JP2690480B2 - 新規4−ホルミルテトラヒドロピラン - Google Patents

新規4−ホルミルテトラヒドロピラン

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JP2690480B2
JP2690480B2 JP8070527A JP7052796A JP2690480B2 JP 2690480 B2 JP2690480 B2 JP 2690480B2 JP 8070527 A JP8070527 A JP 8070527A JP 7052796 A JP7052796 A JP 7052796A JP 2690480 B2 JP2690480 B2 JP 2690480B2
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フプフアー レオポルド
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    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、新規な4−ホルミ
ルテトラヒドロピラン類に関する。 【0002】4−ホルミルテトラヒドロピラン及びその
アルキル誘導体は既知で、次の方法により製造される。 【0003】4−オキソテトラヒドロピランとアルコキ
シメチルハロゲン化物及びマグネシウムからのグリニヤ
ール試薬との反応及びそれに続く4−ホルミルテトラヒ
ドロピランへの加水分解は、Arm.Khim.Zh.
26巻227(1973)、CA79巻66132g;
Dokl.Vscs.Konf.Khim.Atsel
inena 4th 1978 348、CA79巻1
2628e及びArm.Khim.Zh.24巻503
(1971)、CA76巻25029yに記載されてい
る。 【0004】4−オキソテトラヒドロピランとウイッテ
ィヒ試薬アルコキシメチレントリフェニル−ホスホラン
との反応は、同様に対応する4−ホルミルテトラヒドロ
ピランを与える(Arm.Khim.Zh.27巻94
5(1974)参照)。 【0005】ダーゼンのグリシドエステル法によれば、
種々の4−テトラヒドロピラニリデングリシドエステル
を、水溶液中でアルデヒドに変える(Arm.Khi
m.Zh.30巻516(1977)、CA87巻15
1967t;Geterotsikl.Soedin
1979,25、CA94巻30479w;Arm.K
him.Zh.36巻597(1983)、CA100
巻68212j;Arm.Khim.Zh.25巻17
3(1972)、CA77巻48187k;SU−A−
550389、CA87巻23051c参照)。 【0006】スピロ−1,6−ジオキサ[2.5]オク
タンを塩化亜鉛上で蒸留すると、4−ホルミルテトラヒ
ドロピランが得られる(Chem.Ber.91巻15
89(1958)参照)。そのほか4−ホルミルテトラ
ヒドロピランはアンゲバンテ・ヘミー86巻742頁
(1974)に記載されているように、テトラヒドロピ
ラン−4−カルボン酸クロリドからローゼムント還元に
より、あるいは4,8−ジオキサ−ビシクロ[5.1.
0]オクタ−2,5−ジエンから転位及びそれに続く接
触水素化により製造できる。 【0007】これらの既知の合成法は多数の欠点を有す
る。アルコキシメチル−マグネシウムハロゲニド及びア
ルコキシメチレン−トリフェニルホスファンの製造は、
ハロゲノメチルエーテルの使用を必要とする。これは毒
性が強いので取扱い困難な物質で、その使用は工業的に
可能であっても煩雑になる。グリシドエステル法は最高
70%の収率を与える。非置換4−ホルミルテトラヒド
ロピランの場合の収率は36%である(比較例1参
照)。この悪い収率はこの合成法を不経済なものにす
る。塩化亜鉛上の1,6−ジオキサン−スピロ[2.
5]オクタンの蒸留では、反応が不完全で、4−ホルミ
ルテトラヒドロピランの収率は示されていない。実際に
もこの収率はわずか42%である(比較例2参照)。そ
のほか密閉容器中に放置すると、融点218〜223℃
の結晶性固形物が生ずることも記載されている。しかし
4−ホルミルテトラヒドロピランは室温で無色の易流動
性液体である。テトラヒドロピラン−4−カルボン酸ク
ロリドのローゼムント反応についても同様である。この
場合も収率の記載がなく、反応生成物については融点1
35℃と示されており、これは同様にこの生成物が4−
ホルミルテトラヒドロピランでないことを意味する。こ
れは4−ホルミルテトラヒドロピランに基づく固形物
で、アルデヒドの高分子付加物と推定され、後の種々の
反応には使用できない。4,8−ジオキサ−ビシクロ
[5.1.0]オクタ−2,5−ジエンは入手困難で、
工業的合成の原料物質としては全く不適当である。 【0008】置換された1,2−ジオール(ホウベン−
