JP2556524B2 - 4ーホルミルテトラヒドロピランの製法 - Google Patents

4ーホルミルテトラヒドロピランの製法

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、4−ホルミルテトラヒドロピラン類の製法
に関する。
4−ホルミルテトラヒドロピラン及びそのアルキル誘
導体は既知で、次の方法により製造される。
4−オキソテトラヒドロピランとアルコキシメチルハ
ロゲン化物及びマグネシウムからのグリニヤール試薬と
の反応及びそれに続く4−ホルミルテトラヒドロピラン
への加水分解は、Arm.Khim.Zh.26巻227(1973)、CA79
巻66132g;Dokl.Vscs.Konf.Khim.Atselinena 4th 1978 3
48、CA79巻12628e及びArm.Khim.Zh.24巻503(1971)、C
A76巻25029yに記載されている。
4−オキソテトラヒドロピランとウイツテイヒ試薬ア
ルコキシメチレントリフエニル−ホスホランとの反応
は、同様に対応する4−ホルミルテトラヒドロピランを
与える(Arm.Khim.Zh.27巻945(1974)参照)。
ダーゼンのグリシドエステル法によれば、種々の4−
テトラヒドロピラニリデングリシドエステルを、水溶液
中でアルデヒドに変える(Arm.Khim.Zh.30巻516(197
7)、CA87巻151967t;Geterotsikl.Soedin 1979,25、CA9
4巻30479w;Arm.Khim.Zh.36巻597(1983)、CA100巻6821
2j;Arm.Khim.Zh.25巻173(1972)、CA77巻48187k;SU−
A−550389、CA87巻23051c参照)。
スピロ−1,6−ジオキサ〔2.5〕オクタンを塩化亜鉛上
で蒸留すると、4−ホルミルテトラヒドロピランが得ら
れる(Chem.Ber.91巻1589(1958)参照)。そのほか4
−ホルミルテトラヒドロピランはアンゲバンテ・ヘミー
86巻742頁(1974)に記載されているように、テトラヒ
ドロピラン−4−カルボン酸クロリドからローゼムント
還元により、あるいは4,8−ジオキサ−ビシクロ〔5.1.
0〕オクタ−2,5−ジエンから転位及びそれに続く接触水
素化により製造できる。
これら既知の合成法は多数の欠点を有する。アルコキ
シメチル−マグネシウムハロゲニド及びアルコキシメチ
レン−トリフエニルホスフアンの製造は、ハロゲノメチ
ルエーテルの使用を必要とする。これは毒性が強いので
取扱い困難な物質で、その使用は工業的に可能であつて
も煩雑になる。グリシドエステル法は最高70%の収率を
与える。非置換4−ホルミルテトラヒドロピランの場合
の収率は36%である(比較例1参照)。この悪い収率は
この合成法を不経済なものにする。塩化亜鉛上の1,6−
ジオキサ−スピロ〔2.5〕オクタンの蒸留では、反応が
不完全で、4−ホルミルテトラヒドロピランの収率は示
されていない。実際にもこの収率はわずか42%である
(比較例2参照)。そのほか密閉容器中に放置すると、
融点218〜223℃の結晶性固形物が生ずることも記載され
ている。しかし4−ホルミルテトラヒドロピランは室温
で無色の易流動性液体である。テトラヒドロピラン−4
−カルボン酸クロリドのローゼムント反応についても同
様である。この場合も収率の記載がなく、反応生成物に
ついては融点135℃と示されており、これは同様にこの
生成物が4−ホルミルテトラヒドロピランでないことを
意味する。これは4−ホルミルテトラヒドロピランに基
づく固形物で、アルデヒドの高分子付加物と推定され、
後の種々の反応には使用できない。4,8−ジオキサ−ビ
シクロ〔5.1.0〕オクタ−2,5−ジエンは入手困難で、工
業的合成の原料物質としては全く不適当である。
置換された1,2−ジオール(ホウベン−ワイル著メト
ーデン・デル・オルガニツシエン・ヘミーE3巻491頁198
