JP2713188B2 - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子の駆動方法、
特に強誘電性液晶を用いた電気光学素子のマルチプレッ
クス駆動方法。 【０００２】 【従来の技術】特開昭５６−１０７２１６号公報に記載
されているように、カイラルスメクチックＣ相もしくは
カイラルスメクチックＨ相を示す強誘電性液晶を用いた
電気光学素子は、印加電圧に対して非常に高速で応答
し、かつメモリ性があるという特徴を有することが知ら
れており、画素数が多くなる大型大容量ディスプレイ、
高速電子シャッタ、偏光器などへの応用が期待されてい
る。 【０００３】従来、このような強誘電性液晶素子の駆動
方法としては、特開昭５８−１７９８９０号公報に記載
されているような、液晶素子の光透過状態を定めるパル
ス電圧を所定周期で印加し、かつこの所定周期内に印加
される電圧の平均値を零にして強誘電性液晶の劣化を防
止する駆動方法が知られている。しかし前記特開昭５８
−１７９８９０号公報に開示されている具体的な駆動方
法は、スタティック駆動方法であり、大容量素子の駆動
に最適なマルチプレックス駆動方法は何ら開示されてい
ない。また、強誘電性液晶素子は、印加される電圧パル
スのパルス幅によって、しきい値電圧が変化するとい
う、いわゆるパルス幅依存性を有することが知られてい
るが、前記特開昭５８−１７９８９０号公報に記載され
た駆動方法は、このパルス幅依存性について何の考慮も
しておらず、実際の駆動は困難である。 【０００４】そこで我々は、特願昭５９−１１９６８０
号（特開昭６０−２６３１２４号公報参照）および特願
昭６０−１７７８１８号（特開昭６１−５５６３０号公
報参照）において、前述のパルス幅依存性を考慮した、
実用的なマルチプレックス駆動方法を提案した。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしこの駆動方法で
は、強誘電性液晶に印加される電圧が、正又は負のどち
らかに偏る可能性があり、強誘電性液晶が劣化して液晶
素子の寿命を短くするという欠点を有している。 【０００６】本発明の目的とするところは、メモリ性の
ある液晶に印加される電圧の正、負の偏りを、信号電極
に供給される電圧により低減することのできる、新たな
駆動方法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段および作用】請求項１の発
明は、走査電極群を有する基板と信号電極群を有する基
板との間にメモリ性を有する液晶を挟持してなる液晶素
子を駆動する液晶素子の駆動方法において、前記走査電
極群に、一定の非選択電位に設定される非選択期間と前
記非選択電位以外の選択電位に設定される選択期間とを
有する走査信号を供給し、前記信号電極群に前記選択期
間毎にデータ信号を供給し、前記液晶の表示状態を選択
する前記選択期間内の第１の期間に、前記液晶の分子を
所定の配列方向に揃える少なくとも１個の消去電圧を前
記液晶に印加し、前記第１の期間の後の前記選択期間内
の第２の期間に、前記液晶の分子を表示状態に対応する
配列方向に設定する選択電圧を前記液晶に印加し、前記
非選択期間に前記走査電極群に供給される前記非選択電
位を基準電位としたとき、前記選択期間内の前記第１及
び第２の期間中の前記データ信号は前記基準電位に対し
て正、負の２値の電圧レベルからなり、前記選択期間内
の前記第１及び第２の期間中での前記正、負の２値の電
圧レベルの印加順序を変化させることにより、前記液晶
素子の表示状態のオン状態／オフ状態を選択することを
特徴とする。請求項２の発明は、走査電極群を有する基
板と信号電極群を有する基板との間にメモリ性を有する
液晶を挟持してなる液晶素子を駆動する液晶素子の駆動
方法において、前記走査電極群に、一定の非選択電位と
補正のための電位とに設定される非選択期間と、前記非
選択電位及び前記補正のための電位以外の選択電位に設
定される選択期間とを有する走査信号を供給してなり、
前記補正のための電位は、前記非選択電位を基準として
前記選択期間に印加される正の電圧の積分値と負の電圧
との積分値との差を補正するための電位であり、前記信
号電極群に前記選択期間毎にデータ信号を供給し、前記
液晶の表示状態を選択する前記選択期間内の第１の期間
に、前記液晶の分子を所定の配列方向に揃える少なくと
も１個の消去電圧を前記液晶に印加し、前記第１の期間
の後の前記選択期間内の第２の期間に、前記液晶の分子
を表示状態に対応する配列方向に設定する選択電圧を前
記液晶に印加し、前記非選択期間に前記走査電極群に供
給される前記非選択電位を基準電位としたとき、前記選
択期間内の前記第１及び第２の期間中の前記データ信号
は前記基準電位に対して正、負の２値の電圧レベルから
なり、前記選択期間内の前記第１及び第２の期間中での
前記正、負の２値の電圧レベルの印加順序を変化させる
ことにより、前記液晶素子の表示状態のオン状態／オフ
状態を選択することを特徴とする。請求項３の発明は、
走査電極群を有する基板と信号電極群を有する基板との
間にメモリ性を有する液晶を挟持してなる液晶素子を駆
動する液晶素子の駆動方法において、前記走査電極群
に、選択期間とそれに続く非選択期間及び消去期間とを
有する走査信号を供給し、前記信号電極群に前記選択期
間毎にデータ信号を供給し、前記液晶の表示状態を選択
する前記選択期間の前の前記消去期間に、前記液晶の分
子を所定の配列方向に揃える少なくとも１個の消去電圧
を前記液晶に印加し、前記選択期間に、前記液晶の分子
を表示状態に対応する配列方向に設定する選択電圧を前
記液晶に印加し、前記非選択期間に前記走査電極群に供
給される非選択信号もしくは０Ｖを基準電位としたと
き、前記選択期間中の前記データ信号は前記基準電位に
対して正、負の２値の電圧レベルからなり、前記選択期
間内での前記正、負の２値の電圧レベルの印加順序を変
化させることにより、前記液晶素子の表示状態のオン状
態／オフ状態を選択することを特徴とする。特開昭５８
−１７９８９０号公報に記載されているように、強誘電
性液晶の分子は、電界を印加しない状態では、螺旋軸に
対してθの角度を有して螺旋状に配列しているが、第１
図（ａ）に示すように、例えば負の極性の電界−Ｅを印
加すると、強誘電性液晶の分子１は、電界−Ｅの方向と
垂直な平面上に螺旋軸２に対して角度θを有して一定方
向に配列する。また、電界の極性を反転させると、第１
図（ｂ）に示すように、螺旋軸２を中心として第１図
（ａ）の方向とは対称な方向に角度θを有して配列す
る。この時、第１図（ａ）および（ｂ）に示すように、
２枚の偏光板を強誘電性液晶の上下に設け、上偏光板の
偏光軸の方向が３の方向、下偏光板の偏光軸の方向が４
の方向となるように互いに直交させると、強誘電性液晶
の分子が第１図の方向に配列している場合は、光の透過
量が最も少なくなり、第１図（ｂ）の方向に配列してい
る場合は、光の透過量が最も多くなる。またこのような
強誘電性液晶の分子の配列状態は、次に逆極性のしきい
値以上の電圧が印加されるまで、そのままで安定してい
る。これが、メモリー性と言われている強誘電性液晶の
特色の１つである。請求項１〜３の各発明では、非選択
期間に印加する非選択信号もしくは０Ｖを基準電位とし
たとき、データ信号は基準電位に対して正、負の２値の
電圧レベルからなり、液晶に消去電圧及び選択電圧を印
加する期間内での前記正、負の２値の電圧レベルの印加
順序により液晶素子の表示状態のオン／オフ状態を選択
している。請求項１の発明は、図３および図４６に示す
各実施例に象徴的に示されている。請求項２の発明は図
２７に、請求項３の発明は図１５にそれぞれ示す実施例
に象徴的に示されている。例えば、請求項１の発明の実
施例である図３では、選択期間ｔ１１内の第１，第２期
間ｔ１４〜ｔ１７中のデータ信号は、オン信号であるの
で、＋Ｖ２，−Ｖ２，＋Ｖ２，−Ｖ２となっているのに
対して、選択期間ｔ２１内の第１，第２の期間ｔ２４〜
ｔ２７中のデータ信号は、オフ信号であるので、−Ｖ
２，＋Ｖ２，−Ｖ２，＋Ｖ２である。このように、図３
の場合、データ信号は非選択期間に印加される非選択信
号の電位（０Ｖ）に対して、正（＋Ｖ２）と負（−Ｖ
２）の２値の電圧レベルから成り、その印加順序を変え
ることで、液晶素子の表示状態のオン状態／オフ状態を
選択することができる。また、データ信号自体が基準電
位に対して正、負でバランスがとれているので、液晶素
子に印加される電圧レベルも正、負で偏りが少なくな
り、液晶素子の寿命を長くすることができる。さらに、
データ信号は２値の電圧レベルでオン波形、オフ波形を
実現できるので、電源電圧レベルも少なくて済む。請求
項２の発明は、請求項１の発明と比較して、非選択期間
に走査信号電極群に補正のための電位が供給される点が
相違している。この請求項２の発明の実施例である図２
７に示すように、走査信号（Ｘ１）はそのｔ１５期間
に、（−Ｖ３）の補正電位に設定され、選択期間ｔ１１
内の正のパルス（＋Ｖ１）と負のパルス（−Ｖ２）のみ
の場合に生ずる正負のアンバランスを、上記補正電位に
より補正している。また、請求項３の発明の実施例であ
る図１５の場合には、選択期間ｔ１１のデータ信号は、
オン信号であるので、＋Ｖ３，−Ｖ３となっているのに
対して、選択期間ｔ２１のデータ信号は、オフ信号であ
るので、−Ｖ３，＋Ｖ３である。この場合も、図３の実
施例と同様に、２値の電圧レベルで表示状態のオン／オ
フ状態の選択が可能であると共に、液晶素子を劣化させ
ない電圧を液晶素子に印加することができる。 【０００８】本発明では、第１図（ａ）に示すような方
向に強誘電性液晶の分子を配列させる電圧の極性を負
（−）、第１図（ｂ）に示すような方向に配列させる電
圧の極性を正（＋）と定義し、分子の配列方向と偏光板
の偏光軸の方向とが第１図（ａ）に示すような関係にな
っていて、光の透過量が最も少ない状態をオフ状態（ま
たは単にオフ）、第１図（ｂ）に示すような関係になっ
ていて、光の透過量が最も多い状態をオン状態（または
単にオン）と定義する。 【０００９】もちろん、分子の配列方向と偏光軸の方向
の関係を第１図（ａ）と（ｂ）とで逆にすれば、正の電
圧を印加すれば、光の透過量が最大となり、負の電圧を
一印加すれば最少となるが、これは単に電圧の極性とオ
ン、オフ状態の組み合わせの関係が逆になるだけで、実
質的に同じ駆動方法で駆動できるものであり、本発明の
範囲に含まれるものである。 【００１０】 【実施例】第２図（ａ）は、以下に述べる本発明の各実
施例で用いた液晶素子の一例を示す断面図である。ガラ
スあるいはプラスチックからなる透明な基板１１、１２
の互いに対向する内側表面には、酸化インジウムあるい
は酸化スズからなる複数の透明な走査電極１３および信
号電極１４が形成されている。必要に応じてこれらの電
極上に酸化シリコンなどからなる絶縁層を設けた後、ポ
リイミド、ナイロンなどからなる配向膜１５を設け、少
なくとも一方の基板の配向膜の表面をラビングして強誘
電性液晶１６を所定の方向に配向させた。１９は、エポ
キシ接着剤からなるシール剤である。また、一対の基板
１１および１２の電極が形成されていない外側表面には
偏光板１７および１８をそれそれ隣接させた。この時、
偏光板１７の偏光軸と偏光板１８の偏光軸とは互いに略
直交させ、かつ強誘電性液晶１６に負の極性を有する飽
和値以上の電圧を印加した時の強誘電性液晶分子の配列
方向とどちらか一方の偏光板の偏光軸の方向とが平行に
なるように偏光板の偏光軸の方向を設定した。 【００１１】基板間のすき間、すなわち液晶層の厚み
は、約１．３μｍ、使用した強誘電性液晶は、Ｐ−テト
ラデシロキシベンジリデン−Ｐ’−アミノ−（２−メチ
ル）−ブチル−（α−シアノ）−シンナメート（ＴＤＯ
ＢＡＭＢＣＣ）である。この液晶は、パルス幅が２００
μｓｅｃの時のしきい値電圧が６．５Ｖ、飽和電圧が８
Ｖであり、またパルス幅が４００μｓｅｃの時のしきい
値電圧が４．２Ｖ、飽和電圧が６．３Ｖであった。この
値は、極性を逆にしてもほぼ同じであつた。 【００１２】走査電極１３と信号電極１４とは、第２図
（ｂ）に示すように、それぞれストライプ状に形成し、
かつ互い直交するように形成した。この走査電極と信号
電極が、平面的に重なり合った部分が画素となる。な
お、第２図（ｂ）は、以下の説明をわかり易くするため
に、代表的なる種類のオン、オフパタ−ンを示してお
り、走査電極Ｘｎの本数が６、信号電極Ｙｎの本数が３
となっているが、もちろん本発明は、この電極数に限定
されるものではなく、必要な画素数に応じて電極数を決
定すればよい。第２図（ｂ）において、斜線を付した画
素はオフ状態、それ以外の画素はオン状態であることを
示している。 【００１３】以下にこの液晶素子を駆動する具体的な駆
動方法の例を示す。 【００１４】実施例１ 第３図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態に
するために走査電極Ｘ１上にある各画素に印加される本
実施例における駆動波形と光透過特性を示す。なお、光
透過特性の変化をわかりやすくするために、次のフレ−
ム周期では、全画素のオン、オフ状態を反転させた。 【００１５】第３図において、ｔ₁₃は最初のフレ−ム周
期、ｔ₂₃は次のフレ−ム周期を示す。又、ｔ₁₁及びｔ₂₁
は選択期間を、ｔ₁₂およびｔ₂₂は非選択期間をそれぞれ
示す。さらにｔ₁₄、ｔ₁₅、ｔ₁₆、ｔ₁₇、ｔ₂₄、ｔ₂₅、ｔ
₂₆およびｔ₂₇はそれぞれ２００μｓｅｃのパルス幅を示
しており、波高値を示すＶ₁は６Ｖ、Ｖ₂ は３Ｖであ
る。 【００１６】走査電極Ｘ１には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は±Ｖ₁ を、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は０Ｖを印加し、
信号電極Ｙ₁ 、Ｙ₂ 、Ｙ₃ には、画素をオンさせたい場
合は波高値Ｖ₂でパルス幅２００μｓｅｃのパルスを
正、負、正、負の順に印加し、オフさせたい場合は負、
正、負、正の順に印加すると、各画素に印加される電圧
パルスは、オンの場合は（＋Ｖ₁ −Ｖ₂ ）、（−Ｖ₁ ＋
Ｖ₂ ）、（−Ｖ₁ −Ｖ₂）、（＋Ｖ₁ ＋Ｖ₂ ）の順序に
なり、オフの場合は（＋Ｖ₁ ＋Ｖ₂ ）、（−Ｖ₁−
Ｖ₂ ）、（−Ｖ₁ ＋Ｖ₂ ）、（＋Ｖ₁ −Ｖ₂ ）の順序に
なる。この時、（十Ｖ₁ −Ｖ₂ ）および（−Ｖ₁ ＋
Ｖ₂ ）は、液晶のしきい値電圧より小さい値であるた
め、液晶は応答せず、飽和値以上である（＋Ｖ₁ ＋
Ｖ₂ ）および（−Ｖ₁ −Ｖ₂ ）に応答する。しかし、強
誘電性液晶は高速で応答し、かつメモリー性があるた
め、見かけ上は選択期間の最後に印加された飽和値以上
のパルスの極性に応じてオン又はオフ状態になったよう
に認識される。 【００１７】非選択期間には（＋Ｖ₁ 一Ｖ₂ ）および
（−Ｖ₁ ＋Ｖ₂ ）のパルスが印加され、そのパルス幅は
最大４００μｓｅｃとなるが、波高値は液晶の４００μ
ｓｅｃ時のしきい値電圧より小さいため、光透過特性に
はほとんど影響を与えない。またオン、オフのコントラ
スト比は、面素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）で１８：１、（Ｘ₁ Ｙ₂ ）
で１６：１、（Ｘ₁ Ｙ₃ ）で１８：１であり、オン、オ
フパターンにかかわらずほぼ一定のコントラスト比が得
られた。 【００１８】本実施例における駆動方法は、液晶に選択
期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）内に少なくとも液晶の飽和値以上の波
高値、パルス幅を有する正及び負の電圧パルスを印加
し、前記正、負の電圧パルスは波高値及びパルス幅が等
しく、更に飽和値以上の正又は負の電圧パルスを印加す
る順序でオン又はオフを選択し、更に正負の電圧パルス
は数が等しく又、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、しきい値
以下の波高値及びパルス幅を有する正・負の電圧パルス
を印加しているため、第３図に示す如く、直流成分の平
均値は零となり直流成分が全く存在しない。そのため液
晶素子の劣化が生じることはなかつた。 【００１９】第４図は、第３図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例の回路ブロック図である。１１１は
トランスミッションゲート、１１２はフリップフロッ
プ、１１３は液晶素子である。ｄ、ｈ、ｅ、ｆ、ｇ、
ｊ、ｋ、ｌは、トランスミッションゲート１１１を選択
し、走査電極信号Ｖｔ及び信号電極信号Ｖｄを作り、液
晶素子１１３に印加される。 【００２０】又±Ｖ₁ 及び零Ｖ、±Ｖ₂ は走査電極及び
信号電極の電源電圧である。第５図は、第４図に示した
回路の走査電極信号Ｖｔ及び信号電極信号Ｖｄを作るた
めの各点における信号である。 【００２１】比較例１ 第６図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態に
するための走査電極Ｘ₁および信号電極Ｙ₁に印加される
駆動波形と、面素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）の光透過特性を示す。な
お、光透過特性の変化をわかりやすくするために、次の
フレーム周期ｔ₂₃では、オン、オフ状態を反転させた。 【００２２】第６図において、ｔ₁₁〜ｔ₂₇はいずれも第
３図と同じことを示しており、波高値Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、
Ｖ₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅ 、Ｖ₆ は、それぞれ８Ｖ、６Ｖ、５
Ｖ、３Ｖ、２Ｖ、０Ｖである。またＶｍは信号電極に印
加される電圧パルスの中間電位を示し、この場合は４Ｖ
になる。 【００２３】実施例１と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるため、走査電極と信号電極の電圧
レベルを同じにしたことにある。 【００２４】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、２００μｓｅｃのパルス幅でＶ₁ 、Ｖ₆ 、Ｖ₆ 、Ｖ
₁ の順に印加し、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）はＶ₂ 、Ｖ₅
を図に示すような順序に印加する。また信号電極Ｙ₁ に
は、画素をオンさせたい場合は、２００ｍｓｅｃのパル
ス幅でＶ₄ 、Ｖ₃ 、Ｖ₁ 、Ｖ₆ の順に印加し、オフさせ
たい場合は、これと逆の順序で印加する。この時画素
（Ｘ₁ Ｙ₁ ）に印加される電圧は、オンの場合は（Ｖ₁
−Ｖ₄ ）、（Ｖ₆ −Ｖ₃ ）、（Ｖ₆ −Ｖ₁ ）、（Ｖ₁ −
Ｖ₆ ）の順になりオフの場合は（Ｖ₁ −Ｖ₆ ）、（Ｖ₆
−Ｖ₁ ）、（Ｖ₆−Ｖ₃ ）、（Ｖ₁ −Ｖ₄ ）の順にな
り、飽和値以上のパルスで後から印加されるパルスの極
性によつてオンまたはオフ状態となる。なお、選択期間
に印加される（Ｖ₁ −Ｖ₄ ）および（Ｖ₆ −Ｖ₃ ）は、
それぞれ＋５Ｖおよび−５Ｖで、パルス幅４００μｓｅ
ｃ時の液晶のしきい値より大きいが、このパルスはパル
ス幅が２００μｓｅｃであるため、２００μｓｅｃ時の
しきい値よりは小さく、液晶は応答しない。また、非選
択期間には（Ｖ₅ −Ｖ₆ ）と（Ｖ₂ −Ｖ₁ ）のパルスが
印加され、オン、オフパタ−ンによつてはパルス幅が４
００μｓｅｃになる場合もあるが、波高値が４００μｓ
ｅｃ時の液晶のしきい値より小さいため、光透過特性に
はほとんど影響を与えない。 【００２５】本比較例による駆動方法は、実施例１と同
