JP2701743B2 - グラニュラー物質およびこれを用いたグラニュラー膜 - Google Patents
グラニュラー物質およびこれを用いたグラニュラー膜Info
- Publication number
- JP2701743B2 JP2701743B2 JP6150858A JP15085894A JP2701743B2 JP 2701743 B2 JP2701743 B2 JP 2701743B2 JP 6150858 A JP6150858 A JP 6150858A JP 15085894 A JP15085894 A JP 15085894A JP 2701743 B2 JP2701743 B2 JP 2701743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- granular
- film
- layer
- magnetic
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 24
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910002695 AgAu Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020637 Co-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/007—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure ultrathin or granular films
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/11—Magnetic recording head
- Y10T428/1107—Magnetoresistive
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果を利用し
た磁気ヘッド用の材料に関する。
た磁気ヘッド用の材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁界により磁気抵抗変化を発生する膜と
しては、非磁性導電物質に磁性導電物質を分散させたグ
ラニュラー物質を用いた膜が知られている（例えば、武
田ほか，第１７回日本応用磁気学会学術講演概要集，１
１ａＡ−５，１９９３年）。
しては、非磁性導電物質に磁性導電物質を分散させたグ
ラニュラー物質を用いた膜が知られている（例えば、武
田ほか，第１７回日本応用磁気学会学術講演概要集，１
１ａＡ−５，１９９３年）。
【０００３】また、この材料としては、Ｆｅ−Ａｇ，Ｃ
ｏ−Ａｇ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，ＣｏＦｅ−Ａｇ，
ＮｉＣｏ−Ａｇ，ＮｉＦｅ−Ｃｕ，Ｆｅ−Ｍｇ，ＣｏＦ
ｅ−Ｃｕ，ＮｉＦｅ−Ａｇ，ＮｉＦｅＣｏ−Ａｇが報告
されている。さらに、特開平０６−１４０６８７号公報
には、非磁性導電体中に磁性体を分散させてなる薄膜を
基体上に有することからなる磁気抵抗効果素子用薄膜で
あって、磁性体の粒径が１０オングストローム以上１０
μｍ以下で、かつ磁性体の充占率が１０ｖｏｌ％以上９
０ｖｏｌ％以下であり、非磁性導電金属に磁性体とは互
いに１０ａｔ％までしか固溶しない非磁性金属を用い、
非磁性金属と磁性体とを基体上に同時ベーパデポジショ
ンするか、または磁性体粉を導電性塗料中に分散し、こ
の混合物を磁性基体上に塗布することにより製造される
磁気抵抗効果素子用薄膜薄膜およびその製造方法に関す
る技術が開示されている。
ｏ−Ａｇ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，ＣｏＦｅ−Ａｇ，
ＮｉＣｏ−Ａｇ，ＮｉＦｅ−Ｃｕ，Ｆｅ−Ｍｇ，ＣｏＦ
ｅ−Ｃｕ，ＮｉＦｅ−Ａｇ，ＮｉＦｅＣｏ−Ａｇが報告
されている。さらに、特開平０６−１４０６８７号公報
には、非磁性導電体中に磁性体を分散させてなる薄膜を
基体上に有することからなる磁気抵抗効果素子用薄膜で
あって、磁性体の粒径が１０オングストローム以上１０
μｍ以下で、かつ磁性体の充占率が１０ｖｏｌ％以上９
０ｖｏｌ％以下であり、非磁性導電金属に磁性体とは互
いに１０ａｔ％までしか固溶しない非磁性金属を用い、
非磁性金属と磁性体とを基体上に同時ベーパデポジショ
ンするか、または磁性体粉を導電性塗料中に分散し、こ
の混合物を磁性基体上に塗布することにより製造される
磁気抵抗効果素子用薄膜薄膜およびその製造方法に関す
る技術が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のグラニュラー薄
膜は、大気中に長時間放置した場合にＭＲ特性が劣化す
るという問題があった。これには３つの原因が可能性と
して考えられている。
膜は、大気中に長時間放置した場合にＭＲ特性が劣化す
るという問題があった。これには３つの原因が可能性と
して考えられている。
【０００５】まず、一つは磁性粒子と非磁性導電材料の
間の界面拡散により界面に合金ができる可能性である。
界面に合金ができると界面での電子の界面散乱が不明瞭
になり、磁性粒子領域での磁化方向による界面拡散の程
度の変化が減少し、ＭＲ比が減少するのである。
間の界面拡散により界面に合金ができる可能性である。
界面に合金ができると界面での電子の界面散乱が不明瞭
になり、磁性粒子領域での磁化方向による界面拡散の程
度の変化が減少し、ＭＲ比が減少するのである。
【０００６】もう一つは非磁性層の酸化である。非磁性
層の一部が酸化すると非磁性層内部での電子散乱が増大
し、それにより相対的に界面拡散が減少する。この場合
やはり磁性粒子の磁化方向による界面拡散の変化量が減
少し、ＭＲ比は減少する。
層の一部が酸化すると非磁性層内部での電子散乱が増大
し、それにより相対的に界面拡散が減少する。この場合
やはり磁性粒子の磁化方向による界面拡散の変化量が減
少し、ＭＲ比は減少する。
【０００７】最後に磁性粒子の酸化が考えられる。この
磁性粒子が酸化するケースでは、酸素の入りやすさ等の
関係で主に磁性層との界面付近に酸化物が形成されるも
のと予想される。酸化物は極端に抵抗値の高い材料であ
り、磁性層と非磁性層との間の電子の界面拡散が起こる
以前に、酸化物により電子が遮断されて磁性粒子に到達
しにくくなため、ＭＲ比が減少する。
磁性粒子が酸化するケースでは、酸素の入りやすさ等の
