JP2730543B2 - 液晶装置の駆動方法 - Google Patents

液晶装置の駆動方法

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JP2730543B2 JP8117072A JP11707296A JP2730543B2 JP 2730543 B2 JP2730543 B2 JP 2730543B2 JP 8117072 A JP8117072 A JP 8117072A JP 11707296 A JP11707296 A JP 11707296A JP 2730543 B2 JP2730543 B2 JP 2730543B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置の駆動方
法、特に強誘電性液晶を用いた電気光学素子のマルチプ
レックス駆動方法に関する。 【0002】 【背景技術】特開昭56−107216号公報に記載さ
れているように、カイラルスメクチックC相もしくはカ
イラルスメクチックH相を示す強誘電性液晶を用いた電
気光学素子は、印加電圧に対して非常に高速で応答し、
かつメモリ性があるという特徴を有することが知られて
おり、画素数が多くなる大型大容量ディスプレイ、高速
電子シャッタ、偏光器などへの応用が期待されている。 【0003】従来、このような強誘電性液晶素子の駆動
方法としては、特開昭58−179890号公報に記載
されているような、液晶素子の光透過状態を定めるパル
ス電圧を所定周期で印加し、かつこの所定周期内に印加
される電圧の平均値を零にして強誘電性液晶の劣化を防
止する駆動方法が知られている。しかし前記特開昭58
−179890号公報に開示されている具体的な駆動方
法は、スタティック駆動方法であり、大容量素子の駆動
に最適なマルテプレックス駆動方法は何ら開示されてい
ない。また、強誘電性液晶素子は、印加される電圧パル
スのパルス幅によって、しきい値電圧が変化するとい
う、いわゆるパルス幅依存性を有することが知られてい
るが、前記特開昭58−179890号公報に記載され
た駆動方法は、このパルス幅依存性について何の考慮も
しておらず、実際の駆動は困難である。 【0004】そこで我々は、特願昭和59−11968
0号(特開昭60−263124号公報参照)および特
願昭60−177818号(特開昭61−55630号
公報参照)において、前述のパルス幅依存性を考慮し
た、実用的なマルチプレックス駆動方法を提案した。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】しかしこの駆動方法で
は、強誘電性液晶に印加される電圧が、正又は負のどち
らかに偏る可能性があり、強誘電性液晶の劣化を促進し
て液晶素子の寿命を短くするという欠点を有している。 【0006】本発明の目的は、メモリ性のある液晶に印
加される電圧の正、負の偏りを、信号電極群に供給され
る電圧により低減することができ、しかも、走査電極群
および信号電極群に供給される電圧を共通化して、走査
電極群に供給される電圧レベルを低減することができる
液晶装置の駆動方法を提供することにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、走査
電極群を有する基板と信号電極群を有する基板との間に
メモリ性を有する液晶を挟持してなる液晶装置を駆動す
る液晶装置の駆動方法において、前記走査電極群の各々
に、消去電位と選択電位と非選択電位とを有する走査信
号を所定期間毎に供給し、前記信号電極群の各々にデー
タ信号を供給し、前記走査信号と前記データ信号との差
信号の電圧を前記液晶に印加し、前記走査電極群の各々
に前記消去電位が印加される時に、前記液晶の分子を所
定の配列方向に揃える、前記液晶の飽和値以上の少なく
とも1個の消去電圧を前記液晶に印加し、前記走査電極
群の各々に前記選択電位が印加される時に、前記液晶の
分子を、表示状態に対応する配列方向に設定する電圧を
前記液晶に印加し、前記データ信号は、該データ信号の
中間電位である基準電位に対して、正の極性を有する複
数の電位と負の極性を有する複数の電位とから成り、
記消去電位は、前記基準電位に対して正の極性の第1の
消去電位と負の極性の第2の消去電位から成り、前記選
択電位は、前記基準電位に対して正の極性の第1の選択
電位と負の極性の第2の選択電位から成り、前記所定期
間毎に前記第1の消去電位と前記第2の消去電位とを交
互に印加し、前記第1の消去電位の印加後に前記第2の
選択電位を印加し、前記第2の消去電位の印加後に前記
第1の選択電位を印加し、前記第1の選択電位が印加さ
れる時に、前記信号電極に前記負の極性の複数の電位の
うち表示のオン状態もしくはオフ状態を選択するための
電位が印加され、前記第2の選択電位が印加される時
に、前記信号電極に前記正の極性の複数の電位のうち表
示のオン状態もしくはオフ状態を選択するための電位が
印加され、前記信号電極群の各々に印加される前記正及
び負の極性の複数の電位の少なくとも一つの電位が、前
記走査信号中の前記消去電位及び前記選択電位のうちの
少なくとも一つと等しく設定されていることを特徴とす
る。請求項2の発明は、請求項1において、前記データ
信号は、前記正及び負の複数の電圧レベルの少なくとも
他の一つの電位が、前記走査信号中の前記非選択電位の
うちの少なくとも一つと等しく設定されていることを特
徴とする。特開昭58−179890号公報に記載され
ているように、強誘電性液晶の分子は、電界を印加しな
い状態では、螺旋軸に対してθの角度を有して螺旋状に
配列しているが、第1図(a)に示すように、例えば負
の極性の電界−Eを印加すると、強誘電性液晶の分子1
は、電界−Eの方向と垂直な平面上に螺旋軸2に対して
角度θを有して一定方向に配列する。また、電界の極性
を反転させると、第1図(b)に示すように、螺旋軸2
を中心として第1図(a)の方向とは対称な方向に角度
θを有して配列する。この時、第1図(a)および
(b)に示すように、2枚の偏光板を強誘電性液晶の上
下に設け、上偏光板の偏光軸の方向が3の方向、下偏光
板の偏光軸の方向が4の方向となるように互いに直交さ
せると、強誘電性液晶の分子が第1図の方向に配列して
いる場合は、光の透過量が最も少なくなり、第1図
(b)の方向に配列している場合は、光の透過量が最も
多くなる。またこのような強誘電性液晶の分子の配列状
態は、次に逆極性のしきい値以上の電圧が印加されるま
で、そのままで安定している。これが、メモリー性と言
われている強誘電性液晶の特色の1つである。請求項
の発明では、データ信号は、該データ信号の中間電位で
ある基準電位に対して正、負の複数の電圧レベルからな
り、前記正、負の複数の電圧レベルの少なくとも一つの
電位が、前記走査信号中の消去電位及び選択電位のうち
の少なくとも一つと等しく設定されている。請求項1の
発明は、第54図および第65図の波形図に示された各
実施例に象徴的に示されている。例えば、請求項1の発
明の実施例である図54の波形図によれば、走査信号中
の第1の消去電位は、データ信号の中間電位−Vmに対
して正の極性となる電位V1である。第2の消去電位
は、中間電位−Vmに対して負の極性となる−V8であ
る。この第1の消去電位印加後の第2の選択電位は、中
間電位−Vmに対して負の極性となる−V7である。第
2の消去電位−V8印加後の第1の選択電位は、中間電
位−Vmに対して正の極性となる−V2である。一方、
データ信号は、中間電位−Vmに対して正の極性となる
複数の電位−V2,−V3と、中間電位−Vmに対して
負の極性となる−V6,−V7を有する。図54の波形
図によれば、データ信号中の正の極性の電位−V2が第
1の選択電位ほV2と共通化され、データ信号中の負の
極性の電位−V7が第2の選択電位−V7と共通化され
ている。 請求項1の発明の他の実施例である図65の波
形図においても、走査信号は第1の消去電位V1、第2
の選択電位−V7、第2の消去電位−V8、第1の選択
電位−V2を有する。一方、データ信号は、中間電位−
Vmに対して正の極性となる複数の電位−V2,−V4
と、中間電位−Vmに対して負の極性となる−V5,−
V7を有する。図65の波形図によれば、データ信号中
の正の極性の電位−V2が第1の選択電位−V2と共通
化され、データ信号中の負の極性の電位−V7が第2の
選択電位−V7と共通化されている。強誘電性液晶の駆
動にて、液晶素子に印加される飽和値以上の消去電圧お
よびオン駆動時のしきい値以上の選択電圧は、非選択期
間に液晶素子に印加されるしきい値より低い電圧に比べ
て絶対値が高く、これらは走査信号とデータ信号との差
信号の電圧にて設定される。従って、走査信号中の消去
電位および選択電位の少なくとも一つと、データ信号と
の電位レベルの少なくとも一つを共通とすることで、波
高値の低いデータ信号のみで構成した場合と比較して、
走査信号の電圧を下げることができる。また、図54
波形図中の(541,542)の波形に示すように、デ
ータ信号の電位が基準電位−Vmに対して正、負の複数
レベルから構成されることから、液晶装置に印加される
電圧は正、負で偏りが少なくなり、液晶装置の寿命を長
くすることができる。請求項の発明は、例えば図54
の実施例にて、データ信号の他の電位レベル−V3,−
V6を走査信号の非選択電位−V3,−V6と共通にす
ることで、走査信号およびデータ信号の電位レベルの種
類がより少なくなる。 【0008】本発明では、第1図(a)に示すような方
向に強誘電性液晶の分子を配列させる電圧の極性を負
(−)、第1図(b)に示すような方向に配列させる電
圧の極性を正(+)と定義し、分子の配列方向と偏光板
の偏光軸の方向とが第1図(a)に示すような関係にな
っていて、光の透過量が最も少ない状態をオフ状態(ま
たは単にオフ)、第1図(b)に示すような関係になっ
ていて、光の透過量が最も多い状態をオン状態(または
単にオン)と定義する。 【0009】もちろん、分子の配列方向と偏光軸の方向
の関係を第1図(a)と(b)とで逆にすれば、正の電
圧を印加すれば、光の透過量が最大となり、負の電圧を
−印加すれば最少となるか、これは単に電圧の極性とオ
ン、オフ状態の組み合わせの関係が逆になるだけで、実
質的に同じ駆動方法で駆動できるものであり、本発明の
範囲に含まれるものである。 【0010】 【発明の実施の形態】第2図(a)は、以下に述べる本
発明の各実施例で用いた液晶素子の一例を示す断面図で
ある。ガラスあるいはプラスチックからなる透明な基板
11、12の互いに対向する内側表面には、酸化インジ
ウムあるいは酸化スズからなる複数の透明な走査電極1
3および信号電極14が形成されている。必要に応じて
これらの電極上に酸化シリコンなどからなる絶縁層を設
けた後、ポリイミド、ナイロンなどからなる配向膜15
を設け、少なくとも一方の基板の配向膜の表面をラビン
グして強誘電性液晶16を所定の方向に配向させた。1
9は、エポキシ接着剤からなるシール剤である。また、
一対の基板11および12の電極が形成されていない外
側表面には偏光板17および18をそれぞれ隣接させ
た。この時、偏光板17の偏光軸と偏光板18の偏光軸
とは互いに略直交させ、かつ強誘電性液晶16に負の極
性を有する飽和値以上の電圧を印加した時の強誘電性液
晶分子の配列方向とどちらか一方の偏光板の偏光軸の方
向とが平行になるように偏光板の偏光軸の方向を設定し
た。 【0011】基板間のすき間、すなわち液晶層の厚み
は、約1.3μm、使用した強誘電性液晶は、P−テト
ラデシロキシベンジリデン−P’−アミノ−(2−メチ
ル)−ブチル−(α−シアノ)−シンナメート(TDO
BAMBCC)である。この液晶は、パルス幅が200
μsecの時のしきい値電圧が6.5V、飽和電圧が8
Vであり、またパルス幅が400μsecの時のしきい
値電圧が4.2V、飽和電圧が6.3Vであった。この
値は、極性を逆にしてもほぼ同じであつた。 【0012】走査電極13と信号電極14とは、第2図
(b)に示すように、それぞれストライプ状に形成し、
かつ互い直交するように形成した。この走査電極と信号
電極が、平面的に重なり合った部分が画素となる。な
お、第2図(b)は、以下の説明をわかり易くするため
に、代表的なる種類のオン、オフパターンを示してお
り、走査電極Xnの本数が6、信号電極Ynの本数が3
となっているが、もちろん本発明は、この電極数に限定
されるものではなく、必要な画素数に応じて電極数を決
定すればよい。第2図(b)において、斜線を付した画
素はオフ状態、それ以外の画素はオン状態であることを
示している。 【0013】以下にこの液晶素子を駆動する具体的な駆
動方法の例を示す。 【0014】比較例1 第3図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態に
するために走査電極X1上にある各画素に印加される駆
動波形と光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化を
わかりやすくするために、次のフレーム周期では、全画
素のオン、オフ状態を反転させた。 【0015】第3図において、t13は最初のフレーム
周期、t23は次のフレーム周期を示す。又、t11
びt21は選択期間を、t12およびt22は非選択期
間をそれぞれ示す。さらにt14、t15、t16、t
17、t24、t25、t26およびt27はそれぞれ
200μsecのパルス幅を示しており、波高値を示す
は6V、Vは3Vである。 【0016】走査電極X1には、選択期間t11(t
21)は±Vを、非選択期間t12(t22)は0V
を印加し、信号電極Y、Y、Yには、画素をオン
させたい場合は波高値Vでパルス幅200μsecの
パルスを正、負、正、負の順に印加し、オフさせたい場
合は負、正、負、正の順に印加すると、各画素に印加さ
れる電圧パルスは、オンの場合は(+V−V)、
(−V+V)、(−V−V)、(+V
)の順序になり、オフの場合は(+V+V)、
(−V−V)、(−V+V)、(+V
)の順序になる。この時、(+V−V)および
(−V+V)は、液晶のしきい値電圧より小さい値
であるため、液晶は応答せず、飽和値以上である(+V
+V)および(−V−V)に応答する。しか
し、強誘電性液晶は高速で応答し、かつメモリー性があ
るため、見かけ上は選択期間の最後に印加された飽和値
以上のパルスの極性に応じてオン又はオフ状態になった
ように認識される。 【0017】非選択期間には(+V−V)および
(−V+V)のパルスが印加され、そのパルス幅は
最大400μsecとなるが、波高値は液晶の400μ
sec時のしきい値電圧より小さいため、光透過特性に
はほとんど影響を与えない。またオン、オフのコントラ
スト比は、面素(X)で18:1、(X
で16:1、(X)で18:1であり、オン、オ
フパターンにかかわらずほぼ一定のコントラスト比が得
られた。 【0018】本比較例における駆動方法は、液晶に選択
期間t11(t21)内に少なくとも液晶の飽和値以上
の波高値、パルス幅を有する正及び負の電圧パルスを印
加し、前記正、負の電圧パルスは波高値及びパルス幅が
等しく、更に飽和値以上の正又は負の電圧パルスを印加
する順序でオン又はオフを選択し、更に正負の電圧パル
スは数が等しく又、非選択期間t12(t22)は、し
きい値以下の波高値及びパルス幅を有する正・負の電圧
パルスを印加しているため、第3図に示す如く、直流成
分の平均値は零となり直流成分が全く存在しない。その
ため液晶素子の劣化が生じることはなかつた。 【0019】第4図は、第3図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例の回路ブロック図である。111は
トランスミッションゲート、112はフリップフロッ
プ、113は液晶素子である。d、h、e、f、g、
j、k、lは、トランスミッションゲート111を選択
し、走査電極信号Vt及び信号電極信号Vdを作り、液