様の良好なコントラスト比が得られた。 【００２６】本比較例における駆動方法は、液晶に選択
期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）内に少なくとも液晶の飽和値以上の波
高値、パルス幅を有する正及び負の電圧パルスを印加
し、前記正、負の電圧パルスは波高値及びパルス幅が等
しく、更に飽和値以上の正又は負の電圧パルスを印加す
る順序でオン又はオフを選択し、更に正負の電圧パルス
は数が等しく又、非選択期間はｔ₁₂（ｔ₂₂）は、しきい
値以下の波高値及びパルス幅を有する正、負の電圧パル
スを印加しているため、オン、オフパターンにかかわら
ず印加される電圧の平均値が零となり、液晶素子の劣化
が生ずることはなかった。 【００２７】第７図は、第６図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示すブロック図である。、の
信号により、トランスミッションゲート１１１を選択
し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形及
びの非選択走査電極波形を選択し走査電極波形を作
る。一方信号電極波形は、、の信号によりトランス
ミッションゲート１１１を選択し、の信号電極データ
で、のオン波形及びのオフ波形を選択し、信号電極
波形を作り液晶素子１１３に印加される。又、Ｖ₁、Ｖ
₂ 、Ｖ₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅ 、Ｖ₆ は走査電極及び信号電極の
電源電圧である。第８図は、第７図に示した回路の各点
における信号である。 【００２８】比較例２ 第９図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態に
するための走査電極Ｘ₁ 上の各画素に印加される駆動波
形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわ
かりやすくするために、次のフレーム周期ｔ₂₃では、オ
ン、オフ状態を反転させた。 【００２９】第９図において、ｔ₁₁〜ｔ₂₇はいずれも第
３図と同じことを示しており、波高値Ｖ₁ は９Ｖ、Ｖ₂
は４Ｖである。 【００３０】実施例１および比較例１と異なるのは、コ
ントラスト比を向上させるために、非選択期間に印加さ
れるパルスのパルス幅が、液晶のオン、オフ状態を選択
するために印加される飽和値以上のパルスよりも大きく
ならないようにした点にある。 【００３１】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、±Ｖ₁ を、非選択期間には０Ｖを印加し、信号電極
には、画素をオンさせたい場合は０Ｖを、オフさせたい
場合は、最初の４００μｓｅｃは０Ｖ、次の４００μｓ
ｅｃでは２００μｓｅｃずつ−Ｖ₂ 、＋Ｖ₂ の順に印加
する。 【００３２】この時各画素に印加される電圧パルスは、
オンの場合は（＋Ｖ₁ ）、（−Ｖ₁）、（−Ｖ₁ ）、
（＋Ｖ₁ ）の順序になり、オフの場合は（＋Ｖ₁ ）、
（−Ｖ₁）、（−Ｖ、＋Ｖ₂ ）、（＋Ｖ₁ −Ｖ₂ ）の順
序になる。（−Ｖ₁ 十Ｖ₂ ）および（＋Ｖ₁ −Ｖ₂ ）
は、パルス幅２００μｓｅｃ時の液晶のしきい値より小
さい値であるため、液晶は応答せず、ｔ₁₁の選択期間で
は、オン、オフをくり返してｔ₁₇で最後に印加される＋
Ｖ₁ に応答してオン状態となり、ｔ₂₁の選択期間では、
ｔ₂₄でオンとなつた後ｔ₂₅で印加される−Ｖ₁ に応答し
てオフ状態となる。また非選択期間には０Ｖもしくはパ
ルス巾２００μｓｅｃの＋Ｖ₂ または−Ｖ₂ が印加され
るが、Ｖ₂ は液晶のしきい値より小さいため、光透過特
性にはほとんど影響を与えない。 【００３３】本比較例により得られるコントラスト比
は、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）で２４：１、（Ｘ₁ Ｙ₂ ）で２
２：１、（Ｘ₁ Ｙ₃ ）で２０：１で、実施例１および２
よりもさらに良好なコントラスト比が得られた。 【００３４】本比較例における駆動方法は、液晶に選択
期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）内に少なくとも液晶の飽和値以上の波
高値、パルス幅を有する正及び負の電圧パルスを印加
し、前記正、負の電圧パルスは波高値及びパルス幅が等
しく、更に飽和値以上の正又は負の電圧パルスを印加す
る順序でオン又はオフを選択し、更に正負の電圧パルス
は数が等しく又、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、しきい値
以下の波高値及びパルス幅を有する正、負の電圧パルス
を印加しているため、オン、オフパタ−ンにかかわら
ず、液晶素子に印加きれる平均値は零となり、液晶素子
の劣化は生じなかった。 【００３５】第１０図は、第９図に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例の回路ブロック図である。
（ａ）、（ｃ）、（ｉ）の信号により、トランスミッシ
ョンゲート１１１を選択する信号を作り、それらの信号
によりトランスミッションゲート１１１を選択し、走査
電極信号Ｖｔ及び信号電極信号Ｖｄを作り、液晶素子１
１３に印加される。又、±Ｖ₁ 、±Ｖ₂ 、０Ｖは走査電
極及び信号電極の電源電圧である。 【００３６】第１１図は、第１０図に示した回路の各点
における信号である。 【００３７】比較例３ 第１２図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ および信号電極Ｙ₁ に印加さ
れる駆動波形と、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）の光透過特性を示
す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするため
に、次のフレーム周期ｔ₂₃ではオン、オフ状態を反転さ
せた。 【００３８】第１２図において、ｔ₁₁〜ｔ₂₇はいずれも
第３図と同じことを示しており、波高値Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、Ｖ
₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅ 、Ｖ₆ は、それぞれ１０Ｖ、８Ｖ、６
Ｖ、４Ｖ、２Ｖ、０Ｖである。またＶｍは信号電極に印
加される電圧パルスの中間電位を示し、この場合は５Ｖ
になる。 【００３９】比較例２と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。 【００４０】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、Ｖ₁ とＶ₆ を、Ｖ₁ 、Ｖ₆ 、Ｖ₆ 、Ｖ₁ の順に、非
選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、Ｖ₂ とＶ₅ をＶ₂ 、Ｖ₅ 、Ｖ
₅ 、Ｖ₂ の順に印加し、信号電極Ｙ₁ には、画素をオン
させたい場合は、Ｖ₅ 、Ｖ₂、Ｖ₂ 、Ｖ₅ の順に、オフ
させたい場合はＶ₅ 、Ｖ₂ 、Ｖ₃ 、Ｖ₄ の順に印加す
る。いずれもパルス幅は２００μｓｅｃである。この時
画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）に印加される電圧パルスは、波高値が
異なるのみで第９図に示すような比較例２の駆動方法と
同様の波形となる。すなわち（Ｖ₁ −Ｖ₅ ）および（Ｖ
₆ 一Ｖ₂ ）はそれぞれ＋８Ｖおよび−８Ｖで液晶の飽和
値以上、（Ｖ₁ −Ｖ₄ ）および（Ｖ₆ −Ｖ₃ ）はそれぞ
れ十６Ｖおよび−６Ｖでパルス幅２００μｓｅｃ時のし
きい値より小さく、（Ｖ₂ −Ｖ₃ ）および（Ｖ₅ −
Ｖ₄ ）はそれぞれ十２Ｖおよび−２Ｖで液晶のしきい値
より充分小さい値となっている。したがって液晶素子は
比較例２と同じように応答し、同じように良好なコント
ラスト比が得られた。 【００４１】第１３図は、第１２図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例の回路ブロック図である。、
の信号により、トランスミッションゲート１１１を選
択し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形
及びの非選択走査電極波形を選択し走査電極波形を作
る。一方信号電極波形は、、の信号によりトランス
ミッションゲート１１１を選択し、の信号電極データ
で、のオン波形及びのオフ波形を選択し、信号電極
波形を作り、液晶素子１１３に印加される。又、Ｖ₁ 、
Ｖ₂ 、Ｖ₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅ 、Ｖ₆ は走査電極及び信号電極
の電源電圧である。第１４図は、第１３図に示した回路
の各点における信号である。 【００４２】実施例２ 第１５図に第２図のに示すようなオン、オフ状態にする
ための走査電極Ｘ₁ 上の各画素に印加される駆動波形
と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわか
りやすくするために、次のフレーム周期ｔ₂₃では、オ
ン、オフ状態を反転させた。 【００４３】第１５図において、ｔ₁₃は最初のフレーム
周期、ｔ₂₃は次のフレーム周期を示す。またｔ₁₁および
ｔ₂₁は選択期間、ｔ₁₂およびｔ₂₂は選択期間外の期間を
示し、さらにこの期間ｔ₁₂およびｔ₂₂は、非選択期間ｔ
₁₆とｔ₂₆および次の選択期間の直前すなわちフレーム周
期の最後に設けられた消去期間ｔ₁₅とｔ₂₅の２つの期間
に区分けされている。ｔ₀₅は最初のフレーム周期ｔ₁₃の
直前の消去期間を示している。ｔ₁₄は２００μｓｅｃの
パルス幅を示す。 【００４４】また、波高値Ｖ₁は１１Ｖ、Ｖ₂ は６Ｖ、
Ｖ₃ は２．５Ｖである。 【００４５】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は±Ｖ₂ 、非選択期間ｔ₁₆（ｔ₂₆）は０Ｖ、消去期間ｔ
₀₅（ｔ₁₅、ｔ₂₅）は、±Ｖ₁ を印加し、信号電極Ｙ₁ 、
Ｙ₂、Ｙ₃ には、画素をオンさせたい場合は、±Ｖ₃ を
正、負の順に、オフさせたい場合は、負、正の順に印加
する。この時各画素には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）の直前
の消去期間ｔ₀₅（ｔ₁₅、ｔ₂₅）では、いずれも飽和値以
上の（＋Ｖ₁ −Ｖ₃ ）および（−Ｖ₁ ＋Ｖ₃ ）もしくは
（＋Ｖ₁ ＋Ｖ₃ ）および（−Ｖ₁ −Ｖ₃ ）が印加され、
選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）では、オンの場合（−Ｖ₁ ＋
Ｖ₃ ）および（十Ｖ₁ −Ｖ₃ ）が、オフの場合（−Ｖ₂
＋Ｖ₃ ）および（＋Ｖ₂ −Ｖ₃ ）が印加され、非選択期
間ｔ₁₆（ｔ₂₆）では、オン、オフパターンによつて±Ｖ
₃ が２００μｓｅｃまたは４００μｓｅｃのパルス幅で
印加される。±Ｖ₃ は４００μｓｅｃ時のしきい値より
小さい値であるため、パルス幅が４００μｓｅｃになっ
ても、光透過特性にはほとんど影響を与えない。 【００４６】本実施例の駆動方法は、選択期間の直前で
画素をいったんオンさせてからオフ状態にし、その直後
の選択期間内に正の飽和値以上のパルスを印加するか、
しきい値以下のパルスを印加するかで、オン状態に反転
させるか、オフ状態をそのまま保持するかを選択してい
るため、実施例１、比較例１〜３の駆動方法に比べて選
択期間の時間を半分にすることができ、より高速の駆動
を必要とする場合や走査電極を多くする場合に有効な駆
動方法である。 【００４７】また、消去期間ｔ₀₅（ｔ₁₅、ｔ₂₅）に印加
されるパルスの波高値は、オン、オフパタ−ンによって
異なるが、どちらも飽和値以上であるため、光透過量は
変わらない。さらに本実施例では、非選択期間内で液晶
の飽和値以上のパルスを印加してオン、オフさせている
ため、若干コントラスト比が低下するが、走査電極数が
多くなるほどコントラスト比の低下率が少なくなり、良
好なコントラスト比が得られる。本実施例の場合は、画
素（Ｘ₁ 、Ｙ₁ ）で１７：１、（Ｘ₁ Ｙ₂ ）で１６：
１、（Ｘ₁ 、Ｙ₃ ）で１７：１のコントラスト比が得ら
れた。 【００４８】また本実施例においても液晶に印加される
電圧の平均値は零となり、液晶素子の劣化が生ずること
はなかつた。 【００４９】なお、本実施例では消去期間をフレーム周
期の最後すなわち次の選択期間の直前に設けたが、表示
装置に応用する場合は、人間の目が識別できない時間の
範囲内であれば、選択期間の直前である必要はない。 【００５０】第１６図は、第１５図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示す回路ブロック図であり
、の信号により、トランスミッションゲート１１１
を選択し、の走査電極データで、の選択時走査電極
波形及び０Ｖの非選択時走査電極波形を選択し、走査電
極波形を作る。一方信号電極波形は、の信号によりト
ランスミッションゲート１１１を選択し、の信号電極
データで、のオン波形及びのオフ波線を選択し、信
号電極波形を作り、液晶素子１１３に印加される。又、
±Ｖ₁ 、±Ｖ₂ 、±Ｖ₃ 、０Ｖ、は走査電極及び信号電
極の電源電圧である。第１７図は、第１６図に示した回
路の各点における信号である。 【００５１】比較例４ 第１８図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ 、Ｘ₂ および信号電極Ｙ１に
印加される駆動波形と、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）の光透過特性
を示す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするた
めに、次のフレーム周期ｔ₂₃ではオン、オフ状態を反転
させた。 【００５２】第１８図において、ｔ₀₅〜ｔ₂₆はいずれも
第１５図と同じことを示しており、ｔ’₀₅およびｔ’₁₅
は走査電極Ｘ₂ における第２の非選択期間、ｔ’₁₁およ
びｔ’₂₁は同じく選択期間、ｔ’₁₆は第１の非選択期
間、ｔ′₁₂は第１および第２の非選択期間を含むフレー
ム周期内の非選択期間を示している。 【００５３】波高値Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、Ｖ₅ 、Ｖ₆ はそれぞれ
１２Ｖ、１０Ｖ、２Ｖ、０Ｖであり、Ｖ₃ およびＶ₅ は
８Ｖ、Ｖ₄ およびＶ₉ は４Ｖである。Ｖｍは信号電極に
印加される電圧パルスの中間電位を示し、この場合は６
Ｖである。 【００５４】実施例２と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。 【００５５】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、Ｖ₄ およびＶ₃ を、第１の非選択期間ｔ₁₆（ｔ₂₆）
は、Ｖ₂ およびＶ₅ を、第２の非選択期間ｔ₀₅（ｔ₁₅、
ｔ₂₅）は、Ｖ₁ およびＶ₆ を印加する。走査電極Ｘ₁ を
奇数番目の走査電極とすると、偶数番目の走査電極であ
るＸ₂ には、第１８図に示すように、Ｘ₁ とは位相が逆
のパルス列を印加する。これは、走査電極Ｘ₁ 上の画素
が選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）である時、走査電極Ｘ₂ 上の画
素は、第２の非選択期間ｔ’₀₅（ｔ’₁₅）でありこの時
に画素をオンおよびオフさせるための飽和値以上のパル
スを印加するためである。すなわち、本実施例では各走
査電極に、交互に逆位相のパルスを印加する必要があ
る。また、この結果信号電極Ｙ₁ に印加されるパルス
は、画素をオンさせるパルスとオフさせるパルスを、奇
数番目の走査電極上の画素と偶数番目の走査電極上の画
素とでは異なる波形にする必要がある。すなわち、奇数
番目の走査電極（例えばＸ₁ ）上の画素をオンさせる場
合は、Ｖ₁ およびＶ₆ をＶ₁ 、Ｖ₆ の順に、オフさせる
場合はＶ₈ およびＶ₉ をＶ₈ 、Ｖ₉ の順に印加し、偶数
番目の走査電極（例えばＸ₂ ）上の画素をオンさせる場
合はＶ₈ およびＶ₉ をＶ₉ 、Ｖ₈ の順に、オフさせる場
合は、Ｖ₁ およびＶ₆ をＶ₆ 、Ｖ₁ の順に印加する。こ
の時、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）に印加されるパルスは実施例２
と波高値が異なるのみで、実質的に同一のパルスが印加
される。すなわち、オンの場合、選択期間ｔ₁₁では（Ｖ
₄ −Ｖ₁ ）および（Ｖ₃ −Ｖ₆ ）の負、正の飽和値以上
のパルスが印加され、オフの場合、選択期間ｔ₂₁では
（Ｖ₄ −Ｖ₈ ）および（Ｖ₃ −Ｖ₉ ）の負、正のしきい
値より小さい値のパルスが印加される。また、選択期間
の直前の第２の選択期間ｔ₀₅（ｔ₁₅、ｔ₂₅）では、（Ｖ
₁ −Ｖ₄ ）および（Ｖ₆ −Ｖ₈）もしくは（Ｖ₁ −
Ｖ₆ ）および（Ｖ₆ −Ｖ₁ ）のいずれも飽和値以上のパ
ルスが正、負の順に印加され、画素はいったんオン状態
となった後オフ状態となり、次の選択期間で、オンに反
転するか、そのままオフ状態を保持するかを選択され
る。 【００５６】第１の選択期間ｔ₁₆（ｔ₂₆）では、実施例
２と同じように、オン、オフパターンによつて、パルス
幅が２００μｓｅｃまたは４００μｓｅｃの（Ｖ₅ −Ｖ
₆ ）および（Ｖ₂ −Ｖ₁ ）もしくは（Ｖ₂ −Ｖ₈ ）およ
び（Ｖ₅ −Ｖ₉ ）のいずれもパルス幅４００μｓｅｃ時
のしきい値より小さい値のパルスが印加される。 【００５７】本比較例の駆動方法は、実施例２と同様、
より高速の駆動を必要とする場合や走査電極を多くする
幅合に有効な駆動方法であり、実施例２と同様のコント
ラスト比が得られた。 【００５８】第１９図は、第１８図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。、
の信号によりトランスミッションゲート１１１を選択
し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形及
びの非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形を
作る。尚は偶数番目の走査電極選択波形である。一方
信号電極波形は、、の信号によりトランスミッショ
ンゲート１１１を選択し、の信号電極データで、の
オン波形及び10のオフ波形を選択し、信号電極波形を作
り、液晶素子１１３に印加される。又、Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、Ｖ
₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅、Ｖ₆ 、Ｖ₈ 、Ｖ₉ は走査電極及び信号
電極の電源電圧である。第２０図は、第１９図に示した
回路の各点における信号である。 【００５９】比較例５ 第２１図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ 上の各画素に印加される駆動
波形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化を
わかりやすくするために、次のフレーム周期ｔ₂₃では、
オン、オフ状態を反転させた。 【００６０】第２１図において、ｔ₀₅〜ｔ₂₆は、いずれ
も第１５図と同じことを示しており、波高値Ｖ₁ は８
Ｖ、Ｖ₂ は４Ｖである。 【００６１】実施例２および比較例４と異なるのは、コ
ントラスト比を向上させるために、非選択期間に印加さ