3年の総説の章)、置換されたオキシラン(同書E3巻496
頁の総説の章)又は置換された三級ブチルグリシドエス
テル(同書E3巻530頁)から、対応するアルデヒドが得
られることも知られている。
そのほか助剤付加A−ゼオライト上でブチレンオキシ
ドを反応させて、ブチルアルデヒド55〜72%、シス−ト
ランスブテン−(2)−オール19〜34%、ブタノール3
〜9%及びメチルエチルケトン2%が得られることも知
られている(北海道大学工学部研究報告67巻1973年171
〜178頁)。この場合の選択率はなお希望から遠い。ま
たA−ゼオライト触媒はコークスにより不活性化したの
ちは再生できない。なぜならばそのために必要な温度は
約500℃で、この温度ではゼオライトの結晶構造が破壊
されるからである。このことは5Å分子ふるい上で2−
(4′−イソブチルフエニル)−2−メチル−オキシラ
ンから、2−(4′−イソブチルフエニル)−プロパナ
ールを製造する場合にも適応する。
プロピレンオキシドをアルカリ付与X−ゼオライト上
で反応させてアセトン又はプロピオンアルデヒドにする
ためには、強酸性中心の不在で操作することが必要であ
る(早稲田大学理工学研究所報告67巻1974年26−9参
照)。
シクロドデカノンがPh−又はRh−付与Al2O3上で、エ
ポキシシクロドデカンから得られることも知られている
(Neftekhimiya 16巻1976年250−4頁参照)。この報文
では、この反応にゼオライトが不適当であることを明ら
かに指示している。
欧州特許出願公開100117号明細書には、スチロールオ
キシド又は芳香族核でアルキル化又はアルコキシ化され
たスチロールオキシドを、チタン含有ゼオライト上で、
液相で30〜100℃で反応させて、β−フエニルアセトア
ルデヒドにすることが記載されている。このために用い
られる触媒は、高価な高純度の物質例えばテトラアルキ
ルオルトシリケート、テトラアルキルオルトチタネート
又はテトラプロピルアンモニウムヒドロキシドから、高
い費用をかけて製造せねばならない。しかも反応を溶剤
例えばメタノール又はアセトンの中で液相中で行い、そ
して滞留時間を1〜1.5時間に保持するときにのみ、高
い変化率が得られる。これは蒸留費及び運転費を高価に
する。さらにチタン含有ゼオライト上の反応は一般適応
性がなく、スチロールオキシド及び芳香族核でアルキル
化又はアルコキシ化されたスチロールオキシドの場合だ
けに可能である。
本発明の課題は、新規及び既知の4−ホルミルテトラ
ヒドロピランの有利な製法を開発することであった。
本発明は、一般式 (R1は後記の意味を有し、R2及びR3はそれぞれOH基であ
るか、あるいは一緒になつて1個の酸素原子を示してオ
キシラン環を形成し、R4はR2及びR3がそれぞれOH基の場
合は水素原子を意味し、R2及びR3が一緒になつて1個の
酸素原子である場合は水素原子又は三級ブチルオキシカ
ルボニル基を意味する)で表わされるピラン誘導体を、
担体上のゼオライト、燐酸塩、硼酸、二酸化珪素又はそ
の混合物から選ばれた触媒を用いて高められた温度で処
理することを特徴とする、一般式 (R1は水素原子、C1〜C12−アルキル基、C2〜C12−アル
ケニル基、C1〜C6−アルコキシ置換C1〜C12−アルキル
基、C4〜C12−シクロアルキル基、置換されていてもよ
いアリール基、ヘテロアリール基、アルアルキル基又は
置換されていてもよい飽和又は不飽和のN、O又はSを
含有しうる5員もしくは6員の環を意味する)で表され
る4−ホルミルテトラヒドロピランの製法である。
一般式 で表わされる4−ホルミルテトラヒドロピランは新規物
質である。この式中R1′はC4〜C12−アルキル基、C4〜C
12−シクロアルキル基、C1〜C6−アルコキシ置換C1〜C
12−アルキル基、場合によりC1〜C6−アルコキシ基、ハ
ロゲン原子もしくはトリフルオロメチル基により置換さ