晶素子113に印加される。 【0020】又±V及び零V、±Vは走査電極及び
信号電極の電源電圧である。第5図は、第4図に示した
回路の走査電極信号Vt及び信号電極信号Vdを作るた
めの各点における信号である。 【0021】 【0022】 【0023】 【0024】 【0025】 【0026】 【0027】 【0028】比較例2 第9図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態に
するための走査電極X上の各画素に印加される駆動波
形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわ
かりやすくするために、次のフレーム周期t23では、
オン、オフ状態を反転させた。 【0029】第9図において、t11〜t27はいずれ
も第3図と同じことを示しており、波高値Vは9V、
は4Vである。 【0030】比較例1と異なるのは、コントラスト比を
向上させるために、非選択期間に印加されるパルスのパ
ルス幅が、液晶のオン、オフ状態を選択するために印加
される飽和値以上のパルスよりも大きくならないように
した点にある。 【0031】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、±Vを、非選択期間には0Vを印加し、信
号電極には、画素をオンさせたい場合は0Vを、オフさ
せたい場合は、最初の400μsecは0V、次の40
0μsecでは200μsecずつ−V、+Vの順
に印加する。 【0032】この時各画素に印加される電圧パルスは、
オンの場合は(+V)、(−V)、(−V)、
(+V)の順序になり、オフの場合は(+V)、
(−V)、(−V、+V)、(+V−V)の順
序になる。(−V+V)および(+V−V
は、パルス幅200μsec時の液晶のしきい値より小
さい値であるため、液晶は応答せず、t11の選択期間
では、オン、オフをくり返してt17で最後に印加され
る+Vに応答してオン状態となり、t21の選択期間
では、t24でオンとなつた後t25で印加される−V
に応答してオフ状態となる。また非選択期間には0V
もしくはパルス巾200μsecの+Vまたは−V
が印加されるが、Vは液晶のしきい値より小さいた
め、光透過特性にはほとんど影響を与えない。 【0033】本比較例により得られるコントラスト比
は、画素(X)で24:1、(X)で2
2:1、(X)で20:1で、実施例1および2
よりもさらに良好なコントラスト比が得られた。 【0034】本比較例における駆動方法は、液晶に選択
期間t11(t21)内に少なくとも液晶の飽和値以上
の波高値、パルス幅を有する正及び負の電圧パルスを印
加し、前記正、負の電圧パルスは波高値及びパルス幅が
等しく、更に飽和値以上の正又は負の電圧パルスを印加
する順序でオン又はオフを選択し、更に正負の電圧パル
スは数が等しく又、非選択期間t12(t22)は、し
きい値以下の波高値及びパルス幅を有する正、負の電圧
パルスを印加しているため、オン、オフパターンにかか
わらず、液晶素子に印加される平均値は零となり、液晶
素子の劣化は生じなかった。 【0035】第10図は、第9図に示す駆動波形を実現
する具体的回路の一例の回路ブロック図である。
(a)、(c)、(i)の信号により、トランスミッシ
ョンゲート111を選択する信号を作り、それらの信号
によりトランスミッションゲート111を選択し、走査
電極信号Vt及び信号電極信号Vdを作り、液晶素子1
13に印加される。又、±V、±V、0Vは走査電
極及び信号電極の電源電圧である。 【0036】第11図は、第10図に示した回路の各点
における信号である。 【0037】比較例3 第12図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Xおよび信号電極Yに印加さ
れる駆動波形と、画素(X)の光透過特性を示
す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするため
に、次のフレーム周期t23ではオン、オフ状態を反転
させた。 【0038】第12図において、t11〜t27はいず
れも第3図と同じことを示しており、波高値V
、V、V、V、Vは、それぞれ10V、8
V、6V、4V、2V、0Vである。またVmは信号電
極に印加される電圧パルスの中間電位を示し、この場合
は5Vになる。 【0039】比較例2と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。 【0040】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、VとVを、V、V、V、Vの順
に、非選択期間t12(t22)は、VとV
、V、V、Vの順に印加し、信号電極Y
は、画素をオンさせたい場合は、V、V、V、V
の順に、オフさせたい場合はV、V、V、V
の順に印加する。いずれもパルス幅は200μsecで
ある。この時画素(X)に印加される電圧パルス
は、波高値が異なるのみで第9図に示すような比較例2
の駆動方法と同様の波形となる。すなわち(V
)および(V−V)はそれぞれ+8Vおよび−
8Vで液晶の飽和値以上、(V−V)および(V
−V)はそれぞれ+6Vおよび−6Vでパルス幅20
0μsec時のしきい値より小さく、(V−V)お
よび(V−V)はそれぞれ+2Vおよび−2Vで液
晶のしきい値より充分小さい値となっている。したがっ
て液晶素子は比較例2と同じように応答し、同じように
良好なコントラスト比が得られた。 【0041】第13図は〜第12図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例の回路ブロック図である。、
の信号により、トランスミッションゲート111を選
択し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形
及びの非選択走査電極波形を選択し走査電極波形を作
る。一方信号電極波形は、、の信号によりトランス
ミッションゲート111を選択し、の信号電極データ
で、のオン波形及びのオフ波形を選択し、信号電極
波形を作り、液晶素子113に印加される。又、V
、V、V4、、Vは走査電極及び信号電極
の電源電圧である。第14図は、第13図に示した回路
の各点における信号である。 【0042】比較例4 第15図に第2図のに示すようなオン、オフ状態にする
ための走査電極X上の各画素に印加される駆動波形
と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化をわか
りやすくするために、次のフレーム周期t23では、オ
ン、オフ状態を反転させた。 【0043】第15図において、t13は最初のフレー
ム周期、t23は次のフレーム周期を示す。またt11
およびt21は選択期間、t12およびt22は非選択
期間を示し、さらに非選択期間t12およびt22は、
第1の非選択期間t16と26および次の選択期間の
直前すなわちフレーム周期の最後に設けられた第2の非
選択期間t15とt25の2つの期間に区分けされてい
る。t05は最初のフレーム周期t13の直前の第2の
非選択期間を示している。t14は200μsecのパ
ルス幅を示す。 【0044】また、波高値Vは11V、Vは6V、
は2.5Vである。 【0045】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、±V第1の非選択期間t16(t26)は
0V、第2の非選択期間t05(t15、t25)は、
±Vを印加し、信号電極Y、Y、Yには、画素
をオンさせたい場合は、±Vを正、負の順に、オフさ
せたい場合は、負、正の順に印加する。この時各画素に
は、選択期間t11(t21)の直前の第2の非選択期
間t05(t15、t25)では、いずれも飽和値以上
の(+V−V)および(−V+V)もしくは
(+V+V)および(−V−V)が印加され、
選択期間t11(t21)では、オンの場合(−V
)および(+V−V)が、オフの場合(−V
+V)および(+V−V)が印加され、第1の非
選択期間t16(t26)では、オン、オフパターンに
よつて±Vが200μsecまたは400μsecの
パルス幅で印加される。±Vは400μsec時のし
きい値より小さい値であるため、パルス幅が400μs
ecになっても、光透過特性にはほとんど影響を与えな
い。 【0046】本比較例の駆動方法は、選択期間の直前で
画素をいったんオンさせてからオフ状態にし、その直後
の選択期間内に正の飽和値以上のパルスを印加するか、
しきい値以下のパルスを印加するかで、オン状態に反転
させるか、オフ状態をそのまま保持するかを選択してい
るため、比較例1〜3の駆動方法に比べて選択期間の時
間を半分にすることができ、より高速の駆動を必要とす
る場合や走査電極を多くする場合に有効な駆動方法であ
る。 【0047】また、第2の非選択期間t05(t15
25)に印加されるパルスの波高値は、オン、オフパ
ターンによって異なるが、どちらも飽和値以上であるた
め、光透過量は変わらない。さらに本実施例では、非選
択期間内で液晶の飽和値以上のパルスを印加してオン、
オフさせているため、若干コントラスト比が低下する
が、走査電極数が多くなるほどコントラスト比の低下率
が少なくなり、良好なコントラスト比が得られる。本
較例の場合は、画素(X、Y)で17:1、(X
)で16:1、(X、Y)で17:1のコント
ラスト比が得られた。 【0048】また本比較例においても液晶に印加される
電圧の平均値は零となり、液晶素子の劣化が生ずること
はなかつた。 【0049】なお、本比較例では第2の非選択期間をフ
レーム周期の最後すなわち次の選択期間の直前に設けた
が、表示装置に応用する場合は、人間の目が識別できな
い時間の範囲内であれば、選択期間の直前である必要は
ない。 【0050】第16図は、第15図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示す回路ブロック図であり
、の信号により、トランスミッションゲート111
を選択し、の走査電極データで、の選択時走査電極
波形及び0Vの非選択時走査電極波形を選択し、走査電
極波形を作る。一方信号電極波形は、の信号によりト
ランスミッションゲート111を選択し、の信号電極
データで、のオン波形及びのオフ波線を選択し、信
号電極波形を作り、液晶素子113に印加される。又、
±V、±V、±V、0V、は走査電極及び信号電
極の電源電圧である。第17図は、第16図に示した回
路の各点における信号である。 【0051】比較例5 第18図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極X、Xおよび信号電極Y1に
印加される駆動波形と、画素(X)の光透過特性
を示す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするた
めに、次のフレーム周期t23ではオン、オフ状態を反
転させた。 【0052】第18図において、t05〜t26はいず
れも第15図と同じことを示しており、t’05および
t’15は走査電極Xにおける第2の非選択期間、
t’11およびt’21は同じく選択期間、t’16
第1の非選択期間、t′12は第1および第2の非選択
期間を含むフレーム周期内の非選択期間を示している。 【0053】波高値V、V、V、Vはそれぞれ
12V、10V、2V、0Vであり、VおよびV
8V、VおよびVは4Vである。Vmは信号電極に
印加される電圧パルスの中間電位を示し、この場合は6
Vである。 【0054】比較例4と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。特に、本比較例
は、信号電極に印加される4レベルの電圧レベルのう
ち、2つの電圧レベルを、選択期間の前の消去期間にて
走査電極に印加される電圧レベルと同じにしている。 【0055】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、VおよびVを、第1の非選択期間t16
(t26)は、VおよびVを、第2の非選択期間t
05(t15、t25)は、VおよびVを印加す
る。走査電極X1を奇数番目の走査電極とすると、偶数
番目の走査電極であるXには、第18図に示すよう
に、Xとは位相が逆のパルス列を印加する。これは、
走査電極X上の画素が選択期間t11(t21)であ
る時、走査電極X上の画素は、第2の非選択期間t’
05(t’15)でありこの時に画素をオンおよびオフ
させるための飽和値以上のパルスを印加するためであ
る。すなわち、本比較例では各走査電極に、交互に逆位
相のパルスを印加する必要がある。また、この結果信号
電極Yに印加されるパルスは、画素をオンさせるパル
スとオフさせるパルスを、奇数番目の走査電極上の画素
と偶数番目の走査電極上の画素とでは異なる波形にする
必要がある。すなわち、奇数番目の走査電極(例えばX
)上の画素をオンさせる場合は、VおよびVをV
、Vの順に、オフさせる場合はVおよびVをV
、Vの順に印加し、偶数番目の走査電極(例えばX
)上の画素をオンさせる場合はVおよびV
、Vの順に、オフさせる場合は、VおよびV
をV、Vの順に印加する。この時、画素(X
)に印加されるパルスは比較例4と波高値が異な
るのみで、実質的に同一のパルスが印加される。すなわ
ち、オンの場合、選択期間t11では(V−V)お
よび(V−V)の負、正の飽和値以上のパルスが印
加され、オフの場合、選択期間t21では(V
)および(V−V)の負、正のしきい値より小
さい値のパルスが印加される。また、選択期間の直前の
第2の選択期間t05(t15、t25)では、(V
−V)および(V−V)もしくは(V
)および(V−V)のいずれも飽和値以上のパ
ルスが正、負の順に印加され、画素はいったんオン状態
となった後オフ状態となり、次の選択期間で、オンに反
転するか、そのままオフ状態を保持するかを選択され
る。 【0056】第1の選択期間t16(t26)では、
比較例4と同じように、オン、オフパターンによつて、
パルス幅が200μsecまたは400μsecの(V
−V)および(V−V)もしくは(V
)および(V−V)のいずれもパルス幅400
μsec時のしきい値より小さい値のパルスが印加され
る。 【0057】本比較例の駆動方法は、比較例4と同様、
より高速の駆動を必要とする場合や走査電極を多くする
場合に有効な駆動方法であり、比較例4と同様のコント
ラスト比が得られた。 【0058】第19図は、第18図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。、
の信号によりトランスミッションゲート111を選択
し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形及
びの非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形を
作る。尚は偶数番目の走査電極選択波形である。一方
信号電極波形は、、の信号によりトランスミッショ
ンゲート111を選択し、の信号電極データで、の
オン波形及び10のオフ波形を選択し、信号電極波形を
作り、液晶素子113に印加される。又、V、V
、V、V、V、V、Vは走査電極及び信
号電極の電源電圧である。第20図は、第19図に示し
た回路の各点における信号である。 【0059】比較例6 第21図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極X上の各画素に印加される駆動
波形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化を
わかりやすくするために、次のフレーム周期t23
は、オン、オフ状態を反転させた。 【0060】第21図において、t05〜t26は、い
ずれも第15図と同じことを示しており、波高値V
8V、Vは4Vである。 【0061】比較例4,5と異なるのは、コントラスト