ワイル著メトーデン・デル・オルガニッシェン・ヘミー
E3巻491頁1983年の総説の章)、置換されたオ
キシラン(同書E3巻496頁の総説の章)又は置換さ
れた三級ブチルグリシドエステル(同書E3巻530
頁)から、対応するアルデヒドが得られることも知られ
ている。 【0009】そのほか助剤付加A−ゼオライト上でブチ
レンオキシドを反応させて、ブチルアルデヒド55〜7
2%、シス−トランスブテン−(2)−オール19〜3
4%、ブタノール3〜9%及びメチルエチルケトン2%
が得られることも知られている(北海道大学工学部研究
報告67巻1973年171〜178頁)。この場合の
選択率はなお希望から遠い。またA−ゼオライト触媒は
コークスにより不活性化したのちは再生できない。なぜ
ならばそのために必要な温度は約500℃で、この温度
ではゼオライトの結晶構造が破壊されるからである。こ
のことは5Å分子ふるい上で2−(4′−イソブチルフ
ェニル)−2−メチル−オキシランから、2−(4′−
イソブチルフェニル)−プロパナールを製造する場合に
も適合する。 【0010】プロピレンオキシドをアルカリ付与X−ゼ
オライト上で反応させてアセトン又はプロピオンアルデ
ヒドにするためには、強酸性中心の不在で操作すること
が必要である(早稲田大学理工学研究所報告67巻19
74年26−9参照)。 【0011】シクロドデカノンがPh−又はRh−付与
Al23上で、エポキシシクロドデカンから得られるこ
とも知られている(Neftekhimiya 16巻
1976年250−4頁参照)。この報文では、この反
応にゼオライトが不適当であることを明らかに指示して
いる。 【0012】欧州特許出願公開100117号明細書に
は、スチロールオキシド又は芳香族核でアルキル化又は
アルコキシ化されたスチロールオキシドを、チタン含有
ゼオライト上で、液相で30〜100℃で反応させて、
β−フェニルアセトアルデヒドにすることが記載されて
いる。このために用いられる触媒は、高価な高純度の物
質例えばテトラアルキルオルトシリケート、テトラアル
キルオルトチタネート又はテトラプロピルアンモニウム
ヒドロキシドから、高い費用をかけて製造せねばならな
い。しかも反応を溶剤例えばメタノール又はアセトンの
中で液相中で行い、そして滞留時間を1〜1.5時間に
保持するときにのみ、高い変化率が得られる。これは蒸
留費及び運転費を高価にする。さらにチタン含有ゼオラ
イト上の反応は一般適応性がなく、スチロールオキシド
及び芳香族核でアルキル化又はアルコキシ化されたスチ
ロールオキシドの場合だけに可能である。 【0013】 【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、新規
な4−ホルミルテトラヒドロピランを提供することであ
った。 【0014】 【課題を解決するための手段】本発明の化合物は、一般
式 【0015】 【化2】 【0016】(Rは後記の意味を有し、R及びR
はそれぞれOH基であるか、あるいは一緒になって1個
の酸素原子を示してオキシラン環を形成し、RはR
及びRがそれぞれOH基の場合は水素原子を意味し、
及びRが一緒になって1個の酸素原子である場合
は水素原子又は三級ブチルオキシカルボニル基を意味す
る)で表わされるピラン誘導体を、担体上のゼオライ
ト、燐酸塩、硼酸、二酸化珪素又はその混合物から選ば
れた触媒を用いて高められた温度で処理することを特徴
とする、一般式I 【0017】 【化3】 【0018】(R1は水素原子、C4〜C12−アルキル
基、C2〜C12−アルケニル基、C1〜C6−アルコキシ
置換C1〜C12−アルキル基、C4〜C12−シクロアルキ
ル基、置換されていてもよいアリール基、ヘテロアリー
ル基、アルアルキル基又は置換されていてもよい飽和又
は不飽和のN、O又はSを含有しうる5員もしくは6員
の環を意味する)で表わされる4−ホルミルテトラヒド
ロピランの製法により得られる。 【0019】一般式 【0020】 【化4】 【0021】で表わされる4−ホルミルテトラヒドロピ
ランは新規物質である。この式中R1′はC4〜C12−ア
ルキル基、C4〜C12−シクロアルキル基、C1〜C6
アルコキシ置換C1〜C12−アルキル基、場合によりC1
〜C6−アルコキシ基、ハロゲン原子もしくはトリフル
オルメチル基により置換されたアリール基又はヘテロア
リール基、アルキル部中に1〜6個の炭素原子を有する
アルアルキル基、又は少なくとも1個のN、O又はSに
より中断されている飽和又は不飽和の5員又は6員の環
の残基を意味する。 【0022】一般式IIの出発化合物として用いられる
ピラン誘導体は、下記の式IIa、IIb及びIIcに
より示される。R1は前記の意味を有する。 【0023】 【化5】 【0024】本発明の方法においては、一般式IIの出
