JP2708121B2 - ダイボンディング方法 - Google Patents
ダイボンディング方法Info
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- JP2708121B2 JP2708121B2 JP62303613A JP30361387A JP2708121B2 JP 2708121 B2 JP2708121 B2 JP 2708121B2 JP 62303613 A JP62303613 A JP 62303613A JP 30361387 A JP30361387 A JP 30361387A JP 2708121 B2 JP2708121 B2 JP 2708121B2
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- JP
- Japan
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- die
- heating
- die stage
- stage
- bonding
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
リードフレームのダイステージを加熱しながらその上
に半導体素子を接着するダイボンディング方法に関し、 上記加熱する手段の簡素化と加熱時間の短縮を目的と
し、 ダイステージに通電することにより上記加熱を行うよ
うに構成する。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレームのダイステージを加熱しな
がらその上に半導体素子を接着するダイボンディング方
法に関す。 樹脂封止半導体装置のようにリードフレームを用いて
組立を行う半導体装置では、リードフレームに設けられ
たダイステージに半導体素子（半導体チップ）がマウン
トされる。上記ダイボンディングはこのマウントのため
の作業である。 〔従来の技術〕 第２図は、上述したダイボンディングにおけるダイス
テージ加熱の従来例を説明する斜視図（ａ）と側面図
（ｂ）である。 同図において、ダイボンディングは、リードフレーム
１のダイステージ1aを加熱し、その上面にろう材２を介
して半導体素子３を接着する作業である。そして、リー
ドフレーム１には複数のダイステージ1aが一定間隔で配
列されていることから、リードフレーム１を順送りしな
がら個々のダイステージ1aに対して順次行う。 ダイステージ1aの加熱は、その下に配置したヒータブ
ロック21からの熱伝導によって行う。ヒータブロック21
は、ヒータ22と温度センサ（熱電対）23を内蔵し、温度
センサ23の信号によって制御される電源24からヒータ22
へ給電されて、所定の温度に加熱される。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながらこの加熱方法は、センサによる制御を含
むためヒータブロック21および電源24が複雑である、使
用時間に伴ってヒータ22が劣化する、ダイステージ1aが
所定の温度に達するまでに時間がかかる、という欠点が
ある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、リードフレームのダイステージを加熱
しながらその上に半導体素子を接着するダイボンディン
グを行うに際して、ダイステージに通電することにより
上記加熱を行う本発明の方法によって解決される。 〔作用〕 ダイステージをそれ自体に通電して加熱する場合は、
従来例のヒータブロックが不要である。然も、順次加熱
される個々のダイステージの材質および寸法が揃ってい
ることから、通電電流（または電圧）を所定値にするこ
とにより各ダイステージを所定の温度にすることが出来
て、従来例の如き温度センサを必要としない。 このことから、加熱手段は、ダイステージに所定の電
流（電圧）を印加できる電源のみで済み、従来例の場合
より簡素化され且つ劣化しないものとなる。 また、ダイステージそれ自体の発熱による加熱である
ことから、ダイステージが所定の温度に達するまでの時
間が短縮される。 〔実施例〕 以下本発明の実施例について、第２図に対応させた第
１図の斜視図（ａ）と側面図（ｂ）を用いて説明する。
全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。 第１図において、ダイボンディングは、従来例の場合
と同様であるが、ダイステージ1aの加熱方法が異なって
いる。 ダイステージ1aの加熱は、電源11の出力端となる対の
電極12を、リードフレーム１におけるダイステージ1aを
支える対のビンチバー1bに接触させて、ダイステージ1a
に通電して行う。ダイステージ1aは、通電のジュール熱
により加熱される。このため、ダイステージ1aが所定の
温度に達するまでの時間は、従来例の場合より短くな
る。 この場合、順次加熱される個々のダイステージ1aおよ
びビンチバー1bの材質および寸法が揃っていることか
ら、通電電流（または電圧）を所定値にすることにより
各ダイステージ1aを所定の温度にすることが出来る。所
定の電流（電圧）値は、通電電流と加熱温度の関係を予
め求めておき、そのデータに基づいて設定する。 ちなみに１例では、通電電流が6Aでダイステージ1aの
温度が240℃、8Aで330℃となり、通電時間は約３秒で良
い。そしてダイボンディングに必要とするダイステージ
1aの温度は通常300℃前後である。 このことから、加熱手段は、従来例の場合のセンサに
よる制御を組み込んだヒータブロック21および電源24か
ら、単に所定の電流（電圧）を印加すれば良い電源11お
よびそれに付帯する電極12のみに変わり、従来例の場合
より簡素化され且つ劣化しないものとなる。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明の構成によれば、リードフ
レームのダイステージを加熱しながらその上に半導体素
子を接着するダイボンディングにおいて、上記加熱する
ための手段が簡素化され且つその劣化がなくなり、然も
ダイステージが所定の温度に達するまでの時間を短縮さ
せる効果がある。
に半導体素子を接着するダイボンディング方法に関し、 上記加熱する手段の簡素化と加熱時間の短縮を目的と
し、 ダイステージに通電することにより上記加熱を行うよ
うに構成する。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレームのダイステージを加熱しな
がらその上に半導体素子を接着するダイボンディング方
法に関す。 樹脂封止半導体装置のようにリードフレームを用いて
組立を行う半導体装置では、リードフレームに設けられ
たダイステージに半導体素子（半導体チップ）がマウン
トされる。上記ダイボンディングはこのマウントのため
の作業である。 〔従来の技術〕 第２図は、上述したダイボンディングにおけるダイス
テージ加熱の従来例を説明する斜視図（ａ）と側面図
（ｂ）である。 同図において、ダイボンディングは、リードフレーム