比を向上させるために、非選択期間に印加されるパルス
のパルス幅が、液晶をオン、オフさせるために印加され
る飽和値以上のパルスよりも大きくならないようにした
点にある。 【0062】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、±V、第1の非選択期間t16(t26
は0V、第2の非選択期間t05(t15、t25
は、±Vを選択期間とは逆の順序で印加し、信号電極
、Y、Yには、画素をオンさせたい場合は0
V、オフさせたい場合は±Vを負、正の順に印加す
る。この時各画素には、選択期間t11(t21)の直
前の第2の非選択期間t05(t15、t25)では、
いずれも飽和値以上の±Vもしくは(+V+V
および(−V−V)が印加され、選択期間t
11(t21)では、オンの場合±Vが、オフの場合
(−V+V)および(+V−V)が印加され、
第1の非選択期間t16(t26)では、オン、オフパ
ターンによつて、(+V−V)および(−V+V
)もしくは0Vが印加される。このように非選択期間
には、200μsecより大きいパルス幅のパルスが印
加されることはなく、光透過特性に与える影響がより小
さくなる。 【0063】本比較例の駆動方法も、比較例4,5と同
様、選択期間の直前で画素をいったんオンさせてからオ
フ状態にし、その直後の選択期間内に正の飽和値以上の
パルスを印加するか、しきい値以下のパルスを印加する
かで、オン状態に反転させるか、オフ状態をそのまま保
持するかを選択しているため、比較例1〜3の駆動方法
に比べて選択期間の時間を半分にすることができ、より
高速の駆動を必要とする場合や走査電極を多くする場合
に有効な駆動方法である。 【0064】本比較例の場合は、画素(X)で2
2:1、(X)で21:1、(X)で2
0:1のコントラスト比が得られた。また本比較例にお
いても液晶に印加される電圧の平均値は零となり、液晶
素子の劣化が生ずることはなかつた。 【0065】なお、本比較例でも第2の非選択期間をフ
レーム周期の最後すなわち次の選択期間の直前に設けた
が、表示装置に応用する場合は、人間の目が識別できな
い時間の範囲内であれば、選択期間の直前である必要は
ない。 【0066】第22図は、第21図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示す回路ブロック図であり、
、の信号により、トランスミッションゲート111
を選択し、の走査電極データで、の選択時走査電極
波形及び0Vの非選択時走査電極波形を選択し、走査電
極波形を作る。一方信号電極波形は、の信号によりト
ランスミッツョンゲート111を選択し、の信号電極
データで、のオン波形及びのオフ波形を選択し、信
号電極波形を作り、液晶素子113に印加される。又、
±V、±V、0V、は走査電極及び信号電極の電波
電圧である。第23図は、第22図に示した回路の各点
における信号である。 【0067】比較例7 第24図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極X、Xおよび信号電極Y
印加される駆動波形と、画素(X)の光透過特性
を示す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするた
めに、次のフレーム周期t23ではオン、オフ状態を反
転させた。 【0068】第24図において、t05〜t 26 いず
れも第18図と同じことを示す。 【0069】波高値V、V、V、V、V、V
はそれぞれ10V、9V、7V、3V、1V、0Vで
ある。Vmは信号電極に印加される電圧パルスの中間電
位を示し、この場合は5Vである。 【0070】比較例6と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。特に、本比較例
は、信号電極に印加される4レベルの電圧レベルのう
ち、2つの電圧レベルを、選択期間の前の消去期間にて
走査電極に印加される電圧レベルと同じにしている。さ
らに、本比較例では、信号電極に印加される4レベルの
電圧レベルのうち、他の2つの電圧レベルを、非選択期
間にて走査電極に印加される電圧レベルと同じにしてい
る。 【0071】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、VおよびVを、第1の非選択期間t16
(t26)は、VおよびVを、第2の非選択期間t
05(t15、t25)は、VおよびVを印加す
。またこの結果、信号電極Yに印加されるパルス
は、画素をオンさせるパルスとオフさせるパルスを、以
下のように印加する。すなわち、走査電極X 上の画素
をオンさせる場合は、VおよびVをV、Vの順
に、オフさせる場合はVおよびVをV、Vの順
に印加する。この時画素(X)に印加されるパル
スは、オンの場合、選択期間t11では(V−V
および(V−V)の負、正の飽和値以上のパルスが
印加され、オフの場合、選択期間t21では(V−V
)および(V−V)の負、正のしきい値より小さ
い値のパルスが印加される。また、選択期間の直前の第
2の非選択期間t05(t15、t25)では、(V
−V)および(V−V)もしくは(V−V
および(V−V)のいずれも飽和値以上のパルスが
正、負の順に印加され、画素はいったんオン状態となっ
た後オフ状態となり、次の選択期間で、オンに反転する
か、そのままオフ状態を保持するかを選択される。 【0072】第1の選択期間t16(t26)では、
比較例6と同じように、オン、オフパターンによつて、
0Vもしくは(V−V)および(V−V)の液
晶のしきい値より充分小さい値の正、負のパルスが印加
される。 【0073】本比較例の駆動方法も、比較例4〜6と同
様、より高速の駆動を必要とする場合や走査電極を多く
する場合に有効な駆動方法であり、比較例6と同様のコ
ントラスト比が得られた。 【0074】第25図は、第24図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。、
の信号によりトランスミッションゲート111を選択
し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形及
びの非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形を
作る。尚は偶数番目の走査電極選択波形である。一方
信号電極波形は、、の信号によりトランスミッショ
ンゲート111を選択し、の信号電極データで、の
オン波形及び10のオフ波形を選択し、信号電極波形を
作り、液晶素子113に印加される。又、V、V
、V、Vは走査電極及び信号電極の電極電圧で
ある。第26図は、第25図に示した回路の各点におけ
る信号である。 【0075】比較例8 第27図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極X上の各画素に印加される駆動
波形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化を
わかりやすくするために、次のフレーム周期t23は、
オン、オフ状態を反転させた。 【0076】第27図において、t13は最初のフレー
ム周期、t23は次のフレーム周期を示す。またt11
およびt21は選択期間、t12およびt22は非選択
期間を示し、t14は200μsecのパルス幅を示
す。またt15およびt25は次の選択期間の直前すな
わちフレーム周期の最後に設けられた平均値補正用のパ
ルスを印加するための期間を示す。この場合は、200
μsecの期間である。 【0077】また、波高値Vは10V、Vは8V、
およびVは2Vである。 【0078】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、+V、−Vの順に、非選択期間t
12(t22)は0Vを印加し、フレーム周期の最後の
期間t15(t25)は補正用パルスとして−Vを印
加する。信号電極Y、Y、Yには、画素をオンさ
せたい場合は、±4Vを正、負の順に、オフさせたい場
合は、負、正の順に印加する。この時各画素には、オン
の場合は、飽和値以上のパルス(+V−V)が印加
された後しきい値より小さいパルス(−V+V)が
印加され、オフの場合はいずれも飽和値以上のパルス
(+V+V)および(−V−V)が正、負の順
に印加される。また非選択期間t12(t22)は、オ
ン、オフパターンによって±Vが200μsecまた
は400μsecのパルス幅で印加されるが、フレーム
周期の最後の期間t15(t25)のみは、補正用パル
ス−Vが加えられるため、(−V−V)または
(−V+V)すなわち−4Vまたは0Vが印加され
る。 【0079】本比較例では、選択期間の最初に画素をオ
ンさせる正の極性の飽和値以上の第1のパルスを印加し
た後、それと逆極性でかつ波高値の異なる第2のパルス
を印加し、この第2のパルスをしきい値以下とするか、
飽和値以上とするかでオン、オフを選択している。この
時、オン、オフにかかわりなく、第1のパルスの波高値
と第2のパルスの波高値の差を等しくしておき、この差
分をt15(t25)の期間で補正してやることによ
り、1フレーム周期内に印加される電圧の平均値を零に
している。 【0080】なお、本比較例では補正用パルスのパルス
幅、前記第1のパルスおよび第2のパルスのパルス幅を
等しくしているが、必ずしもこれに限られるものではな
く、|V・t|−|V・t|=|V・t
(ただし、t、t、tはそれぞれのパルスのパル
ス幅を示す)を満足するように、各パルスの波高値およ
びパルス幅を設定してやれば良い。 【0081】本比較例の駆動方法も、比較例4〜7と同
様、比較例1〜3の駆動方法に比べて選択期間の時間を
半分にすることかできるため、より高速の駆動を必要と
する場合や走査電極を多くする場合に有効な駆動方法で
ある。また、比較例4〜6の駆動方法のように、非選択
期間に画素がオン、オフすることがないため、ごく短時
間での光の透過量の変化でも品質上問題となるような液
晶シャッターなどに応用する場合、有効な駆動方法であ
る。 【0082】本比較例の場合は、画素(X)で2
0:1、(X)で17:1、(X)で2
0:1のコントラスト比が得られた。また本比較例
は、補正用パルスをフレーム周期の最後すなわち次の選
択期間の直前に印加するようにしているが、この補正用
パルスは、光透過特性にほとんど影響を与えないので、
非選択期間内であれば、任意のタイミンクで印加しても
良い。 【0083】第28図は、第27図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。走査
電極には、走査電極データ信号121を、走査電極シフ
トクロック信号120でシフトレジスタ115に転送
し、選択期間にdの波形、非選択期間に0V、選択期間
直前の直流成分を補正する電圧を切り換えて、走査電極
波形を出力する。一方信号電極には、信号電極データ信
号117を信号電極シフトクロック118でシフトレジ
スタ114に転送して、一走査線分のデータを転送した
らラッチ信号119でラッチ116し、その出力でトラ
ンスミッションゲート111を切り換えて、オン又はオ
フ(b又はcの波形)を出力する。V、−V、−V
、±Vは、走査電極及び信号電極の駆動電圧であ
る。 【0084】第29図は、第28図に示した回路の信号
波形を示したタイミングチャート図である。 【0085】比較例9 第30図に、第2図のに示すようなオン、オフ状態にす
るための走査電極Xおよび信号電極Yに印加される
駆動波形と、画素(X)の光透過特性を示す。な
お、光透過特性の変化をわかりやすくするために、次の
フレーム周期t23ではオン、オフ状態を反転させた。 【0086】第30図において、t11〜t25はいず
れも第27図と同じことを示す。 【0087】波高値V、V、V、V、V、V
、Vは、それぞれ12V、10V、8V、6V、4
V、2V、0Vである。Vmは信号電極に印加される電
圧パルスの中間電位を示し、この場合は5Vである。 【0088】比較例8と異なるのは、走査電極に印加さ
れる電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことにある。特に、本比較例
は、信号電極に印加される4レベルの電圧レベルのう
ち、1つの電圧レベルを、選択期間にて走査電極に印加
される電圧レベルと同じにしている。 【0089】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、V、Vの順に、非選択期間t12(t
22)は、V 、Vの順に印加し、t15(t25
の期間は、補正用パルスとしてVを印加する。信号電
極Yには、画素をオンさせたい場合は、V、V
順に、オフさせたい場合は、V、Vの順に印加す
る。この時各画素には、オンの場合は、飽和値以上のパ
ルス(V−V)が印加された後、しきい値より小さ
いパルス(V−V)が印加され、オフの場合はいず
れも飽和値以上のパルス(V−V)および(V
)が図のような順に印加される。また非選択期間t
12(t22)は、オン、オフパターンによって(V
−V)および(V−V)が200μsecまたは
400μsecのパルス幅で印加されるが、フレーム周
期の最後の期間t15(t25)のみは、補正用パルス
が加えられるため、(V−V)または(V
)すなわち−4Vまたは0Vが印加される。 【0090】本比較例も、比較例8と同様、選択期間に
印加される正および負のパルスの波高値の差分をt15
(t25)の期間で補正し、1フレーム周期内に印加さ
れる電圧の平均値を零にしている。 【0091】本比較例の駆動方法も、比較例8と同様、
液晶シャッターなどに応用する場合、有効な駆動方法で
あり、比較例8と同様のコントラスト比が得られた。 【0092】第31図は、第30図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。の
信号により、トランスミッションゲート111を選択
し、の走査電極テータでの選択時走査電極波形及び
の非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形を作
る。一方信号電極波形は、の信号によりトランスミッ
ションゲート111を選択しの信号電極データでの
オン波形、のオフ波形を選択し、信号電極波形を作
り、液晶素子113に印加される。又、V、V、V
、V、V、V、Vは走査電極及び信号電極の
電源電圧である。第32図は、第31図に示した回路の
各点における信号である。 【0093】比較例10 第33図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極X上の各画素に印加される駆動
波形と、光透過特性を示す。なお、光透過特性の変化を
わかりやすくするために、次のフレーム周期t23
は、オン、オフ状態を反転させた。 【0094】第33図において、t11〜t25は、い
ずれも第27図と同じことを示しており、波高値V
8V、Vは6V、VおよびVは2Vである。 【0095】比較例8および比較例9と異なるのは、コ
ントラスト比を向上させるために、非選択期間に印加さ
れるパルスのパルス幅が、液晶をオン、オフさせるため
に印加される飽和値以上のパルスよりも大きくならない
ようにした点にある。 【0096】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、+V、−Vの順に、非選択期間t
12(t21)は0Vを印加し、t15(t25)の期
間は補正用パルスとして−Vを印加する。信号電極Y
、Y、Yには、画素をオンさせたい場合は0V、
オフさせたい場合は±Vを負、正の順に印加する。こ
の時各画素には、オンの場合は、飽和値以上のパルス+
が印加された後、しきい値より小さいパルス−V
が印加され、オフの場合はいずれも飽和値以上のパルス
が(+V+V)、(−V−V)の順に印加され
る。また非選択期間t12(t22)は、オン、オフパ