発化合物として、4−(1′,2′−ジヒドロキシエチ
ル)−テトラヒドロピラン又は1,5−ジオキサ−スピ
ロ[2.6]オクタンを使用することが好ましい。 【0025】一般式Iの中のR1がC1〜C12−アルキル
基であるときは、これは特にメチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基
又はドデシル基である。C1〜C12−アルキル基は直鎖
状でも分枝状でもよい。 【0026】R1がC2〜C12−アルケニル基のときは、
これは例えばエテニル基、プロペニル基、ブテニル基又
はペンテニル基を意味する。C1〜C12−アルキル基
は、所望によりC1〜C6−アルコキシ基により置換され
ていてもよい。アルコキシ基としては、特にメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好まし
い。R1はC4〜C12−シクロアルキル基であってもよ
く、その例はシクロブチル基、シクロプロピル基、シク
ロヘキシル基、シクロオクチル基及びシクロドデシル基
である。 【0027】R1は場合により置換されたアリール基、
ヘテロアリール基又はアルアルキル基であってもよい。
置換基としては普通のものが用いられ、特にC1〜C6
アルキル基、ハロゲン原子好ましくは弗素原子、塩素原
子、臭素原子及びC1〜C6−アルコキシ基があげられ
る。アリール基、ヘテロアリール基又はアルアルキル基
の例としては、特にフェニル基、ナフチル基、ピリジル
基、チエニル基、フリル基、ベンジル基又はフェニルエ
チル基があげられる。 【0028】R1は場合により置換された飽和又は不飽
和の5員又は6員の環であってもよく、これはN、O又
はSにより中断されていてもよい。その例は特に基テト
ラヒドロピラニル、フラニル又はモルホリニルである。 【0029】一般式I′において、基R1′はC4〜C12
−アルキル基例えばブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、オクチル基、デシル基又はドデシル基である。それ
はC4〜C12−シクロアルキル基であってもよく、R1
ついて説明した前記の意味を有する。C1〜C6−アルコ
キシ置換C1〜C12−アルキル基についても同様であ
る。 【0030】既知の4−ホルミルテトラヒドロピランの
合成法と比較して、本発明の方法は多数の利点を有す
る。例えば4−ホルミルテトラヒドロピランが、入手し
やすく安価な原料物質から高収率で、かつ次の反応のた
めに大きい意義を有する単量体の形で得られる。そのほ
か4−オキソテトラヒドロピランとの反応に用いられる
グリニヤール試薬又はウイッティヒ試薬を製造するため
の、取扱い困難で有毒なハロゲノメチルエーテルの使用
を省略できる。三級ブチルグリシドエステル(III
c)の反応における収率は、グリシドエステルからの4
−ホルミルテトラヒドロピランの製造の場合に従来得ら
れた収率より著しく高い。 【0031】本発明の方法に用いられるゼオライト触媒
によると、特に優れた収率、選択率及び触媒寿命が得ら
れる。このことは反応を好ましくは高温の気相中で行っ
ても、その際敏感な4−ホルミルテトラヒドロピランが
分解しやすい性質にもかかわらず、酸性ゼオライトによ
り分解されないことも考慮に入れると、なおさら意外で
ある。 【0032】本発明により用いられる触媒は、簡単に入
手しうること、高い活性及び再生が容易であること(最
初の活性が復活される)において優れている。そのほか
長い触媒寿命において、高い変化率、高い選択率及び触
媒の使用しやすいことが保証される。 【0033】本発明の方法によれば、冒頭に記載の従来
法による欠点が避けられる。従来法では、弱酸性のX−
ゼオライトだけが用いられ、あるいは転位反応用のゼオ
ライトは不適当とされていたので、本方法の成功は予想
外であった。したがって高い酸度ならびに厳格な構造パ
ラメーターを特性とするゼオライトを用いて、広範囲で
生成物の大きい多様性において、このような優れた結果
が得られることは全く予想されなかった。 【0034】本発明に用いられる触媒による転位におけ
る本発明方法の利点は次のとおりである。完全な変化
率、分離上の問題がないこと、長い触媒寿命、高い選択
率、芳香族核において置換された出発物質もきわめて良
好な収率が得られること、生成物を簡単に単離できるこ
と、それを普通は精製しないで使用できること、コーク
ス化物が生じていても触媒を容易に再生しうることなど
において優れている。したがって新規方法によれば、既
知方法よりも経済的にかつ工業的に簡単に実施すること
が可能になり、目的の4−ホルミルテトラヒドロピラン
が従来よりも高収率かつ高純度で得られる。 【0035】一般式IIの出発化合物は、常法により対