れるパルスのパルス幅が、液晶をオン、オフさせるため
に印加される飽和値以上のパルスよりも大きくならない
ようにした点にある。 【００６２】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、±Ｖ₁ 、第１の非選択期間ｔ₁₆（ｔ₂₆）は０Ｖ、第
２の非選択期間ｔ₀₅（ｔ₁₅、ｔ₂₅）は、±Ｖ₁ を選択期
間とは逆の順序で印加し、信号電極Ｙ₁ 、Ｙ₂ 、Ｙ₃ に
は、画素をオンさせたい場合は０Ｖ、オフさせたい場合
は±Ｖ₂ を負、正の順に印加する。この時各画素には、
選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）の直前の第２の非選択期間ｔ
₀₅（ｔ₁₅、ｔ₂₅）では、いずれも飽和値以上の±Ｖ₁ も
しくは（＋Ｖ₁ ＋Ｖ₂ ）および（−Ｖ₁ −Ｖ₂ ）が印加
され、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）では、オンの場合±Ｖ
₁ が、オフの場合（−Ｖ₁ ＋Ｖ₂ ）および（＋Ｖ₁ −Ｖ
₂ ）が印加され、第１の非選択期間ｔ₁₆（ｔ₂₆）では、
オン、オフパターンによつて、（＋Ｖ₁ −Ｖ₂ ）および
（−Ｖ₁ 十Ｖ₂ ）もしくは０Ｖが印加される。このよう
に非選択期間には、２００μｓｅｃより大きいパルス幅
のパルスが印加されることはなく、光透過特性に与える
影響がより小さくなる。 【００６３】本比較例の駆動方法も、実施例２および比
較例４と同様、選択期間の直前で画素をいったんオンさ
せてからオフ状態にし、その直後の選択期間内に正の飽
和値以上のパルスを印加するか、しきい値以下のパルス
を印加するかで、オン状態に反転させるか、オフ状態を
そのまま保持するかを選択しているため、実施例１〜４
の駆動方法に比べて選択期間の時間を半分にすることが
でき、より高速の駆動を必要とする場合や走査電極を多
くする場合に有効な駆動方法である。 【００６４】本比較例の場合は、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）で２
２：１、（Ｘ₁ Ｙ₂ ）で２１：１、（Ｘ₁ Ｙ₃ ）で２
０：１のコントラスト比が得られた。また本実施例にお
いても液晶に印加される電圧の平均値は零となり、液晶
素子の劣化が生ずることはなかつた。 【００６５】なお、本比較例でも第２の非選択期間をフ
レーム周期の最後すなわち次の選択期間の直前に設けた
が、表示装置に応用する場合は、人間の目が識別できな
い時間の範囲内であれば、選択期間の直前である必要は
ない。 【００６６】第２２図は、第２１図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示す回路ブロック図であり、
、の信号により、トランスミッションゲート１１１
を選択し、の走査電極データで、の選択時走査電極
波形及び０Ｖの非選択時走査電極波形を選択し、走査電
極波形を作る。一方信号電極波形は、の信号によりト
ランスミッツョンゲート１１１を選択し、の信号電極
データで、のオン波形及びのオフ波形を選択し、信
号電極波形を作り、液晶素子１１３に印加される。又、
±Ｖ₁ 、±Ｖ₂ 、０Ｖ、は走査電極及び信号電極の電波
電圧である。第２３図は、第２２図に示した回路の各点
における信号である。 【００６７】比較例６ 第２４図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ 、Ｘ₂ および信号電極Ｙ₁ に
印加される駆動波形と、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）の光透過特性
を示す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするた
めに、次のフレーム周期ｔ₂₃ではオン、オフ状態を反転
させた。 【００６８】第２４図において、ｔ₀₅〜ｔ₂₆およびｔ’
₀₅〜ｔ’₂₁はいずれも第１８図と同じことを示す。 【００６９】波高値Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、Ｖ₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅ 、Ｖ
₆ はそれぞれ１ＯＶ、９Ｖ、７Ｖ、３Ｖ、１Ｖ、０Ｖで
ある。Ｖｍは信号電極に印加される電圧パルスの中間電
位を示し、この場合は５Ｖである。 【００７０】比較例５と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。 【００７１】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、Ｖ₄ およびＶ₃ を、第１の非選択期間ｔ₁₆（ｔ₂₆）
は、Ｖ₂ およびＶ₅ を、第２の非選択期間ｔ₀₅（ｔ₁₅、
ｔ₂₅）は、Ｖ₁ およびＶ₆ を印加する。走査電極Ｘ₁ を
奇数番目の走査電極とすると、偶数番目の走査電極であ
るＸ₂ には、第２４図に示すように、Ｘ₁ とは位相が逆
のパルス列を印加する。これは、走査電極Ｘ₁ 上の画素
が選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）である時、走査電極Ｘ₂ 上の画
素は、第２の非選択期間ｔ’₂₅（ｔ’₁₅）であり、この
時に画素をオンおよびオフさせるための飽和値以上のパ
ルスを印加するためである。すなわち、本実施例では各
走査電極に、交互に逆位相のパルスを印加する必要があ
る。またこの結果、信号電極Ｙ₁ に印加されるパルス
は、画素をオンさせるパルスとオフさせるパルスを、奇
数番目の走査電極上の画素と偶数番目の走査電極上の画
素とでは異なる波形にする必要がある。すなわち、奇数
番目の走査電極（例えばＸ₁ ）上の画素をオンさせる場
合は、Ｖ₁ およびＶ₆ をＶ₁、Ｖ₆ の順に、オフさせる
場合はＶ₂ およびＶ₅ をＶ₂ 、Ｖ₅ の順に印加し、偶数
番目の走査電極（例えばＸ₂ ）上の画素をオンさせる場
合はＶ₂ およびＶ₅ をＶ₅ 、Ｖ₂ の順に、オフさせる場
合は、Ｖ₁ およびＶ₆ をＶ₆ 、Ｖ₁ の順に印加する。こ
の時画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）に印加されるパルスは、オンの場
合、選択期間ｔ₁₁では（Ｖ₄ −Ｖ₁ ）および（Ｖ₃ −Ｖ
₆ ）の負、正の飽和値以上のパルスが印加され、オフの
場合、選択期間ｔ₂₁では（Ｖ₄ −Ｖ₂ ）および（Ｖ₃ −
Ｖ₅ ）の負、正のしきい値より小さい値のパルスが印加
される。また、選択期間の直前の第２の選択期間ｔ
₀₅（ｔ₁₅、ｔ₂₅）では、（Ｖ₁ −Ｖ₅ ）および（Ｖ₆ −
Ｖ₂ ）もしくは（Ｖ₁ −Ｖ₆ ）および（Ｖ₆ −Ｖ₁ ）の
いずれも飽和値以上のパルスが正、負の順に印加され、
画素はいったんオン状態となった後オフ状態となり、次
の選択期間で、オンに反転するか、そのままオフ状態を
保持するかを選択される。 【００７２】第１の選択期間ｔ₁₆（ｔ₂₆）では、比較例
５と同じように、オン、オフパターンによつて、０Ｖも
しくは（Ｖ₅ −Ｖ₆ ）および（Ｖ₂ −Ｖ₁ ）の液晶のし
きい値より充分小さい値の正、負のパルスが印加され
る。 【００７３】本比較例の駆動方法も、実施例２、比較例
４〜５と同様、より高速の駆動を必要とする場合や走査
電極を多くする場合に有効な駆動方法であり、比較例５
と同様のコントラスト比が得られた。 【００７４】第２５図は、第２４図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。、
の信号によりトランスミッションゲート１１１を選択
し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形及
びの非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形を
作る。尚は偶数番目の走査電極選択波形である。一方
信号電極波形は、、の信号によりトランスミッショ
ンゲート１１１を選択し、の信号電極データで、の
オン波形及び10のオフ波形を選択し、信号電極波形を作
り、液晶素子１１３に印加される。又、Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、Ｖ
₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅は走査電極及び信号電極の電極電圧であ
る。第２６図は、第２５図に示した回路の各点における
信号である。 【００７５】実施例３ 第２７図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ 上の各画素に印加される駆動
波形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化を
わかりやすくするために、次のフレーム周期ｔ₂₃は、オ
ン、オフ状態を反転させた。 【００７６】第２７図において、ｔ₁₃は最初のフレーム
周期、ｔ₂₃は次のフレーム周期を示す。またｔ₁₁および
ｔ₂₁は選択期間、ｔ₁₂およびｔ₂₂は非選択期間を示し、
ｔ₁₄は２００μｓｅｃのパルス幅を示す。またｔ₁₅およ
びｔ₂₅は次の選択期間の直前すなわちフレーム周期の最
後に設けられた平均値補正用のパルスを印加するための
期間を示す。この場合は、２００μｓｅｃの期間であ
る。 【００７７】また、波高値Ｖ₁ は１ＯＶ、Ｖ₂ は８Ｖ、
Ｖ₃ およびＶ₄ は２Ｖである。 【００７８】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、＋Ｖ₁ 、−Ｖ₂ の順に、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は
０Ｖを印加し、フレーム周期の最後の期間ｔ₁₅（ｔ₂₅）
は補正用パルスとして−Ｖ₃ を印加する。信号電極
Ｙ₁ 、Ｙ₂ 、Ｙ₃ には、画素をオンさせたい場合は、±
４Ｖを正、負の順に、オフさせたい場合は、負、正の順
に印加する。この時各画素には、オンの場合は、飽和値
以上のパルス（＋Ｖ₁ −Ｖ₄ ）が印加された後しきい値
より小さいパルス（−Ｖ₂ ＋Ｖ₄ ）が印加され、オフの
場合はいずれも飽和値以上のパルス（＋Ｖ₁ ＋Ｖ₄ ）お
よび（−Ｖ₂ −Ｖ₄）が正、負の順に印加される。また
非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、オン、オフパターンによっ
て±Ｖ₄ が２００μｓｅｃまたは４００μｓｅｃのパル
ス幅で印加されるが、フレーム周期の最後の期間ｔ
₁₅（ｔ₂₅）のみは、補正用パルス−Ｖ₃ が加えられるた
め、（−Ｖ₃ −Ｖ₄ ）または（−Ｖ₃ ＋Ｖ₄ ）すなわち
−４Ｖまたは０Ｖが印加される。 【００７９】本実施例では、選択期間の最初に画素をオ
ンさせる正の極性の飽和値以上の第１のパルスを印加し
た後、それと逆極性でかつ波高値の異なる第２のパルス
を印加し、この第２のパルスをしきい値以下とするか、
飽和値以上とするかでオン、オフを選択している。この
時、オン、オフにかかわりなく、第１のパルスの波高値
と第２のパルスの波高値の差を等しくしておき、この差
分をｔ₁₅（ｔ₂₅）の期間で補正してやることにより、１
フレーム周期内に印加される電圧の平均値を零にしてい
る。 【００８０】なお、本実施例では補正用パルスのパルス
幅、前記第１のパルスおよび第２のパルスのパルス幅を
等しくしているが、必ずしもこれに限られるものではな
く、｜Ｖ₁ ・ｔ₁ ｜−｜Ｖ₂ ・ｔ₂ ｜＝｜Ｖ₃ ・ｔ₃ ｜
（ただし、ｔ₁ 、ｔ₂ 、ｔ₃はそれぞれのパルスのパル
ス幅を示す）を満足するように、各パルスの波高値およ
びパルス幅を設定してやれば良い。 【００８１】本実施例の駆動方法も、実施例２、比較例
４〜６と同様、実施例１、比較例１〜３の駆動方法に比
べて選択期間の時間を半分にすることができるため、よ
り高速の駆動を必要とする場合や走査電極を多くする場
合に有効な駆動方法である。また、実施例２、比較例４
〜６の駆動方法のように、非選択期間に画素がオン、オ
フすることがないため、ごく短時間での光の透過量の変
化でも品質上問題となるような液晶シャッターなどに応
用する場合、有効な駆動方法である。 【００８２】本実施例の場合は、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）で２
０：１、（Ｘ₁ Ｙ₂ ）で１７：１、（Ｘ₁ Ｙ₃ ）で２
０：１のコントラスト比が得られた。また本実施例で
は、補正用パルスをフレーム周期の最後すなわち次の選
択期間の直前に印加するようにしているが、この補正用
パルスは、光透過特性にほとんど影響を与えないので、
非選択期間内であれば、任意のタイミンクで印加しても
良い。 【００８３】第２８図は、第２７図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。走査
電極には、走査電極データ信号１２１を、走査電極シフ
トクロック信号１２０でシフトレジスタ１１５に転送
し、選択期間にｄの波形、非選択期間に０Ｖ、選択期間
直前の直流成分を補正する電圧を切り換えて、走査電極
波形を出力する。一方信号電極には、信号電極データ信
号１１７を信号電極シフトクロック１１８でシフトレジ
スタ１１４に転送して、一走査線分のデータを転送した
らラッチ信号１１９でラッチ１１６し、その出力でトラ
ンスミッションゲート１１１を切り換えて、オン又はオ
フ（ｂ又はｃの波形）を出力する。Ｖ₁ 、−Ｖ₂ 、−Ｖ
₃ 、±Ｖ₄ は、走査電極及び信号電極の駆動電圧であ
る。 【００８４】第２９図は、第２８図に示した回路の信号
波形を示したタイミングチャート図である。 【００８５】比較例７ 第３０図に、第２図のに示すようなオン、オフ状態にす
るための走査電極Ｘ₁および信号電極Ｙ₁ に印加される
駆動波形と、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）の光透過特性を示す。な
お、光透過特性の変化をわかりやすくするために、次の
フレーム周期ｔ₂₃ではオン、オフ状態を反転させた。 【００８６】第３０図において、ｔ₁₁〜ｔ₂₅はいずれも
第２７図と同じことを示す。 【００８７】波高値Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、Ｖ₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅ 、Ｖ
₆ 、Ｖ₇ は、それぞれ１２Ｖ、１０Ｖ、８Ｖ、６Ｖ、４
Ｖ、２Ｖ、０Ｖである。Ｖｍは信号電極に印加される電
圧パルスの中間電位を示し、この場合は５Ｖである。 【００８８】実施例３と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。 【００８９】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、Ｖ₁ 、Ｖ₇ の順に、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、Ｖ
₅ 、Ｖ₃ の順に印加し、ｔ₁₅（ｔ₂₅）の期間は、補正用
パルスとしてＶ₄ を印加する。信号電極Ｙ₁ には、画素
をオンさせたい場合は、Ｖ₅、Ｖ₄ の順に、オフさせた
い場合は、Ｖ₇ 、Ｖ₂ の順に印加する。この時各画素に
は、オンの場合は、飽和値以上のパルス（Ｖ₁ −Ｖ₅ ）
が印加された後、しきい値より小さいパルス（Ｖ₇ −Ｖ
₄ ）が印加され、オフの場合はいずれも飽和値以上のパ
ルス（Ｖ₁ −Ｖ₇ ）および（Ｖ₇ −Ｖ₂ ）が図のような
順に印加される。また非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、オ
ン、オフパ夕ーンによって（Ｖ₆ −Ｖ₇ ）および（Ｖ₃
−Ｖ₂ ）が２００μｓｅｃまたは４００μｓｅｃのパル
ス幅で印加されるが、フレーム周期の最後の期間ｔ
₁₅（ｔ₂₅）のみは、補正用パルスＶ₄ が加えられるた
め、（Ｖ₄ −Ｖ₂ ）または（Ｖ₄ −Ｖ₄ ）すなわち−４
Ｖまたは０Ｖが印加される。 【００９０】本比較例も、実施例３と同様、選択期間に
印加される正および負のパルスの波高値の差分をｔ
₁₅（ｔ₂₅）の期間で補正し、１フレーム周期内に印加さ
れる電圧の平均値を零にしている。 【００９１】本実施例の駆動方法も、実施例３と同様、
液晶シャッターなどに応用する場合、有効な駆動方法で
あり、実施例３と同様のコントラスト比が得られた。 【００９２】第３１図は、第３０図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。の
信号により、トランスミッションゲート１１１を選択
し、の走査電極テータでの選択時走査電極波形及び
の非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形を作
る。一方信号電極波形は、の信号によりトランスミッ
ションゲート１１１を選択しの信号電極データでの
オン波形、のオフ波形を選択し、信号電極波形を作
り、液晶素子１１３に印加される。又、Ｖ₁ 、Ｖ₂、Ｖ
₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₅ 、Ｖ₆ 、Ｖ₇ は走査電極及び信号電極の
電源電圧である。第３２図は、第３１図に示した回路の
各点における信号である。 【００９３】比較例８ 第３３図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ 上の各画素に印加される駆動
波形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化を
わかりやすくするために、次のフレーム周期ｔ₂₃では、
オン、オフ状態を反転させた。 【００９４】第３３図において、ｔ₁₁〜ｔ₂₅は、いずれ
も第２７図と同じことを示しており、波高値Ｖ₁ は８
Ｖ、Ｖ₂ は６Ｖ、Ｖ₃ およびＶ₄ は２Ｖである。 【００９５】実施例３および比較例７と異なるのは、コ
ントラスト比を向上させるために、非選択期間に印加さ
れるパルスのパルス幅が、液晶をオン、オフさせるため
に印加される飽和値以上のパルスよりも大きくならない
ようにした点にある。 【００９６】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、十Ｖ₁ 、−Ｖ₂ の順に、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₁）は
０Ｖを印加し、ｔ₁₅（ｔ₂₅）の期間は補正用パルスとし
て−Ｖ₃ を印加する。信号電極Ｙ₁ 、Ｙ₂ 、Ｙ₃ には、
画素をオンさせたい場合は０Ｖ、オフさせたい場合は±
Ｖ₄ を負、正の順に印加する。この時各画素には、オン
の場合は、飽和値以上のパルス＋Ｖ₁ が印加された後、
しきい値より小さいパルス−Ｖ₂ が印加され、オフの場
合はいずれも飽和値以上のパルスが（＋Ｖ₁ ＋Ｖ₄ ）、
（−Ｖ₂ −Ｖ₄ ）の順に印加される。また非選択期間ｔ
₁₂（ｔ₂₂）は、オン、オフパターンによって、パルス幅
２００μｓｅｃのパルス±Ｖ₄ もしくは０Ｖが印加され
るが、フレーム周期の最後の期間ｔ₁₅（ｔ₂₅）のみは、
補正用パルス−Ｖ₃ が加えられるため、（−Ｖ₃ −
Ｖ₄ ）もしくは−Ｖ₃ が印加される。本比較例でも、選
択期間の最初に画素をオンさせる正の極性の飽和値以上
の第１のパルスを印加した後、それと逆極性でかつ波高
値の異なる第２のパルスを印加し、この第２のパルスを
しきい値以下とするか、飽和値以上とするかでオン、オ
フを選択している。この時、オン、オフにかかわりな
く、第１のパルスの波高値と第２のパルスの波高値の差