ターンによって、パルス幅200μsecのパルス±V
もしくは0Vが印加されるが、フレーム周期の最後の
期間t15(t25)のみは、補正用パルス−Vが加
えられるため、(−V−V)もしくは−Vが印加
される。本比較例でも、選択期間の最初に画素をオンさ
せる正の極性の飽和値以上の第1のパルスを印加した
後、それと逆極性でかつ波高値の異なる第2のパルスを
印加し、この第2のパルスをしきい値以下とするか、飽
和値以上とするかでオン、オフを選択している。この
時、オン、オフにかかわりなく、第1のパルスの波高値
と第2のパルスの波高値の差を等しくしておき、この差
分をt15(t25)の期間で補正してやることによ
り、1フレーム周期内に印加される電圧の平均値を零に
している。 【0097】なお、本比較例では補正用パルスのパルス
幅、前記第1のパルスおよび第2のパルスのパルス幅を
等しくしているが、必ずしもこれに限られるものではな
く、|V・t|−|V・t|=|V・t
(ただし、t1、、tはそれぞれのパルスのパル
ス幅を示す。)を満足するように、各パルスの波高値お
よびパルス幅を設定してやれば良い。 【0098】本比較例の駆動方法も、比較例8および
較例9と同様に比較例1〜3の駆動方法に比べて選択期
間の時間を半分にすることができるため、より高速の駆
動を必要とする場合や走査電極を多くする場合に有効な
駆動方法である。また比較例4〜7の駆動方法のよう
に、非選択期間に画素がオン、オフすることがないた
め、ごく短時間での光の透過量の変化でも品質上問題と
なるような液晶シャッターなどに応用する場合、有効な
駆動方法である。 【0099】本比較例の場合は、画素(X)で2
4:1、(X)で23:1、(X)で2
3:1のコントラスト比が得られた。また本比較例の場
合も、補正用パルスを印加するタイミングは、選択期間
の直前に限定されない。 【0100】第34図は、第33図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。走査
電極には、走査電極データ信号121を、走査電極シフ
トクロック信号120でシフトレジスタ115に転送
し、選択期間にdの波形、非選択期間に0V、選択期間
直前の直流成分を補正する電圧を切り換えて、走査電極
波形を出力する。一方信号電極には、信号電極データ信
号117を信号電極シフトクロック118でシフトレジ
スタ114に転送して、一走査線分のデータを転送した
らラッチ信号119でラッチ116し、その出力でトラ
ンスミッションゲート111を切り換えて、オン又はオ
フ(b又はcの波形)を出力する。V、−V、−V
、±Vは、走査電極及び信号電極の駆動電圧であ
る。 【0101】第35図は、第34図に示した回路の信号
波形を示したタイミングチャート図である。 【0102】比較例11 第36図は、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Xおよび信号電極Yに印加さ
れる駆動波形と、画素(X)の光透過特性を示
す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするため
に、次のフレーム周期t23ではオン、オフ状態を反転
させた。 【0103】第36図において、t11〜t25はいず
れも第27図と同じことを示す。 【0104】波高値V、V、V、V、V、V
は、それぞれ10V、8V、6V、4V、2V、0V
である。Vmは信号電極に印加される電圧パルスの中間
電位を示し、この場合は4Vである。 【0105】比較例10と異なるのは、走査電極に印加
される電圧を低下させるために、走査電極と信号電極の
電圧レベルを共通化したことにある。特に、本比較例
は、信号電極に印加される4レベルの電圧レベルのう
ち、1つの電圧レベルを、選択期間にて走査電極に印加
される電圧レベルと同じにしている。さらに、本実施例
では、信号電極に印加される4レベルの電圧レベルのう
ち、他の2つの電圧レベルを、非選択期間にて走査電極
に印加される電圧レベルと同じにしている。 【0106】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は、V、Vの順に、非選択期間t12(t
22)は、V、Vの順に印加し、t15(t25
の期間は、補正用パルスとしてVを印加する。信号電
極Yには、画素をオンさせたい場合はV、Vの順
に、オフさせたい場合は、V、Vの順に印加する。
この時各画素には、オンの場合は、飽和値以上のパルス
(V−V)が印加された後、しきい値より小さいパ
ルス(V−V)が印加され、オフの場合はいずれも
飽和値以上のパルス(V−V)および(V
)が、図のような順に印加される。また非選択期間
12(t22)は、オン、オフパターンによって、
(V−V)および(V−V)もしくは0Vが印
加されるが、フレーム周期の最後の期間t
15(t25)のみは、補正用パルスVが加えられる
ため、(V−V)もしくは(V−V)が印加さ
れる。 【0107】本比較例も、比較例10と同様、選択期間
に印加される正および負のパルスの波高値の差分をt
15(t25)の期間で補正し、1フレーム周期内に印
加される電圧の平均値を零にしている。 【0108】本比較例の駆動方法も、比較例10と同
様、液晶シャッターなどに応用する場合、有効な駆動方
法であり、比較例10と同様のコントラスト比が得られ
た。 【0109】第37図は、第36図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例を示すブロック図である。の
信号により、トランスミッションゲート111を選択
し、の走査電極データでの選択時走査電極波形及び
の非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形を作
る。一方信号電極波形は、の信号によりトランスミッ
ションゲート111を選択しの信号電極データでの
オン波形、のオフ波形を選択し、信号電極波形を作
り、液晶素子113に印加される。又、V、V、V
、V、V、Vは走査電極及び信号電極の電源電
圧である。第38図は、第37図に示した回路の各点に
おける信号である。 【0110】比較例12 第39図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Xおよび信号電極Yに印加さ
れる駆動波形と、画素(X)の光透過特性を示
す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするため
に、次のフレーム周期t23ではオン、オフ状態を反転
させた。 【0111】第39図において、t13は最初のフレー
ム周期、t23は次のフレーム周期を示し、t11およ
びt21は選択期間、t12およびt22は非選択期間
を示す。また、t14は200μsecのパルス幅を示
す。 【0112】波高値Vは30V、Vは12Vであ
る。 【0113】本比較例の特徴は、非選択期間に周波数1
0KHzという、高周波の交流パルスを印加して液晶素
子のメモリ性を改善することにより、コントラスト比を
向上させたことにある。 【0114】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は0Vを、非選択期間t12(t22)は、±V
の交流パルスを印加し、信号電極Yには±Vを、
画素をオンさせたい場合は正、負の順に、オフさせたい
場合は負、正の順に印加する。 【0115】この時、画素(X)に印加されるパ
ルスは、オンの場合は±Vが負、正の順に、オフの場
合は正、負の順に印加され、非選択期間には、正の波高
値が(+V+V)で負の波高値が(−V+V
の交流パルスと正の波高値が(+V−V2)で負の波
高値が(−V+V)の交流パルスとがt14の期間
ずつ交互に印加される。選択期間に印加されるパルス
は、いずれも飽和値以上であるか、最後に印加されたパ
ルスの極性によってオン、オフが選択される。また非選
択期間に印加される交流パルスは、波高値は非常に大き
い値となっているが、パルス幅が50μsecと非常に
小さいため、液晶素子は応答せず、逆にメモりー性が改
善されて、コントラスト比が向上する。本比較例では4
0:1というきわめてすぐれたコントラスト比が得られ
た。 【0116】また、液晶素子に印加される電圧パルスの
平均値は零であり、液晶素子の劣化を生ずることもなか
った。 【0117】第40図は、第39図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例の回路ブロック図である。、
の信号により、トランスミッションゲート111を選
択し、の走査電極データで、0Vの選択時走査電極波
形及びの非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波
形を作る。一方信号電極波形はの信号によりトランス
ミッションゲート111を選択しの信号電極データで
のオン波形、のオフ波形を選択し、信号電極波形を
作り、液晶素子113に印加される。±V、±V
0Vは走査電極及び信号電極の電源電圧である。第41
図は、第40図に示した回路の各点における信号であ
る。 【0118】比較例13 第42図に、第2図(b)に示すようなオン、オフ状態
にするための走査電極Xおよび信号電極Yに印加さ
れる駆動波形と、画素(X)の光透過特性を示
す。なお、光透過特性の変化をわかりやすくするため
に、次のフレーム周期t23ではオン、オフ状態を反転
させた。 【0119】第42図において、t13は最初のフレー
ム周期、t23は次のフレーム周期を示し、t11およ
びt21は選択期間、t12およびt22は非選択期間
を示す。 【0120】また、t14は200μsecのパルス幅
を示す。 【0121】比較例12と異なるのは、選択期間t11
(t21)に印加される正、負のパルスの波高値の差分
を、非選択期間t12(t22)に印加される高周波の
交流パルスで補正する点にあり、そのため、この交流パ
ルスの波高値VおよびVは、|V・t14|−|
・t14|=1/2(|V・t12|−|V
12|)を満足するように設定される。本比較例の場
合、t12=10t14となるので、波高値V
、V、Vをそれぞれ30V、10V、20V、
28Vとした。また、Vは5Vである。 【0122】走査電極Xには、選択期間t11(t
21)は−VおよびVが負、正の順に、非選択期間
12(t22)は、正の波高値がV、負の波高値が
で周波数10KHzの交流パルスを印加し、信号電
極Yには、±Vを、画素をオンさせたい場合は正、
負の順にオフさせたい場合は負、正の順に印加する。こ
の時、画素(X)には、オンの場合は飽和値以上
の(−V−V)および(+V+V)が印加さ
れ、オフの場合は飽和値以上の負のパルス(−V+V
)およびしきい値より小さい(+V−V)が印加
される。また、非選択期間には、正の波高値が(+V
+V)で負の波高値が(−V+V)の交流パルス
と正の波高値が(+V−V)で負の波高値が(−V
−V)の交流パルスとがt14の期間ずつ交互に印
加される。選択期間に印加される正および負のパルスの
波高値の差は、オン、オフにかかわらず(V−V
であり、その差分は非選択期間に印加される交流パルス
によって補正され、液晶素子に印加される電圧パルスの
平均値は零となる。本比較例においても、液晶素子のメ
モリー性が改善され、比較例12と同様のすぐれたコン
トラスト比が得られた。 【0123】第43図は、第42図に示す駆動波形を実
現する具体的回路の一例の回路ブロック図である。、
の信号により、トランスミッションゲート111を選
択し、の走査電極データで、の選択時走査電極波形
及びの非選択時走査電極波形を選択し、走査電極波形
を作る。一方信号電極波形は、の信号によりトランス
ミッツョンゲート111を選択しの信号電極データで
のオン波形、のオフ波形を選択し、信号電極波形を
作り、液晶素子113に印加される。V、V、−V
、−V、±Vは走査電極及び信号電極の電源電圧
である。 【0124】第44図は、第43図に示した回路の各点
における信号である。 【0125】比較例14 第45図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第6図は、この回路で
作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回
路の一例を示す図である。451はフレーム信号、45
2は極性切り換え信号であり、これらの信号により、ト
ランスミッションゲート111をスイッチングして
、V、−V、−Vの電圧を切り換え、走査電
極の選択波形453を作る。また、V、−Vの電圧
を切り換えて信号電極のオン波形454およびオフ波形
455を作る。第46図に、これらの信号波形のタイミ
ングチャートを示す。 【0126】これらの信号波形を第6図に示す駆動回路
に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波形
を作る。すなわち、選択波形453を8101および8
102に、非選択波形として0Vを8103に、オン波
形454を8105に、オフ波形455を8104にそ
れぞれ印加する。 【0127】第6図において、121は走査電極データ
で、これを走査電極シフトクロック120によって走査
電極側シフトレジスタ115に転送し、一走査電極ずつ
順次選択信号を出力してトランスミッションゲート11
1をスイッチングし、走査電極駆動波形を8107に印
加する。また117は信号電極データで、これを信号電
極シフトクロック118によって信号電極側シフトレジ
スタ114に転送し、一走査電極分のデータを転送した
らラッチ信号119によりラッチ回路116にラッチす
る。このラッチ回路116の出力によりトランスミッシ
ョンゲート111をスイッチングし、オン波形454お
よびオフ波形455を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。 【0128】第46図に、第6図に示す走査電極810
9および信号電極8110に印加される駆動波形と画素
8111に印加される合成波形および光透過特性を示
す。t13、t23、t33およびt43は、それぞれ
1フレーム周期、t11、t21、t31およびt41
は、それぞれ選択期間、t21、t22、t32および
42はそれぞれ非選択期間を示す。またt14、t
15、t24、t25、t34、t35、t44および
45は、パルス幅を示し、本比較例の場合は、いずれ
も200μsecである。 【0129】また、波高値VおよびVは10V、V
およびVは8V、VおよびVは2Vである。 【0130】走査電極Xには、第46図461に示す
ように、選択期間t11(t21、t31、t41
は、1フレームごとに交互に、第1の選択波形として+
および−Vが負、正の順に、また第2の選択波形
として+Vおよび−Vが正、負の順に印加され、非
選択期間t12(t22、t32、t42)は、0Vが
印加される。また、信号電極Yには、第46図462
に示すように、画素をオンさせたい場合は+Vおよび
−Vが正、負の順に、オフさせたい場合は+Vおよ
び−Vが負、正の順に印加される。 【0131】この時画素(X)に印加される合成
波形は、第46図463に示すように、走査電極X
第1の選択波形が印加されたフレームでは、オンの場合
は(−V−V)および(V+V)が負、正の順
に、オフの場合は(−V+V)および(V
)が負、正の順に印加され、第2の選択波形が印加
されたフレームでは、オンの場合は(V−V)およ
び(−V+V)が正、負の順に、オフの場合は(V
+V)および(−V−V)が正、負の順に印加
される。また非選択期間は−Vおよび+Vが印加さ
れる。 【0132】本比較例の駆動方法は、選択期間の最初に
正または負の飽和値以上のパルスを印加してオンまたは
オフ状態とし、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以
上のパルスとしてオン、オフ状態を反転させるか、逆極