応する4−メチレン−テトラヒドロピランから、ジオー
ル(IIa)へ酸化することにより(Khim.Get
erotsikl.Soedin.1983、89
1)、オキシラン(IIb)へ酸化することにより(I
zv.Akad.Nauk.SSSR、Ser.Khi
m.1982、2114)、あるいは対応する4−オキ
ソテトラヒドロピランをクロル酢酸三級ブチルエステル
と反応させてグリシドエステル(IIc)にすることに
より得られる。この4−メチレン−テトラヒドロピラン
は、3−メチル−3−ブテン−1−オールを一般式 R1−CHO (III) (R1は前記の意味を有する)のアルデヒドと反応させ
(Arm.Khim.Zh.29、1033、1976
年、CA87巻5757h)、生成物を蒸留して精製す
ることにより得られる。その際得られる1対の立体異性
体は、分割しないでそのままアルデヒドIの立体異性体
混合物を得るための転位反応に用いられる。 【0036】前記化合物は一般式Iのアルデヒドの製造
のため有用な化合物として選ばれたもので、本発明の方
法が広く一般式Iのアルデヒドのため利用しうることを
制限するものではない。 【0037】本発明の転位のための触媒としては、好ま
しくは酸性ゼオライト触媒が用いられる。ゼオライトは
SiO4−及びAlO4の四面体(酸素原子により結合さ
れている)の強固な三次元網状組織を有する高配位構造
を有するアルミノシリケート結晶である。Si及びAl
原子と酸素原子の比率は1:2である(ウルマンス・エ
ンチクロペディ・デル・テヒニッシェン・ヘミー4版2
4巻575頁1983年参照)。アルミニウム含有四面
体の電子価は、カチオン例えばアルカリイオン又は水素
イオンを結晶に封入することにより補償される。カチオ
ン交換は可能である。四面体相互間の空間は、乾燥又は
焼成による脱水の前は水分子により占められている。 【0038】ゼオライトにはアルミニウムの代わりに、
他の3価又は2価の元素、例えばB、Ga、Fe、C
r、Be、As、Sb、Bi又はその混合物を、格子中
に組み込むことができ、あるいは珪素を4価の元素、例
えばGe、Ti、Zr又はHfで置き換えることもでき
る。 【0039】触媒としてはモルデナイト群又はフォージ
ャサイト群のゼオライト例えばL−ゼオライト、あるい
はエリオナイト型又はチャバサイト型の微孔ゼオライト
が用いられる。本発明方法には特にペンタシル型のゼオ
ライトが好ましい。これらゼオライトは化学的組成が種
々異なっている。それはアルミノ−、ボロ−、鉄−、ガ
リウム−、クロム−、ベリリウム−、砒素−、アンチモ
ン−及びビスマスシリケートゼオライト又はその混合
物、ならびにアルミノ−、ボロ−、ガリウム−及び鉄ゲ
ルマネートゼオライト又はその混合物である。 【0040】本発明の方法に特に好適なものは、ペンタ
シル型のアルミノ−、ボロ−及び鉄シリケートゼオライ
トである。アルミニウムシリケート・ゼオライトは、例
えばアルミニウム化合物特にAl(OH)3又はAl
2(SO43と、珪素成分特に高分散二酸化珪素から、
アミン特に1,6−ヘキサンジアミン又は1,3−プロ
パンジアミン又はトリエチレンテトラミンの水溶液中
で、アルカリ添加物又はアルカリ土類添加物を使用し又
は特に使用しないで、100〜220℃及び自生圧にお
いて製造される。これにはDEA−3006471及び
EPA−46504によるイソタクチックゼオライトも
属する。得られたアルミノシリケート・ゼオライトは、
使用物質量の選択によって10〜40000のSiO2
/Al23比を有する。この種のアルミノシリケート・
ゼオライトを、エーテル例えばジエチレングリコールジ
メチルエーテル、アルコール例えばメタノール又は1,
4−ブタンジオール、あるいは水を媒質として合成する
こともできる。 【0041】ボロシリケート・ゼオライトは、例えば硼
素化合物例えばH3BO3を珪素化合物好ましくは高分散
二酸化珪素と、アミン水溶液特に1,6−ヘキサンジア
ミン、1,3−プロパンジアミン又はトリエチレンテト
ラミンの溶液の中で、アルカリ添加物又はアルカリ土類
添加物を使用し又は特に使用しないで、90〜200℃
で自生圧下に反応させることにより合成される。これに
はDEA−3006471及びEPA−46504のイ
ソタクチックゼオライトも属する。このボロシリケート
・ゼオライトは、反応をアミン水溶液でなくエーテル例
えばジエチレングリコールジメチルエーテルの溶液、あ
るいはアルコール例えば1,6−ヘキサンジオールの溶
液の中で反応を行っても、同様に製造できる。 【0042】鉄シリケート・ゼオライトは、例えば鉄化
合物好ましくはFe2(SO43と珪素化合物好ましく
は高分散二酸化珪素から、アミン特に1,6−ヘキサン
ジアミンの水溶液中で、アルカリ添加物又はアルカリ土
類添加物を使用し又は使用しないで、100〜220℃