関係で主に磁性層との界面付近に酸化物が形成されるも
のと予想される。酸化物は極端に抵抗値の高い材料であ
り、磁性層と非磁性層との間の電子の界面拡散が起こる
以前に、酸化物により電子が遮断されて磁性粒子に到達
しにくくなため、ＭＲ比が減少する。
【０００８】このように、グラニュラー物質のＭＲ比劣
化のモードには３つの原因が考えられ，実際には、この
３つが同時に起こっていると考えられる。また、従来技
術の項で紹介した特開平０６−１４０６８７号公報に
は、磁性体として酸化物，窒化物または炭化物を用いる
ことにより、耐食性が改善されるという記述がある。し
かし、酸化物，窒化物，炭化物などの非導電材料を用い
ると、大幅な比抵抗の増大を招き、磁気ヘッドとして用
いる場合の抵抗値が大きくなりすぎるという問題があっ
た。
化のモードには３つの原因が考えられ，実際には、この
３つが同時に起こっていると考えられる。また、従来技
術の項で紹介した特開平０６−１４０６８７号公報に
は、磁性体として酸化物，窒化物または炭化物を用いる
ことにより、耐食性が改善されるという記述がある。し
かし、酸化物，窒化物，炭化物などの非導電材料を用い
ると、大幅な比抵抗の増大を招き、磁気ヘッドとして用
いる場合の抵抗値が大きくなりすぎるという問題があっ
た。
【０００９】本発明の目的は、Ｃｏ−Ａｇ，ＮｉＦｅ−
ＡｇおよびＮｉＦｅＣｏ−Ａｇと同等かそれ以上のＭＲ
比を有し、比抵抗が増大するような材料を用いることな
く、しかも、上述したような劣化モードに対し優れた耐
食性を示すグラニュラー膜を提供することにある。
ＡｇおよびＮｉＦｅＣｏ−Ａｇと同等かそれ以上のＭＲ
比を有し、比抵抗が増大するような材料を用いることな
く、しかも、上述したような劣化モードに対し優れた耐
食性を示すグラニュラー膜を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性導電物
質に磁性導電物質を分散させたグラニュラー物質であっ
て、前記非磁性導電物質として、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐ
ｔのうち少なくとも２つの元素からなる材料、もしくは
それらにＡｌ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｐｄ，
Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚｒ，Ｉｒのうち少なくとも１つ
の元素を添加した材料を用いることを特徴とする。
質に磁性導電物質を分散させたグラニュラー物質であっ
て、前記非磁性導電物質として、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐ
ｔのうち少なくとも２つの元素からなる材料、もしくは
それらにＡｌ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｐｄ，
Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚｒ，Ｉｒのうち少なくとも１つ
の元素を添加した材料を用いることを特徴とする。
【００１１】また、本発明のグラニュラー膜は、前記グ
ラニュラー物質を用い、 基板上にグラニュラー物質を成膜する 基板上にバッファ層，グラニュラー物質を順次成膜す
る 基板上にグラニュラー物質，保護層を順次成膜する 基板上にバッファ層，グラニュラー物質，保護層を順
次成膜する ことを特徴とする。
ラニュラー物質を用い、 基板上にグラニュラー物質を成膜する 基板上にバッファ層，グラニュラー物質を順次成膜す
る 基板上にグラニュラー物質，保護層を順次成膜する 基板上にバッファ層，グラニュラー物質，保護層を順
次成膜する ことを特徴とする。
【００１２】また、これらの保護層は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓ
ｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの窒化
物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，Ａｌの窒化物，Ｓｉ
Ｃ，Ｃの単体もしくは混合物もしくは合金よりなる単層
膜または多層膜から成り、バッファ層は、Ｔａ，Ｈｆ，
Ｓｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉの窒化物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，Ａｌ
Ｎ，Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物も
しくは合金よりなる単層膜または多層膜から成り、基板
は、がセラミック，金属，金属化合物，プラスチックも
しくはそれらの混合物よりなる単層膜または多層膜から
成ることを特徴とする。
ｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの窒化
物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，Ａｌの窒化物，Ｓｉ
Ｃ，Ｃの単体もしくは混合物もしくは合金よりなる単層
膜または多層膜から成り、バッファ層は、Ｔａ，Ｈｆ，
Ｓｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉの窒化物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，Ａｌ
Ｎ，Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物も
しくは合金よりなる単層膜または多層膜から成り、基板
は、がセラミック，金属，金属化合物，プラスチックも
しくはそれらの混合物よりなる単層膜または多層膜から
成ることを特徴とする。
【００１３】
【作用】Ｃｕが磁性材料と組み合わせた場合に、大きな
ＭＲ変化を示すことは積層膜で知られている。ところが
非磁性材料にＣｕを用いた系では、グラニュラー膜にお
いてそれほど大きなＭＲ比を示さない。これはＣｕと非
磁性材料との固溶性が大きいため界面が明瞭にならない
ためである。一方、Ａｕ，ＰｔはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等の
磁性材料と組み合わせた場合に、その非固溶性から非常
に明確に界面ができることが知られている。しかしなが