れたアリール基又はヘテロアリール基、アルキル部中に
1〜6個の炭素原子を有するアルアルキル基、又は少な
くとも1個のN、O又はSにより中断されている飽和又
は不飽和の5員又は6員の環の残基を意味する。
一般式IIの出発化合物として用いられるピラン誘導体
は、下記の式II a、II b及びII cにより示される。R1
前記の意味を有する。
本発明の方法においては、一般式IIの出発化合物とし
て、4−(1′,2′−ジヒドロキシエチル)−テトラヒ
ドロピラン又は1,5−ジオキサースピロ〔2.6〕オクタン
を使用することが好ましい。
一般式Iの中のR1がC1〜C12−アルキル基であるとき
は、これは特にメチル基、エチル基、n−プロピル基、
イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基又はドデシル
基である。C1〜C12−アルキル基は直鎖状でも分岐状で
もよい。
R1がC2〜C12−アルケニル基のときは、これは例えば
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基又はペンテニル
基を意味する。C1〜C12−アルキル基は、所望によりC1
〜C6−アルコキシ基により置換されていてもよい。アル
コキシ基としては、特にメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基又はブトキシ基が好ましい。R1はC4〜C12−シ
クロアルキル基であつてもよく、その例はシクロブチル
基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、シクロオク
チル基及びシクロドデシル基である。
R1は場合により置換されたアリール基、ヘテロアリー
ル基又はアルアルキル基であつてもよい。置換基として
は普通のものが用いられ、特にC1〜C6−アルキル基、ハ
ロゲン原子好ましくは弗素原子、塩素原子、臭素原子及
びC1〜C6−アルコキシ基があげられる。アリール基、ヘ
テロアリール基又はアルアルキル基の例としては、特に
フエニル基、ナフチル基、ピリジル基、チエニル基、フ
リル基、ベンジル基又はフエニルエチル基があげられ
る。
R1は場合により置換された飽和又は不飽和の5員又は
6員の環であつてもよく、これはN、O又はSにより中
断されていてもよい。その例は特に基テトラヒドロピラ
ニル、フラニル又はモルホリニルである。
一般式I′において、基R1′はC4〜C12−アルキル基
例えばブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル
基、デシル基又はドデシル基である。それはC4〜C12
シクロアルキル基であつてもよく、R1について説明した
前記の意味を有する。C1〜C6−アルコキシ置換C1〜C12
−アルキル基についても同様である。
既知の4−ホルミルテトラヒドロピランの合成法と比
較して、本発明の方法は多数の利点を有する。例えば4
−ホルミルテトラヒドロピランが、入手しやすく安価な
原料物質から高収率で、かつ次の反応のために大きい意
義を有する単量体の形で得られる。そのほか4−オキソ
テトラヒドロピランとの反応に用いられるグリニヤール
試薬又はウイツテイヒ試薬を製造するための、取扱い困
難で有毒なハロゲノメチルエーテルの使用を省略でき
る。三級ブチルグリシドエステル(II c)の反応におけ
る収率は、グリシドエステルからの4−ホルミルテトラ
ヒドロピランの製造の場合に従来得られた収率より著し
く高い。
本発明の方法に用いられるゼオライト触媒によると、
特に優れた収率、選択率及び触媒寿命が得られる。この
ことは反応を好ましくは高温の気相中で行つても、その
際敏感な4−ホルミルテトラヒドロピランが分解しやす
い性質にもかかわらず、酸性ゼオライトにより分解され
ないことも考慮に入れると、なおさら意外である。
本発明により用いられる触媒は、簡単に入手しうるこ