で自生圧下に反応させることにより得られる。 【0043】こうして製造されたアルミノ−、ボロ−又
は鉄シリケート・ゼオライトを、単離したのち100〜
160℃好ましくは110℃で乾燥し、450〜550
℃好ましくは500〜540℃で焼成し、結合剤と9
0:10ないし40:60重量%の割合で混合して、棒
状又は錠剤状に成形する。結合剤としては、種々の酸化
アルミニウム好ましくはベーマイト、25:75ないし
95:5好ましくは75:25のSiO2/Al23
を有する無定形アルミノシリケート、二酸化珪素好まし
くは高分散性SiO2、高分散性SiO2と高分散性Al
23の混合物ならびに粘土である。成形後、押出物又は
圧搾物を110℃で16時間乾燥し、500℃で16時
間焼成する。 【0044】分離したアルミノ−又はボロシリケート・
ゼオライトを乾燥後直ちに成形し、成形後に焼成する
と、特に好ましい触媒が得られる。製造されたアルミノ
−及びボロシリケート・ゼオライトは、結合剤なしの純
粋な形で、棒状体又は錠剤で使用することができ、その
場合は棒状化助剤又は解膠助剤として、例えばエチルセ
ルロース、ステアリン酸、ばれいしょ殿粉、蟻酸、しゅ
う酸、酢酸、硝酸、アンモニア、アミン、シリコエステ
ル、グラファイト又はその混合物を使用できる。 【0045】ゼオライトがその製造様式により触媒活性
の酸性H型でなく、例えばNa型で存在するときは、こ
れを例えばアンモニウムイオンを用いてイオン交換し、
続いて焼成するか、あるいは酸で処理することにより、
完全に又は部分的に希望のH型に移行させることができ
る。 【0046】ゼオライト触媒を本発明に使用する場合に
コークスの析出により不活性化が起こったならば、これ
を空気又は空気/窒素混合物と共に400〜550℃好
ましくは500〜540℃で燃焼して付着コークスを除
去することにより、再生することができる。これによっ
てゼオライトは最初の活性を回復する。一部コークス化
(プレコーク)によって、触媒の活性を希望の反応生成
物の最適選択率に適合させることもできる。 【0047】できるだけ大きい選択率、高い変化率なら
びに長い寿命を得るためには、ゼオライトを変性するこ
とが有利な場合がある。触媒の適当な変性法としては、
例えば未成形の又は成形したゼオライトに、イオン交換
により又は含浸により金属塩を付与する。 【0048】この付与は好ましくは次のように行われ
る。例えば成形したペンタシルゼオライトを直立管中に
装入し、20〜100℃で例えば金属のハロゲン化物又
は硝酸塩の水溶液又はアンモニア性溶液を導通する。こ
のイオン交換は、例えばゼオライトの水素型、アンモニ
ウム型又はアルカリ型について行われる。ゼオライトへ
の金属付与は、ゼオライト材料を例えば金属のハロゲン
化物、硝酸塩又は酸化物の水溶液、アルコール溶液又は
アンモニア性溶液で含浸することによっても可能であ
る。イオン交換の場合も含浸の場合も、続いて少なくと
も1回乾燥を行い、場合により焼成も行う。 【0049】他の実施態様によれば、例えばCs2CO3
を水に溶解し、この溶液を用いて成形された又は未成形
のゼオライトを、ある時間例えば約30分間浸漬する。
上澄液から回転蒸発器により水を除去する。次いで浸漬
したゼオライトを約150℃で乾燥し、約550℃で焼
成する。この浸漬は、希望の金属含量になるまで、数回
続けて行われる。 【0050】例えばアンモニア性Pd(NO32溶液を
製造し、その中で純粋な粉末状ゼオライトを40〜10
0℃で約24時間撹拌混合して懸濁させることもでき
る。濾過し、約150℃で乾燥し、約500℃で焼成し
たのち、得られたゼオライト材料を結合剤を用い又は用
いないで棒状体、錠剤又は粒状物に加工することができ
る。 【0051】H型で存在するゼオライトのイオン交換
は、ゼオライトを棒状又は錠剤状で塔に装入し、これに
例えばアンモニア性Pd(NO32溶液を、30〜80
℃の少し高められた温度で15〜20時間循環導通す
る。次いで水洗し、約150℃で乾燥し、約550℃で
焼成する。 【0052】多くの金属付与ゼオライトにおいて、水素
で後処理することが有利である。 【0053】他の変性法としては、成形した又は成形し
ないゼオライト材料を、酸例えば塩酸、弗化水素酸、燐
酸及び/又は水蒸気で処理することもできる。 【0054】用いられる珪素分の多いゼオライト(Si
2/Al23のモル比10以上)には、既知のZSM
型、フェリーライト型、Nu−1、シリカライト(Si
licalit:登録商標)、分子ふるい、いわゆるシ
リカ多形も属する。 【0055】対応する一般式IIのエポキシドから一般
式Iのアルデヒドを製造するための他の触媒について次
に説明する。 【0056】本発明の方法のための燐酸アルミニウム触
媒としては、特に水熱条件下で合成された燐酸アルミニ