ら、電子状態の関係からＭＲ変化率はそれほど大きくな
らない。また、ＡｇはＣｕとＡｕもしくはＰｔとの中間
的な性質を示す。
ＭＲ変化を示すことは積層膜で知られている。ところが
非磁性材料にＣｕを用いた系では、グラニュラー膜にお
いてそれほど大きなＭＲ比を示さない。これはＣｕと非
磁性材料との固溶性が大きいため界面が明瞭にならない
ためである。一方、Ａｕ，ＰｔはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等の
磁性材料と組み合わせた場合に、その非固溶性から非常
に明確に界面ができることが知られている。しかしなが
ら、電子状態の関係からＭＲ変化率はそれほど大きくな
らない。また、ＡｇはＣｕとＡｕもしくはＰｔとの中間
的な性質を示す。
【００１４】そこで，非磁性材料として、ＣｕにＡｇ，
Ａｕ，Ｐｔを適量加えると、非磁性材料を構成する元素
の電子状態はＣｕ単体の時に近く、しかも非磁性材料と
磁性粒子との界面も明瞭に作ることができるようにな
る。一方、Ａｌ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖは、酸素を吸着する性質を持っている
ため、これらの元素を非磁性材料に添加することによ
り、非磁性材料中に非磁性材料を構成する元素からなる
酸化物が形成されるのを防ぎ、ＭＲ特性の劣化を防ぐこ
とができる。
Ａｕ，Ｐｔを適量加えると、非磁性材料を構成する元素
の電子状態はＣｕ単体の時に近く、しかも非磁性材料と
磁性粒子との界面も明瞭に作ることができるようにな
る。一方、Ａｌ，Ｃｒ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖは、酸素を吸着する性質を持っている
ため、これらの元素を非磁性材料に添加することによ
り、非磁性材料中に非磁性材料を構成する元素からなる
酸化物が形成されるのを防ぎ、ＭＲ特性の劣化を防ぐこ
とができる。
【００１５】また、Ｐｄ，Ｚｒ，Ｉｒは、非磁性層に添
加することにより、非磁性層と磁性層との間の濡れ性が
低下し、界面が明瞭に形成されるようになるため、ＭＲ
特性の経時変化を防ぐことができる。
加することにより、非磁性層と磁性層との間の濡れ性が
低下し、界面が明瞭に形成されるようになるため、ＭＲ
特性の経時変化を防ぐことができる。
【００１６】次に、基板としては、ガラス，セラミッ
ク，金属，プラスチック、もしくはそれらの混合物より
なる単層膜または多層膜を使用することができる。ま
た、金属を基板に用いる場合は、金属とその上に形成さ
れるグラニュラー物質との結晶格子のマッチングを図る
ことにより、グラニュラー膜中の非磁性材料部の結晶性
を良好にすることができる。非磁性材料の結晶性が良好
なグラニュラー膜ではＭＲ比が向上する傾向がある。
ク，金属，プラスチック、もしくはそれらの混合物より
なる単層膜または多層膜を使用することができる。ま
た、金属を基板に用いる場合は、金属とその上に形成さ
れるグラニュラー物質との結晶格子のマッチングを図る
ことにより、グラニュラー膜中の非磁性材料部の結晶性
を良好にすることができる。非磁性材料の結晶性が良好
なグラニュラー膜ではＭＲ比が向上する傾向がある。
【００１７】また、バッファ層には、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓ
ｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉの窒化物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，Ａｌ
Ｎ，Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物よ
りなる単層膜または多層膜を用いることができる。基板
としてガラスやセラミックを用い、その上にＴａ，Ｈ
ｆ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃ
ｒ，Ａｌの単体もしくは混合物よりなる単層膜または多
層膜をバッアァ層として用いた場合は、グラニュラー層
に対して適当なバッアァ層構成を選択すれば、グラニュ
ラー層中の非磁性材料部の結晶性を良好にすることがで
きる。
ｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉの窒化物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，Ａｌ
Ｎ，Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物よ
りなる単層膜または多層膜を用いることができる。基板
としてガラスやセラミックを用い、その上にＴａ，Ｈ
ｆ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃ
ｒ，Ａｌの単体もしくは混合物よりなる単層膜または多
層膜をバッアァ層として用いた場合は、グラニュラー層
に対して適当なバッアァ層構成を選択すれば、グラニュ
ラー層中の非磁性材料部の結晶性を良好にすることがで
きる。
【００１８】また、プラスチック基板や一部のガラス，
セラミックを基板に用いた場合は、基板に含まれている
水などがグラニュラー層に影響し、ＭＲ特性を悪化させ
ることがある。このような場合には、バッアァ層として
Ｓｉの窒化物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，ＡｌＮ，
Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物よりな
る単層膜または多層膜を用いると、基板に含まれた水等
の耐食性阻害要因を遮断し、グラニュラー層の特性劣化
を防ぐことができる。
セラミックを基板に用いた場合は、基板に含まれている
水などがグラニュラー層に影響し、ＭＲ特性を悪化させ
ることがある。このような場合には、バッアァ層として
Ｓｉの窒化物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，ＡｌＮ，
Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物よりな
る単層膜または多層膜を用いると、基板に含まれた水等
の耐食性阻害要因を遮断し、グラニュラー層の特性劣化
を防ぐことができる。
【００１９】次に、バッアァ層として、Ｓｉの窒化物，
Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，ＡｌＮ，Ａｌの窒化物，
ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物よりなる単層膜または
多層膜を成膜した後に、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ａｌの単体もしく
は混合物よりなる単層膜または多層膜のうちから適当な
ものを成膜すると、耐久性に優れしかも非磁性層の結晶
性も良好なグラニュラー層を得ることができる。さら
に、保護層には、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａ
ｇ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの窒化物，Ｓｉの酸化物，
Ａｌの酸化物，Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃ，ダイヤモン
ドライクカーボンもしくはそれらの混合物もしくは合金
よりなる単層膜または多層膜を用いることができる。こ
れらをグラニュラー層上に成膜することにより、グラニ
ュラー層を大気から遮断することができ耐食性が向上す
る。
Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，ＡｌＮ，Ａｌの窒化物，
ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物よりなる単層膜または
多層膜を成膜した後に、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ａｌの単体もしく
は混合物よりなる単層膜または多層膜のうちから適当な
ものを成膜すると、耐久性に優れしかも非磁性層の結晶
性も良好なグラニュラー層を得ることができる。さら
に、保護層には、Ｔａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａ
ｇ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの窒化物，Ｓｉの酸化物，
Ａｌの酸化物，Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃ，ダイヤモン
ドライクカーボンもしくはそれらの混合物もしくは合金
よりなる単層膜または多層膜を用いることができる。こ
れらをグラニュラー層上に成膜することにより、グラニ
ュラー層を大気から遮断することができ耐食性が向上す
る。
【００２０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００２１】まず、図１に示すように、基板４上にグラ
ニュラー層２を成膜した構成において、グラニュラー層
２の磁性材料には、ＮｉＦｅＣｏを用いた上で、種々の
非磁性層を用いた場合のグラニュラー膜を作成し、磁気
抵抗変化率を測定した。次に、これらのグラニュラー膜
を温度８０℃，湿度９０％の恒温・恒湿漕の中で加速試
験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べて１０％低下するま
での時間ｔ10を測定した。この測定結果を表１に示す。
ニュラー層２を成膜した構成において、グラニュラー層
２の磁性材料には、ＮｉＦｅＣｏを用いた上で、種々の
非磁性層を用いた場合のグラニュラー膜を作成し、磁気
抵抗変化率を測定した。次に、これらのグラニュラー膜
を温度８０℃，湿度９０％の恒温・恒湿漕の中で加速試
験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べて１０％低下するま
での時間ｔ10を測定した。この測定結果を表１に示す。
【００２２】これによれば、従来のグラニュラー膜のよ
うに、非磁性層にＡｇを用いた場合では、ＭＲ比が９
％，ｔ10が１１２時間であったので、表１に示すような
非磁性材料を用いることにより、ＭＲ比は従来とほぼ同
程度かそれ以上、ｔ10は従来以上に改良されたことがわ
かる。
うに、非磁性層にＡｇを用いた場合では、ＭＲ比が９
％，ｔ10が１１２時間であったので、表１に示すような
非磁性材料を用いることにより、ＭＲ比は従来とほぼ同
程度かそれ以上、ｔ10は従来以上に改良されたことがわ
かる。
【００２３】
【表１】
【００２４】また、図１に示す構成において、基板４に
ガラス、グラニュラー層２の磁性材料にＮｉＦｅを用い
た上で、種々の非磁性材料を用いた場合のグラニュラー
膜を作成し、磁気抵抗変化率を測定した。次に、これら
のグラニュラー膜を温度８０℃，湿度９０％の恒温・恒
湿漕の中で加速試験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べて
１０％低下するまでの時間ｔ10を測定した。この測定結
果を表２に示す。
ガラス、グラニュラー層２の磁性材料にＮｉＦｅを用い
た上で、種々の非磁性材料を用いた場合のグラニュラー
膜を作成し、磁気抵抗変化率を測定した。次に、これら
のグラニュラー膜を温度８０℃，湿度９０％の恒温・恒
湿漕の中で加速試験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べて
１０％低下するまでの時間ｔ10を測定した。この測定結
果を表２に示す。
【００２５】これによれば、非磁性層にＡｇを用いた場
合は、ＭＲ比が７％，ｔ10が１１０時間であったので、
表１に示すような非磁性材料を用いることにより、ＭＲ
比は従来とほぼ同程度かそれ以上、ｔ10は従来以上に改
良されたことがわかる。
合は、ＭＲ比が７％，ｔ10が１１０時間であったので、
表１に示すような非磁性材料を用いることにより、ＭＲ
比は従来とほぼ同程度かそれ以上、ｔ10は従来以上に改
良されたことがわかる。
【００２６】
【表２】
【００２７】同様に、図１に示す構成において、基板４
にＡｌ2 Ｏ3 、グラニュラー層２の磁性材料にＣｏを用
いた上で、種々の非磁性材料を用いた場合のグラニュラ
ー膜を作成し、磁気抵抗変化率を測定した。次に、これ
らのグラニュラー膜を温度８０℃，湿度９０％の恒温・
恒湿漕の中で加速試験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べ
て１０％低下するまでの時間ｔ10を測定した。この測定
結果を表３に示す。
にＡｌ2 Ｏ3 、グラニュラー層２の磁性材料にＣｏを用
いた上で、種々の非磁性材料を用いた場合のグラニュラ
ー膜を作成し、磁気抵抗変化率を測定した。次に、これ