を等しくしておき、この差分をｔ₁₅（ｔ₂₅）の期間で補
正してやることにより、１フレーム周期内に印加される
電圧の平均値を零にしている。 【００９７】なお、本比較例では補正用パルスのパルス
幅、前記第１のパルスおよび第２のパルスのパルス幅を
等しくしているが、必ずしもこれに限られるものではな
く、｜Ｖ₁ ・ｔ₁ ｜−｜Ｖ₂ ・ｔ₂ ｜＝｜Ｖ₃ ・ｔ₃ ｜
（ただし、ｔ₁ 、ｔ₂ 、ｔ₃はそれぞれのパルスのパル
ス幅を示す。）を満足するように、各パルスの波高値お
よびパルス幅を設定してやれば良い。 【００９８】本比較例の駆動方法も、実施例３および比
較例７と同様実施例１および比較例１〜３の駆動方法に
比べて選択期間の時間を半分にすることができるため、
より高速の駆動を必要とする場合や走査電極を多くする
場合に有効な駆動方法である。また実施例２、比較例４
〜６の駆動方法のように、非選択期間に画素がオン、オ
フすることがないため、ごく短時間での光の透過量の変
化でも品質上問題となるような液晶シャッターなどに応
用する場合、有効な駆動方法である。 【００９９】本比較例の場合は、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）で２
４：１、（Ｘ₁ Ｙ₂ ）で２３：１、（Ｘ₁ Ｙ₃ ）で２
３：１のコントラスト比が得られた。また本比較例の場
合も、補正用パルスを印加するタイミングは、選択期間
の直前に限定されない。 【０１００】第３４図は、第３３図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。走査
電極には、走査電極データ信号１２１を、走査電極シフ
トクロック信号１２０でシフトレジスタ１１５に転送
し、選択期間にｄの波形、非選択期間に０Ｖ、選択期間
直前の直流成分を補正する電圧を切り換えて、走査電極
波形を出力する。一方信号電極には、信号電極データ信
号１１７を信号電極シフトクロック１１８でシフトレジ
スタ１１４に転送して、一走査線分のデータを転送した
らラッチ信号１１９でラッチ１１６し、その出力でトラ
ンスミッションゲート１１１を切り換えて、オン又はオ
フ（ｂ又はｃの波形）を出力する。Ｖ₁ 、−Ｖ₂ 、−Ｖ
₃ 、士Ｖ₄ は、走査電極及び信号電極の駆動電圧であ
る。 【０１０１】第３５図は、第３４図に示した回路の信号
波形を示したタイミングチャート図である。 【０１０２】比較例９ 第３６図は、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ および信号電極Ｙ₁ に印加さ
れる駆動波形と、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）の光透過特性を示
す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするため
に、次のフレーム周期ｔ₂₃ではオン、オフ状態を反転さ
せた。 【０１０３】第３６図において、ｔ₁₁〜ｔ₂₅はいずれも
第２７図と同じことを示す。 【０１０４】波高値Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、Ｖ₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₆ 、Ｖ
₇ は、それぞれ１０Ｖ、８Ｖ、６Ｖ、４Ｖ、２Ｖ、０Ｖ
である。Ｖｍは信号電極に印加される電圧パルスの中間
電位を示し、この場合は４Ｖである。 【０１０５】比較例８と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。 【０１０６】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は、Ｖ₁ 、Ｖ₇ の順に、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、Ｖ
₆ 、Ｖ₃ の順に印加し、ｔ₁₅（ｔ₂₅）の期間は、補正用
パルスとしてＶ₄ を印加する。信号電極Ｙ₁ には、画素
をオンさせたい場合はＶ₆ 、Ｖ₃ の順に、オフさせたい
場合は、Ｖ₇ 、Ｖ₂ の順に印加する。この時各画素に
は、オンの場合は、飽和値以上のパルス（Ｖ₁ −Ｖ₆ ）
が印加された後、しきい値より小さいパルス（Ｖ₇ −Ｖ
₃ ）が印加され、オフの場合はいずれも飽和値以上のパ
ルス（Ｖ₁ −Ｖ₇ ）および（Ｖ₇ −Ｖ₂ ）が、図のよう
な順に印加される。また非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、オ
ン、オフパターンによって、（Ｖ₆ −Ｖ₇）および（Ｖ
₃ −Ｖ₂ ）もしくは０Ｖが印加されるが、フレーム周期
の最後の期間ｔ₁₅（ｔ₂₅）のみは、補正用パルスＶ₃ が
加えられるため、（Ｖ₄ −Ｖ₂ ）もしくは（Ｖ₄ −
Ｖ₃ ）が印加される。 【０１０７】本比較例も、比較例８と同様、選択期間に
印加される正および負のパルスの波高値の差分をｔ
₁₅（ｔ₂₅）の期間で補正し、１フレーム周期内に印加さ
れる電圧の平均値を零にしている。 【０１０８】本比較例の駆動方法も、比較例８と同様、
液晶シャッターなどに応用する場合、有効な駆動方法で
あり、比較例８と同様のコントラスト比が得られた。 【０１０９】第３７図は、第３６図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。の
信号により、トランスミッションゲート１１１を選択
し、の走査電極データでの選択時走査電極波形及び
の非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形を作
る。一方信号電極波形は、の信号によりトランスミッ
ションゲート１１１を選択しの信号電極データでの
オン波形、のオフ波形を選択し、信号電極波形を作
り、液晶素子１１３に印加される。又、Ｖ₁ 、Ｖ₂、Ｖ
₃ 、Ｖ₄ 、Ｖ₆ 、Ｖ₇ は走査電極及び信号電極の電源電
圧である。第３８図は、第３７図に示した回路の各点に
おける信号である。 【０１１０】比較例１０ 第３９図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ および信号電極Ｙ₁ に印加さ
れる駆動波形と、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）の光透過特性を示
す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするため
に、次のフレーム周期ｔ₂₃ではオン、オフ状態を反転さ
せた。 【０１１１】第３９図において、ｔ₁₃は最初のフレーム
周期、ｔ₂₃は次のフレーム周期を示し、ｔ₁₁およびｔ₂₁
は選択期間、ｔ₁₂およびｔ₂₂は非選択期間を示す。ま
た、ｔ₁₄は２００μｓｅｃのパルス幅を示す。 【０１１２】波高値Ｖ₁ は３０Ｖ、Ｖ₂ は１２Ｖであ
る。 【０１１３】本比較例の特徴は、非選択期間に周波数１
０ＫＨｚという、高周波の交流パルスを印加して液晶素
子のメモリ性を改善することにより、コントラスト比を
向上させたことにある。 【０１１４】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は０Ｖを、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）は、±Ｖ₁ の交流パ
ルスを印加し、信号電極Ｙ₁ には±Ｖ₂ を、画素をオン
させたい場合は正、負の順に、オフさせたい楊合は負、
正の順に印加する。 【０１１５】この時、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）に印加されるパ
ルスは、オンの場合は±Ｖ₂ が負、正の順に、オフの場
合は正、負の順に印加され、非選択期間には、正の波高
値が（＋Ｖ₁ ＋Ｖ₂ ）で負の波高値が（−Ｖ₁ ＋Ｖ₂ ）
の交流パルスと正の波高値が（＋Ｖ₁ −Ｖ₂ ）で負の波
高値が（−Ｖ₁ 十Ｖ₂ ）の交流パルスとがｔ₁₄の期間ず
つ交互に印加される。選択期間に印加されるパルスは、
いずれも飽和値以上であるが、最後に印加されたパルス
の極性によってオン、オフが選択される。また非選択期
間に印加される交流パルスは、波高値は非常に大きい値
となっているが、パルス幅が５０μｓｅｃと非常に小さ
いため、液晶素子は応答せず、逆にメモりー性が改善さ
れて、コントラスト比が向上する。本比較例では４０：
１というきわめてすぐれたコントラスト比が得られた。 【０１１６】また、液晶素子に印加される電圧パルスの
平均値は零であり、液晶素子の劣化を生ずることもなか
った。 【０１１７】第４０図は、第３９図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例の回路ブロック図である。、
の信号により、トランスミッションゲート１１１を選
択し、の走査電極データで、０Ｖの選択時走査電極波
形及びの非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波
形を作る。一方信号電極波形はの信号によりトランス
ミッションゲート１１１を選択しの信号電極データで
のオン波形、のオフ波形を選択し、信号電極波形を
作り、液晶素子１１３に印加される。±Ｖ₁ 、±Ｖ₂ 、
０Ｖは走査電極及び信号電極の電源電圧である。第４１
図は、第４０図に示した回路の各点における信号であ
る。 【０１１８】比較例１１ 第４２図に、第２図（ｂ）に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Ｘ₁ および信号電極Ｙ₁ に印加さ
れる駆動波形と、画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）の光透過特性を示
す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするため
に、次のフレーム周期ｔ₂₃ではオン、オフ状態を反転さ
せた。 【０１１９】第４２図において、ｔ₁₃は最初のフレーム
周期、ｔ₂₃は次のフレーム周期を示し、ｔ₁₁およびｔ₂₁
は選択期間、ｔ₁₂およびｔ₂₂は非選択期間を示す。 【０１２０】また、ｔ₁₄は２００μｓｅｃのパルス幅を
示す。 【０１２１】比較例１０と異なるのは、選択期間ｔ
₁₁（ｔ₂₁）に印加される正、負のパルスの波高値の差分
を、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂）に印加される高周波の交流
パルスで補正する点にあり、そのため、この交流パルス
の波高値Ｖ₁ およびＶ₄ は、｜Ｖ₃ ・ｔ₁₄｜−｜Ｖ₂ ・
ｔ₁₄｜＝１／２（｜Ｖ₁ ・ｔ₁₂｜−｜Ｖ₄ ・ｔ₁₂｜）を
満足するように設定される。本比較例の場合、ｔ₁₂＝１
０ｔ₁₄となるので、波高値Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、Ｖ₃ 、Ｖ₄ をそ
れぞれ３０Ｖ、１０Ｖ、２０Ｖ、２８Ｖとした。また、
Ｖ₅ は５Ｖである。 【０１２２】走査電極Ｘ₁ には、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁）
は−Ｖ₃ およびＶ₂ が負、正の順に、非選択期間ｔ
₁₂（ｔ₂₂）は、正の波高値がＶ₁ 、負の波高値がＶ₄ で
周波数１０ＫＨｚの交流パルスを印加し、信号電極Ｙ₁
には、±Ｖ₅ を、画素をオンさせたい場合は正、負の順
にオフさせたい場合は負、正の順に印加する。この時、
画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）には、オンの場合は飽和値以上の（−
Ｖ₃ −Ｖ₅ ）および（十Ｖ₂ 十Ｖ₅ ）が印加され、オフ
の場合は飽和値以上の負のパルス（−Ｖ₃ ＋Ｖ₅ ）およ
びしきい値より小さい（＋Ｖ₂ −Ｖ₅ ）が印加される。
また、非選択期間には、正の波高値が（＋Ｖ₁ ＋Ｖ₅ ）
で負の波高値が（−Ｖ₄ ＋Ｖ₅ ）の交流パルスと正の波
高値が（＋Ｖ₁ −Ｖ₅ ）で負の波高値が（−Ｖ₄ −
Ｖ₅ ）の交流パルスとがｔ₁₄の期間ずつ交互に印加され
る。選択期間に印加される正および負のパルスの波高値
の差は、オン、オフにかかわらず（Ｖ₃ −Ｖ₂ ）であ
り、その差分は非選択期間に印加される交流パルスによ
って補正され、液晶素子に印加される電圧パルスの平均
値は零となる。本比較例においても、液晶素子のメモリ
ー性が改善され、比較例１０と同様のすぐれたコントラ
スト比が得られた。 【０１２３】第４３図は、第４２図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例の回路ブロック図である。、
の信号により、トランスミッションゲート１１１を選
択し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形
及びの非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形
を作る。一方信号電極波形は、の信号によりトランス
ミッツョンゲート１１１を選択しの信号電極データで
のオン波形、のオフ波形を選択し、信号電極波形を
作り、液晶素子１１３に印加される。Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、−Ｖ
₃ 、−Ｖ₄ 、±Ｖ₅ は走査電極及び信号電極の電源電圧
である。 【０１２４】第４４図は、第４３図に示した回路の各点
における信号である。 【０１２５】実施例４ 第４５図は、本実施例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第６６図は、この回路
で作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動
回路の一例を示す図である。４５１はフレーム信号、４
５２は極性切り換え信号であり、これらの信号により、
トランスミッションゲート１１１をスイッチングしてＶ
₁ 、Ｖ₂ 、−Ｖ₃ 、−Ｖ₄ の電圧を切り換え、走査電極
の選択波形４５３を作る。また、Ｖ₅ 、−Ｖ₆ の電圧を
切り換えて信号電極のオン波形４５４およびオフ波形４
５５を作る。第４６図に、これらの信号波形のタイミン
グチャートを示す。 【０１２６】これらの信号波形を第６６図に示す駆動回
路に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波
形を作る。すなわち、選択波形４５３を８１０１および
８１０２に、非選択波形として０Ｖを８１０３に、オン
波形４５４を８１０５に、オフ波形４５５を８１０４に
それぞれ印加する。 【０１２７】第６６図において、１２１は走査電極デー
タで、これを走査電極シフトクロック１２０によって走
査電極側シフトレジスタ１１５に転送し、一走査電極ず
つ順次選択信号を出力してトランスミッションゲート１
１１をスイッチングし、走査電極駆動波形を８１０７に
印加する。また１１７は信号電極データで、これを信号
電極シフトクロック１１８によって信号電極側シフトレ
ジスタ１１４に転送し、一走査電極分のデータを転送し
たらラッチ信号１１９によりラッチ回路１１６にラッチ
する。このラッチ回路１１６の出力によりトランスミッ
ションゲート１１１をスイッチングし、オン波形４５４
およびオフ波形４５５を切り換えて信号電極駆動波形を
８１０６に印加する。 【０１２８】第４６図に、第６６図に示す走査電極８１
０９および信号電極８１１０に印加される駆動波形と画
素８１１１に印加される合成波形および光透過特性を示
す。ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃およびｔ₄₃は、それぞれ１フレー
ム周期、ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁およびｔ₄₁は、それぞれ選択
期間、ｔ₂₁、ｔ₂₂、ｔ₃₂およびｔ₄₂はそれぞれ非選択期
間を示す。またｔ₁₄、ｔ₁₅、ｔ₂₄、ｔ₂₅、ｔ₃₄、ｔ₃₅、
ｔ₄₄およびｔ₄₅は、パルス幅を示し、本実施例の場合
は、いずれも２００μｓｅｃである。 【０１２９】また、波高値Ｖ₁ およびＶ₄ は１０Ｖ、Ｖ
₂ およびＶ₃ は８Ｖ、Ｖ₅ およびＶ₆ は２Ｖである。 【０１３０】走査電極Ｘ₁ には、第４６図４６１に示す
ように、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁、ｔ₃₁、ｔ₄₁）は、１フレ
ームごとに交互に、第１の選択波形として＋Ｖ₂ および
−Ｖ₄ が負、正の順に、また第２の選択波形として＋Ｖ
₁ および−Ｖ₃ が正、負の順に印加され、非選択期間ｔ
₁₂（ｔ₂₂、ｔ₃₂、ｔ₄₂）は、０Ｖが印加される。また、
信号電極Ｙ₁ には、第４６図４６２に示すように、画素
をオンさせたい場合は十Ｖ₅ および−Ｖ₆ が正、負の順
に、オフさせたい場合は＋Ｖ₅ および−Ｖ₆ が負、正の
順に印加される。 【０１３１】この時画素（Ｘ₁ Ｙ₁ ）に印加される合成
波形は、第４６図４６３に示すように、走査電極Ｘ₁ に
第１の選択波形が印加されたフレームでは、オンの場合
は（−Ｖ₄ −Ｖ₅ ）および（Ｖ₂ ＋Ｖ₆ ）が負、正の順
に、オフの場合は（−Ｖ₄ ＋Ｖ₆ ）および（Ｖ₂ −
Ｖ₅ ）が負、正の順に印加され、第２の選択波形が印加
されたフレームでは、オンの場合は（Ｖ₁ −Ｖ₅ ）およ
び（−Ｖ₃ ＋Ｖ₆ ）が正、負の順に、オフの場合は（Ｖ
₁ ＋Ｖ₆ ）および（−Ｖ₃ −Ｖ₅ ）が正、負の順に印加
される。また非選択期間は−Ｖ₅ および＋Ｖ₆ が印加さ
れる。 【０１３２】本実施例の駆動方法は、選択期間の最初に
正または負の飽和値以上のパルスを印加してオンまたは
オフ状態とし、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以
上のパルスとしてオン、オフ状態を反転させるか、逆極
性のしきい値より小さいパルスとしてそのまま保持させ
るかでオン、オフを選択している。また、第１の選択波
形が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルス
との波高値の差が（Ｖ₄ −Ｖ₂ ）すなわち−２Ｖとなっ
ているが、第２の選択波形が印加されたフレームでは、
（Ｖ₁ −Ｖ₃ ）すなわち十２Ｖとなっていて、互いに相
殺される。すなわち、本実施例では２フレームごとに画
素に印加される電圧パルスの平均値を零にして液晶素子
の劣化を防止しているものである。なお、画素８１１１
の光透過特性を第４６図４６４に示す。 【０１３３】比較例１２ 第４７図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第６６図は、この回路
で作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動
回路の一例を示す図である。４７１はフレーム信号、４
７２は極性切り換え信号であり、これらの信号により、
トランスミッションゲート１１１をスイッチングしてＶ
₁ 、−Ｖ₂ 、−Ｖ₇ 、−Ｖ₈ の電圧を切り換え、走査電
極の選択波形４７３を作り、−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の電圧を切
り換えて走査電極の非選択波形４７４を作る。また、−
Ｖ₂ 、−Ｖ₄ 、−Ｖ₅ 、−Ｖ₇ の電圧を切り換えて信号
電極のオン波形４７５およびオフ波形４７６を作る。第
４８図に、これらの信号波形のタイミングチャートを示
す。 【０１３４】これらの信号波形を第６６図に示す駆動回
路に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波
形を作る。すなわち、選択波形４７３を８１０１および