ウムが用いられる。水熱条件下で製造された燐酸アルミ
ニウムは、例えばAPO−5、APO−9、APO−1
1、APO−12、APO−14、APO−21、AP
O−25及びAPO−33である。これら化合物の合成
法は、欧州特許出願公開132708号、米国特許43
10440号及び4473663号各明細書に記載され
ている。 【0057】例えばAlPO4−5(APO−5)は、
オルト燐酸をプソイドベーマイト(商品名キャタパS
B)と水中でよく混合し、この混合物にテトラプロピル
アンモニウムヒドロキシドを添加し、約150℃でオー
トクレーブ中で自生圧下に20〜60時間反応させる。
濾過したAlPO4−5を100〜160℃で乾燥した
のち、450〜550℃で焼成する。 【0058】AlPO4−9(APO−9)は、同様に
オルト燐酸及びプソイドベーマイトから、ただしDAB
CO(1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタ
ン)の水溶液中で、約200℃で自生圧下に200〜4
00時間反応させることにより合成される。 【0059】AlPO4−21(APO−21)の合成
は、オルト燐酸及びプソイドベーマイトから、ピロリド
ン水溶液中で150〜200℃で自生圧下に50〜20
0時間反応させることにより行われる。 【0060】本発明の方法に用いられる燐酸珪素アルミ
ニウムは、例えばSAPO−5、SAPO−11、SA
PO−31及びSAPO−34である。これらの合成法
は例えば欧州特許出願公開103117号、米国特許4
440871号各明細書に記載されている。これによる
と有機アミン水溶液中で珪素成分、アルミニウム成分及
び燐成分を、100〜250℃で自生圧下に2時間反応
させ、水性反応混合物から結晶化させることにより、S
APOが製造される。 【0061】例えばSAPO−5は、SiO2を懸濁し
たテトラプロピルアンモニウムヒドロキシド水溶液を、
プソイドベーマイト及びオルト燐酸からの水性懸濁液と
混合し、撹拌式オートクレーブ中で150〜200℃で
自生圧下に20〜200時間反応させることにより得ら
れる。濾過した粉末を110〜160℃で乾燥し、そし
て450〜550℃で焼成する。 【0062】燐酸珪素アルミニウムとしては、例えばZ
YT−5、ZYT−6、ZYT−7、ZYT−9、ZY
T−11及びZYT−12が適する。 【0063】本発明方法のための燐酸硼素は、例えば濃
厚な硼酸及び燐酸を混練したのち乾燥し、そして不活性
ガス、空気又は水蒸気の雰囲気中で250〜650℃好
ましくは300〜500℃で焼成することにより製造で
きる。 【0064】本発明方法のための燐酸塩としては、Ce
PO4、FePO4、SrHPO4及びZr3(PO44
使用できる。 【0065】本発明方法のための他の触媒としては次の
ものが用いられる。SiO2、Al23又は軽石を担体
とする燐酸又は硼酸(例えば浸漬又は噴霧したもの)。
燐酸含有触媒は、例えばSiO2にH3PO3、NaH2
4又はNa2HPO4の溶液を浸漬し、乾燥又は焼成す
ることにより得られる。燐酸をシリカゲルと一緒に噴霧
塔で噴霧し、得られた粉末を乾燥し、必要に応じ焼成す
る方法も用いられる。燐酸を含浸ミル中で担体材料上に
散布して付着させることもできる。二酸化珪素を触媒と
することもできる。 【0066】これらの触媒は一般に2〜4mmの棒状
体、直径3〜5mmの錠剤又は粒径0.1〜0.5mm
の粉末ないし粒子、あるいは流動床触媒として用いられ
る。 【0067】本発明によるエポキシドの転位のため普通
に選ばれる反応条件は、好ましくは気相中で150〜5
00℃特に200〜400℃の温度と、0.1〜20h
-1特に0.5〜5h-1の負荷WHSV(gエポキシド/
g触媒及び時間)である。一般に変化率は温度上昇と共
に明らかに上昇するが、選択率は特定の温度範囲でわず
か減少する。 【0068】反応を液相中(懸濁法、雨下法又は塔底
法)で行うこともできる。 【0069】本方法は普通は常圧で、出発物質の揮発性
によって減圧又は加圧で行われ、操作は非連続的又は好
ましくは連続的に行われる。 【0070】難揮発性又は固形の物質は、溶解された形
で、例えばテトラヒドロフラン、トルオール又は石油エ
ーテル中の溶液として用いられる。一般に前記のような
溶剤又は不活性ガス例えば窒素、アルゴン等による希釈
も可能である。 【0071】反応後、生成したテトラヒドロピランを常
法例えば蒸留により反応混合物から分離する。未反応物
は必要に応じ回収して本方法に再使用する。収率がきわ
めて高いので、反応生成物をそのまま加工することがで
きる。本発明の方法によれば有利に単量体化合物が得ら
れる。 【0072】本発明による一般式I′のピランを含む一
般式Iのピランは、医薬、染料そして特に植物保護剤例
えば西独特許出願公開3121355号明細書に記載の