性のしきい値より小さいパルスとしてそのまま保持させ
るかでオン、オフを選択している。また、第1の選択波
形が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルス
との波高値の差が(V−V)すなわち−2Vとなっ
ているが、第2の選択波形が印加されたフレームでは、
(V−V)すなわち+2Vとなっていて、互いに相
殺される。すなわち、本比較例では2フレームごとに画
素に印加される電圧パルスの平均値を零にして液晶素子
の劣化を防止しているものである。なお、画素8111
の光透過特性を第46図464に示す。 【0133】比較例15 第47図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第6図は、この回路で
作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回
路の一例を示す図である。471はフレーム信号、47
2は極性切り換え信号であり、これらの信号により、ト
ランスミッションゲート111をスイッチングして
、−V、−V、−Vの電圧を切り換え、走査
電極の選択波形473を作り、−V、−Vの電圧を
切り換えて走査電極の非選択波形474を作る。また、
−V、−V、−V、−Vの電圧を切り換えて信
号電極のオン波形475およびオフ波形476を作る。
第48図に、これらの信号波形のタイミングチャートを
示す。 【0134】これらの信号波形を第6図に示す駆動回路
に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波形
を作る。すなわち、選択波形473を8101および8
102に、非選択波形474を8103に、オン波形4
75を8105に、オフ波形476を8104にそれぞ
れ印加する。 【0135】第6図において、121は走査電極データ
でこれを走査電極シフトクロック120によって走査電
極側シフトレジスタ115に転送し、一走査電極ずつ順
次選択信号を出力してトランスミッションゲート111
をスイッチングし、走査電極駆動波形を8107に印加
する。また117は信号電極データで、これを信号電極
シフトクロック118によって信号電極側シフトレジス
タ114に転送し、一走査電極分のデータを転送したら
ラッチ信号119によりラッチ回路116にラッチす
る。このラッチ回路116の出力によりトランスミッシ
ョンゲート111をスイッチングし、オン波形475お
よびオフ波形476を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。 【0136】第49図に、第6図に示す走査電極810
9および信号電極8110に印加される駆動波形と画素
8111に印加される合成波形および光透過特性を示
す。t13、t23、t33およびt43は、それぞれ
1フレーム周期、t11、t 、t31およびt41
は、それぞれ選択期間、t12、t22、t32および
42はそれぞれ非選択期間を示す。 【0137】波高値Vは0V、Vは2V、Vは4
V、Vは6V、Vは8V、Vは10V、Vは1
2V、Vは14Vである。また、−Vmは信号電極に
印加する電圧パルスの中間電位を示し、この場合は−7
Vである。 【0138】比較例14と異なるのは、走査電極に印加
する電圧を低くするために、走査電極と信号電極の電圧
レベルを共通化したことと、信号電極のオンおよびオフ
波形を走査電極に印加する選択波形によって変えた点で
ある。特に、本実施例では、信号電極に印加される4レ
ベルの電圧レベルのうち、1つの電圧レベルを、選択期
間にて走査電極に印加される電圧レベルと同じにしてい
る。 【0139】すなわち走査電極8109には、第49図
491に示すように、選択期間t11(t21
31、t41)は、1フレームごとに交互に、第1の
選択波形として−Vおよび−Vが−V、−V
順に、また第2の選択波形としてVおよび−VがV
、−Vの順に印加され、非選択期間t
12(t22、t32、t42)は、第1の選択波形が
印加されたフレームでは−Vおよび−Vが−V
−Vの順に、また第2の選択波形が印加されたフレー
ムでは−V、−Vの順に印加される。 【0140】信号電極8110には、第49図492に
示すように、第1の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形として−Vおよび−Vが−V、−V
の順に印加され、オフ波形として−Vおよび−V
が−V、−Vの順に印加される。また第2の選択波
形が印加されたフレームでは、オン波形として−V
よび−Vが−V、−Vの順に印加され、オフ波形
として−Vおよび−Vが−V、−Vの順に印加
される。 【0141】この時画素8111に印加される合成波形
は、第49図493に示すように、走査電極に第1の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合は(−V
+V)および(−V+V)が負、正の順に、オ
フの場合は(−V+V)および(−V+V)が
負、正の順に印加され、第2の選択波形が印加されたフ
レームでは、オンの場合は(V+V)および(−V
+V)が正、負の順に、オフの場合は(V
)および(−V+V)が正・負の順に印加され
る。また非選択期間は、(−V+V)および(−V
+V)もしくは(−V+V)および(−V
)が印加される。 【0142】本比較例の駆動方法も、選択期間の最初に
正または負の飽和値以上のパルスを印加してオンまたは
オフ状態とし、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以
上のパルスとしてオン、オフ状態を反転させるか、逆極
性のしきい値より小さいパルスとしてそのまま保持させ
るかでオン、オフを選択している。また、第1の選択波
形が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルス
との波高値の差が(V−V)もしくは(V+V
−V−V)すなわち−2Vとなっているが、第2の
選択波形が印加されたフレームでは、Vもしくは(V
+V−V)すなわち+2Vとなつていて、互いに
相殺される。すなわち、本実施例でも2フレームごとに
画素に印加される電圧パルスの平均値を零にして液晶素
子の劣化を防止しているものである。なお、画素811
1の光透過特性を第49図494に示す。 【0143】比較例16 第50図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第6図は、この回路で
作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回
路の一例を示す図である。 【0144】501はフレーム信号、502は極性切り
換え信号であり、これらの信号により、トランスミッン
ョンゲート111をスイッチングしてV、V、−V
、−Vの電圧を切り換え、走査電極の選択波形50
3を作る。また、V、−V、0Vの電圧を切り換え
て信号電極のオン波形504およびオフ波形505を作
る。第51図に、これらの信号波形のタイミングチャー
トを示す。 【0145】これらの信号波形を第6図に示す駆動回路
に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波形
を作る。すなわち、選択波形503を8101および8
102に、非選択波形として0Vを8103に、オン波
形504を8105に、オフ波形505を8104にそ
れぞれ印加する。 【0146】第6図において、121は走査電極データ
で、これを走査電極シフトクロック120によって走査
電極側シフトレジスタ115に転送し、一走査電極ずつ
順次選択信号を出力してトランスミッションゲート11
1をスイッチングし、走査電極駆動波形を8107に印
加する。また117は信号電極データで、これを信号電
極シフトクロック118によって信号電極側シフトレジ
スタ114に転送し、一走査電極分のデータを転送した
らラッチ信号119によりラッチ回路116にラッチす
る。このラッチ回路116の出力によりトランスミッシ
ョンゲート111をスイツチングし、オン波形504お
よびオフ波形505を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。 【0147】第51図に、第6図に示す走査電極810
9および信号電極8110に印加される駆動波形と画素
8111に印加される合成波形および光透過特性を示
す。t13、t23、t33およびt43それぞれ1フ
レーム周期、t11、t21、t31およびt41は、
それぞれ選択期間、t12、t22、t32およびt
42はそれぞれ非選択期間を示す。また、t14、t
15、t24、t25、t34、35、t44および
45は、パルス幅を示し、本比較例の場合は、いずれ
も200μsecである。 【0148】波高値VおよびVは8V、Vおよび
は6V、VおよびVは2Vである。 【0149】走査電極8109には、第51図511に
示すように、選択期間t11(t 、t31
41)は、1フレームごとに交互に、第1の選択波形
としてVおよび−Vが負、正の順に、また第2の選
択波形としてVおよび−Vが正、負の順に印加さ
れ、非選択期間t12(t22、t32、t42)は、
0Vが印加される。 【0150】信号電極8110には、第51図512に
示すように、第1の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形としてVおよび−Vが正、負の順に印
加され、オフ波形として0Vが印加される。 【0151】また、第2の選択波形が印加されたフレー
ムでは、オン波形として0Vが印加され、オフ波形とし
てVおよび−Vが負、正の順に印加される。 【0152】この時画素8111に印加される合成波形
は、第51図513に示すように、走査電極に第1の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合は(−V
−V)および(V+V)が負、正の順に、オフ
の場合は−VおよびVが負、正の順に印加され、第
2の選択波形が印加されたフレームでは、オンの場合は
および−Vが正、負の順に、オフの場合は(V
+V)および(−V−V)が正、負の順に印加さ
れる。 【0153】また非選択期間は、0VもしくはVおよ
び−Vが印加される。 【0154】本比較例の駆動方法も、選択期間の最初に
正または負の飽和値以上のパルスを印加してオンまたは
オフ状態とし、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以
上のパルスとしてオン、オフ状態を反転させるか、逆極
性のしきい値より小さいパルスとしてそのまま保持させ
るかでオン、オフを選択している。また、第1の選択波
形が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルス
との波高値の差が(V−V)すなわち−2Vとなつ
ているが、第2の選択波形が印加されたフレームでは、
(V−V)すなわち+2Vとなっていて、互いに相
殺される。すなわち、本比較例でも2フレームごとに画
素に印加される電圧パルスの平均値を零にして液晶素子
の劣化を防止しているものである。なお、画素8111
の光透過特性を第51図514に示す。 【0155】実施例1 第52図は、本実施例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第6図は、この回路で
作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回
路の一例を示す図である。521はフレーム信号、52
2は極性切り換え信号であり、これらの信号により、ト
ランスミッションゲート111をスイッチンクして
、−V、−V、−Vの電圧を切り換え、走査
電極の選択波形523を作り、−V、−Vの電圧を
切り換えて走査電極の非選択波形524を作る。また、
−V、−V、−V、−Vの電圧を切り換えて信
号電極のオン波形525およびオフ波形526を作る。
第53図に、これらの信号波形のタイミングチャートを
示す。 【0156】これらの信号波形を第6図に示す駆動回路
に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波形
を作る。すなわち、選択波形523を8101および8
102に、非選択波形524を8103に、オン波形5
25を8105に、オフ波形526を8104にそれぞ
れ印加する。 【0157】第6図において、121は走査電極データ
でこれを走査電極シフトクロック120によって走査電
極側シフトレジスタ115に転送し、一走査電極ずつ順
次選択信号を出力してトランスミッションゲート111
をスイッチングし、走査電極駆動波形を8107に印加
する。また117は信号電極テータで、これを信号電極
シフトクロック118によって信号電極側シフトレジス
タ114に転送し、一走査電極分のデータを転送したら
ラッチ信号119によりラッチ回路116にラッチす
る。このラッチ回路116の出力によりトランスミッシ
ョンゲート111をスイッチングし、オン波形525お
よびオフ波形526を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。 【0158】第54図に、第6図に示す走査電極810
9および信号電極8110に印加される駆動波形と、画
素8111に印加される合成波形および光透過特性を示
す。 【0159】t13、t23、t33およびt43は、
それぞれ1フレーム周期、t11、t21、t31およ
びt41は、それぞれ選択期間、t12、t22、t
33およびt42はそれぞれ非選択期間を示す。またt
14、t15、t24、t25、t34、t35、t
44およびt45は、パルス幅を示し、本実施例の場合
は、いずれも200μsecである。 【0160】波高値Vは0V、Vは2V、Vは4
V、Vは8V、Vは10V、Vは12Vである。
また、Vmは信号電極に印加される電圧パルスの中間電
位を示し、この場合は6Vである。 【0161】比較例16と異なるのは、走査電極に印加
する電圧を低くするために、走査電極と信号電極の電圧
レベルを共通化したことにある。特に、本実施例では、
信号電極に印加される4レベルの電圧レベルのうち、1
つの電圧レベルを、選択期間にて走査電極に印加される
電圧レベルと同じにしている。さらに、本実施例では、
信号電極に印加される4レベルの電圧レベルのうち、他
の2つの電圧レベルを、非選択期間にて走査電極に印加
される電圧レベルと同じにしている。 【0162】走査電極8109には、第54図541に
示すように、選択期間t11(t21、t31
41)は、1フレームごとに交互に、第1の選択波形
として−Vおよび−Vが−V、−Vの順に、ま
た第2の選択波形としてVおよび−VがV、−V
の順に印加され、非選択期間t12(t22
32、t42)は、第1の選択波形が印加されたフレ
ームでは−Vおよび−Vが−V、−Vの順に印
加され、また第2の選択波形が印加されたフレームでは
−V、−Vの順に印加される。 【0163】信号電極8110には、第54図542に
示すように、第1の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形として−Vおよび−Vが−V、−V
の順に、オフ波形として−Vおよび−Vが−
、−Vの順に印加され、また第2の選択波形が印
加されたフレームでは、オン波形として−Vおよび−
か−V、−Vの順に、オフ波形として−V
よび−Vが−V、−Vの順に印加される。 【0164】この時画素8111に印加される合成波形
は、第54図543に示すように、走査電極に第1の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合は(−V
+V)および(−V+V)が負、正の順に、オ
フの場合は、(−V+V)および(−V+V