８１０２に、非選択波形４７４を８１０３に、オン波形
４７５を８１０５に、オフ波形４７６を８１０４にそれ
ぞれ印加する。 【０１３５】第６６図において、１２１は走査電極デー
タでこれを走査電極シフトクロック１２０によって走査
電極側シフトレジスタ１１５に転送し、一走査電極ずつ
順次選択信号を出力してトランスミッションゲート１１
１をスイッチングし、走査電極駆動波形を８１０７に印
加する。また１１７は信号電極データで、これを信号電
極シフトクロック１１８によって信号電極側シフトレジ
スタ１１４に転送し、一走査電極分のデータを転送した
らラッチ信号１１９によりラッチ回路１１６にラッチす
る。このラッチ回路１１６の出力によりトランスミッシ
ョンゲート１１１をスイッチングし、オン波形４７５お
よびオフ波形４７６を切り換えて信号電極駆動波形を８
１０６に印加する。 【０１３６】第４９図に、第６６図に示す走査電極８１
０９および信号電極８１１０に印加される駆動波形と画
素８１１１に印加される合成波形および光透過特性を示
す。ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃およびｔ₄₃は、それそれ１フレー
ム周期、ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁およびｔ₄₁は、それぞれ選択
期間、ｔ₁₂、ｔ₂₂、ｔ₃₂およびｔ₄₂はそれぞれ非選択期
間を示す。またｔ₁₄、ｔ₁₅、ｔ₂₄、ｔ₂₅、ｔ₃₄、ｔ₃₅、
ｔ₄₄およびｔ₄₅は、パルス幅を示し、本比較例の場合は
いずれも２００μｓｅｃである。 【０１３７】波高値Ｖ₁ は０Ｖ、Ｖ₂ は２Ｖ、Ｖ₃ は４
Ｖ、Ｖ₄ は６Ｖ、Ｖ₅ は８Ｖ、Ｖ₆は１０Ｖ、Ｖ₇ は１
２Ｖ、Ｖ₈ は１４Ｖである。また、−Ｖｍは信号電極に
印加する電圧パルスの中間電位を示し、この場合は−７
Ｖである。 【０１３８】実施例４と異なるのは、走査電極に印加す
る電圧を低くするために、走査電極と信号電極の電圧レ
ベルを共通化したことと、信号電極のオンおよびオフ波
形を走査電極に印加する選択波形によって変えた点であ
る。 【０１３９】すなわち走査電極８１０９には、第４９図
４９１に示すように、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁、ｔ₃₁、
ｔ₄₁）は、１フレームごとに交互に、第１の選択波形と
して−Ｖ₈ および−Ｖ₂ が−Ｖ₈ 、−Ｖ₂ の順に、また
第２の選択波形としてＶ₁ および−Ｖ₇ がＶ₁ 、−Ｖ₇
の順に印加され、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂、ｔ₃₂、ｔ₄₂）
は、第１の選択波形が印加されたフレームでは−Ｖ₃ お
よび−Ｖ₆ が−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の順に、また第２の選択波
形が印加されたフレームでは−Ｖ₆ 、−Ｖ₃ の順に印加
される。 【０１４０】信号電極８１１０には、第４９図４９２に
示すように、第１の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形として−Ｖ₂ および−Ｖ₇ が−Ｖ₂ 、−Ｖ
₇ の順に印加され、オフ波形として−Ｖ₄ および−Ｖ₅
が−Ｖ₄ 、−Ｖ₅ の順に印加される。また第２の選択波
形が印加されたフレームでは、オン波形として−Ｖ₄ お
よび−Ｖ₅ が−Ｖ₅ 、−Ｖ₄ の順に印加され、オフ波形
として−Ｖ₂ および−Ｖ₇ が−Ｖ₇ 、−Ｖ₂ の順に印加
される。 【０１４１】この時画素８１１１に印加される合成波形
は、第４９図４９３に示すように、走査電極に第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合は（−Ｖ
₈ ＋Ｖ₂ ）および（−Ｖ₂ ＋Ｖ₇ ）が負、正の順に、オ
フの場合は（−Ｖ₈ ＋Ｖ₄ ）および（−Ｖ₂ ＋Ｖ₅ ）が
負、正の順に印加され、第２の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合は（Ｖ₁ 十Ｖ₅ ）および（−Ｖ
₇ 十Ｖ₄ ）が正、負の順に、オフの場合は（Ｖ₁ ＋
Ｖ₇ ）および（−Ｖ₈ ＋Ｖ₂ ）が正・負の順に印加され
る。また非選択期間は、（−Ｖ₆ ＋Ｖ₇ ）および（−Ｖ
₃ ＋Ｖ₂ ）もしくは（−Ｖ₃ 十Ｖ₄ ）および（−Ｖ₆ 十
Ｖ₅ ）が印加される。 【０１４２】本比較例の駆動方法も、選択期間の最初に
正または負の飽和値以上のパルスを印加してオンまたは
オフ状態とし、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以
上のパルスとしてオン、オフ状態を反転させるか、逆極
性のしきい値より小さいパルスとしてそのまま保持させ
るかでオン、オフを選択している。また、第１の選択波
形が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルス
との波高値の差が（Ｖ₇ −Ｖ₈ ）もしくは（Ｖ₄ ＋Ｖ₅
−Ｖ₂ −Ｖ₈ ）すなわち−２Ｖとなっているが、第２の
選択波形が印加されたフレームでは、Ｖ₂ もしくは（Ｖ
₄ ＋Ｖ₅ −Ｖ₇）すなわち十２Ｖとなつていて、互いに
相殺される。すなわち、本比較例でも２フレームごとに
画素に印加される電圧パルスの平均値を零にして液晶素
子の劣化を防止しているものである。なお、画素８１１
１の光透過特性を第４９図４９４に示す。 【０１４３】比較例１３ 第５０図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第６６図は、この回路
で作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動
回路の一例を示す図である。 【０１４４】５０１はフレーム信号、５０２は極性切り
換え信号であり、これらの信号により、トランスミッン
ョンゲート１１１をスイッチングしてＶ₁ 、Ｖ₂ 、−Ｖ
₃ 、−Ｖ₄ の電圧を切り換え、走査電極の選択波形５０
３を作る。また、Ｖ₅ 、−Ｖ₆ 、０Ｖの電圧を切り換え
て信号電極のオン波形５０４およびオフ波形５０５を作
る。第５１図に、これらの信号波形のタイミングチャー
トを示す。 【０１４５】これらの信号波形を第６６図に示す駆動回
路に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波
形を作る。すなわち、選択波形５０３を８１０１および
８１０２に、非選択波形として０Ｖを８１０３に、オン
波形５０４を８１０５に、オフ波形５０５を８１０４に
それぞれ印加する。 【０１４６】第６６図において、１２１は走査電極デー
タで、これを走査電極シフトクロック１２０によって走
査電極側シフトレジスタ１１５に転送し、一走査電極ず
つ順次選択信号を出力してトランスミッションゲート１
１１をスイッチングし、走査電極駆動波形を８１０７に
印加する。また１１７は信号電極データで、これを信号
電極シフトクロック１１８によって信号電極側シフトレ
ジスタ１１４に転送し、一走査電極分のデータを転送し
たらラッチ信号１１９によりラッチ回路１１６にラッチ
する。このラッチ回路１１６の出力によりトランスミッ
ションゲート１１１をスイツチングし、オン波形５０４
およびオフ波形５０５を切り換えて信号電極駆動波形を
８１０６に印加する。 【０１４７】第５１図に、第６６図に示す走査電極８１
０９および信号電極８１１０に印加される駆動波形と画
素８１１１に印加される合成波形および光透過特性を示
す。ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃およびｔ₄₃それぞれ１フレーム周
期、ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁およびｔ₄₁は、それぞれ選択期
間、ｔ₁₂、ｔ₂₂、ｔ₃₂およびｔ₄₂はそれぞれ非選択期間
を示す。また、ｔ₁₄、ｔ₁₅、ｔ₂₄、ｔ₂₅、ｔ₃₄、ｔ₃₅、
ｔ₄₄およびｔ₄₅は、パルス幅を示し、本比較例の場合
は、いずれも２００μｓｅｃである。 【０１４８】波高値Ｖ₁ およびＶ₄ は８Ｖ、Ｖ₂ および
Ｖ₃ は６Ｖ、Ｖ₅ およびＶ₆ は２Ｖである。 【０１４９】走査電極８１０９には、第５１図５１１に
示すように、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁、ｔ₃₁、ｔ₄₁）は、１
フレームごとに交互に、第１の選択波形としてＶ₂ およ
び−Ｖ₄ が負、正の順に、また第２の選択波形としてＶ
₁ および−Ｖ₃ が正、負の順に印加され、非選択期間ｔ
₁₂（ｔ₂₂、ｔ₃₂、ｔ₄₂）は、０Ｖが印加される。 【０１５０】信号電極８１１０には、第５１図５１２に
示すように、第１の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形としてＶ₅ および−Ｖ₆ が正、負の順に印
加され、オフ波形として０Ｖが印加される。 【０１５１】また、第２の選択波形が印加されたフレー
ムでは、オン波形として０Ｖが印加され、オフ波形とし
てＶ₅ および−Ｖ₆ が負、正の順に印加される。 【０１５２】この時画素８１１１に印加される合成波形
は、第５１図５１３に示すように、走査電極に第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合は（−Ｖ
₄ −Ｖ₅ ）および（Ｖ₂ ＋Ｖ₆ ）が負、正の順に、オフ
の場合は−Ｖ₄ およびＶ₂ が負、正の順に印加され、第
２の選択波形が印加されたフレームでは、オンの場合は
Ｖ₁ および−Ｖ₃ が正、負の順に、オフの場合は（Ｖ₁
＋Ｖ₆ ）および（−Ｖ₃ −Ｖ₅ ）が正、負の順に印加さ
れる。 【０１５３】また非選択期間は、０ＶもしくはＶ₅ およ
び−Ｖ₆ が印加される。 【０１５４】本比較例の駆動方法も、選択期間の最初に
正または負の飽和値以上のパルスを印加してオンまたは
オフ状態とし、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以
上のパルスとしてオン、オフ状態を反転させるか、逆極
性のしきい値より小さいパルスとしてそのまま保持させ
るかでオン、オフを選択している。また、第１の選択波
形が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルス
との波高値の差が（Ｖ₂ −Ｖ₄ ）すなわち−２Ｖとなつ
ているが、第２の選択波形が印加されたフレームでは、
（Ｖ₁ −Ｖ₃ ）すなわち＋２Ｖとなっていて、互いに相
殺される。すなわち、本実施例でも２フレームごとに画
素に印加される電圧パルスの平均値を零にして液晶素子
の劣化を防止しているものである。なお、画素８１１１
の光透過特性を第５１図５１４に示す。 【０１５５】比較例１４ 第５２図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第６６図は、この回路
で作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動
回路の一例を示す図である。５２１はフレーム信号、５
２２は極性切り換え信号であり、これらの信号により、
トランスミッションゲート１１１をスイッチンクしてＶ
₁ 、−Ｖ₂ 、−Ｖ₇ 、−Ｖ₈ の電圧を切り換え、走査電
極の選択波形５２３を作り、−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の電圧を切
り換えて走査電極の非選択波形５２４を作る。また、−
Ｖ₂ 、−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ 、−Ｖ₇ の電圧を切り換えて信号
電極のオン波形５２５およびオフ波形５２６を作る。第
５３図に、これらの信号波形のタイミングチャートを示
す。 【０１５６】これらの信号波形を第６６図に示す駆動回
路に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波
形を作る。すなわち、選択波形５２３を８１０１および
８１０２に、非選択波形５２４を８１０３に、オン波形
５２５を８１０５に、オフ波形５２６を８１０４にそれ
ぞれ印加する。 【０１５７】第６６図において、１２１は走査電極デー
タでこれを走査電極シフトクロック１２０によって走査
電極側シフトレジスタ１１５に転送し、一走査電極ずつ
順次選択信号を出力してトランスミッションゲート１１
１をスイッチングし、走査電極駆動波形を８１０７に印
加する。また１１７は信号電極テータで、これを信号電
極シフトクロック１１８によって信号電極側シフトレジ
スタ１１４に転送し、一走査電極分のデータを転送した
らラッチ信号１１９によりラッチ回路１１６にラッチす
る。このラッチ回路１１６の出力によりトランスミッシ
ョンゲート１１１をスイッチングし、オン波形５２５お
よびオフ波形５２６を切り換えて信号電極駆動波形を８
１０６に印加する。 【０１５８】第５４図に、第６６図に示す走査電極８１
０９および信号電極８１１０に印加される駆動波形と、
画素８１１１に印加される合成波形および光透過特性を
示す。 【０１５９】ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃およびｔ₄₃は、それぞれ
１フレーム周期、ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁およびｔ₄₁は、それ
ぞれ選択期間、ｔ₁₂、ｔ₂₂、ｔ₃₃およびｔ₄₂はそれぞれ
非選択期間を示す。またｔ₁₄、ｔ₁₅、ｔ₂₄、ｔ₂₅、
ｔ₃₄、ｔ₃₅、ｔ₄₄およびｔ₄₅は、パルス幅を示し、本比
較例の場合は、いずれも２００μｓｅｃである。 【０１６０】波高値Ｖ₁ は０Ｖ、Ｖ₂ は２Ｖ、Ｖ₃ は４
Ｖ、Ｖ₆ は８Ｖ、Ｖ₇ は１０Ｖ、Ｖ₈ は１２Ｖである。
また、Ｖｍは信号電極に印加される電圧パルスの中間電
位を示し、この場合は６Ｖである。 【０１６１】比較例１３と異なるのは、走査電極に印加
する電圧を低くするために、走査電極と信号電極の電圧
レベルを共通化したことにある。 【０１６２】走査電極８１０９には、第５４図５４１に
示すように、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁、ｔ₃₁、ｔ₄₁）は、１
フレームごとに交互に、第１の選択波形として−Ｖ₈ お
よび−Ｖ₂ が−Ｖ₈ 、−Ｖ₂ の順に、また第２の選択波
形としてＶ₁ および−Ｖ₇ がＶ₁ 、−Ｖ₇ の順に印加さ
れ、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂、ｔ₃₂、ｔ₄₂）は、第１の選
択波形が印加されたフレームでは−Ｖ₃ および−Ｖ₆ が
−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の順に印加され、また第２の選択波形が
印加されたフレームでは−Ｖ₆ 、−Ｖ₃ の順に印加され
る。 【０１６３】信号電極８１１０には、第５４図５４２に
示すように、第１の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形として−Ｖ₂ および−Ｖ₇ が−Ｖ₂ 、−Ｖ
₇ の順に、オフ波形として−Ｖ₃ および−Ｖ₆ が−
Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の順に印加され、また第２の選択波形が印
加されたフレームでは、オン波形として−Ｖ₃ および−
Ｖ₆が−Ｖ₆ 、−Ｖ₃ の順に、オフ波形として−Ｖ₂ お
よび−Ｖ₇ が−Ｖ₇ 、−Ｖ₂の順に印加される。 【０１６４】この時画素８１１１に印加される合成波形
は、第５４図５４３に示すように、走査電極に第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合は（−Ｖ
₈ ＋Ｖ₂ ）および（−Ｖ₂ ＋Ｖ₇ ）が負、正の順に、オ
フの場合は、（−Ｖ₈ ＋Ｖ₃）および（−Ｖ₂ ＋Ｖ₆ ）
が負、正の順に印加され、第２の選択波形が印加された
フレームでは、オンの場合は（−Ｖ₂ ＋Ｖ₇ ）および
（−Ｖ₇ ＋Ｖ₃ ）が正、負の順に、オフの場合は（Ｖ₁
＋Ｖ₇ ）および（−Ｖ₇ ＋Ｖ₂ ）が正、負の順に印加さ
れる。 【０１６５】また非選択期間は、０Ｖもしくは（−Ｖ₆
＋Ｖ₇ ）および（−Ｖ₃ ＋Ｖ₂ ）が印加される。 【０１６６】本比較例の駆動方法も、選択期間の最初に
正または負の飽和値以上のパルスを印加してオンまたは
オフ状態とし、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以
上のパルスとしてオン、オフ状態を反転させるか、逆極
性のしきい値より小さいパルスとしてそのまま保持させ
るかでオン、オフを選択している。また、第１の選択波
形が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルス
との波高値の差が（Ｖ₇ −Ｖ₈ ）もしくは（Ｖ₆ −
Ｖ₇ ）すなわち−２Ｖとなっているが、第２の選択波形
が印加されたフレームでは、（Ｖ₃ −Ｖ₂ ）もしくはＶ
₂ すなわち＋２Ｖとなっていて、互いに相殺される。す
なわち、本実施例でも２フレームごとに画素に印加され
る電圧パルスの平均値を零にして液晶素子の劣化を防止
しているものである。なお、画素８１１１の光透過特性
を第５４図５４４に示す。 【０１６７】比較例１５ 第５５図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第６６図は、この回路
で作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動
回路の一例を示す図である。５５１はフレーム信号、５
５２は極性切り換え信号、５５３は書き込みパルス切り
換え信号であり、これらの信号により、トランスミッシ
ョンゲート１１１をスイッチングしてＶ₁ 、Ｖ₂ 、
Ｖ₃ 、−Ｖ₄、−Ｖ₅ 、−Ｖ₆ の電圧を切り換え、走査
電極の選択波形５５４を作る。また、Ｖ₇ 、−Ｖ₈ 、０
Ｖの電圧を切り換えて信号電極のオン波形５５５および
オフ波形５５６を作る。第５６図に、これらの信号波形
のタイミングチャートを示す。これらの信号波形を第６
６図に示す駆動回路に印加し、走査電極および信号電極
に印加する駆動波形を作る。すなわち、選択波形５５４
を８１０１および８１０２に、非選択波形としてＯＶを
８１０３に、オン波形５５５を８１０５に、オフ波形５
５６を８１０４にそれぞれ印加する。 【０１６８】第６６図において、１２１は走査電極デー
タで、これを走査電極シフトクロック１２０によつて走
査電極側シフトレジスタ１１５に転送し、一走査電極ず
つ順次選択信号を出力してトランスミッションゲート１
１１をスイッチングし、走査電極駆動波形を８１０７に
印加する。また１１７は信号電極データで、これを信号
電極シフトクロック１１８によって信号電極側シフトレ
ジスタ１１４に転送し、一走査電極分のデータを転送し
たらラッチ信号１１９によりラッチ回路１１６にラッチ
する。このラッチ回路１１６の出力によりトランスミッ
ションゲート１１１をスイッチングし、オン波形５５５
およびオフ波形５５６を切り換えて信号電極駆動波形を
８１０６に印加する。 【０１６９】第５６図に、第６６図に示す走査電極８１
０９および信号電極８１１０に印加される駆動波形と、
画素８１１１に印加される合成波形および光透過特性を
示す。 【０１７０】ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃、およびｔ₄₃は、それぞ
れ１フレーム周期、ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁およびｔ₄₁は、そ