シクロヘキサン−1,3−ジオン骨格を有する除草剤の
合成用中間体として有用である。本発明により得られた
アルデヒド基を有する一般式Iのピランをシクロヘキサ
ンジオン系化合物と直接に結合することができる(西独
特許出願公開3121355号明細書参照)。 【0073】そのほか本発明の方法により得られる化合
物は、専門家に既知の方法により、例えば酸素による酸
化、例えば接触水素化による還元又はアミノ水素化によ
り、アミン、アルコール又は酸に誘導することができ、
それらは価値ある中間体である。 【0074】 【実施例】 実施例1〜34 下記表に示される反応を、管状反応器(0.6cmのコ
イル、長さ60cm)中の等熱条件下で、気相で少なく
とも6時間行う。反応生成物の分離及び同定は常法によ
り行われる。生成物及び出発物質の定量はガスクロマト
グラフィ及びCO数により行われる。次の触媒が用いら
れる。 【0075】触媒A ペンタシル型のアルミノシリケート・ゼオライトを、撹
拌式オートクレーブ中で1,6−ヘキサンジアミン水溶
液(50:50重量%混合物)10kg中の高分散性S
iO2 650g及びAl2(SO43・18H2O 2
03gから、水熱条件下で150℃で自生圧下に製造し
た。濾過及び洗浄ののち、結晶性生成物を110℃で2
4時間乾燥し、500℃で24時間焼成した。このアル
ミノシリケート・ゼオライトは、SiO2 92.8重
量%及びAl23 4.2重量%を含有する。 【0076】触媒Aは、ペンタシル型の純粋なアルミノ
シリケート・ゼオライトを成形補助剤と共に2mmの棒
状体に成形し、110℃で16時間乾燥したのち、50
0℃で24時間焼成することによっても得られる。 【0077】触媒B ペンタシル型のボロシリケート・ゼオライトを、高分散
性SiO2 640g、H3BO3 122g及び1,6
−ヘキサンジアミン水溶液(50:50重量%混合物)
8kgから、撹拌式オートクレーブ中で170℃で自生
圧下に水熱合成により製造した。結晶性生成物を濾過し
て洗浄したのち、110℃で24時間乾燥し、500℃
で24時間焼成した。このボロシリケート・ゼオライト
は、SiO2 94.2重量%及びB23 2.3重量
%の組成を有する。 【0078】この材料を成形補助剤と共に成形して2m
mの棒状体となし、これを110℃で16時間乾燥した
のち、500℃で24時間焼成した。 【0079】触媒C 触媒BをCu(NO32水溶液で含浸して、触媒Cを製
造した。再度乾燥して540℃で2時間焼成したのち、
Cu含量は3.4重量%である。 【0080】触媒D 98%燐酸200g及びベーマイト136gを水400
gに溶解又は懸濁し、これにジアザビシクロ[2.2.
2]オクタン(DABCO)112g及び水320gか
らの水溶液を添加し、混合物を撹拌式オートクレーブ中
で、200℃で336時間自生圧下に反応させることに
より、AlPO4−9(APO−9)を合成した。濾過
して得られる結晶性物質を120℃で乾燥したのち、5
00℃で16時間焼成した。こうして合成されたAlP
4−9は、P25 49.0重量%及びAl23
7.1重量%を含有する。この物質を棒状化助剤と共に
3mmの棒状体に成形し、120℃で乾燥し、そして5
00℃で6時間焼成した。 【0081】触媒E 98%燐酸200g、ベーマイト136g、シリカゾル
(30%)60g、トリプロピルアミン287g及び水
587gから、燐酸珪素アルミニウム−5(SAPO−
5)を製造した。この混合物を150℃で自生圧下に1
68時間反応させた。濾過して得られる結晶性物質を1
20℃で乾燥したのち、500℃で焼成した。SAPO
−5はP25 49.8重量%、Al23 33.0重
量%及びSiO2 6.2重量%を含有する。SAPO
−5を棒状化助剤と共に3mmの棒状体に成形し、12
0℃で乾燥したのち、500℃で焼成した。 【0082】触媒F 市販で得られるSiO2(BASF社製D11−1
1)。 【0083】実験結果及び反応条件を下記表に示す。 【0084】 第 1 表 実施例 番 号 1 2 3 4 5 6 7 使用物質 III' III' III' IV' IV' V' V' (下記式) 触 媒 A B F B F A B 温 度 300℃ 300℃ 300℃ 300℃ 300℃ 300℃ 300℃ WHSV 2h-1 2h-1 2h-1 3h-1 3h-1 2h-1 2h-1 変化率% 100 100 100 100 100 100 100 選択率% 97.6 96.6 96.5 96.0 93.0 91.8 91.6 収率% 97.6 96.6 96.5 96.0 93.0 91.8 91.6 4-ホルミルテトラヒト゛ロヒ゜ラン