１のダイステージ1aを加熱し、その上面にろう材２を介
して半導体素子３を接着する作業である。そして、リー
ドフレーム１には複数のダイステージ1aが一定間隔で配
列されていることから、リードフレーム１を順送りしな
がら個々のダイステージ1aに対して順次行う。 ダイステージ1aの加熱は、その下に配置したヒータブ
ロック21からの熱伝導によって行う。ヒータブロック21
は、ヒータ22と温度センサ（熱電対）23を内蔵し、温度
センサ23の信号によって制御される電源24からヒータ22
へ給電されて、所定の温度に加熱される。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながらこの加熱方法は、センサによる制御を含
むためヒータブロック21および電源24が複雑である、使
用時間に伴ってヒータ22が劣化する、ダイステージ1aが
所定の温度に達するまでに時間がかかる、という欠点が
ある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、リードフレームのダイステージを加熱
しながらその上に半導体素子を接着するダイボンディン
グを行うに際して、ダイステージに通電することにより
上記加熱を行う本発明の方法によって解決される。 〔作用〕 ダイステージをそれ自体に通電して加熱する場合は、
従来例のヒータブロックが不要である。然も、順次加熱
される個々のダイステージの材質および寸法が揃ってい
ることから、通電電流（または電圧）を所定値にするこ
とにより各ダイステージを所定の温度にすることが出来
て、従来例の如き温度センサを必要としない。 このことから、加熱手段は、ダイステージに所定の電
流（電圧）を印加できる電源のみで済み、従来例の場合
より簡素化され且つ劣化しないものとなる。 また、ダイステージそれ自体の発熱による加熱である
ことから、ダイステージが所定の温度に達するまでの時
間が短縮される。 〔実施例〕 以下本発明の実施例について、第２図に対応させた第
１図の斜視図（ａ）と側面図（ｂ）を用いて説明する。
全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。 第１図において、ダイボンディングは、従来例の場合
と同様であるが、ダイステージ1aの加熱方法が異なって
いる。 ダイステージ1aの加熱は、電源11の出力端となる対の
電極12を、リードフレーム１におけるダイステージ1aを
支える対のビンチバー1bに接触させて、ダイステージ1a
に通電して行う。ダイステージ1aは、通電のジュール熱
により加熱される。このため、ダイステージ1aが所定の
温度に達するまでの時間は、従来例の場合より短くな
る。 この場合、順次加熱される個々のダイステージ1aおよ
びビンチバー1bの材質および寸法が揃っていることか
ら、通電電流（または電圧）を所定値にすることにより
各ダイステージ1aを所定の温度にすることが出来る。所
定の電流（電圧）値は、通電電流と加熱温度の関係を予
め求めておき、そのデータに基づいて設定する。 ちなみに１例では、通電電流が6Aでダイステージ1aの
温度が240℃、8Aで330℃となり、通電時間は約３秒で良
い。そしてダイボンディングに必要とするダイステージ
1aの温度は通常300℃前後である。 このことから、加熱手段は、従来例の場合のセンサに
よる制御を組み込んだヒータブロック21および電源24か
ら、単に所定の電流（電圧）を印加すれば良い電源11お
よびそれに付帯する電極12のみに変わり、従来例の場合
より簡素化され且つ劣化しないものとなる。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明の構成によれば、リードフ
レームのダイステージを加熱しながらその上に半導体素
子を接着するダイボンディングにおいて、上記加熱する
ための手段が簡素化され且つその劣化がなくなり、然も
ダイステージが所定の温度に達するまでの時間を短縮さ
せる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例を説明する斜視図と側面図、
第２図は従来例を説明する斜視図と側面図、
である。
図において、
１はリードフレーム、
1aはダイステージ、
1bはビンチバー、
２はろう材、
３は半導体素子、
11は電源、
12は電極、
である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．リードフレームのダイステージを加熱しながらその
上に半導体素子を接着するダイボンディングを行うに際
して、ダイステージに通電することにより上記加熱を行
うことを特徴とするダイボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303613A JP2708121B2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | ダイボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303613A JP2708121B2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | ダイボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144633A JPH01144633A (ja) | 1989-06-06 |
| JP2708121B2 true JP2708121B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=17923099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62303613A Expired - Lifetime JP2708121B2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | ダイボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2708121B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3196707B2 (ja) * | 1997-10-15 | 2001-08-06 | 栗田工業株式会社 | 腐食モニタリング用試験片、方法及び装置 |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP62303613A patent/JP2708121B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01144633A (ja) | 1989-06-06 |
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Legal Events
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