れぞれ選択期間、ｔ₁₂、ｔ₂₂、ｔ₃₂およびｔ₄₂はそれそ
れ非選択期間を示す。またｔ₁₄、ｔ₁₅、ｔ₂₄、ｔ₂₅、ｔ
₃₄、ｔ₃₅、ｔ₄₄およびｔ₄₅は、パルス幅を示し、本実施
例の場合は、いずれも２００μｓｅｃである。また、書
き込みパルス切り換え信号のパルス幅（以下ｔ／４と言
う）は、前記パルス幅の１／４すなわち５０μｓｅｃで
ある。 【０１７１】波高値Ｖ₁ およびＶ₄ は９Ｖ、Ｖ₂ および
Ｖ₅ は６Ｖ、Ｖ₃ およびＶ₆ は１１Ｖ、Ｖ₇ およびＶ₈
は３Ｖである。 【０１７２】本比較例では、駆動波形に書き込みパルス
切り換え信号を重畳させて、非選択期間に画素に印加さ
れるパルスのパルス幅を小さくし、光透過特性への影響
をより小さくしている。 【０１７３】走査電極８１０９には、第５６図５６１に
示すように、選択期間ｔ₁₁（ｔ₂₁、ｔ₃₁、ｔ₄₁）は、１
フレームごとに交互に、第１の選択波形として−Ｖ₆ お
よびＶ₂ に書き込みパルス切り換え信号が重畳されたパ
ルスが負、正の順に、第２の選択波形としてＶ₁ および
−Ｖ₅ に書き込みパルス切り換え信号が重畳されたパル
スが正、負の順に印加され、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂、ｔ
₃₂、ｔ₄₂）は０Ｖが印加される。 【０１７４】信号電極８１１０には、第５６図５６２に
示すように、オン波形として、まずｔ／４のパルス幅で
０ＶおよびＶ₇ が交互に２個ずつ印加された後、同じパ
ルス幅で−Ｖ₈ および０Ｖが交互に２個ずつ印加され
る。またオフ波形としてオン波形と逆位相のパルスが印
加される。 【０１７５】この時画素８１１１に印加される合成波形
は、第５６図５６３に示すように、走査電極に第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合−Ｖ₆ に
一部−Ｖ₇ が重畳されたパルスおよび（Ｖ₂ 十Ｖ₈ ）＝
Ｖ₁ が印加され、オフの場合−Ｖ₆ に一部Ｖ₈ が重畳さ
れたパルスおよび（Ｖ₁ −Ｖ₇ ）＝Ｖ₂ が印加される。
また第２の選択波形が印加されたフレームでは、オンの
場合Ｖ₃ に一部−Ｖ₇が重畳されたパルスおよび（−Ｖ
₄ 十Ｖ₈ ）＝−Ｖ₅ が印加され、オフの場合はＶ₃ に一
部Ｖ₈ が重畳されたパルスおよび（−Ｖ₅ −Ｖ₇ ）＝−
Ｖ₄ が印加される。 【０１７６】非選択期間は、０Ｖ、Ｖ₇ および−Ｖ₈ が
ｔ／４のパルス幅で印加される。 【０１７７】本比較例では、選択期間の最初に印加され
る、Ｖ₃ または−Ｖ₆ に一部±Ｖ₇もしくは±Ｖ₈ が重
畳されたパルスは、いずれも飽和値以上であるため、画
素はいったんオンまたはオフ状態となり、次に印加され
る最初のパルスと逆極性のパルスが飽和値以上かしきい
値より小さいかで、オン、オフ状態を反転させるか、そ
のまま保持させるかでオン、オフを選択している。ま
た、第１の選択波形が印加されたフレームでは、正のパ
ルスと負のパルスとの差が（−Ｖ₆ ＋Ｖ₇ ／２−Ｖ₁ ）
＝（Ｖ₆ −Ｖ₈ ／２−Ｖ₂ ）、すなわち−３．５Ｖとな
っているが、第２の選択波形が印加されたフレームで
は、（Ｖ₃ −Ｖ₇ ／２−Ｖ₅ ）＝（Ｖ₃ ＋Ｖ₈ ／２−Ｖ
₄ ）すなわち十３．５Ｖとなって互いに相殺される。す
なわち本実施例でも、２フレームごとに画素に印加され
る電圧パルスの平均値を零にして液晶素子の劣化を防止
しているものである。なお、画素８１１１の光透過特性
を第５６図５６４に示す。 【０１７８】また本比較例では、駆動波形に重畳するパ
ルスのパルス幅をｔ／４としたが、本発明はこれに限ら
れるものではなく、よりパルス幅を小さくして重畳パル
スの個数を増やしても良い。 【０１７９】比較例１６ 第５７図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第６６図は、この回路
で作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動
回路の一例を示す図である。５７１はフレーム信号、５
７２は極性切り換え信号、５７３は書き込みパルス切り
換え信号であり、これらの信号により、トランスミッシ
ョンゲート１１１をスイッチングしてＶ₁ 、−Ｖ₂ 、−
Ｖ₃ 、−Ｖ₆ 、−Ｖ₇ 、−Ｖ₈ の電圧を切り換え、走査
電極の選択波形５７４を作り、−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の電圧を
切り換えて走査電極の非選択波形５７５を作る。また、
−Ｖ₂ 、−Ｖ₃ 、−Ｖ₄ 、−Ｖ₆ 、−Ｖ₇ の電圧を切り
換えて信号電極のオン波形５７６およびオフ波形５７７
を作る。第５８図に、これらの信号波形のタイミングチ
ヤートを示す。 【０１８０】これらの信号波形を第６６図に示す駆動回
路に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波
形を作る。すなわち、選択波形５７４を８１０１および
８１０２に、非選択波形５７５を８１０３に、オン波形
５７６を８１０５に、オフ波形５７７を８１０４にそれ
ぞれ印加する。 【０１８１】第６６図において１２１は走査電極データ
で、これを走査電極ソフトクロック１２０によって走査
電極側シフトレジスタ１１５に転送し、一走査電極ずつ
順次選択信号を出力してトランスミッションゲート１１
１をスイッチングし、走査電極駆動波形を８６０７に印
加する。また１１７は信号電極データで、これを信号電
極シフトクロック１１８によって信号電極側シフトレジ
スタ１１４に転送し、一走査電極分のデータを転送した
らラッチ信号１１９によりラッチ回路１１６にラッチす
る。このラッチ回路１１６の出力によりトランスミッシ
ョンゲート１１１をスイッチングし、オン波形５７６お
よびオフ波形５７７を切り換えて信号電極駆動波形を８
１０６に印加する。 【０１８２】第５９図に、第６６図に示す走査電極８１
０９および信号電極８１１０に印加される駆動波形と画
素８１１１に印加される合成波形および光透過特性を示
す。ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃およびｔ₄₃は、それぞれ１フレー
ム周期、ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁およびｔ₄₁は、それぞれ選択
期間、ｔ₁₂、ｔ₂₂、ｔ₃₂およびｔ₄₂は、それぞれ非選択
期間を示す。またｔ₁₄、ｔ₁₅、ｔ₂₄、ｔ₂₅、ｔ₃₄、ｔ₄₄
およびｔ₄₅は、パルス幅を示し、本比較例の場合は、い
ずれも２００μｓｅｃである。また、書き込みパルス切
り換え信号のパルス幅（以下ｔ／４と言う）は、前記パ
ルス幅の１／４すなわち５０μｓｅｃである。 【０１８３】波高値Ｖ₁ は０Ｖ、Ｖ₂ は２Ｖ、Ｖ₃ は４
Ｖ、Ｖ₄ は６Ｖ、Ｖ₅ は８Ｖ、Ｖ₆は１０Ｖ、Ｖ₇ は１
２Ｖ、Ｖ₈ は１４Ｖであり、Ｖｍは信号電極に印加され
るパルスの中間電位を示し、この場合は７Ｖである。 【０１８４】比較例１５と異なるのは、走査電極に印加
される電圧を低くするために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことと、オン、オフ波形を選択波
形に応じて変えたことである。 【０１８５】走査電極８１０９には、第５９図５９１に
示すように、選択期間ｔ₁₁、（ｔ₂₁、ｔ₃₁、ｔ₄₁）は、
１フレームごとに交互に、第１の選択波形として−Ｖ₈
および−Ｖ₃ に書き込みパルス切り換え信号が重畳され
たパルスが、第２の選択波形としてＶ₁ および−Ｖ₇ に
書き込みパルス切り換え信号が重畳きれたパルスが印加
され、非選択期間ｔ₁₂（ｔ₂₂、ｔ₃₂、ｔ₄₂）は−Ｖ₃ お
よび−Ｖ₆ が、−Ｖ₃、−Ｖ₆ の順もしくは−Ｖ₆ 、−
Ｖ₃ の順に印加される。 【０１８６】信号電極８１１０には、第５９図５９２に
示すように、第１の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形として−Ｖ₂ および−Ｖ₃ がｔ／４のパル
ス幅で交互に２個ずつ印加された後、同じパルス幅で、
−Ｖ₇ および−Ｖ₆ が２個ずつ交互に印加され、オフ波
形としては同じパルス幅で−Ｖ₃ および−Ｖ₄ が交互に
２個ずつ印加された後、−Ｖ₆ および−Ｖ₅ が同じパル
ス幅で交互に２個ずつ印加される。 【０１８７】また第２の選択波形が印加されたフレーム
では、オン波形として前記のオフ波形と逆位相のパルス
が印加され、オフ波形として前記のオン波形と逆位相の
パルスが印加される。 【０１８８】この時画素８１１１に印加される合成波形
は、第５９図５９３に示すように、走査電極に第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合（−Ｖ₈
＋Ｖ₃ ）に一部（Ｖ₂ −Ｖ₃ ）が重畳されたパルスおよ
び（−Ｖ₃ ＋Ｖ₇ ）＝（−Ｖ₂ ＋Ｖ₆ ）が印加され、オ
フの場合（−Ｖ₈ ＋Ｖ₄ ）に一部（Ｖ₃ −Ｖ₄ ）が重畳
されたパルスおよび（−Ｖ₃ ＋Ｖ₆ ）＝（−Ｖ₂ ＋
Ｖ₅ ）が印加される。また第２の選択波形が印加された
フレームでは、オンの場合（Ｖ₁ ＋Ｖ₆ ）に一部（Ｖ₅
−Ｖ₆ ）が重畳されたパルスおよび（−Ｖ₆ 十Ｖ₃ ）＝
（−Ｖ₇ 十Ｖ₄ ）が印加され、オフの場合（Ｖ₁ 十
Ｖ₇ ）に一部（Ｖ₆ −Ｖ₇ ）が重畳されたパルスおよび
（−Ｖ₆ ＋Ｖ₂ ）＝（−Ｖ₇ ＋Ｖ₃ ）が印加される。 【０１８９】非選択期聞は、ＯＶ、（−Ｖ₆ ＋Ｖ₇ ）お
よび（−Ｖ₃ ＋Ｖ₂ ）がｔ／４のパルス幅で印加され
る。 【０１９０】本比較例の駆動方法により画素に印加され
る合成波形は、基本的には比較例１５と同一であり、第
１の選択波形が印加されたフレームでは、正のパルスと
負のパルスとの差が（Ｖ₈ −Ｖ₂ ／２−Ｖ₃ ／２−Ｖ₆
＋Ｖ₂ ）＝（Ｖ₈ −Ｖ₃ ／２−Ｖ₄ ／２−Ｖ₅ ＋Ｖ₂ ）
すなわち−３Ｖ、第２の選択波形が印加されたフレーム
では、（Ｖ₆ ／２十Ｖ₇ ／２＋Ｖ₃ −Ｖ₇ ）＝（Ｖ₅ ／
２＋Ｖ₆ ／２＋Ｖ₄ −Ｖ₇ ）すなわち十３Ｖで互いに相
殺され、同じように２フレームごとに平均値が零とな
る。画素８１１１の光透過特性を第５９図５９４に示
す。 【０１９１】なお、これまで説明した実施例、比較例で
は、強誘電性液晶ＴＤＯＢＡＭＢＣＣのしきい値特性に
合わせて各電圧レベルを設定したが、もちろん本発明は
これに限定されるものではなく、各電圧レベルは使用す
る強誘電性液晶のしきい値特性に応じて適切な値を設定
すれば良い。 【０１９２】比較例１７ 第６７図（ａ）および（ｂ）は、印加電圧パルスの波形
と光透過特性との関係を示す図である。強誘電液晶のし
きい値および飽和値電圧は、パルス幅によって変化する
ことは先に述べたが、我々は印加するパルスによっても
変化することを見出した。すなわち第６７図の８２４に
実線で示したように、第６７図の８２１に示すような波
形のパルスを印加した場合は、正負のしきい値がＶｔｈ
₁₁およびＶｔｈ₁₂、飽和値がＶｓａｔ₁₁およびＶｓａｔ
₁₂であるが、第６７図（ｂ）８２２に示すようなパルス
を印加すると、第６７図（ａ）８２５に点線で示したよ
うに、正負のしきい値がＶｔｈ₂₁およびＶｔｈ₂₂、飽和
値がＶｓａｔ₂₁およびＶｓａｔ₂₂と、８２１の波形を印
加した時より絶対値が大きくなり、８２３に示すような
波形のパルスを印加すると、８２６に一点鎖線で示した
ように、正負のしきい値がＶｔｈ₁ およびＶｔｈ₂ 、飽
和値がＶｓａｔ₁ およびＶｓａｔ₂ と絶対値が小さくな
る。 【０１９３】特に、Ｖｔｈ₂₁＞Ｖｓａｔ₁₁および｜Ｖｔ
ｈ₂₂｜＞｜Ｖｓａｔ₁₂｜であるため、８２１の波形のパ
ルスを印加した時には飽和値以上となる電圧レベルであ
っても、８２２の波形のパルスを印加した時には、しき
い値よりも小さくなり、液晶素子は応答しない。したが
って、同じ電圧レベルで応答、非応答を制御することが
可能となる。本比較例は、このような強誘電性液晶のし
きい値特性を利用した駆動方法である。 【０１９４】第６０図は、本比較例における駆動波形を
実現する具体的回路を示すブロック図であり、第６６図
は、この回路で作られた駆動波形を、液晶素子に印加す
るための駆動回路の一例を示す図である。６０１はフレ
ーム信号、６０２は極性切り換え信号であり、これらの
信号により、トランスミッションゲート１１１をスイッ
チングしてＶ₁ 、Ｖ₂ 、−Ｖ₃ 、−Ｖ₄ の電圧を切り換
え、走査電極の選択波形６０４を作る。また極性切り換
え信号６０２とクロックパルス６０３とにより、０Ｖ、
Ｖ₅ 、−Ｖ₅ の電圧を切り換えて信号電極のオン波形６
０５およびオフ波形６０６を作る。第６１図に、これら
の信号波形のタイミングチャートを示す。 【０１９５】これらの信号波形を第６６図に示す駆動回
路に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波
形を作る。すなわち、選択波形６０４を８１０１および
８１０２に、非選択波形として０Ｖを８１０３に、オン
波形６０５を８１０５に、オフ波形６０６を８１０４に
それぞれ印加する。 【０１９６】第６６図において、１２１は走査電極デー
タで、これを走査電極シフトクロック１２０によって走
査電極側シフトレジスタ１１５に転送し、一走査電極ず
つ順次選択信号を出力してトランスミッションゲート１
１１をスイッチングし、走査電極駆動波形を８１０７に
印加する。また１１７は信号電極データで、これを信号
電極シフトクロック１１８によって信号電極側シフトレ
ジスタ１１４に転送し、一走査電極分のデータを転送し
たらラッチ信号１１９によりラッチ回路１１６にラッチ
する。このラッチ回路１１６の出力によりトランスミッ
ションゲート１１１をスイッチングし、オン波形６０５
およびオフ波形６０６を切り換えて信号電極駆動波形を
８１０６に印加する。 【０１９７】第６２図に、第６６図に示す走査電極８１
０９および信号電極８１１０に印加される駆動波形と画
素８１１１に印加される合成波形および光透過特性を示
す。ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃およびｔ₄₃は、それぞれ１フレー
ム周期、ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁およびｔ₄₁は、それぞれ選択
期間、ｔ₁₂、ｔ₂₂、ｔ₃₂およびｔ₄₂は、それぞれ非選択
期間を示す。またｔ₁₄、ｔ₂₄、ｔ₃₄およびｔ₄₄は、それ
ぞれ選択期間の前半に印加されるパルスのパルス幅、ｔ
₁₅、ｔ₂₅、ｔ₃₅およびｔ₄₅は、それぞれ選択期間の後半
に印加されるパルスのパルス幅を示し、本実施例の場合
は、いずれも等しいパルス幅となっている。さらにｔ₀
は、前記ｔ₁₅（ｔ₂₅、ｔ₃₅、ｔ₄₅）の１／２のパルス幅
を示す。 【０１９８】波高値Ｖ₁ 〜Ｖ₅ は、以下の条件を満足す
るように設定する。 【０１９９】 Ｖ₁ ＝Ｖ₄ ＞Ｖｓａｔ₁ 、｜Ｖｓａｔ₂ ｜ Ｖ₅ ＜Ｖｔｈ₁ 、｜Ｖｔｈ₂ ｜ ｜Ｖ₂ ｜＝｜−Ｖ₃ ｜ Ｖｔｈ₂₁＞（Ｖ₂ ＋Ｖ₅ ）＞Ｖｓａｔ₁₁ ｜Ｖｔｈ₂₂｜＞（Ｖ₃ ＋Ｖ₅ ）＞｜Ｖｓａｔ₁₂｜ 走査電極８１０９には、第６２図６２１に示すように、
選択期間は第１の選択波形として−Ｖ₄ およびＶ₂ が
負、正の順に、第２の選択波形としてＶ₁ および−Ｖ₃
が正・負の順に、１フレームごとに交互に印加され、非
選択期間はＯＶが印加される。 【０２００】信号電極８１１０には、第６２図６２２に
示すように、オンさせたい場合は２ｔ₀ の期間０Ｖが印
加された後パルス幅ｔ₀ のＶ₅ および−Ｖ₅ が正・負の
順に印加され、オフさせたい場合は同じく２ｔ₀ の期間
０Ｖが印加された後パルス幅ｔ₀ のＶ₅ および−Ｖ₅ が
負・正の順に印加される。 【０２０１】この時画素８１１１に印加される合成波形
は、第６２図６２３に示すように、走査電極に第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合まず−Ｖ
₄ が印加された後、前半のｔ₀ の波高値が（Ｖ₂ −
Ｖ₅ ）で後半のｔ₀ の波高値が（Ｖ₂ ＋Ｖ₅ ）であるパ
ルスが印加され、オフの場合は同じくまず−Ｖ₄ が印加
された後、前半のｔ₀ の波高値が（Ｖ₂ 十Ｖ₅ ）で後半
のｔ₀ の波高値が（Ｖ₂ −Ｖ₅ ）であるパルスが印加さ
れる。また第２の選択波形が印加されたフレームでは、
オンの場合まずＶ₁ が印加された後、前半のｔ₀ の波高
値が（−Ｖ₃ −Ｖ₅）で後半のｔ₀ の波高値が（−Ｖ₃
＋Ｖ₅ ）であるパルスが印加され、オフの場合は同じく
まずＶ₁ が印加された後、前半のｔ₀ の波高値が（−Ｖ
₃ ＋Ｖ₅ ）で後半のｔ₀ の波高値が（−Ｖ₃ −Ｖ₅ ）で
あるパルスが印加される。非選択期間には０Ｖおよびパ
ルス幅ｔ₀ の±Ｖ₅ が印加される。 【０２０２】本比較例では、第６７図（ａ）および
（ｂ）に示したように、選択期間ｔ₁₁およびｔ₂₁の後半
に印加されるパルスは、飽和値以上であるが、ｔ₃₁およ
びｔ₄₁の後半に印加されるパルスは、同じ波高値を有し
ているにもかかわらず、波形が異なるため、しきい値よ
り小さい値となつている。その結果、本比較例の駆動方
法も、選択期間の最初に印加された正または負の飽和値
以上のパルスによってオンまたはオフ状態とし、次に印
加する逆極性のパルスによってその状態を反転させるか
そのまま保持するかを選択してオン、オフを選択するこ
とができる。 【０２０３】また、第１の選択波形が印加されたフレー
ムでは、正のパルスと負のパルスとの波高値の差が、
（Ｖ₂ ＋Ｖ₃ ）／２＋（Ｖ₂ −Ｖ₅ ）／２−Ｖ₄ ＝Ｖ₂
−Ｖ₄、第２の選択波形が印加されたフレームでは（−
Ｖ₃ −Ｖ₅ ）／２十（−Ｖ₃ ＋Ｖ₅ ）／２＋Ｖ₁ ＝Ｖ₁
−Ｖ₃ となり、Ｖ₁ ＝Ｖ₄ およびＶ₂ ＝Ｖ₃ であるか
ら、互いに相殺される。すなわち、本比較例でも２フレ
ームごとに画素に印加される電圧パルスの平均値が零と
なり、液晶素子の劣化を防止することができる。なお、
画素８１１１の光透過特性を第６２図６２４に示す。 【０２０４】比較例１８ 本比較例も、第６７図（ａ）および（ｂ）に示すような
強誘電性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法であ
る。 【０２０５】第６３図は、本比較例における駆動波形を
実現する具体的回路を示すブロック図であり、第６６図
は、この回路で作られた駆動波形を、液晶素子に印加す
るための駆動回路の一例を示す図である。６３１はフレ
ーム信号、６３２は極性切り換え信号であり、これらの
信号により、トランスミッションゲート１１１をスイッ
チングしてＶ₁ 、−Ｖ₂ 、−Ｖ₇ 、−Ｖ₈ の電圧を切り
換え、走査電極の選択波形６３４を作り、−Ｖ₃ 、−Ｖ
₆ の電圧を切り換えて走査電極の非選択波形６３５を作
る。また、極性切り換え信号６３２とクロックパルス６
３３とにより、−Ｖ₂ 、−Ｖ₃ 、−Ｖ₄ 、−Ｖ₅ 、−Ｖ
₆ 、−Ｖ₇ の電圧を切り換えて信号電極のオン波形６３
６およびオフ波形６３７を作る。第６４図に、これらの
信号波形のタイミングチャートを示す。 【０２０６】これらの信号波形を第６６図に示す駆動回
路に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波
形を作る。すなわち、選択波形６３４を８１０１および
８１０２に、非選択波形６３５を８１０３に、オン波形
６３６を８１０５に、オフ波形６３７を８１０４にそれ
それ印加する。 【０２０７】第６６図において、１２１は走査電極デー
タでこれを走査電極シフトクロック１２０によって走査
電極側シフトレジスタ１１５に転送し、一走電極ずつ順
次選択信号を出力してトランスミッションゲート１１１
をスイッチングし、走査電極駆動波形を８１０７に印加
する。また１１７は信号電極データで、これを信号電極