と、高い活性及び再生が容易であること(最初の活性が
復活される)において優れている。そのほか長い触媒寿
命において、高い変化率、高い選択率及び触媒の使用し
やすいことが保証される。
本発明の方法によれば、冒頭に記載の従来法による欠
点が避けられる。従来法では、弱酸性のX−ゼオライト
だけが用いられ、あるいは転位反応用のゼオライトは不
適当とされていたので、本方法の成功は予想外であつ
た。したがつて高い酸度ならびに厳格な構造パラメータ
ーを特性とするゼオライトを用いて、広範囲で生成物の
大きい多様性において、このような優れた結果が得られ
ることは全く予想されなかつた。
本発明に用いられる触媒による転位における本発明方
法の利点は次のとおりである。完全な変化率、分離上の
問題がないこと、長い触媒寿命、高い選択率、芳香族核
において置換された出発物質もきわめて良好な収率が得
られること、生成物を簡単に単離できること、それを普
通は精製しないで使用できること、コークス化物が生じ
ていても触媒を容易に再生しうることなどにおいて優れ
ている。したがつて新規方法によれば、既知方法よりも
経済的にかつ工業的に簡単に実施することが可能にな
り、目的の4−ホルミルテトラヒドロピランが従来より
も高収率かつ高純度で得られる。
一般式IIの出発化合物は、常法により対応する4−メ
チレン−テトラヒドロピランから、ジオール(II a)へ
酸化することにより(Khim.Geterotsikl.Soedin.1983
891)、オキシラン(II b)へ酸化することにより(Iz
v.Akad.Nauk.SSSR、Ser.Khim.1982、2114)、あるいは
対応する4−オキソテトラヒドロピランをクロル酢酸三
級ブチルエステルと反応させてグリシドエステル(II
c)にすることにより得られる。この4−メチレン−テ
トラヒドロピランは、3−メチル−3−ブテン−1−オ
ールを一般式 R1−CHO (III) (R1は前記の意味を有する)のアルデヒドと反応させ
(Arm.Khim.Zh.29、1033、1976年、CA87巻5757h)、生
成物を蒸留して精製することにより得られる。その際得
られる1対の立体異性体は、分割しないでそのままアル
デヒドIの立体異性体混合物を得るための転位反応に用
いられる。
前記化合物は一般式Iのアルデヒドの製造のため有用
な化合物として選ばれたもので、本発明の方法が広く一
般式Iのアルデヒドのため利用しうることを制限するも
のではない。
本発明の転位のための触媒としては、好ましくは酸性
ゼオライト触媒が用いられる。ゼオライトはSiO4−及び
AlO4の四面体(酸素原子により結合されている)の強固
な三次元網状組織を有する高配位構造を有するアルミノ
シリケート結晶である。Si及びAl原子と酸素原子の比率
は1:2である(ウルマンス・エンチクロペデイ・デル・
テヒニツシエン・ヘミー4版24巻575頁1983年参照)。
アルミニウム含有四面体の電子価は、カチオン例えばア
ルカリイオン又は水素イオンを結晶に封入することによ
り補償される。カチオン交換は可能である。四面体相互
の空間は、乾燥又は焼成による脱水の前は水分子により
占められている。
ゼオライトにはアルミニウムの代わりに、他の3価又
は2価の元素、例えばB、Ga、Fe、Cr、Be、As、Sb、Bi
又はその混合物を、格子中に組み込むことができ、ある
いは珪素を4価の元素、例えばGe、Ti、Zr又はHfで置き
換えることもできる。
触媒としてはモルデナイト群又はフオージヤサイト群
のゼオライト例えばL−ゼオライト、あるいはエリオナ
イト型又はチヤバサイト型の微孔ゼオライトが用いられ
る。本発明方法には特にペンタシル型のゼオライトが好
ましい。これらゼオライトは化学的組成が種々異なつて
いる。それはアルミノ−、ボロ−、鉄−、ガリウム−、
クロム−、ベリリウム−、砒素−、アンチモン−及びビ
スマスシリケートゼオライト又はその混合物、ならびに