【0085】 【化6】 【0086】 第 2 表 実施例 R1 IIb 触媒 Iの収率 沸 点 番 号 % ℃/mbar (R4=H;R3+R2=-O-) 8 エチル B 59 80〜82/22 9 イソプロピル B 42 10 〃 F 66 79〜84/14 11 イソブチル A 72[(50+22)1] 44〜46/0.1 12 イソプロピル B 83[(70+13)1] 79〜84/14 13 イソブチル F 76[(56+20)1] 44〜46/0.1 14 n−オクチル A 68[(46+21)1] 15 〃 C 77[(50+27)1] − 16 シクロドデシル B 67(36+31)1 130〜140/0.01 17 メトキシメチル B 57 18 〃 F 57 64〜68/1.0 19 4−テトラヒドロピラニル A 56 20 〃 B 51 172〜180/0.5 21 〃 F 32 22 フェニル A 23 〃 B 76(48+28)1 102/0.1 24 4−メトキシフェニル A 70 25 〃 B 26 2−クロルフェニル A 27 〃 B 69 28 3−トリフルオルメチル B 73(50+23)1 95〜102/0.07 フェニル 29 2−フラニル B 49 30 〃 F 41 31 3−テトラヒドロピラニル B 55 32 ベンジル B 62 33 4−フルオルフェニル B 65 34 〃 A 1) Iのシス/トランス異性体 比較例1 水500ml中の2−ナトリウムカルボキシル−スピロ
−1,6−ジオキサ[2.5]オクタン81gの溶液
に、20%塩酸82.1gを80〜85℃で4時間かけ
て滴加し、85℃で30分間撹拌した。次いで3時間水
蒸気蒸留を行い、得られた留出物(約2l)を塩化ナト
リウムで飽和し、塩化メチレンで7回抽出した。有機相
をNa2SO4上で乾燥したのち、溶剤を留去した。残留
物を蒸留すると、4−ホルミルテトラヒドロピランが1
8.1g(36%)得られた。 【0087】比較例2 スピロ−1,6−ジオキサ[2.5]オクタン20g及
び塩化亜鉛0.3gの混合物を250℃に加熱した。1
時間の間に留出する液体15.2gをガスクロマトグラ
フィにより測定すると、これはスピロ−1,6−ジオキ
サ[2.5]オクタン6.7g(33%)及び4−ホル
ミルテトラヒドロピラン8.5g(42%)から成る。
これを蒸留すると4−ホルミルテトラヒドロピラン5.
1gが得られたが、室温で放置すると、最初は透明な液
体が結晶化して無色の固体になった。 【0088】出発物質V′は次のようにして製造され
た。クロル蟻酸三級ブチルエステル179.5g、4−
オキソテトラヒドロピラン120g及び三級ブタノール
1200mlの混合物に、10〜15℃でカリウム三級
ブチラート147.8gを少量ずつ添加し、室温で24
時間撹拌した。次いで溶剤を留去し、残留物に水500
mlを添加し、メチル三級ブチルエーテルで抽出し、有
機相をNa2SO4上で乾燥したのち蒸発濃縮した。残留
物を真空で蒸留すると、沸点74℃/0.2mbarの
2−三級ブトキシカルボニル−スピロ−1,6−ジオキ
サ[2.5]オクタンが210g(収率は理論値の81
%)得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 309:06) (72)発明者 レオポルド フプフアー ドイツ連邦共和国6701フリーデルスハイ ム ワルタースヘーエ3 (72)発明者 ヨーヘン ヴイルト ドイツ連邦共和国6705ダイデスハイム アン デルマルラツハ7

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.一般式: 【化1】 (R1′はC4〜C12−アルキル基、C4〜C12−シクロ
    アルキル基、C1〜C6−アルコキシ置換C1〜C12−ア
    ルキル基、場合によりC1〜C6−アルコキシ基、ハロゲ
    ン原子もしくはトリフルオルメチル基により置換された
    アリール基又はヘテロアリール基、アルキル部中に1〜
    6個の炭素原子を有するアルアルキル基、又は少なくと
    も1個のN、O又はS原子を含有する5員又は6員の飽
    和もしくは不飽和環の残基を意味する)で表わされる4
    −ホルミルテトラヒドロピラン。 2.R1′がC4〜C12−アルキル基、C4〜C12−シク
    ロアルキル基、C1〜C6−アルコキシ置換C1〜C12
    アルキル基、場合によりハロゲン原子、C1〜C6−アル
    コキシ基もしくはトリフルオルメチル基により置換され
    たフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ベンジル基、
    チエニル基又はフラニル基である特許請求の範囲第1項
    に記載の化合物。
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