シフトクロック１１８によって信号電極側シフトレジス
タ１１４に転送し、一走査電極分のデータを転送したら
ラッチ信号１１９によりラッチ回路１１６にラッチす
る。このラッチ回路１１６の出力によりトランスミッシ
ョンゲート１１１をスイッチングし、オン波形６３６お
よびオフ波形６３７を切り換えて信号電極駆動波形を８
１０６に印加する。 【０２０８】第６５図に、第６６図に示す走査電極８１
０９および信号電極８１１０に印加される駆動波形と、
画素８１１１に印加される合成波形および光透過特性を
示す。 【０２０９】ｔ₁₃、ｔ₂₃、ｔ₃₃およびｔ₄₃は、それぞれ
１フレーム周期、ｔ₁₁、ｔ₂₁、ｔ₃₁およびｔ₄₁は、それ
それ選択期間、ｔ₁₂、ｔ₂₂、ｔ₃₂、およびｔ₄₂は、それ
ぞれ非選択期間を示す。またｔ₁₄、ｔ₂₄、ｔ₃₄およびｔ
₄₄は、それぞれ選択期間の前半に印加されるパルスのパ
ルス幅ｔ₁₅、ｔ₂₅、ｔ₃₅およびｔ₄₅は、それそれ選択期
間の後半に印加されるパルスのパルス幅を示し、本比較
例の場合は、いずれも等しいパルス幅となっている。さ
らにｔ₀ は、前記ｔ₁₅（ｔ₂₅、ｔ₃₅、ｔ₄₅）の１／２の
パルス幅を示す。 【０２１０】比較例１７と異なるのは、走査電極に印加
される電圧を低くするために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことと、そのためにオン波形およ
びオフ波形を、選択波形に応じて変えた点にある。 【０２１１】波高値Ｖ₁ 〜Ｖ₈ およびＶｍは以下の条件
を満足するように設定する。 【０２１２】 Ｖ₁ ＝０ （Ｖ₁ ＋Ｖ₆ ）＞Ｖｓａｔ₁ （Ｖ₈ −Ｖ₃ ）＞｜Ｖｓａｔ₂ ｜ （Ｖ₇ −Ｖ₆ ）＝（Ｖ₄ −Ｖ₃ ）＜Ｖｔｈ₁ （Ｖ₆ −Ｖ₅ ）＝（Ｖ₃ −Ｖ₂ ）＜｜Ｖｔｈ₂ ｜ Ｖｔｈ₂₁＞（Ｖ₇ −Ｖ₂ ）＞Ｖｓａｔ₁₁ ｜Ｖｔｈ₂₂｜＞（Ｖ₇ −Ｖ₂ ）＞｜Ｖｓａｔ₁₂｜ （Ｖｍ−Ｖ₂ ）＝（Ｖ₇ −Ｖｍ） 走査電極８１０９には、第６５図６５１に示すように、
選択期間は第１の選択波形として前半は−Ｖ₈ 、後半は
−Ｖ₂ が、第２の選択波形として前半はＶ₁ 、後半は−
Ｖ₇ が印加され、非選択期間は−Ｖ₆ および−Ｖ₃ が−
Ｖ₆ 、−Ｖ₃ の順もしくは−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の順に印加さ
れる。 【０２１３】信号電極８１１０には、第６５図６５２に
示すように、第１の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形としてまず−Ｖ₃ が、その後パルス幅ｔ₀
の−Ｖ₅ および−Ｖ₇ が−Ｖ₅ 、−Ｖ₇ の順に印加さ
れ、オフ波形として同じく−Ｖ₃の後に、−Ｖ₇ 、−Ｖ
₅ の順に印加される。また第２の選択波形が印加された
フレームでは、オン波形としてまず−Ｖ₆ が、後半はパ
ルス幅ｔ₀ の−Ｖ₄ および−Ｖ₂ が−Ｖ₂ 一Ｖ₄ の順に
印加され、オフ波形として同じく−Ｖ₆ の後に、−
Ｖ₄ 、−Ｖ₂ の順に印加される。 【０２１４】この時画素８１１１に印加される合成波形
は、第６５図６５３に示すように、走査電極に第１の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合まず（−
Ｖ₈＋Ｖ₃ ）が印加された後、前半のｔ₀ の波高値が
（−Ｖ₂ ＋Ｖ₅ ）で後半のｔ₀の波高値が（−Ｖ₂ ＋Ｖ
₇ ）であるパルスが印加され、オフの場合は、同じくま
ず（−Ｖ₈ ＋Ｖ₃ ）が印加された後、前半のｔ₀ の波高
値が（−Ｖ₂ 十Ｖ₇ ）で後半のｔ₀ の波高値が（−Ｖ₂
＋Ｖ₅ ）であるパルスが印加される。また第２の選択波
形が印加されたフレームでは、オンの場合まず（Ｖ₁ ＋
Ｖ₆ ）が印加された後、前半のｔ₀ の波高値が（−Ｖ₇
十Ｖ₂ ）で後半のｔ₀ の波高値が（−Ｖ₇＋Ｖ₄ ）であ
るパルスが印加され、オフの場合同じく（Ｖ₁ ＋Ｖ₆ ）
が印加された後、前半のｔ₀ の波高値が（−Ｖ₇ ＋
Ｖ₄ ）で後半のｔ₀ の波高値が（−Ｖ₇＋Ｖ₂ ）である
パルスが印加される。非選択期間にはＯＶ、（−Ｖ₆ ＋
Ｖ₇ ）および（−Ｖ₆ ＋Ｖ₅ ）が印加される。 【０２１５】本比較例による合成波形は、比較例１７と
実質的に同じであり、同じようにオン、オフの選択がで
きると共に、２フレームごとに画素に印加される電圧パ
ルスの平均値が零となる。なお、画素８１１１の光透過
特性を第６５図６５４に示す。 【０２１６】比較例１９ 本比較例も、第６７図（ａ）および（ｂ）に示すような
強誘電性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法であ
る。 【０２１７】第６９図は、本比較例における駆動波形を
実現する具体的回路を示すブロック図であり、６９１は
フレーム信号で、６９２は極性切り換え信号である。こ
の６９１、６９２の信号によってトランスミッションゲ
ート１１１をスイッチングして、Ｖ₁ 、−Ｖ₂ 、−
Ｖ₇ 、−Ｖ₈ 、−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の電圧を切り換えて奇数
走査電極選択波形６９４と、偶数走査電極選択波形６９
５と、走査電極非選択波形６９６を作っている。 【０２１８】また、６９１、６９２およびクロックパル
ス６９３の信号によって、トランスミッションゲート１
１１をスイッチングして、−Ｖ2 、−Ｖ₄ 、−Ｖ₅ 、−
Ｖ₇の電圧を切り換えて信号電極オン波形６９７と信号
電極オフ波形６９８を作っている。 【０２１９】これらの波形のタイミングチャートを第７
０図に示す。第７０図６９４、６９５、６９６、６９
７、６９８の各波形を第６６図の駆動回路に入力し、６
９４は８１０１と、６９５は８１０２と、６９６は８１
０３と、６９７は８１０５と、６９８は８１０５と、そ
れぞれ接続する。そして、第６６図１１７、１１８、１
１９、１２０、１２１の各信号によって、第７１図７１
１の奇数走査電極波形と、７１２の偶数走査電極波形
と、７１３の信号電極波形を作り、液晶素子に印加す
る。その合成波形を７１４に示す。この駆動波形の駆動
条件を示すとつぎのようになる。 【０２２０】 Ｖ₁ ＝０ ｜−Ｖ₈ ＋Ｖ₂ ｜＞｜Ｖｓａｔ₂₂｜ （−Ｖ₂ ＋Ｖ₇ ）＞Ｖｓａｔ₁₁ （−Ｖ₂ ＋Ｖ₇ ）＜Ｖｔｈ₂₁ （Ｖ₁ 十Ｖ₇ ）＞Ｖｓａｔ₂₁ ｜−Ｖ₇ ＋Ｖ₂ ｜＞｜Ｖｓａｔ₁₂｜ ｜−Ｖ₇ 十Ｖ₂ ｜＜｜Ｖｔｈ₂₂｜ （−Ｖ₂ 十Ｖ₃ ）＜Ｖｔｈ₁ ｜−Ｖ₄ ＋Ｖ₃ ｜＜｜Ｖｔｈ₂ ｜ （−Ｖ₂ ＋Ｖ₃ ）＝（−Ｖ₅ ＋Ｖ₆ ） （−Ｖ₄ ＋Ｖ₃ ）＝（−Ｖ₇ ＋Ｖ₆ ） （−Ｖ₂ ＋Ｖｍ）＝（−Ｖｍ＋Ｖ₇ ） ｔ₁₄＝ｔ₁₁ （Ｖ₈ −Ｖ₃ ）＝（Ｖ₆ −Ｖ₁ ） （Ｖ₆ −Ｖ₂ ）＝（Ｖ₇ −Ｖ₃ ） 第６６図８１１１の画素について液晶素子の動作を説明
すると、第７１図ｔ₀₄の間が奇数フレームの直前に印加
される消去パルスで、７１１の走査電極波形と７１３の
信号電極波形の合成電圧で常に｜−Ｖ₈ ＋Ｖ₂ ｜＞｜Ｖ
ｓａｔ₂₂｜の電圧パルスを印加して液晶素子の前のメモ
リー状態を消去してオフ状態とし、ｔ₁₁の間が奇数フレ
ームの選択期間で、信号電極に印加される波形がオン波
形であるか、オフ波形であるかによって、走査電極波形
との合成電圧が、第６７図の８２１で示す波形か８２２
で示す波形かを選択し、８２１で示す波形であれば液晶
素子はオン状態となり、８２２で示す波形であればオフ
状態のままとなる。 【０２２１】そして、非選択期間は、走査電極波形７１
１は、−Ｖ₃ と−Ｖ₆ の電圧が交互に印加されて、７１
３の信号電極波形との合成波形では、７１４で示すよう
に常にしきい電圧より絶対値の小さな電圧しか液晶素子
に印加されないためｔ₁₁の間に書き込まれた状態を保持
する。また、選択期間ｔ₁₁中に液晶素子にデータを書き
込んでいるときに、それと同時に、次に選択される液晶
素子には、７１２で示す走査電極波形が印加されている
ため、ｔ₀₄の間とは逆極性の消去パルスが印加されて前
のメモリー状態を消去してオン状態としている。次に、
偶数フレームについてみると、直前のｔ₁₄の間が消去パ
ルスで、奇数フレーム直前のｔ₀₄のときとは逆極性のパ
ルスで、（Ｖ₁ ＋Ｖ₇ ）＞Ｖｓａｔ₂₁の電圧パルスを印
加して液晶素子の前のメモリー状態を消去してオン状態
とし、ｔ₂₁の間が選択期間で、信号電極に印加される波
形がオン波形であるか、オフ波形であるかによって、走
査電極波形との合成電圧が第６７図の８２１で示す波形
か、８２２で示す波形かを選択し、８２１で示す波形で
あれば液晶素子はオフ状態となり、８２２で示す波形で
あればオン状態のままとなる。そして、非選択期間は、
奇数フレームと同様でｔ₂₁の間に書き込まれた状態を保
持する。また、選択期間ｔ₂₁中に液晶素子にデータを書
き込んでいるときに、それと同時に次に選択される液晶
素子は、７１２で示す走査電極波形が印加されているた
め、ｔ₁₄の間とは逆極性の消去パルスが印加されて前の
メモリー状態を消去してオフ状態としている。このよう
に、液晶素子にデータを書き込むのと同時に、次に選択
される液晶素子には消去パルスを印加し、しかも、奇数
番目に選択される液晶素子と、偶数番目に選択される液
晶素子では、印加する消去パルスと選択パルスとの極性
が逆であることによって選択期間を従来の半分にするこ
とができる。また、走査電極に印加する電圧を低くする
ことができる駆動方法である。 【０２２２】この比較例では、液晶素子を選択する直前
に消去パルスを印加しているが、この消去パルスは、選
択期間の直前に出す必要はなく、選択期間よりある時間
前に消去パルスを印加してもよい。 【０２２３】比較例２０ 第７２図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図である。７２１はフレーム信号
で、７２２はクロック信号である。この７２１、７２２
の信号によってトランスミッションゲート１１１をスイ
ッチングして、Ｖ₁ 、Ｖ₂ 、−Ｖ₃ 、−Ｖ₄ の電圧を切
り換えて走査電極選択波形７２５を作っている。また、
Ｖ₅ 、−Ｖ₅ の電圧を切り換えて信号電極オン波形７２
６と信号電極オフ波形７２７を作っている。これらの波
形のタイミングチャートを第７３図に示す。第７３図７
２５、７２６、７２７の信号を第６６図の駆動回路に入
力して、７２５は８１０１、８１０２と、７２６は８１
０５と、７２７は８１０４と、８１０３は０ボルトと、
それぞれ接続する。 【０２２４】第６６図１２１は走査電極データで、これ
をシフトクロック１２０によって走査電極側シフトレジ
スター１１５に伝送して、一走査線ずつ順次選択信号を
出す。この選択信号によつてトランスミッションゲート
１１１をスイッチングして８１０７の走査電極波形を作
っている。第６６図１１７は信号電極データで、これを
シフトクロック１１８によって、信号電極側シフトレジ
スター１１４に転送し、一走査線分のデータを転送した
ときに１１９のラッチ信号によって１１６のラッチ回路
にラッチする。このラッチ出力によって１１１のトラン
スミッションゲートをスイッチングして、８１０４、８
１０５の信号を切り換えて８１０６の信号電極波形を作
っている。８１０７、８１０６の波形及び、この合成波
形を第７４図７４１、７４２、７４３のタイミングチャ
ートに示す。この駆動波形の駆動条件を示すとつぎのよ
うになる。 【０２２５】 Ｖ₁ ＞Ｖｓａｔ₁ （Ｖ₂ ＋Ｖ₅ ）＞Ｖｓａｔ₁ （Ｖ₂ −Ｖ₅ ）＜Ｖｔｈ₁ （−Ｖ₃ −Ｖ₅ ）＞｜Ｖｓａｔ₂ ｜ ｜−Ｖ₃ ＋Ｖ₅ ｜＜｜Ｖｔｈ₂ ｜ ｜−Ｖ₄ ｜＞｜Ｖｓａｔ₂ ｜ ｜Ｖ₁ ｜＝｜−Ｖ₄ ｜ ｜Ｖ₂ ｜＝｜−Ｖ₃ ｜ Ｖ₅ ＜Ｖｔｈ₁ ｜−Ｖ₅ ｜＜｜Ｖｔｈ₂ ｜ ｔ₁₄＝ｔ₁₅＝ｔ₁₆ 第６６図８１１１の画素について液晶素子の動作を説明
すると、第７４図ｔ₁₁の間が奇数フレームの選択期間で
あり、ｔ₁₄の間が消去パルスで、負の飽和電圧より絶対
値の大きな電圧パルスが印加されて液晶素子は前のメモ
リー状態が消去されてオフ状態となる。そして、ｔ₁₅の
間が書き込みパルスで、信号電極波形がオン波形であれ
ば、液晶素子に印加される電圧は正の飽和電圧以上とな
り、液晶素子はオン状態となり、信号電極波形がオフ波
形であれば、液晶素子に印加される電圧は正のしきい電
圧以下となり、液晶素子はオフ状態のままとなる。そし
て、ｔ₁₆の間に走査電極に印加する電圧はゼロボルトと
する。また、非選択期間ｔ₁₂は、しきい電圧より絶対値
の小さなＶ₅ 、−Ｖ₅ の電圧しか液晶素子に印加されな
いので、ｔ₁₅の間に書き込まれた状態を保持する。 【０２２６】次に、偶数フレームの選択期間についてみ
るとｔ₂₁の間が選択期間で、ｔ₂₄の間が消去パルスであ
り、奇数フレームのときとは逆極性の電圧の正の飽和電
圧以上の電圧パルスが印加されて液晶素子はオン状態と
なる。そして、ｔ₂₅の間が書き込みパルスで、信号電極
波形がオン波形であれば、液晶素子に印加される電圧
は、負のしきい電圧より絶対値が小さくなり、液晶素子
は消去されたままのオン状態となり、信号電極波形がオ
フ波形であれば、液晶素子に印加される電圧は、負の飽
和電圧より絶対値の大きな電圧パルスが印加されて液晶
素子はオフ状態となる。そして、ｔ₂₆の間に走査電極に
印加する電圧はゼロボルトとする。 【０２２７】また、非選択期間ｔ₂₂の間は、奇数フレー
ムのときと同様で、ｔ₂₅の間に書き込まれた状態を保持
する。このような駆動にすることによって非選択期間に
印加される電圧パルスのパルス幅が常にｔ₁₄の幅で一定
であり、コントラストむらがなくなる。 【０２２８】比較例２１ 第７５図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図である。７５１はフレーム信号
で、７５２はクロック信号である。この７５１、７５２
の信号によってトランスミッションゲート１１１をスイ
ッチングして、Ｖ₁ 、−Ｖ₂ 、−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ 、−
Ｖ₇ 、−Ｖ₈ の電圧を切り換えて走査電極選択波形７５
５を作り、−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の電圧を切り換えて走査電極
非選択波形７５６を作っている。また、−Ｖ₂ 、−
Ｖ₃ 、−Ｖ₄ 、−Ｖ₅ 、−Ｖ₆ 、−Ｖ₇ の電圧を切り換
えて信号電極オン波形７５７と、信号電極オフ波形７５
８を作っている。これらの波形のタイミングチャートを
第７６図に示す。第７６図７５５、７５６、７５７、７
５８の信号を第６６図の駆動回路に入力し、７５５は８
１０１、８１０２と、７５６は８１０３と、７５７は８
１０５と、７５８は８１０４と、それぞれ接続する。そ
して、第６６図１１７、１１８、１１９、１２０、１２
１の各信号によって、比較例２０と同様の動作で、第７
７図７７１の走査電極波形と、７７２の信号電極波形を
作り、液晶素子に印加し、その合成波形を７７３に示
す。この駆動波形の駆動条件を示すとつぎのようにな
る。 【０２２９】 Ｖ₁ ＝０ ｜−Ｖ₈ ＋Ｖ₃ ｜＞｜Ｖｓａｔ₂ ｜ （−Ｖ₂ ＋Ｖ₅ ）＜Ｖｔｈ₁ （−Ｖ₂ ＋Ｖ₇ ）＞Ｖｓａｔ₁ （Ｖ₁ ＋Ｖ₆ ）＞Ｖｓａｔ₁ ｜−Ｖ₇ 十Ｖ₂ ｜＞｜Ｖｓａｔ₂ ｜ ｜−Ｖ₇ ＋Ｖ₃ ｜＜｜Ｖｔｈ₂ ｜ （−Ｖ₂ ＋Ｖ₃ ）＜Ｖｔｈ₁ ｜−Ｖ₄ ＋Ｖ₃ ｜＜｜Ｖｔｈ₂ ｜ （−Ｖ₂ ＋Ｖ₃ ）＝（−Ｖ₅ ＋Ｖ₆ ） （−Ｖ₄ ＋Ｖ₃ ）＝（−Ｖ₇ ＋Ｖ₆ ）（−Ｖ₂ ＋Ｖｍ）＝（−Ｖｍ＋Ｖ₇ ） ｔ₁₄＝ｔ₁₅＝ｔ₁₆ （Ｖ₈ −Ｖ₃ ）＝（Ｖ₆ −Ｖ₁ ） （Ｖ₆ −Ｖ₂ ）＝（Ｖ₇ −Ｖ₃ ） 第６６図８１１１の画素について液晶素子の動作を説明
すると、第７７図ｔ₁₁の間が奇数フレームの選択期間で
あり、ｔ₁₄の間が消去パルスで、負の飽和電圧より絶対
値の大きな電圧パルスが印加されて液晶素子は前のメモ
リー状態が消去されてオフ状態となる。そして、ｔ₁₅の
間が書き込みパルスで、信号電極波形がオン波形であれ
ば、液晶素子に印加される電圧は正の飽和電圧以上とな
り、液晶素子はオン状態となり、信号電極波形がオフ波
形であれば、液晶素子に印加される電圧は正のしきい電
圧以下となり、液晶素子はオフ状態のままとなる。そし
て、ｔ₁₆の間に走査電極に印加する電圧は−Ｖ₃ とす
る。また、非選択期間ｔ₁₂は、走査電極波形７７１は、
−Ｖ₃ 、−Ｖ₆ の電圧が交互に印加されて、７７２との
合成波形では、７７３で示すように常にしきい電圧より
絶対値の小さな電圧しか液晶素子に印加されないためｔ
₁₅の間の状態を保持する。次に、偶数フレームについて
みると、ｔ₂₁の間が選択期間で、ｔ₂₄の間が消去パルス
であり、奇数フレームのときとは逆極性の正の飽和電圧
以上の電圧パルスが印加されて液晶素子はオン状態とな
る。そして、ｔ₂₅の間が書き込みパルスで、信号電極波
形がオン波形であれば、液晶素子に印加される電圧は、
負のしきい電圧より絶対値が小さくなり、液晶素子は消
去されたままのオン状態となり、信号電極波形がオフ波
形であれば、液晶素子に印加される電圧は、負の飽和電
圧より絶対値の大きな電圧パルスが印加されて、液晶素
子はオフ状態となる。そして、ｔ₂₆の間に走査電極に印
加する電圧は−Ｖ₆ とする。 【０２３０】また、非選択期間ｔ₂₂の間は、奇数フレー
ムと同様にｔ₂₅の間の状態を保持する。このような駆動
の場合、液晶素子に印加される合成波形としては、比較
例２０と同じであるが、走査電極に印加する電圧を低く
することができる駆動方法である。 【０２３１】比較例２２ 第６８図に交流バイアスによるメモリー状態保持の効果
図を示す。Ｖは、液晶素子に印加する電圧で、Ｉは、液
晶素子の透過状態を示している。液晶素子にＶ₁ の電圧
を印加して、Ｉ₁ の状態にしてその後印加電圧を０ボル
トとすると液晶素子は、Ｉ₁ の状態から次第にメモリー
が悪くなつて点線で示すようにＩ₅ までメモリーが落ち
てゆく。しかし、交流バイアスを印加することによって
メモリー性の悪さを改善してＩ₃ の状態に保持すること
ができる。第７８図はこの交流バイアスの効果を利用し
た本比較例の駆動波形を実現する具体的回路を示すブロ
ック図である。７８１はフレーム信号で、７８２は極性
切り換え信号である。この７８１、７８２の信号によっ
て、トランスミッンョンゲート１１１をスイッチングし
て、Ｖ₂ 、Ｖ₃ 、−Ｖ₄ 、−Ｖ₅ の電圧を切り換えて走
査電極選択波形７８４を作り、７８３の信号によって、
Ｖ₁ 、−Ｖ₆ の電圧を切り換えて走査電極非選択波形７
８５を作っている。 【０２３２】また、Ｖ₇ 、−Ｖ₈ の電圧を切り換えて信
号電極オン波形７８６と、信号電極オフ波形７８７を作
っている。これらの波形のタイミングチャートを第７９
図に示す。第７９図７８４、７８５、７８６、７８７の
信号を第６６図の駆動回路に入力し、７８４は８１０
１、８１０２と、７８５は８１ｌ０３と、７８６は８１
０５と、７８７は８１０４と、それぞれ接続する。第６
６図１２１は走査電極データで、これをシフトクロック
１２０によって走査電極側シフトレジスター１１５に転
送して一走査線づつ順次選択信号を出し、この選択信号
によってトランスミッションゲート１１１をスイッチン
グして８１０７の走査電極波形を作っている。 【０２３３】第６６図１１７は信号電極データで、これ
をシフトクロック１１８によって信号電極側シフトレジ
スター１１４に転送し、一走査線分のデータを転送した
ときにラッチ信号１１９によってラッチ回路１１６にラ
ッチし、このラッチの出力によってトランスミッション
ゲート１１１をスイッチングして、８１０４と８１０５
の信号を切り換えて８１０６の信号電極波形を作ってい
る。この８１０７と８１０６の波形及び、この波形の合
成波形のタイミングチャートを第８０図８０１、８０
２、８０３に示す。この波形の駆動条件を示すとつぎの