アルミノ−、ボロ−、ガリウム−及び鉄ゲルマネートゼ
オライト又はその混合物である。
本発明の方法に特に好適なものは、ペンタシル型のア
ルミノ−、ボロ−及び鉄シリケートゼオライトである。
アルミニウムシリケート・ゼオライトは、例えばアルミ
ニウム化合物特にAl(OH)又はAl2(SO4と、珪素
成分特に高分散二酸化珪素から、アミン特に1,6−ヘキ
サンジアミン又は1,3−プロパンジアミン又はトリエチ
レンテトラミンの水溶液中で、アルカリ添加物又はアル
カリ土類添加物を使用し又は特に使用しないので、100
〜220℃及び自生圧において製造される。これにはDEA−
3006471及びEPA−46504によるイソタクチツクゼオライ
トも属する。得られたアルミノシリケート・ゼオライト
は、使用物質量の選択によつて10〜40000のSiO2/Al2O3
比を有する。この種のアルミノシリケート・ゼオライト
を、エーテル例えばジエチレングリコールジメチルエー
テル、アルコール例えばメタノール又は1,4−ブタンジ
オール、あるいは水を媒質として合成することもでき
る。
ボロシリケート・ゼオライトは、例えば硼素化合物例
えばH3BO3を珪素化合物好ましくは高分散二酸化珪素
と、アミン水溶液特に1,6−ヘキサンジアミン、1,,3−
プロパンジアミン又はトリエチレンテトラミンの溶液の
中で、アルカリ添加物又はアルカリ土類添加物を使用し
又は特に使用しないで、90〜200℃で自生圧下に反応さ
せることにより合成される。これにはDEA−3006471及び
EPA−46504のイソタクチツクゼオライトも属する。この
ボロシリケート・ゼオライトは、反応をアミン水溶液で
なくエーテル例えばジエチレングリコールジメチルエー
テルの溶液、あるいはアルコール例えば1,6−ヘキサン
ジオールの溶液の中で反応を行つても、同様に製造でき
る。
鉄シリケート・ゼオライトは、例えば鉄化合物好まし
くはFe2(SO4と珪素化合物好ましくは高分散二酸化
珪素から、アミン特に1,6−ヘキサンジアミンの水溶液
中で、アルカリ添加物又はアルカリ土類添加物を使用し
又は使用しないで、100〜220℃で自生圧下に反応させる
ことにより得られる。
こうして製造されたアルミノ−、ボロ−又は鉄シリケ
ート・ゼオライトを、単離したのち100〜160℃好ましく
は110℃で乾燥し、450〜550℃好ましくは500〜540℃で
焼成し、結合剤と90:10ないし40:60重量%の割合で混合
して、棒状又は錠剤状に成形する。結合剤としては、種
々の酸化アルミニウム好ましくはベーマイト、25:75な
いし95:5好ましくは75:25のSiO2/Al2O3比を有する無定
形アルミノシリケート、二酸化珪素好ましくは高分散性
SiO2、高分散性SiO2と高分散性Al2O3の混合物ならびに
粘土である。成形後、押出物又は圧搾物を110℃で16時
間乾燥し、500℃で16時間焼成する。
分離したアルミノ−又はボロシリケート・ゼオライト
を乾燥後直ちに成形し、成形後に焼成すると、特に好ま
しい触媒が得られる。製造されたアルミノ−及びボロシ
リケート・ゼオライトは、結合剤なしの純粋な形で、棒
状体又は錠剤で使用することができ、その場合は棒状化
助剤又は解膠助剤として、例えばエチルセルロース、ス
テアリン酸、ばれいしよ殿粉、蟻酸、しゆう酸、酢酸、
硝酸、アンモニア、アミン、シリコエステル、グラフア
イト又はその混合物を使用できる。
ゼオライトがその製造様式により触媒活性の酸性H型
でなく、例えばNa型で存在するときは、これを例えばア
ンモニウムイオンを用いてイオン交換し、続いて焼成す
るか、あるいは酸で処理することにより、完全に又は部
分的に希望のH型に移行させることができる。
ゼオライト触媒を本発明に使用する場合にコークスの
析出により不活性化が起こつたならば、これを空気又は
空気/窒素混合物と共に400〜550℃好ましくは500〜540
℃で燃焼して付着コークスを除去することにより、再生