が負、正の順に印加され、第2の選択波形が印加された
フレームでは、オンの場合は(−V+V)および
(−V+V)が正、負の順に、オフの場合は(V
+V)および(−V+V)が正、負の順に印加さ
れる。 【0165】また非選択期間は、0Vもしくは(−V
+V)および(−V+V)が印加される。 【0166】本実施例の駆動方法も、選択期間の最初に
正または負の飽和値以上のパルスを印加してオンまたは
オフ状態とし、次に印加するパルスを逆極性の飽和値以
上のパルスとしてオン、オフ状態を反転させるか、逆極
性のしきい値より小さいパルスとしてそのまま保持させ
るかでオン、オフを選択している。また、第1の選択波
形が印加されたフレームでは、正のパルスと負のパルス
との波高値の差が(V−V)もしくは(V
)すなわち−2Vとなっているが、第2の選択波形
が印加されたフレームでは、(V−V)もしくはV
すなわち+2Vとなっていて、互いに相殺される。す
なわち、本実施例でも2フレームごとに画素に印加され
る電圧パルスの平均値を零にして液晶素子の劣化を防止
しているものである。なお、画素8111の光透過特性
を第54図544に示す。 【0167】比較例17 第55図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図であり、第6図は、この回路で
作られた駆動波形を、液晶素子に印加するための駆動回
路の一例を示す図である。551はフレーム信号、55
2は極性切り換え信号、553は書き込みパルス切り換
え信号であり、これらの信号により、トランスミッショ
ンゲート111をスイッチングしてV、V、V
−V、−V、−Vの電圧を切り換え、走査電極の
選択波形554を作る。また、V、−V、0Vの電
圧を切り換えて信号電極のオン波形555およびオフ波
形556を作る。第56図に、これらの信号波形のタイ
ミングチャートを示す。これらの信号波形を第6図に示
す駆動回路に印加し、走査電極および信号電極に印加す
る駆動波形を作る。すなわち、選択波形554を810
1および8102に、非選択波形としてOVを8103
に、オン波形555を8105に、オフ波形556を8
104にそれぞれ印加する。 【0168】第6図において、121は走査電極データ
で、これを走査電極シフトクロック120によつて走査
電極側シフトレジスタ115に転送し、一走査電極ずつ
順次選択信号を出力してトランスミッションゲート11
1をスイッチングし、走査電極駆動波形を8107に印
加する。また117は信号電極データで、これを信号電
極シフトクロック118によって信号電極側シフトレジ
スタ114に転送し、一走査電極分のデータを転送した
らラッチ信号119によりラッチ回路116にラッチす
る。このラッチ回路116の出力によりトランスミッシ
ョンゲート111をスイッチングし、オン波形555お
よびオフ波形556を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。 【0169】第56図に、第6図に示す走査電極810
9および信号電極8110に印加される駆動波形と、画
素8111に印加される合成波形および光透過特性を示
す。 【0170】t13、t23、t33、およびt
43は、それぞれ1フレーム周期、t11、t21、t
31およびt41は、それぞれ選択期間、t12、t
22、t32およびt42はそれぞれ非選択期間を示
す。またt14、t15、t24、t 、t34、t
35、t44およびt45は、パルス幅を示し、本比較
の場合は、いずれも200μsecである。また、書
き込みパルス切り換え信号のパルス幅(以下t/4と言
う)は、前記パルス幅の1/4すなわち50μsecで
ある。 【0171】波高値VおよびVは9V、Vおよび
は6V、VおよびVは11V、VおよびV
は3Vである。 【0172】本比較例では、駆動波形に書き込みパルス
切り換え信号を重畳させて、非選択期間に画素に印加さ
れるパルスのパルス幅を小さくし、光透過特性への影響
をより小さくしている。 【0173】走査電極8109には、第56図561に
示すように、選択期間t11(t21、t31
41)は、1フレームごとに交互に、第1の選択波形
として−VおよびVに書き込みパルス切り換え信号
が重畳されたパルスが負、正の順に、第2の選択波形と
してV1および−Vに書き込みパルス切り換え信号が
重畳されたパルスが正、負の順に印加され、非選択期間
12(t22、t32、t42)は0Vが印加され
る。 【0174】信号電極8110には、第56図562に
示すように、オン波形として、まずt/4のパルス幅で
0VおよびVが交互に2個ずつ印加された後、同じパ
ルス幅で−Vおよび0Vが交互に2個ずつ印加され
る。またオフ波形としてオン波形と逆位相のパルスが印
加される。 【0175】この時画素8111に印加される合成波形
は、第56図563に示すように、走査電極に第1の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合−V
一部−Vが重畳されたパルスおよび(V+V)=
V1が印加され、オフの場合−Vに一部Vが重畳さ
れたパルスおよび(V−V)=Vが印加される。
また第2の選択波形が印加されたフレームでは、オンの
場合Vに一部−Vが重畳されたパルスおよび(−V
+V)=−Vが印加され、オフの場合はVに一
部Vが重畳されたパルスおよび(−V−V)=−
が印加される。 【0176】非選択期間は、0V、Vおよび−V
t/4のパルス幅で印加される。 【0177】本比較例では、選択期間の最初に印加され
る、Vまたは−Vに一部±Vもしくは±V8が重
畳されたパルスは、いずれも飽和値以上であるため、画
素はいったんオンまたはオフ状態となり、次に印加され
る最初のパルスと逆極性のパルスが飽和値以上かしきい
値より小さいかで、オン、オフ状態を反転させるか、そ
のまま保持させるかでオン、オフを選択している。ま
た、第1の選択波形が印加されたフレームでは、正のパ
ルスと負のパルスとの差が(−V+V/2−V
=(V−V/2−V)、すなわち−3.5Vとな
っているが、第2の選択波形が印加されたフレームで
は、(V−V/2−V)=(V+V/2−V
)すなわち+3.5Vとなって互いに相殺される。す
なわち本比較例でも、2フレームごとに画素に印加され
る電圧パルスの平均値を零にして液晶素子の劣化を防止
しているものである。なお、画素8111の光透過特性
を第56図564に示す。 【0178】また本比較例では、駆動波形に重畳するパ
ルスのパルス幅をt/4としたが、本発明はこれに限ら
れるものではなく、よりパルス幅を小さくして重畳パル
スの個数を増やしても良い。 【0179】 【0180】 【0181】 【0182】 【0183】 【0184】 【0185】 【0186】 【0187】 【0188】 【0189】 【0190】 【0191】なお、これまで説明した実施例および比較
では、強誘電性液晶TDOBAMBCCのしきい値特
性に合わせて各電圧レベルを設定したが、もちろん本発
明はこれに限定されるものではなく、各電圧レベルは使
用する強誘電性液晶のしきい値特性に応じて適切な値を
設定すれば良い。 【0192】比較例18 第7図(a)および(b)は、印加電圧パルスの波形と
光透過特性との関係を示す図である。強誘電液晶のしき
い値および飽和値電圧は、パルス幅によって変化するこ
とは先に述べたが、我々は印加するパルスによっても変
化することを見出した。すなわち第7図の824に実線
で示したように、第7図の821に示すような波形のパ
ルスを印加した場合は、正負のしきい値がVth11
よびVth12、飽和値がVsat11およびVsat
12であるが、第7図(b)822に示すようなパルス
を印加すると、第7図(a)825に点線で示したよう
に、正負のしきい値がVth21およびVth22、飽
和値がVsat21およびVsat22と、821の波
形を印加した時より絶対値が大きくなり、823に示す
ような波形のパルスを印加すると、826に一点鎖線で
示したように、正負のしきい値がVthおよびVth
、飽和値がVsatおよびVsatと絶対値が小
さくなる。 【0193】特に、Vth21>Vsat11および|
Vth22|>|Vsat12|であるため、821の
波形のパルスを印加した時には飽和値以上となる電圧レ
ベルであっても、822の波形のパルスを印加した時に
は、しきい値よりも小さくなり、液晶素子は応答しな
い。したがって、同じ電圧レベルで応答、非応答を制御
することが可能となる。本比較例は、このような強誘電
性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法である。 【0194】第60図は、本比較例における駆動波形を
実現する具体的回路を示すブロック図であり、第6図
は、この回路で作られた駆動波形を、液晶素子に印加す
るための駆動回路の一例を示す図である。601はフレ
ーム信号、602は極性切り換え信号であり、これらの
信号により、トランスミッションゲート111をスイッ
チングしてV、V、−V、−Vの電圧を切り換
え、走査電極の選択波形604を作る。また極性切り換
え信号602とクロックパルス603とにより、0V、
、−Vの電圧を切り換えて信号電極のオン波形6
05およびオフ波形606を作る。第61図に、これら
の信号波形のタイミングチャートを示す。 【0195】これらの信号波形を第6図に示す駆動回路
に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波形
を作る。すなわち、選択波形604を8101および8
102に、非選択波形として0Vを8103に、オン波
形605を8105に、オフ波形606を8104にそ
れぞれ印加する。 【0196】第6図において、121は走査電極データ
で、これを走査電極シフトクロック120によって走査
電極側シフトレジスタ115に転送し、一走査電極ずつ
順次選択信号を出力してトランスミッションゲート11
1をスイッチングし、走査電極駆動波形を8107に印
加する。また117は信号電極データで、これを信号電
極シフトクロック118によって信号電極側シフトレジ
スタ114に転送し、一走査電極分のデータを転送した
らラッチ信号119によりラッチ回路116にラッチす
る。このラッチ回路116の出力によりトランスミッシ
ョンゲート111をスイッチングし、オン波形605お
よびオフ波形606を切り換えて信号電極駆動波形を8
106に印加する。 【0197】第62図に、第6図に示す走査電極810
9および信号電極8110に印加される駆動波形と画素
8111に印加される合成波形および光透過特性を示
す。t13、t23、t33およびt43は、それぞれ
1フレーム周期、t11、t21、t31およびt41
は、それぞれ選択期間、t12、t22、t33および
42は、それぞれ非選択期間を示す。またt14、t
24、t34およびt44は、それぞれ選択期間の前半
に印加されるパルスのパルス幅、t15、t25、t
35およびt45は、それぞれ選択期間の後半に印加さ
れるパルスのパルス幅を示し、本比較例の場合は、いず
れも等しいパルス幅となっている。さらにtは、前記
15(t25、t35、45)の1/2のパルス幅
を示す。 【0198】波高値V〜Vは、以下の条件を満足す
るように設定する。 【0199】 V=V>Vsat、|Vsat| V<Vth、|Vth| |V|=|−V| Vth21>(V+V)>Vsat11 |Vth22|>(V+V)>|Vsat12| 走査電極8109には、第62図621に示すように、
選択期間は第1の選択波形として−VおよびV
負、正の順に、第2の選択波形としてVおよび−V
が正・負の順に、1フレームごとに交互に印加され、非
選択期間はOVが印加される。 【0200】信号電極8110には、第62図622に
示すように、オンさせたい場合は2tの期間0Vが印
加された後パルス幅tのVおよび−Vが正・負の
順に印加され、オフさせたい場合は同じく2tの期間
0Vが印加された後パルス幅tのVおよび−V
負・正の順に印加される。 【0201】この時画素8111に印加される合成波形
は、第62図623に示すように、走査電極に第1の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合まず−V
が印加された後、前半のtの波高値が(V
)で後半のtの波高値が(V+V)であるパ
ルスが印加され、オフの場合は同じくまず−Vが印加
された後、前半のtの波高値が(V+V)で後半
のtの波高値が(V−V)であるパルスが印加さ
れる。また第2の選択波形が印加されたフレームでは、
オンの場合まずVが印加された後、前半のtの波高
値が(−V−V)で後半のtの波高値が(−V
+V)であるパルスが印加され、オフの場合は同じく
まずVが印加された後、前半のtの波高値が(−V
+V)で後半のtの波高値が(−V−V)で
あるパルスが印加される。非選択期間には0Vおよびパ
ルス幅tの±Vが印加される。 【0202】本比較例では、第7図(a)および(b)
に示したように、選択期間t11およびt21の後半に
印加されるパルスは、飽和値以上であるが、t31およ
びt41の後半に印加されるパルスは、同じ波高値を有
しているにもかかわらず、波形が異なるため、しきい値
より小さい値となつている。その結果、本比較例の駆動
方法も、選択期間の最初に印加された正または負の飽和
値以上のパルスによってオンまたはオフ状態とし、次に
印加する逆極性のパルスによってその状態を反転させる
かそのまま保持するかを選択してオン、オフを選択する
ことができる。 【0203】また、第1の選択波形が印加されたフレー
ムでは、正のパルスと負のパルスとの波高値の差が、
(V+V)/2+(V−V)/2−V=V
−V、第2の選択波形が印加されたフレームでは(−
−V)/2+(−V+V)/2+V=V
−Vとなり、V=VおよびV=Vであるか
ら、互いに相殺される。すなわち、本比較例でも2フレ
ームごとに画素に印加される電圧パルスの平均値が零と
なり、液晶素子の劣化を防止することができる。なお、
画素8111の光透過特性を第62図624に示す。 【0204】実施例2 本実施例も、第7図(a)および(b)に示すような強
誘電性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法である。 【0205】第63図は、本実施例における駆動波形を
実現する具体的回路を示すブロック図であり、第6図
は、この回路で作られた駆動波形を、液晶素子に印加す
るための駆動回路の一例を示す図である。631はフレ
ーム信号、632は極性切り換え信号であり、これらの
信号により、トランスミッションゲート111をスイッ
チングしてV、−V、−V、−Vの電圧を切り
換え、走査電極の選択波形634を作り、−V、−V
の電圧を切り換えて走査電極の非選択波形635を作
る。また、極性切り換え信号632とクロックパルス6
33とにより、−V、−V、−V、−V、−V
、−Vの電圧を切り換えて信号電極のオン波形63
6およびオフ波形637を作る。第64図に、これらの
信号波形のタイミングチャートを示す。 【0206】これらの信号波形を第6図に示す駆動回路
に印加し、走査電極および信号電極に印加する駆動波形
を作る。すなわち、選択波形634を8101および8
102に、非選択波形635を8103に、オン波形6
36を8105に、オフ波形637を8104にそれぞ
れ印加する。 【0207】第6図において、121は走査電極データ
でこれを走査電極シフトクロック120によって走査電
極側シフトレジスタ115に転送し、一走電極ずつ順次
選択信号を出力してトランスミッションゲート111を
スイッチングし、走査電極駆動波形を8107に印加す
る。また117は信号電極データで、これを信号電極シ
フトクロック118によって信号電極側シフトレジスタ
114に転送し、一走査電極分のデータを転送したらラ
ッチ信号119によりラッチ回路116にラッチする。
このラッチ回路116の出力によりトランスミッション