らのグラニュラー膜を温度８０℃，湿度９０％の恒温・
恒湿漕の中で加速試験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べ
て１０％低下するまでの時間ｔ10を測定した。この測定
結果を表３に示す。
【００２８】これによれば、非磁性層にＡｇを用いた場
合は、ＭＲ比が２０％，ｔ10が１０６時間であったの
で、表１に示すような非磁性材料を用いることにより、
ＭＲ比は従来とほぼ同程度かそれ以上、ｔ10は従来以上
に改良されたことがわかる。
合は、ＭＲ比が２０％，ｔ10が１０６時間であったの
で、表１に示すような非磁性材料を用いることにより、
ＭＲ比は従来とほぼ同程度かそれ以上、ｔ10は従来以上
に改良されたことがわかる。
【００２９】
【表３】
【００３０】さらに、図１に示す構成において、基板４
にＳｉＯ2 、グラニュラー層２の磁性材料にＮｉＦｅＣ
ｏを用いた上で、非磁性材料にＡｇＣｕに種々の元素を
添加した材料を用いた場合のグラニュラー膜を作成し、
磁気抵抗変化率を測定した。次に、これらのグラニュラ
ー膜を温度８０℃，湿度９０％の恒温・恒湿漕の中で加
速試験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べて１０％低下す
るまでの時間ｔ10を測定した。この測定結果を表４に示
す。
にＳｉＯ2 、グラニュラー層２の磁性材料にＮｉＦｅＣ
ｏを用いた上で、非磁性材料にＡｇＣｕに種々の元素を
添加した材料を用いた場合のグラニュラー膜を作成し、
磁気抵抗変化率を測定した。次に、これらのグラニュラ
ー膜を温度８０℃，湿度９０％の恒温・恒湿漕の中で加
速試験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べて１０％低下す
るまでの時間ｔ10を測定した。この測定結果を表４に示
す。
【００３１】これによれば、ＡｇＣｏ非磁性層に元素を
添加しない場合は、磁気抵抗変化率は１０％，ｔ10は１
１５時間であったので、元素の添加により、磁気抵抗変
化率はほぼ同程度であり、耐久性は向上したことがわか
る。
添加しない場合は、磁気抵抗変化率は１０％，ｔ10は１
１５時間であったので、元素の添加により、磁気抵抗変
化率はほぼ同程度であり、耐久性は向上したことがわか
る。
【００３２】
【表４】
【００３３】同じく、図１に示す構成において、基板４
にガラス，グラニュラー層２の磁性材料にはＮｉＦｅＣ
ｏを用いた上で、非磁性材料にＡｇＡｕに種々の元素を
添加した材料を用いた場合のグラニュラー膜を作成し、
磁気抵抗変化率を測定した。次に、これらのグラニュラ
ー膜を温度８０℃，湿度９０％の恒温・恒湿漕の中で加
速試験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べて１０％低下す
るまでの時間ｔ10を測定した。この測定結果を表５に示
す。
にガラス，グラニュラー層２の磁性材料にはＮｉＦｅＣ
ｏを用いた上で、非磁性材料にＡｇＡｕに種々の元素を
添加した材料を用いた場合のグラニュラー膜を作成し、
磁気抵抗変化率を測定した。次に、これらのグラニュラ
ー膜を温度８０℃，湿度９０％の恒温・恒湿漕の中で加
速試験を行い、ＭＲ比が初期の値に比べて１０％低下す
るまでの時間ｔ10を測定した。この測定結果を表５に示
す。
【００３４】これによれば、ＡｇＡｕ非磁性層に元素を
添加しない場合は、磁気抵抗変化率は９％，ｔ10は１２
０時間であったので，元素の添加により、磁気抵抗変化
率はほぼ同程度であり、耐久性は向上したことがわか
る。
添加しない場合は、磁気抵抗変化率は９％，ｔ10は１２
０時間であったので，元素の添加により、磁気抵抗変化
率はほぼ同程度であり、耐久性は向上したことがわか
る。
【００３５】
【表５】
【００３６】次に、図２に示すように、基板４上にバッ
ファ層３，グラニュラー層２を順次成膜した構成におい
て、基板４にガラス、グラニュラー層２の磁性材料には
ＮｉＦｅＣｏ、非磁性材料にＡｇＣｕ合金を用いた上
で、バッアァ層３に種々の材料を用いてグラニュラー膜
を作成し、磁気抵抗変化率を測定した。この結果を表６
に示す。
ファ層３，グラニュラー層２を順次成膜した構成におい
て、基板４にガラス、グラニュラー層２の磁性材料には
ＮｉＦｅＣｏ、非磁性材料にＡｇＣｕ合金を用いた上
で、バッアァ層３に種々の材料を用いてグラニュラー膜
を作成し、磁気抵抗変化率を測定した。この結果を表６
に示す。
【００３７】
【表６】
【００３８】また、図２に示す構成において、基板４に
フェライト、グラニュラー層２の磁性材料にはＮｉＦｅ
Ｃｏ，非磁性材料にＡｇＡｕ合金を用いた上で、バッア
ァ層３に種々の材料を用いてグラニュラー膜を作成し、
磁気抵抗変化率を測定した。この結果を表７に示す。
フェライト、グラニュラー層２の磁性材料にはＮｉＦｅ
Ｃｏ，非磁性材料にＡｇＡｕ合金を用いた上で、バッア
ァ層３に種々の材料を用いてグラニュラー膜を作成し、
磁気抵抗変化率を測定した。この結果を表７に示す。
【００３９】
【表７】
【００４０】さらに、図２に示す構成において、基板４
にポリカーボネート、グラニュラー層２の磁性材料には
ＮｉＦｅＣｏ，非磁性材料にＡｇＡｕ合金を用いた上
で、バッアァ層３に種々の材料を用いてグラニュラー膜
を作成し、磁気抵抗変化率を測定した。この結果を表８
に示す。
にポリカーボネート、グラニュラー層２の磁性材料には
ＮｉＦｅＣｏ，非磁性材料にＡｇＡｕ合金を用いた上
で、バッアァ層３に種々の材料を用いてグラニュラー膜
を作成し、磁気抵抗変化率を測定した。この結果を表８
に示す。
【００４１】
【表８】
【００４２】次に、図３に示すように、基板４上にグラ
ニュラー層２，保護層１を順次成膜した構成において、
基板４にＳｉＯ2 、グラニュラー層２の磁性材料にはＮ
ｉＦｅＣｏ、非磁性材料にはＡｇＣｕを用いた上で、種
々の保護層１を用いてグラニュラー膜を作成した。続い
て、これらのグラニュラー膜を温度８０℃，湿度９０％
の恒温・恒湿漕の中で加速試験を行い、ＭＲ比が初期の
値に比べて１０％低下するまでの時間ｔ10を測定した。
この測定結果を表９に示す。
ニュラー層２，保護層１を順次成膜した構成において、
基板４にＳｉＯ2 、グラニュラー層２の磁性材料にはＮ
ｉＦｅＣｏ、非磁性材料にはＡｇＣｕを用いた上で、種
々の保護層１を用いてグラニュラー膜を作成した。続い
て、これらのグラニュラー膜を温度８０℃，湿度９０％
の恒温・恒湿漕の中で加速試験を行い、ＭＲ比が初期の
値に比べて１０％低下するまでの時間ｔ10を測定した。