することができる。これによつてゼオライトは最初の活
性を回復する。一部コークス化(プレコーク)によつ
て、触媒の活性を希望の反応生成物の最適選択率に適合
させることもできる。
できるだけ大きい選択率、高い変化率ならびに長い寿
命を得るためには、ゼオライトを変性することが有利な
場合がある。触媒の適当な変性法としては、例えば未成
形の又は成形したゼオライトに、イオン交換により又は
含浸により金属塩を付与する。
この付与は好ましくは次のように行われる。例えば成
形したペンタシルゼオライトを直立管中に挿入し、20〜
100℃で例えば金属のハロゲン化物又は硝酸塩の水溶液
又はアンモニア性溶液を導通する。このイオン交換は、
例えばゼオライトの水素型、アンモニウム型又はアルカ
リ型について行われる。ゼオライトへの金属付与は、ゼ
オライト材料を例えば金属のハロゲン化物、硝酸塩又は
酸化物の水溶液、アルコール溶液又はアンモニア性溶液
で含浸することによつても可能である。イオン交換の場
合も含浸の場合も、続いて少なくとも1回乾燥を行い、
場合により焼成も行う。
他の実施態様によれば、例えばCs2CO3を水に溶解し、
この溶液を用いて成形された又は未成形のゼオライト
を、ある時間例えば約30分間浸漬する。上澄液から回転
蒸発器により水を除去する。次いで浸漬したゼオライト
を約150℃で乾燥し、約550℃で焼成する。この浸漬は、
希望の金属含量になるまで、数回続けて行われる。
例えばアンモニア性Pd(NO3溶液を製造し、その
中で純粋な粉末状ゼオライトを40〜100℃で約24時間撹
拌混合して懸濁させることもできる。過し、約150℃
で乾燥し、約500℃で焼成したのち、得られたゼオライ
ト材料を結合剤を用い又は用いないで棒状体、錠剤又は
粒状物に加工することができる。
H型で存在するゼオライトのイオン交換は、ゼオライ
トを棒状又は錠剤状で塔に挿入し、これに例えばアンモ
ニア性Pd(NO3溶液を、30〜80℃の少し高められた
温度で15〜20時間循環導通する。次いで水洗し、約150
℃で乾燥し、約550℃で焼成する。
多くの金属付与ゼオライトにおいて、水素で後処理す
ることが有利である。
他の変性法としては、成形した又は成形しないゼオラ
イト材料を、酸例えば塩酸、弗化水素酸、燐酸及び/又
は水蒸気で処理することもできる。
用いられる珪素分の多いゼオライト(SiO2/Al2O3のモ
ル比10以上)には、既知のZSM型、フエリーライト型、N
u−1、シリカライト(Silicalit )、分子ふるい、い
わゆるシリカ多形も属する。
対応する一般式IIのエポキシドから一般式Iのアルデ
ヒドを製造するための他の触媒について次に説明する。
本発明の方法のための燐酸アルミニウム触媒として
は、特に水熱条件下で合成された燐酸アルミニウムが用
いられる。水熱条件下で製造された燐酸アルミニウム
は、例えばAPO−5、APO−9、APO−11、APO−12、APO
−14、APO−21、APO−25及びAPO−33である。これら化
合物の合成法は、欧州特許出願公開132708号、米国特許
4310440号及び4473663号各明細書に記載されている。
例えばAlPO4−5(APO−5)は、オルト燐酸をプソイ
ドベーマイト(商品名キヤタパSB)と水中でよく混合
し、この混合物にテトラプロピルアンモニウムヒドロキ
シドを添加し、約150℃でオートクレーブ中で自生圧下
に20〜60時間反応させる。過したAlPO4−5を100〜16
0℃で乾燥したのち、450〜550℃で焼成する。
AlPO4−9(APO−9)は、同様にオルト燐酸及びプソ
イドベーマイトから、ただしDABCO(1,4−ジアザビシク
ロ〔2.2.2〕オクタン)の水溶液中で、約200℃で自生圧
下に200〜400時間反応させることにより合成される。
AlPO4−21(APO−21)の合成は、オルト燐酸及びプソ
イドベーマイトから、ピロリドン水溶液中で150〜200℃