ゲート111をスイッチングし、オン波形636および
オフ波形637を切り換えて信号電極駆動波形を810
6に印加する。 【0208】第65図に、第6図に示す走査電極810
9および信号電極8110に印加される駆動波形と、画
素8111に印加される合成波形および光透過特性を示
す。 【0209】t13、t23、t33およびt43は、
それぞれ1フレーム周期、t11、t21、t31およ
びt41は、それぞれ選択期間、t12、t22、t
32、およびt42は、それぞれ非選択期間を示す。ま
たt14、t24、t34およびt44は、それぞれ選
択期間の前半に印加されるパルスのパルス幅t15、t
25、t35およびt45は、それぞれ選択期間の後半
に印加されるパルスのパルス幅を示し、本実施例の場合
は、いずれも等しいパルス幅となっている。さらにt
は、前記t15(t25、t35、t45)の1/2の
パルス幅を示す。 【0210】比較例18と異なるのは、走査電極に印加
される電圧を低くするために、走査電極と信号電極の電
圧レベルを共通化したことと、そのためにオン波形およ
びオフ波形を、選択波形に応じて変えた点にある。特
に、本実施例では、信号電極に印加される6レベルの電
圧レベルのうち、2つの電圧レベルを、選択期間にて走
査電極に印加される電圧レベルと同じにしている。さら
に、本実施例では、信号電極に印加される6レベルの電
圧レベルのうち、他の2つの電圧レベルを、非選択期間
にて走査電極に印加される電圧レベルと同じにしてい
る。 【0211】波高値V〜VおよびVmは以下の条件
を満足するように設定する。 【0212】 V=0 (V+V)>Vsat (V−V)>|Vsat| (V−V)=(V−V)<Vth (V−V)=(V−V)<|Vth| Vth21>(V−V)>Vsat11 |Vth22|>(V−V)>|Vsat12| (Vm−V)=(V−Vm) 走査電極8109には、第65図651に示すように、
選択期間は第1の選択波形として前半は−V、後半は
−Vが、第2の選択波形として前半はV、後半は−
が印加され、非選択期間は−Vおよび−Vが−
、−Vの順もしくは−V、−Vの順に印加さ
れる。 【0213】信号電極8110には、第65図652に
示すように、第1の選択波形が印加されたフレームで
は、オン波形としてまず−Vが、その後パルス幅t
の−Vおよび−Vが−V、−Vの順に印加さ
れ、オフ波形として同じく−Vの後に、−V、−V
の順に印加される。また第2の選択波形が印加された
フレームでは、オン波形としてまず−Vが、後半はパ
ルス幅tの−Vおよび−Vが−V−Vの順に
印加され、オフ波形として同じく−Vの後に、−
、−Vの順に印加される。 【0214】この時画素8111に印加される合成波形
は、第65図653に示すように、走査電極に第1の選
択波形が印加されたフレームでは、オンの場合まず(−
+V)が印加された後、前半のtの波高値が
(−V+V)で後半のtの波高値が(−V+V
)であるパルスが印加され、オフの場合は、同じくま
ず(−V+V)が印加された後、前半のtの波高
値が(−V+V)で後半のtの波高値が(−V
+V)であるパルスが印加される。また第2の選択波
形が印加されたフレームでは、オンの場合まず(V
)が印加された後、前半のtの波高値が(−V
+V)で後半のtの波高値が(−V+V)であ
るパルスが印加され、オフの場合同じく(V+V
が印加された後、前半のtの波高値が(−V
)で後半のtの波高値が(−V+V)である
パルスか印加される。非選択期間にはOV、(−V
)および(−V+V)が印加される。 【0215】本実施例による合成波形は、比較例18
実質的に同じであり、同じようにオン、オフの選択がで
きると共に、2フレームごとに画素に印加される電圧パ
ルスの平均値が零となる。なお、画素8111の光透過
特性を第65図654に示す。 【0216】比較例19比較例も、第7図(a)および(b)に示すような強
誘電性液晶のしきい値特性を利用した駆動方法である。 【0217】第66図は、本比較例における駆動波形を
実現する具体的回路を示すブロック図であり、661は
フレーム信号で、662は極性切り換え信号である。ま
た664はフレーム信号661の遅延信号、665は極
性切り換え信号662の回転信号である。これらの信号
によりトランスミッションゲート111をスイッチング
して、V、V、−V−Vの電圧を切り換えて6
66の奇数走査電極選択波形と、667の偶数走査電極
選択波形を作っている。また、クロックパルス663に
よりトランスミッションゲート111をスイッチングし
て、V、−Vの電圧を切り換えて信号電極のオン波
形668と信号電極オフ波形669を作っている。 【0218】これらの波形のタイミングチャートを第6
7図に示す。第66図666、667、668、669
の信号を第6図の駆動回路に入力し、666は8101
と、667は8102と、668は8105と、669
は8104と、8103は0ボルトとそれぞれ接線す
る。第6図121は走査電極データで、これを120の
シフトクロツクによって115の走査電極側シフトレジ
スターに転送して一走査線ずつ順次選択信号を出す。こ
の選択信号によって111のトランミッツョンゲートを
スイッチングして8107の奇数走査電極波形や、81
08の偶数走査電極波形を作っている。第6図117
は、信号電極データで、これを118のシフトクロック
によって114の信号電極側シフトレジスターに転送
し、一走査線分のデータを転送したときに119のラッ
チ信号によって116のラッチ回路にラッチする。この
ラッチ回路の出力によって111のトランスミッンョン
ゲートをスイッチングして8104と8105の信号を
切り換えて8106の信号電極波形を作っている。81
07、8108、8106の波形及び、この合成波形を
第68図の681、682、683、684のタイミン
グチャートに示す。 この駆動波形の駆動条件を示すと
つぎのようになる。 【0219】 (V+V)>Vsat21 (V+V)>Vsat11 (V+V)>Vth21 |−V−V|>|Vsat12| |−V−V|<|Vth22| |−V−V|>|Vsat22| V<Vth |−V|<|Vth| |V|=|−V| |V|=|−V| t04=t1116=t17 第6図8111の画素について液晶素子の動作を説明す
ると、第68図t04の間が奇数フレームの直前に印加
される消去パルスで、|−V−V|>|Vsat
22|の電圧パルスを印加して液晶素子の前のメモリー
状態を消してオフ状態とし、t11の間が奇数フレーム
の選択期間で、信号電極に印加る波形がオン波形である
か、オフ波形であるかによって、走査電極波形との合成
電圧が、第7図の821で示す波形か、822で示す波
形かを選択し、821で示す波形であれば液晶素子はオ
ン状態となり、822で示す波形であればオフ状態のま
まとなる。そして、非選択期間t12の間は、しきい電
圧より絶対値の小さなV、−Vの電圧しか液晶素子
に印加されないので、t11の間に書き込まれた状態を
保持する。また、選択期間t11に液晶素子にデータを
書き込んでいるときに、それと同時に、次に選択される
液晶素子には、682で示すように消去パルスが印加さ
れて前のメモリー状態を消去している。 【0220】次に、偶数フレームについてみると、t
14が偶数フレーム直前に印加される消去パルスで、奇
数フレーム直前のt04のときは逆極性のパルスで、
(V+V)>Vsat21の電圧パルスを印加して
液晶素子の前のメモリー状態を消してオン状態とし、t
21の間が選択期間で、信号電極に印加される波形がオ
ン波形であるか、オフ波形であるかによって走査電極波
形との合成電圧が、第7図の821で示す波形か、82
2で示す波形かを選択し、821で示す波形であれば液
晶素子はオフ状態となり、822で示す波形であればオ
ン状態のままとなる。そして、非選択期間t22の間
は、奇数フレームのときと同様でt21の間に書き込ま
れた状態を保持する。また、選択期間t21中に液晶素
子にデータを書き込んでいるときに、それと同時に、次
に選択される液晶素子には、682で示すように消去パ
ルスが印加されて前のメモリー状態を消去している。こ
のように、液晶素子にデータを書き込むのと同時に、次
に選択される液晶素子には消去パルスを印加することに
よって選択期間を従来の半分とすることができる。ま
た、この比較例では、液晶素子を選択する直前に消去パ
ルスを印加しているが、この消去パルスは、選択期間の
直前に出す必要はなく、選択期間よりある時間前に消去
パルスを印加してもよい。 【0221】 【0222】 【0223】 【0224】 【0225】 【0226】 【0227】 【0228】比較例20 第57図は、本比較例における駆動波形を実現する具体
的回路を示すブロック図である。721はフレーム信号
で、722はクロック信号である。この721、722
の信号によってトランスミッションゲート111をスイ
ッチングして、V、V、−V、−Vの電圧を切
り換えて走査電極選択波形725を作っている。また、
、−Vの電圧を切り換えて信号電極オン波形72
6と信号電極オフ波形727を作っている。これらの波
形のタイミングチャートを第58図に示す。第58図7
25、726、727の信号を第6図の駆動回路に入力
して、725は8101、8102と、726は810
5と、727は8104と、8103は0ボルトと、そ
れぞれ接続する。 【0229】第6図121は走査電極データで、これを
シフトクロック120によって走査電極側シフトレジス
ター115に伝送して、一走査線ずつ順次選択信号を出
す。この選択信号によつてトランスミッションゲート1
11をスイッチングして8107の走査電極波形を作っ
ている。第6図117は信号電極データで、これをシフ
トクロック118によって、信号電極側シフトレジスタ
ー114に転送し、一走査線分のデータを転送したとき
に119のラッチ信号によって116のラッチ回路にラ
ッチする。このラッチ出力によって111のトランスミ
ッションゲートをスイッチングして、8104、810
5の信号を切り換えて8106の信号電極波形を作って
いる。8107、8106の波形及び、この合成波形を
第59図741、742、743のタイミングチャート
に示す。この駆動波形の駆動条件を示すとつぎのように
なる。 【0230】 V>Vsat (V+V)>Vsat (V−V)<Vth (−V−V)>|Vsat| |−V+V|<|Vth| |−V|>|Vsat| |V|=|−V| |V|=|−V| V<Vth |−V|<|Vth| t14=t15=t16 第6図8111の画素について液晶素子の動作を説明す
ると、第59図t11の間が奇数フレームの選択期間で
あり、t14の間が消去パルスで、負の飽和電圧より絶
対値の大きな電圧パルスが印加されて液晶素子は前のメ
モリー状態が消去されてオフ状態となる。そして、t
15の間が書き込みパルスで、信号電極波形がオン波形
であれば、液晶素子に印加される電圧は正の飽和電圧以
上となり、液晶素子はオン状態となり、信号電極波形が
オフ波形であれば、液晶素子に印加される電圧は正のし
きい電圧以下となり、液晶素子はオフ状態のままとな
る。そして、t16の間に走査電極に印加する電圧はゼ
ロボルトとする。また、非選択期間t12は、しきい電
圧より絶対値の小さなV、−Vの電圧しか液晶素子
に印加されないので、t15の間に書き込まれた状態を
保持する。 【0231】次に、偶数フレームの選択期間についてみ
るとt21の間が選択期間で、t24の間が消去パルス
であり、奇数フレームのときとは逆極性の電圧の正の飽
和電圧以上の電圧パルスが印加されて液晶素子はオン状
態となる。そして、t25の間が書き込みパルスで、信
号電極波形がオン波形であれば、液晶素子に印加される
電圧は、負のしきい電圧より絶対値が小さくなり、液晶
素子は消去されたままのオン状態となり、信号電極波形
がオフ波形であれば、液晶素子に印加される電圧は、負
の飽和電圧より絶対値の大きな電圧パルスが印加されて
液晶素子はオフ状態となる。そして、t26の間に走査
電極に印加する電圧はゼロボルトとする。 【0232】また、非選択期間t22の間は、奇数フレ
ームのときと同様で、t25の間に書き込まれた状態を
保持する。このような駆動にすることによって非選択期
間に印加される電圧パルスのパルス幅が常にt14の幅
で一定であり、コントラストむらがなくなる。 【0233】 【0234】 【0235】 【0236】比較例21 第8図に交流バイアスによるメモリー状態保持の効果図
を示す。Vは、液晶素子に印加する電圧で、Iは、液晶
素子の透過状態を示している。液晶素子にVの電圧を
印加して、Iの状態にしてその後印加電圧を0ボルト
とすると液晶素子は、Iの状態から次第にメモリーが
悪くなつて点線で示すようにIまでメモリーが落ちて
ゆく。しかし、交流バイアスを印加することによってメ
モリー性の悪さを改善してIの状態に保持することが
できる。第69図はこの交流バイアスの効果を利用した
比較例の駆動波形を実現する具体的回路を示すブロッ
ク図である。781はフレーム信号で、782は極性切
り換え信号である。この781、782の信号によっ
て、トランスミッンョンゲート111をスイッチングし
て、V、V、−V、−Vの電圧を切り換えて走
査電極選択波形784を作り、783の信号によって、
、−Vの電圧を切り換えて走査電極非選択波形7
85を作っている。 【0237】また、V、−Vの電圧を切り換えて信
号電極オン波形786と、信号電極オフ波形787を作
っている。これらの波形のタイミングチャートを第70
図に示す。第70図784、785、786、787の
信号を第6図の駆動回路に入力し、784は8101、
8102と、785は81103と、786は8105
と、787は8104と、それぞれ接続する。第6図1
21は走査電極データで、これをシフトクロック120
によって走査電極側シフトレジスター115に転送して
一走査線づつ順次選択信号を出し、この選択信号によっ
てトランスミッションゲート111をスイッチングして
8107の走査電極波形を作っている。 【0238】第6図117は信号電極データで、これを
シフトクロック118によって信号電極側シフトレジス
ター114に転送し、一走査線分のデータを転送したと
きにラッチ信号119によってラッチ回路116にラッ
チし、このラッチの出力によつてトランスミッションゲ
ート111をスイッチングして、8104と8105の
信号を切り換えて8106の信号電極波形を作ってい
る。この8107と8106の波形及び、この波形の合
成波形のタイミングチャートを第71図801、80
2、803に示す。この波形の駆動条件を示すとつぎの
ようになる。 【0239】 |V|=|−V| |V|=|−V| |−V+V|>|Vsat| (V+V)>Vsat (V−V)<Vth (V−V)>Vsat |−V+V|<|Vth| (−V−V)>|Vsat| V<Vth |−V|<|Vth| |V|=|−V| |V|=|−V| t14=t15 第6図8111の画素について液晶素子の動作を説明す
ると、第71図t11の間が奇数フレームの選択期間
で、この期間中のt14の間が消去パルスで、負の飽和
電圧より絶対値の大きな電圧パルスが印加されて、前の
メモリー状態が消去されてオフ状態となる。そして、t
15の間が書き込みパルスで、信号電極波形がオン波形
であれば、液晶素子に正の飽和電圧以上の電圧パルスが
印加されて液晶素子はオン状態となり、信号電極波形が
オフ波形であれば、液晶素子に正のしきい電圧以下の電
圧パルスが印加されて液晶素子はオフ状態のままとな
る。そして、t12の間が非選択期間で高周波交流バイ
アスを印加する。この高周波交流バイアスの周波数と電
圧は、液晶分子が応答できる限度ぎりぎりの周波数と電
圧であり、周波数は数KHz〜数100KHzN電圧は
数10ボルトである。この非選択期間の交流バイアスに
よって液晶素子のメモリー性を良くしてデータを保持し
ている。次に、偶数フレームについてみると、t21