この測定結果を表９に示す。
【００４３】これによれば、保護層１が無しの場合は、
ｔ10が１１５時間であったので、いずれの場合も保護層
１を用いることにより、耐食性が向上したことがわか
る。
ｔ10が１１５時間であったので、いずれの場合も保護層
１を用いることにより、耐食性が向上したことがわか
る。
【００４４】
【表９】
【００４５】次に、図４に示すように、基板４上にバッ
ファ膜３，グラニュラー層２，保護層１を順次成膜した
構成において、基板４にポリオレフィン、グラニュラー
層２の磁性材料にはＮｉＦｅＣｏ、非磁性材料にはＡｇ
Ｃｕ、バッアァ層３にはＳｉ3 Ｎ4 ／Ｔａ２層膜を用い
た上で、種々の保護層１を用いてグラニュラー膜を作成
した。続いて、これらのグラニュラー膜を温度８０℃，
湿度９０％の恒温・恒湿漕の中で加速試験を行い、ＭＲ
比が初期の値に比べて１０％低下するまでの時間ｔ10を
測定した。この測定結果を表１０に示す。
ファ膜３，グラニュラー層２，保護層１を順次成膜した
構成において、基板４にポリオレフィン、グラニュラー
層２の磁性材料にはＮｉＦｅＣｏ、非磁性材料にはＡｇ
Ｃｕ、バッアァ層３にはＳｉ3 Ｎ4 ／Ｔａ２層膜を用い
た上で、種々の保護層１を用いてグラニュラー膜を作成
した。続いて、これらのグラニュラー膜を温度８０℃，
湿度９０％の恒温・恒湿漕の中で加速試験を行い、ＭＲ
比が初期の値に比べて１０％低下するまでの時間ｔ10を
測定した。この測定結果を表１０に示す。
【００４６】これによれば、保護層１が無しの場合は、
ｔ10が１２１時間であったので、いずれの場合も保護層
１を用いることにより、耐食性が向上したことがわか
る。
ｔ10が１２１時間であったので、いずれの場合も保護層
１を用いることにより、耐食性が向上したことがわか
る。
【００４７】
【表１０】
【００４８】
【発明の効果】本発明を適用したことにより、従来のグ
ラニュラー膜と同等か、それ以上のＭＲ変化量率を示
し、しかも高温度・高湿度下における加速信頼性試験の
結果が、従来よりも良好なグラニュラー膜を得ることが
できた。
ラニュラー膜と同等か、それ以上のＭＲ変化量率を示
し、しかも高温度・高湿度下における加速信頼性試験の
結果が、従来よりも良好なグラニュラー膜を得ることが
できた。
【図１】第１の発明のグラニュラー膜の構成を示す概念
図である。
図である。
【図２】第２の発明のグラニュラー膜の構成を示す概念
図である。
図である。
【図３】第３の発明のグラニュラー膜の構成を示す概念
図である。
図である。
【図４】第４の発明のグラニュラー膜の構成を示す概念
図である。
図である。
１ 基板 ２ バッファ層 ３ グラニュラー層 ４ 保護層
フロントページの続き (72)発明者 石原 邦彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−140687（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】 非磁性導電物質に磁性導電物質を分散さ
せたグラニュラー物質であって、前記非磁性導電物質と
して、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔのうち少なくとも２つの
元素からなる材料、もしくはそれらにＡｌ，Ｃｒ，Ｉ
ｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚ
ｒ，Ｉｒのうち少なくとも１つの元素を添加した材料を
用いることを特徴とするグラニュラー物質。 - 【請求項２】 基板上に前記請求項１記載のグラニュラ
ー物質を成膜したことを特徴とするのグラニュラー膜。 - 【請求項３】 基板上にバッファ層，前記請求項１記載
のグラニュラー物質を順次成膜したことを特徴とするの
グラニュラー膜。 - 【請求項４】 基板上に前記請求項１記載のグラニュラ
ー物質，保護層を順次成膜したことを特徴とするのグラ
ニュラー膜。 - 【請求項５】 基板上にバッファ層，前記請求項１記載
のグラニュラー物質，保護層を順次成膜したことを特徴
とするのグラニュラー膜。 - 【請求項６】 前記保護層がＴａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ａｕ，
Ｐｔ，Ａｇ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの窒化物，Ｓｉの
酸化物，Ａｌの酸化物，Ａｌの窒化物，ＳｉＣ，Ｃの単
体もしくは混合物もしくは合金よりなる単層膜または多
層膜であることを特徴とする請求項４または５記載のグ
ラニュラー膜。 - 【請求項７】 前記バッファ層がＴａ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ
の窒化物，Ｓｉの酸化物，Ａｌの酸化物，ＡｌＮ，Ａｌ
の窒化物，ＳｉＣ，Ｃの単体もしくは混合物もしくは合
金よりなる単層膜または多層膜であることを特徴とする
請求項３，請求項５または請求項６のいずれか１項記載
のグラニュラー膜。 - 【請求項８】 前記基板がセラミック，金属，金属化合
物，プラスチックもしくはそれらの混合物よりなる単層
膜または多層膜であることを特徴とする請求項２から請
求項７のいずれか１項記載のグラニュラー膜。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150858A JP2701743B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | グラニュラー物質およびこれを用いたグラニュラー膜 |
| US08/497,716 US5594933A (en) | 1994-07-01 | 1995-06-30 | Magnetoresistance film which is a matrix of at least two specified metals having included submicron particles of a specified magnetic metal or alloy |
| KR1019950018629A KR0165994B1 (ko) | 1994-07-01 | 1995-06-30 | 자기 저항 물질 |
