着したプリント回路板や
プリント配線基板等である。また、これらの基板には一
旦ハンダ処理され、かつハンダフラックスが除去された
基板にコネクター、スイッチ等の後付け部品をハンダ処
理して取り付けた基板や、後付け部品を取り付けた基板
の作動テストで不良が生じていることが判明したとき
に、その部品を取り除き、新たに正常な部品をハンダ処
理して得られる修整基板等が含まれる。
板に前記化1で表されるグリコールエーテル系化合物の
少なくとも一種を有効成分として含有してなる非ハロゲ
ン系のロジン系ハンダフラックスの洗浄剤を接触せしめ
該基板より該フラックスを洗浄除去する。ここにロジン
系ハンダフラックスの洗浄剤は前記グリコールエーテル
系化合物を使用することが必須とされる。すなわち、テ
トラリン、デカン、ドデカンなどの炭化水素系溶剤や、
リモネン等のテルペン系溶剤を用いた洗浄剤では洗浄力
が十分ではなく、基板上に残留するイオン量(残留イオ
ン濃度)が多く、清浄度の優れた基板を得がたいためで
ある。
で使用することもでき、またノニオン性界面活性剤、ポ
リオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤や、水
等を適宜に組み合わせて混合物としても使用できる。
物はとしては、たとえば、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプ
ロピルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエー
テル、ジエチレングリコールメチルプロピルエーテル、
ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルブ
チルエーテル、ジエチレングリコールエチルブチルエー
テル、ジエチレングリコールプロピルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノペンチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジペンチルエーテル、ジエチレングリコー
ルメチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールエチ
ルペンチルエーテル、ジエチレングリコールプロピルペ
ンチルエーテル、ジエチレングリコールブチルペンチル
エーテル;これらに対応するトリ−もしくはテトラエチ
レングリコールエーテル類;これらに対応するジ−、ト
リ−もしくはテトラプロピレングリコールエーテル類を
例示できる。これら化合物は1種を単独でまたは2種以
上を適宜組み合せて使用できる。これらのなかでも好ま
しいものとしては、ジエチレングリコールジブチルエー
テル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチ
ルエーテル等があげられる。
のイオン性がノニオン性である限り特に制限はなく、各
種公知のものを採用しうる。たとえば、ポリオキシエチ
レンアルキル(C5 <)エーテル、ポリオキシエチレン
フェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェ
ノールエーテルなどのポリエチレングリコールエーテル
型ノニオン性界面活性剤;ポリエチレングリコールモノ
エステル、ポリエチレングリコールジエステルなどのポ
リエチレングリコールエステル型ノニオン性界面活性
剤;高級脂肪族アミンのエチレンオキサイド付加物;脂
肪酸アミドのエチレンオキサイド付加物;ソルビタン脂
肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどの多価アルコ
ール型ノニオン性界面活性剤;脂肪酸アルカノールアミ
ドなど、更にはこれらに対応するポリオキシプロピレン
系ノニオン性界面活性剤およびポリオキシエチレンポリ
オキシプロピレン共重合型ノニオン性界面活性剤があげ
られる。これらノニオン性界面活性剤は1種を単独でま
たは2種以上組合せて使用できる。これらのうち、洗浄
力の点から好ましいものとしては、ポリエチレングリコ
ールエーテル型ノニオン性界面活性剤であり、更に好ま
しいものとしては下記一般式(2)で表されるものが該
当する。
ル系界面活性剤としては各種公知のものを制限なく使用
しうる。好ましくは下記一般式(3):
面活性剤またはその塩が該当する。かかる塩としてはナ
トリウム塩、カリウム塩などの金属塩、アンモニウム
塩、アルカノールアミン塩などを例示できる。なお、前
記一般式(3)で表されるリン酸エステル系アニオン性
界面活性剤またはその塩としては、各種市販品があり、
例えば第一工業製薬株式会社製の「プライサーフ」シリ
ーズ、日本乳化剤株式会社製の「N−1000FC
P」、「RA−574」、「RA−579」などが例示
できる。
ルエーテル系化合物10〜100重量%程度、好ましく
は50〜95重量%に対し、ノニオン性界面活性剤およ
び/またはポリオキシリン酸エステル系界面活性剤0〜
90重量%程度、好ましくは、5〜50重量%である。
また前記洗浄剤を水に溶解して使用する場合には、その
有効成分の濃度が通常10重量%程度以上、好ましくは
50重量%以上となるように調製するのがよい。
接触させるには以下の手段を採用しうる。たとえば、ハ
ンドブラシにより洗浄する方法、ロールブラシにより洗
浄する方法、洗浄剤そのものに基板を直接浸漬して洗浄
する方法、洗浄剤をスプレー装置を使用してフラッシュ
する方法、機械的手段によりブラッシングする方法、超
音波洗浄方法や、洗浄剤をエアゾール、フォーム等とし
て缶より供給する方法などの各種方法を適宜に選択して
採用することができる。
剤中の有効成分の濃度、該成分の使用比率、除去すべき
フラックスの種類等により適宜選択すればよく、一般に
除去すべきフラックスを洗浄除去するのに有効な温度と
時間で洗浄剤をフラックスに接触させる。洗浄剤の使用
時の温度は通常室温〜80℃程度であり、室温から50
℃程度とするのが好ましい。特に修整基板等に適用する
場合は室温から50℃程度とするのがよい。
浄剤により基板からロジン系ハンダフラックスを洗浄除
去した後、さらに、すすぎ剤として低級アルコールもし
くはその水溶液または低級アルキルエーテルを接触させ
る。かかるすすぎ剤は、残留している可能性のある前記
非ハロゲン系の洗浄剤を完全に除去できるものである。
また、乾燥性に優れたものであり、乾燥時間を短縮でき
る。
ル、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノ
ール、n−ブタノール等の炭素数1〜4のアルコールが
あげられる。また、低級アルコールは水溶液として使用
してもよく、通常濃度5重量%程度以上、好ましくは濃
度30重量%以上の水溶液として使用できる。また、低
級アルキルエーテルとしてはジエチレングリコールジメ
チルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、エチルエーテル等があげられる。これらのうち、揮
発性、安全性の点からすれば濃度30〜60重量%未満
の低級アルコール水溶液が好ましい。
すぎ剤に基板を直接浸漬する方法、すすぎ剤をスプレー
装置を用いてフラッシュする方法、超音波を照射する方
法、すすぎ剤の蒸気を用いる方法、エアゾール、フォー
ム等として缶より供給する方法等のうち少なくとも一つ
の方法を採用することにより有効にすすぎ処理を行うこ
とができる。すすぎ剤を使用する際の温度としては通常
室温〜50℃程度である。また、すすぎ工程に続く、乾
燥工程の温度は通常室温〜50℃程度であり、乾燥時間
も比較的短い。
槽を使用する場合のほか、複数のすすぎ槽を使用するこ
ともでき、処理コスト、処理時間、すすぎ液寿命などを
勘案して適宜仕様を決定すれば足りる。なお、すすぎ剤
を使用する前に水洗を行い、次いですすぎ剤により水切
りを行うことも可能である。
ゲン系の洗浄剤により洗浄した基板から該洗浄剤を完全
に除去でき、清浄度の非常に高い基板となしうる。しか
も、すすぎ剤の揮発性に起因して、乾燥工程の所要時間
が非常に少なくなり、さらには室温下でも乾燥を行うこ
とができ作業性が大幅に改善され、生産性が向上する等
の種々の効果が奏せられる。特に、本発明は後付け部品
を取り付けた修整基板に適用する場合は室温下でも乾燥
を行うことができ有利である。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
リエチレングリコールアルキルエーテル型ノニオン性界
面活性剤(第一工業製薬株式会社製、商品名「ノイゲン
ET−135」、一般式(2)においてR4 は炭素数1
2〜14の分岐鎖アルキル基、mが9のものである)2
0重量部および純水15重量部を混合して洗浄剤Aを調
製した。
化させた他は参考例1と同様にして洗浄剤A〜Fを調製
した。
〜Iを調製した。
レングリコールジメチルエーテル、DEGMBE:ジエ
チレングリコールモノブチルエーテル、TEGDEE:
トリエチレングリコールジエチルエーテル、POEAP
E:リン酸エステル系アニオン性界面活性剤(一般式
(3)においてR5 は炭素数12の直鎖アルキル基、n
は10、Xは水酸基と一般式(4):(R6 が炭素数1
2の直鎖アルキル基、nは10)の混合物である)を示
す。
ラックス(LONCO社製、商品名「Resin Fl
ux#77−25」)を塗布し、130℃で2分間乾燥
した後、260℃で5秒間、ハンダフローを行い供試基
板を調製した。室温下に、上記洗浄剤Aを塗布し、ハン
ダブラシで擦った。これを2回繰り返し、次いで室温下
ですすぎ剤Gを用いて基板上の残存洗浄剤をすすぎおと
した。更に、この基板を室温下または40℃の温度条件
下で乾燥し、乾燥の所要時間を測定した。また、得られ
た基板の、フラックスの除去の度合を以下の判定基準に
基づき目視判定した。 ○:良好に除去できる。 △:若干残存する。 ×:かなり残存する。 次いで、上記基板をオメガメーター600SE(KEN
KO社製、商品名)を用いて、基板の清浄度(残留イオ
ン濃度)を測定した。結果は表3に示す。
を表3に示すものに変化させた他は同様にして評価をし
た。結果は表3に示す。
部エアゾール缶に充填、封入してエアゾール型として使
用し、すすぎ剤Iを90部、炭酸ガスを10部エアゾー
ル缶に充填、封入してエアゾール型として使用した他は
実施例1と同様に行い、評価した。結果は表3に示す。
と同様に行った。結果は表3に示す。
代えた他は実施例1と同様に行った。結果は表3に示
す。
例7と同様に行った。結果は表3に示す。
Claims (3)
- 【請求項1】 ロジン系ハンダフラックスが付着した基
板に、一般式(1): 【化1】 で表されるグリコールエーテル系化合物の少なくとも一
種を有効成分として含有してなる非ハロゲン系のロジン
系ハンダフラックス洗浄剤を接触せしめ、該基板よりフ
ラックスを洗浄除去し、次いですすぎ剤として低級アル
コールもしくはその水溶液または低級アルキルエーテル
を接触せしめることを特徴とする基板の洗浄処理方法。 - 【請求項2】 前記すすぎ剤が、低級アルコールまたは
その水溶液である請求項1記載の洗浄処理方法。 - 【請求項3】 前記基板が、ハンダ処理され、かつロジ
ン系ハンダフラックスが除去されてなる基板に、後付け
部品を取り付けてなる基板である請求項1、または2記
載の洗浄処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3355946A JP2715769B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 基板の洗浄処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3355946A JP2715769B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 基板の洗浄処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05175641A JPH05175641A (ja) | 1993-07-13 |
JP2715769B2 true JP2715769B2 (ja) | 1998-02-18 |
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ID=18446546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3355946A Expired - Fee Related JP2715769B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 基板の洗浄処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2715769B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
US7435711B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-10-14 | Kaken Tech Co., Ltd. | Cleaning agent for removing solder flux and method for cleaning solder flux |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3355946A patent/JP2715769B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05175641A (ja) | 1993-07-13 |
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