間が選択期間で、この期間中のt24の間が消去パルス
で、奇数フレームのときとは逆極性の正の飽和電圧以上
の電圧パルスが印加されて液晶素子はオン状態となる。
そして、t25の間が書き込みパルスで、信号電極波形
がオン波形であれば、液晶素子に負のしきい電圧より絶
対値の小さな電圧パルスが印加されて液晶素子はオン状
態のままとなり、信号電極波形がオフ波形であれば、液
晶素子は負の飽和電圧より絶対値の大きな電圧パルスが
印加されて液晶素子はオフ状態となる。そして非選択期
間は、奇数フレームのときと同様で高周波交流バイアス
によってメモリー状態を保持する。なお、上記各実施例
および比較例では、2値表示における駆動方法について
説明したが、階調表示についても同じように駆動するこ
とができ、走査電極に印加する波形については、上記実
施例または比較例と同じでよく、信号電極に印加する電
圧を階調データによって変化させて、書き込みパルスの
間に液晶素子に印加する電圧をしきい電圧から飽和電圧
の間で変化させればよい。また、階調データによって、
信号電極波形のパルス幅を変化させることによって階調
表示をすることもできる。 【0240】 【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、走査
信号中の消去電位および選択電位の少なくとも一つと、
データ信号との電位レベルの少なくとも一つを共通とす
ることで、波高値の低いデータ信号のみで構成した場合
と比較して、走査信号の電圧を下げることができる。ま
た、データ信号の電位が基準電位に対して正、負の複数
レベルから構成されることから、液晶素子に印加される
電圧は正、負で偏りが少なくなり、直流成分による液晶
素子の劣化を防止し、長期にわたり良好な光透過特性を
維持できるという効果を有する。更に、用途も表示素子
に限定されず、電子シャッター、偏光器等にも応用が可
能である。 【0241】
【図面の簡単な説明】 【図1】第1図(a)および(b)は、強誘電性液晶の
分子の配列状態を示す図。 【図2】第2図(a)は、本発明の各実施例で用いた液
晶素子の一例を示す断面図であり、第2図(b)は、第
2図(a)に示す液晶素子の電極構造を示す図。 【図3】第3図は本発明の比較例1に示す駆動波形と光
透過特性の関係を示す図。 【図4】第4図は第3図に示す駆動波形を実現する具体
的回路の一例を示す図。 【図5】第5図は第4図に示す回路の各点における信号
波形を示すタイミングチャート図。 【図6】第6図は本発明の各実施例および比較例で用い
た駆動回路の一例を示す図。 【図7】第7図(a)および(b)は印加電圧の波形に
よる光透過特性の変化を示す図。 【図8】第8図は交流バイアス電圧印加時の駆動波形と
光透過特性の関係を示す図。 【図9】第9図は本発明の比較例2に示す駆動波形と光
透過特性の関係を示す図。 【図10】第10図は第9図に示す駆動波形を実現する
具体的回路の一例を示す図。 【図11】第11図は第10図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図12】第12図は本発明の比較例3に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図13】第13図は第12図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図14】第14図は第13図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図15】第15図は本発明の比較例4に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図16】第16図は第15図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図17】第17図は第16図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図18】第18図は本発明の比較例5に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図19】第19図は第18図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図20】第20図は第19図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図21】第21図は本発明の比較例6に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図22】第22図は第21図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図23】第23図は第22図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図24】第24図は本発明の比較例7に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図25】第25図は第24図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図26】第26図は第25図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図27】第27図は本発明の比較例8に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図28】第28図は第27図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図29】第29図は第28図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図30】第30図は本発明の比較例9に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図31】第31図は第30図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図32】第32図は第31図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図33】第33図は本発明の比較例10に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【図34】第34図は第33図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図35】第35図は第34図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図36】第36図は本発明の比較例11に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【図37】第37図は第36図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図38】第38図は第37図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図39】第39図は本発明の比較例12に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【図40】第40図は第39図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図41】第41図は第40図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図42】第42図は本発明の比較例13に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【図43】第43図は第42図に示す駆動波形を実現す
る具体的回路の一例を示す図。 【図44】第44図は第43図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図45】第45図は本発明の比較例14に示す駆動波
形を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図46】第46図は第45図に示す回路の各点におけ
る信号波形のタイミングチャートおよび駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図47】第47図は本発明の比較例15に示す駆動波
形を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図48】第48図は第47図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図49】第49図は本発明の比較例15に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【図50】第50図は本発明の比較例16に示す駆動波
形を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図51】第51図は第50図に示す回路の各点におけ
る信号波形のタイミングチャートおよび駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図52】第52図は本発明の実施例1に示す駆動波形
を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図53】第53図は第52図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図54】第54図は本発明の実施例1に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図。 【図55】第55図は本発明の比較例17に示す駆動波
形を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図56】第56図は第55図に示す回路の各点におけ
る信号波形のタイミングチャートおよび駆動波形と光透
過特性の関係を示す図。 【図57】第57図は本発明の比較例20に示す駆動波
形を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図58】第58図は第57図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図59】第59図は本発明の比較例20に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図である。 【図60】第60図は本発明の比較例18に示す駆動波
形を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図61】第61図は第60図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図62】第62図は本発明の比較例18に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【図63】第63図は本発明の実施例2に示す駆動波形
を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図64】第64図は第63図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図65】第65図は本発明の実施例2に示す駆動波形
と光透過特性の関係を示す図である。 【図66】第66図は本発明の比較例19に示す駆動波
形を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図67】第67図は第66図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図68】第68図は本発明の比較例19に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【図69】第69図は本発明の比較例21に示す駆動波
形を実現する具体的回路の一例を示す図。 【図70】第70図は第69図に示す回路の各点におけ
る信号波形を示すタイミングチャート図。 【図71】第71図は本発明の比較例21に示す駆動波
形と光透過特性の関係を示す図。 【符号の説明】 11・12…基板 13…走査電極 14…信号電極 15…配向膜 16…強誘電性液晶 17・18…偏光板 19…シール剤 111…トランスミッションゲート 112…フリップフロップ 113…液晶素子 114…信号電極側ソフトレジスタ 115…走査電極側ソフトレジスタ 116…ラッチ回路 117…信号電極データ 118…信号電極ソフトクロック 119…ラッチ信号 120…走査電極シフトクロック 121…走査電極データ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願昭61−45868 (32)優先日 昭61(1986)3月3日 (33)優先権主張国 日本(JP)

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.走査電極群を有する基板と信号電極群を有する基板
    との間にメモリ性を有する液晶を挟持してなる液晶装置
    駆動する液晶装置の駆動方法において、 前記走査電極群の各々に、消去電位と選択電位と非選択
    電位とを有する走査信号を所定期間毎に供給し、前記信
    号電極群の各々にデータ信号を供給し、前記走査信号と
    前記データ信号との差信号の電圧を前記液晶に印加し、前記走査電極群の各々に前記消去電位が印加される時
    に、 前記液晶の分子を所定の配列方向に揃える、前記液
    晶の飽和値以上の少なくとも1個の消去電圧を前記液晶
    に印加し、前記走査電極群の各々に前記選択電位が印加される時
    に、 前記液晶の分子を、表示状態に対応する配列方向に
    設定する電圧を前記液晶に印加し、前記データ信号は、該データ信号の中間電位である基準
    電位に対して、正の極性を有する複数の電位と負の極性
    を有する複数の電位とから成り、 前記消去電位は、前記基準電位に対して正の極性の第1
    の消去電位と負の極性の第2の消去電位から成り、前記
    選択電位は、前記基準電位に対して正の極性の第1の選
    択電位と負の極性の第2の選択電位から成り、前記所定
    期間毎に前記第1の消去電位と前記第2の消去電位とを
    交互に印加し、前記第1の消去電位の印加後に前記第2
    の選択電位を印加し、前記第2の消去電位の印加後に前
    記第1の選択電位を印加し、 前記第1の選択電位が印加される時に、前記信号電極に
    前記負の極性の複数の電位のうち表示のオン状態もしく
    はオフ状態を選択するための電位が印加され、前記第2
    の選択電位が印加される時に、前記信号電極に前記正の
    極性の複数の電位のうち表示のオン状態もしくはオフ状
    態を選択するための電位が印加され、 前記信号電極群の各々に印加される前記正及び負の極性
    複数の電位の少なくとも一つの電位が、前記走査信号
    中の前記消去電位及び前記選択電位のうちの少なくとも
    一つと等しく設定されていることを特徴とする液晶装置
    の駆動方法。 2.請求項1において、 前記データ信号は、前記正及び負の複数の電圧レベルの
    少なくとも他の一つの電位が、前記走査信号中の前記非
    選択電位のうちの少なくとも一つと等しく設定されてい
    ることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
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