| CN95109128A CN1096690C (zh) | 1994-07-01 | 1995-07-01 | 磁致电阻性材料和磁致电阻膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150858A JP2701743B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | グラニュラー物質およびこれを用いたグラニュラー膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822611A JPH0822611A (ja) | 1996-01-23 |
| JP2701743B2 true JP2701743B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=15505918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6150858A Expired - Lifetime JP2701743B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | グラニュラー物質およびこれを用いたグラニュラー膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5594933A (ja) |
| JP (1) | JP2701743B2 (ja) |
| KR (1) | KR0165994B1 (ja) |
| CN (1) | CN1096690C (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5773156A (en) * | 1995-01-26 | 1998-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| US5681426A (en) * | 1995-12-13 | 1997-10-28 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon wet etchant stop for formation of magnetic transducers |
| US5696655A (en) * | 1996-07-30 | 1997-12-09 | Nec Research Institute, Inc. | Self-biasing non-magnetic giant magnetoresistance |
| DE19840823C1 (de) | 1998-09-07 | 2000-07-13 | Siemens Ag | Magnetoresistives Element und dessen Verwendung als Speicherelement in einer Speicherzellenanordnung |
| JP4496320B2 (ja) | 1999-03-25 | 2010-07-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 磁気抵抗効果薄膜 |
| US7811965B2 (en) * | 2004-08-18 | 2010-10-12 | Symyx Solutions, Inc. | Platinum-copper-nickel fuel cell catalyst |
| CN100369121C (zh) * | 2005-03-28 | 2008-02-13 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法 |
| US7901737B2 (en) * | 2005-06-10 | 2011-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing magnetic recording medium |
| CN102364618B (zh) * | 2011-11-10 | 2013-03-06 | 中国科学院物理研究所 | 一种具有垂直磁各向异性的多层膜材料 |
| US20140284534A1 (en) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Toshihiko Nagase | Magnetoresistive element and manufacturing method thereof |
| CN107958765B (zh) * | 2017-11-13 | 2020-07-03 | 北京科技大学 | 一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及其制备方法 |
| CN107887103B (zh) * | 2017-11-13 | 2020-07-03 | 北京科技大学 | 一种磁电阻薄膜材料及其制备方法 |
| US11594673B2 (en) | 2019-03-27 | 2023-02-28 | Intel Corporation | Two terminal spin orbit memory devices and methods of fabrication |
| US11557629B2 (en) * | 2019-03-27 | 2023-01-17 | Intel Corporation | Spin orbit memory devices with reduced magnetic moment and methods of fabrication |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51125639A (en) * | 1974-12-20 | 1976-11-02 | Sony Corp | Process for preparing regularly combined metal |
| US5158933A (en) * | 1990-11-15 | 1992-10-27 | Holtz Ronald L | Phase separated composite materials |
| JP3207477B2 (ja) * | 1991-12-24 | 2001-09-10 | 財団法人生産開発科学研究所 | 磁気抵抗効果素子 |
| JPH07508133A (ja) * | 1992-06-16 | 1995-09-07 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 巨大な磁気抵抗性の単一膜合金 |