ようになる。 【０２３４】 ｜Ｖ₁ ｜＝｜−Ｖ₆ ｜ ｜Ｖ₇ ｜＝｜−Ｖ₈ ｜ ｜−Ｖ₅ ＋Ｖ₇ ｜＞｜Ｖｓａｔ₂ ｜ （Ｖ₃ ＋Ｖ₈ ）＞Ｖｓａｔ₁ （Ｖ₃ −Ｖ₇ ）＜Ｖｔｈ₁ （Ｖ₂ −Ｖ₇ ）＞Ｖｓａｔ₁ ｜−Ｖ₄ 十Ｖ₈ ｜＜｜Ｖｔｈ₂ ｜ （−Ｖ₄ −Ｖ₇ ）＞｜Ｖｓａｔ₂ ｜ Ｖ₇ ＜Ｖｔｈ₁ ｜−Ｖ₈ ｜＜｜Ｖｔｈ₂ ｜ ｜Ｖ₂ ｜＝｜−Ｖ₅ ｜ ｜Ｖ₃ ｜＝｜−Ｖ₄ ｜ ｔ₁₄＝ｔ₁₅ 第６６図８１１１の画素について液晶素子の動作を説明
すると、第８０図ｔ₁₁の間が奇数フレームの選択期間
で、この期間中のｔ₁₄の間が消去パルスで、負の飽和電
圧より絶対値の大きな電圧パルスが印加されて、前のメ
モリー状態が消去されてオフ状態となる。そして、ｔ₁₅
の間が書き込みパルスで、信号電極波形がオン波形であ
れば、液晶素子に正の飽和電圧以上の電圧パルスが印加
されて液晶素子はオン状態となり、信号電極波形がオフ
波形であれば、液晶素子に正のしきい電圧以下の電圧パ
ルスが印加されて液晶素子はオフ状態のままとなる。そ
して、ｔ₁₂の間が非選択期間で高周波交流バイアスを印
加する。この高周波交流バイアスの周波数と電圧は、液
晶分子が応答できる限度ぎりぎりの周波数と電圧であ
り、周波数は数ＫＨｚ〜数１００ＫＨｚ、電圧は数１０
ボルトである。この非選択期間の交流バイアスによって
液晶素子のメモリー性を良くしてデータを保持してい
る。次に、偶数フレームについてみると、ｔ₂₁の間が選
択期間で、この期間中のｔ₂₄の間が消去パルスで、奇数
フレームのときとは逆極性の正の飽和電圧以上の電圧パ
ルスが印加されて液晶素子はオン状態となる。そして、
ｔ₂₅の間が書き込みパルスで、信号電極波形がオン波形
であれば、液晶素子に負のしきい電圧より絶対値の小さ
な電圧パルスが印加されて液晶素子はオン状態のままと
なり、信号電極波形がオフ波形であれば、液晶素子は負
の飽和電圧より絶対値の大きな電圧パルスが印加されて
液晶素子はオフ状態となる。そして非選択期間は、奇数
フレームのときと同様で高周波交流バイアスによってメ
モリー状態を保持する。なお、上記各実施例では、２値
表示における駆動方法について説明したが、階調表示に
ついても同じように駆動することができ、走査電極に印
加する波形については、上記実施例と同じでよく、信号
電極に印加する電圧を階調データによって変化させて、
書き込みパルスの間に液晶素子に印加する電圧をしきい
電圧から飽和電圧の間で変化させればよい。また、階調
データによって、信号電極波形のパルス幅を変化させる
ことによって階調表示をすることもできる。 【０２３５】 【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、非選
択期間に印加する非選択信号もしくは０Ｖを基準電位と
したとき、データ信号を基準電位に対して正、負の２値
の電圧レベルとし、液晶に消去電圧及び選択電圧を印加
する期間での正、負の２値の電圧レベルの印加順序によ
り、液晶素子の表示状態のオン状態／オフ状態を選択す
ることができる。これにより、液晶素子に印加される電
圧が正または負に偏ることが防止され、液晶素子の寿命
を長く確保できる。さらに、データ信号は２値の電圧レ
ベルでオン波形、オフ波形を実現できるので、電源電圧
レベルも少なくて済む。更に、用途も表示素子に限定さ
れず、電子シャッター、偏光器等にも応用が可能であ
る。

【図面の簡単な説明】 【図１】第１図（ａ）および（ｂ）は、強誘電性液晶の
分子の配列状態を示す図。 【図２】第２図（ａ）は、本発明の各実施例で用いた液
晶素子の一例を示す断面図であり、第２図（ｂ）は、第
２図（ａ）に示す液晶素子の電極構造を示す図。 【図３】第３図は本発明の実施例１に示す駆動波形と光
透過特性の関係を示す図。 【図４】第４図は第３図に示す駆動波形を実現する具体
的回路の一例を示す図。 【図５】第５図は第４図に示す回路の各点における信号
波形を示すタイミングチャート図。 【図６】第６図は比較例１に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 【図７】第７図は第６図に示す駆動波形を実現する具体
的回路の一例を示す図。 【図８】第８図は第７図に示す回路の各点における信号
波形を示すタイミングチャート図。 【図９】第９図は比較例２に示す駆動波形と光透過特性
の関係を示す図。 【図１０】第１０図は第９図に示す駆動波形を実現する
具体的回路の一例を示す図。 【図１１】第１１図は第１０図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図１２】第１２図は比較例３に示す駆動波形と光透過
特性の関係を示す図。 【図１３】第１３図は第１２図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図１４】第１４図は第１３図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図１５】第１５図は本発明の実施例２に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図１６】第１６図は第１５図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図１７】第１７図は第１６図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図１８】第１８図は比較例４に示す駆動波形と光透過
特性の関係を示す図。 【図１９】第１９図は第１８図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図２０】第２０図は第１９図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図２１】第２１図は比較例５に示す駆動波形と光透過
特性の関係を示す図。 【図２２】第２２図は第２１図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図２３】第２３図は第２２図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図２４】第２４図は比較例６に示す駆動波形と光透過
特性の関係を示す図。 【図２５】第２５図は第２４図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図２６】第２６図は第２５図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図２７】第２７図は本発明の実施例３に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図２８】第２８図は第２７図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図２９】第２９図は第２８図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図３０】第３０図は比較例７に示す駆動波形と光透過
特性の関係を示す図。 【図３１】第３１図は第３０図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図３２】第３２図は第３１図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図３３】第３３図は比較例８に示す駆動波形と光透過
特性の関係を示す図。 【図３４】第３４図は第３３図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図３５】第３５図は第３４図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図３６】第３６図は比較例９に示す駆動波形と光透過
特性の関係を示す図。 【図３７】第３７図は第３６図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図３８】第３８図は第３７図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図３９】第３９図は比較例１０に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図４０】第４０図は第３９図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図４１】第４１図は第４０図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図４２】第４２図は比較例１１に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図４３】第４３図は第４２図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図４４】第４４図は第４３図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図４５】第４５図は本発明の実施例４に示す駆動波形
を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図４６】第４６図は第４５図に示す回路の各点におけ
る信号波形のタイミングチャートおよび駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図４７】第４７図は比較例１２に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図４８】第４８図は第４７図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図４９】第４９図は比較例１２に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図５０】第５０図は比較例１３に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図５１】第５１図は第５０図に示す回路の各点におけ
る信号波形のタイミングチャートおよび駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図５２】第５２図は比較例１４に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図５３】第５３図は第５２図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図５４】第５４図は比較例１４に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図５５】第５５図は比較例１５に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図５６】第５６図は第５５図に示す回路の各点におけ
る信号波形のタイミングチャートおよび駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図５７】第５７図は比較例１６に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図５８】第５８図は第５７図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図５９】第５９図は比較例１６に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図６０】第６０図は比較例１７に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図６１】第６１図は第６０図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図６２】第６２図は比較例１７に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図６３】第６３図は比較例１８に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図６４】第６４図は第６３図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図６５】第６５図は比較例１８に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図である。 【図６６】第６６図は本発明の各実施例で用いた駆動回
路の一例を示す図。 【図６７】第６７図（ａ）および（ｂ）は印加電圧の波
形による光透過特性の変化を示す図。 【図６８】第６８図は交流バイアス電圧印加時の駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【図６９】第６９図は比較例１９に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図７０】第７０図は第６９図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図７１】第７１図は比較例１９に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図７２】第７２図は比較例２０に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図７３】第７３図は第７２図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図７４】第７４図は比較例２０に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図である。 【図７５】第７５図は比較例２１に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図７６】第７６図は第７５図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図７７】第７７図は比較例２１に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図７８】第７８図は比較例２２に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例を示す図。 【図７９】第７９図は第７８図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図８０】第８０図は比較例２２に示す駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【符号の説明】 １１・１２…基板 １３…走査電極 １４…信号電極 １５…配向膜 １６…強誘電性液晶 １７・１８…偏光板 １９…シール剤 １１１…トランスミッションゲート １１２…フリップフロップ １１３…液晶素子 １１４…信号電極側ソフトレジスタ １１５…走査電極側ソフトレジスタ １１６…ラッチ回路 １１７…信号電極データ １１８…信号電極ソフトクロック １１９…ラッチ信号 １２０…走査電極シフトクロック １２１…走査電極データ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願昭61−45868 (32)優先日 昭61(1986)３月３日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (56)参考文献 特開 昭60−172029（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−116925（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 １．走査電極群を有する基板と信号電極群を有する基板
   との間にメモリ性を有する液晶を挟持してなる液晶素子
   を駆動する液晶素子の駆動方法において、 前記走査電極群に、一定の非選択電位に設定される非選
   択期間と前記非選択電位以外の選択電位に設定される選
   択期間とを有する走査信号を供給し、前記信号電極群に
   前記選択期間毎にデータ信号を供給し、 前記液晶の表示状態を選択する前記選択期間内の第１の
   期間に、前記液晶の分子を所定の配列方向に揃える少な
   くとも１個の消去電圧を前記液晶に印加し、 前記第１の期間の後の前記選択期間内の第２の期間に、
   前記液晶の分子を表示状態に対応する配列方向に設定す
   る選択電圧を前記液晶に印加し、 前記非選択期間に前記走査電極群に供給される前記非選
   択電位を基準電位としたとき、前記選択期間内の前記第
   １及び第２の期間中の前記データ信号は前記基準電位に
   対して正、負の２値の電圧レベルからなり、前記選択期
   間内の前記第１及び第２の期間中での前記正、負の２値
   の電圧レベルの印加順序を変化させることにより、前記
   液晶素子の表示状態のオン状態／オフ状態を選択するこ
   とを特徴とする液晶素子の駆動方法。２． 走査電極群を有する基板と信号電極群を有する基
   板との間にメモリ性を有する液晶を挟持してなる液晶素
   子を駆動する液晶素子の駆動方法において、 前記走査電極群に、一定の非選択電位と補正のための電
   位とに設定される非選択期間と、前記非選択電位及び前
   記補正のための電位以外の選択電位に設定される選択期
   間とを有する走査信号を供給してなり、前記補正のため
   の電位は、前記非選択電位を基準として前記選択期間に
   印加される正の電圧の積分値と負の電圧との積分値との
   差を補正するための電位であり、 前記信号電極群に前記選択期間毎にデータ信号を供給
   し、 前記液晶の表示状態を選択する前記選択期間内の第１の
   期間に、前記液晶の分子を所定の配列方向に揃える少な
   くとも１個の消去電圧を前記液晶に印加し、 前記第１の期間の後の前記選択期間内の第２の期間に、
   前記液晶の分子を表示状態に対応する配列方向に設定す
   る選択電圧を前記液晶に印加し、 前記非選択期間に前記走査電極群に供給される前記非選
   択電位を基準電位としたとき、前記選択期間内の前記第
   １及び第２の期間中の前記データ信号は前記基準電位に
   対して正、負の２値の電圧レベルからなり、前記選択期
   間内の前記第１及び第２の期間中での前記正、負の２値
   の電圧レベルの印加順序を変化させることにより、前記
   液晶素子の表示状態のオン状態／オフ状態を選択するこ
   とを特徴とする液晶素子の駆動方法。 ３．走査電極群を有する基板と信号電極群を有する基板
   との間にメモリ性を有する液晶を挟持してなる液晶素子
   を駆動する液晶素子の駆動方法において、 前記走査電極群に、選択期間とそれに続く非選択期間及
   び消去期間とを有する走査信号を供給し、前記信号電極
   群に前記選択期間毎にデータ信号を供給し、 前記液晶の表示状態を選択する前記選択期間の前の前記
   消去期間に、前記液晶の分子を所定の配列方向に揃える
   少なくとも１個の消去電圧を前記液晶に印加し、 前記選択期間に、前記液晶の分子を表示状態に対応する
   配列方向に設定する選択電圧を前記液晶に印加し、 前記非選択期間に前記走査電極群に供給される非選択信
   号もしくは０Ｖを基準電位としたとき、前記選択期間中
   の前記データ信号は前記基準電位に対して正、負の２値
   の電圧レベルからなり、前記選択期間内での前記正、負
   の２値の電圧レベルの印加順序を変化させることによ
   り、前記液晶素子の表示状態のオン状態／オフ状態を選
   択することを特徴とする液晶素子の駆動方法。