| JP3309922B2 (ja) * | 1992-10-26 | 2002-07-29 | 日立マクセル株式会社 | 磁気抵抗素子用磁性薄膜およびその製造方法 |
| US5363794A (en) * | 1992-12-02 | 1994-11-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Uniaxial thin film structures formed from oriented bilayers and multilayers |
| JPH0766033A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP6150858A patent/JP2701743B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-30 US US08/497,716 patent/US5594933A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-30 KR KR1019950018629A patent/KR0165994B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-07-01 CN CN95109128A patent/CN1096690C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0822611A (ja) | 1996-01-23 |
| CN1121250A (zh) | 1996-04-24 |
| US5594933A (en) | 1997-01-14 |
| KR0165994B1 (ko) | 1999-01-15 |
| KR960005635A (ko) | 1996-02-23 |
| CN1096690C (zh) | 2002-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5287237A (en) | Antiferromagnetic film superior in corrosion resistance, magnetoresistance-effect element and magnetoresistance-effect head including such thin film | |
| JP2701743B2 (ja) | グラニュラー物質およびこれを用いたグラニュラー膜 | |
| US5742458A (en) | Giant magnetoresistive material film which includes a free layer, a pinned layer and a coercive force increasing layer | |
| KR100376028B1 (ko) | 자기 저항 효과 소자 및 그 제조 방법 | |
| US6562486B2 (en) | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film | |
| JP2785678B2 (ja) | スピンバルブ膜およびこれを用いた再生ヘッド | |
| JP2748876B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜 | |
| JP2778626B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法並びに磁気抵抗効果素子 | |
| JP3411626B2 (ja) | 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子ならびにそれらの製造方法 | |
| JP3137580B2 (ja) | 磁性多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気変換素子 | |
| JP2738312B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
| JPH09199325A (ja) | 多層構造およびセンサならびに製造方法 | |
| EP0717422A1 (en) | Exchange coupling film and magnetoresistive element | |
| JP2000156530A (ja) | 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子 | |
| JP2001308411A (ja) | スピンバルブ型磁気抵抗センサおよび薄膜磁気ヘッド | |
| US4935311A (en) | Magnetic multilayered film and magnetic head using the same | |
| JPH06325934A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH05114761A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH09205234A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果センサ | |
| JP3527786B2 (ja) | 多層磁気抵抗効果膜および磁気ヘッド | |
| JP3655031B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気再生システム | |
| JP3089674B2 (ja) | 反強磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH08129721A (ja) | ＮｉＯ反強磁性膜の製造方法並びに磁気抵抗効果素子の製造方法とその素子 | |
| JP3337732B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP3083237B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970902 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071003 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 15 |