で自生圧下に50〜200時間反応させることにより行われ
る。
本発明の方法に用いられる燐酸珪素アルミニウムは、
例えばSAPO−5、SAPO−11、SAPO−31及びSAPO−34であ
る。これらの合成法は例えば欧州特許出願公開103117
号、米国特許4440871号各明細書に記載されている。こ
れによると有機アミン水溶液中で珪素成分、アルミニウ
ム成分及び燐成分を、100〜250℃で自生圧下に2時間反
応させ、水性反応混合物から結晶化させることにより、
SAPOが製造される。
例えばSAPO−5は、SiO2を懸濁したテトラプロピルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液を、プソイドベーマイト
及びオルトの燐酸からの水性懸濁液と混合し、撹拌式オ
ートクレーブ中で150〜200℃で自生圧下に20〜200時間
反応させることにより得られる。過した粉末を110〜1
60℃で乾燥し、そして450〜550℃で焼成する。
燐酸珪素アルミニウムとしては、例えばZYT−5、ZYT
−6、ZYT−7、ZYT−9、ZYT−11及びZYT−12が適す
る。
本発明方法のための燐酸硼素は、例えば濃厚な硼酸及
び燐酸を混練したのち乾燥し、そして不活性ガス、空気
又は水蒸気の雰囲気中で250〜650℃好ましくは300〜500
℃で焼成することにより製造できる。
本発明方法のための燐酸塩としては、CePO4、FePO4
SrHPO4及びZr3(PO4も使用できる。
本発明方法のための他の触媒としては次のものが用い
られる。SiO2、Al2O3又は軽石を担体とする燐酸又は硼
酸(例えば浸漬又は噴霧したもの)。燐酸含有触媒は、
例えばSiO2にH3PO3、NaH2PO4又はNa2HPO4の溶液を浸漬
し、乾燥又は焼成することにより得られる。燐酸をシリ
カゲルと一緒に噴霧塔で噴霧し、得られた粉末を乾燥
し、必要に応じ焼成する方法も用いられる。燐酸を含浸
ミル中で担体材料上に散布して付着させることもでき
る。二酸化珪素を触媒とすることもできる。
これらの触媒は一般に2〜4mmの棒状体、直径3〜5mm
の錠剤又は粒径0.1〜0.5mmの粉末ないし粒子、あるいは
流動床触媒として用いられる。
本発明によるエポキシドの転位のため普通に選ばれる
反応条件は、好ましくは気相中で150〜500℃特に200〜4
00℃の温度と、0.1〜20h-1特に0.5〜5h-1の負荷WHSV
(gエポキシド/g触媒及び時間)である。一般に変化率
は温度上昇と共に明らかに上昇するが、選択率は特定の
温度範囲でわずか減少する。
反応を液相中(懸濁法、雨下法又は塔底法)で行うこ
ともできる。
本方法は普通は常圧で、出発物質の揮発性によつて減
圧又は加圧で行われ、操作は非連続的又は好ましくは連
続的に行われる。
難揮発性又は固形の物質は、溶解された形で、例えば
テトラヒドロフラン、トルオール又は石油エーテル中の
溶液として用いられる。一般に前記のような溶剤又は不
活性ガス例えば窒素、アルゴン等による希釈も可能であ
る。
反応後、生成したテトラヒドロピランを常法例えば蒸
留により反応混合物から分離する。未反応物は必要に応
じ回収して本方法に再使用する。収率がきわめて高いの
で、反応生成物をそのまま加工することができる。本発
明の方法によれば有利に単量体化合物が得られる。
本発明による一般式Iのピランは、医薬、染料そして
特に植物保護剤例えば西独特許出願公開3121355号明細
書に記載のシクロヘキサン−1,3−ジオン骨格を有する
除草剤の合成用中間体として有用である。本発明により
得られたアルデヒド基を有する一般式Iのピランをシク
ロヘキサンジオン系化合物と直接に結合することができ
る(西独特許出願公開3121355号明細書参照)。
そのほか本発明の方法により得られる化合物は、専門
家に既知の方法により、例えば酸素による酸化、例えば
接触水素化による還元又はアミノ水素化により、アミ
ン、アルコール又は酸に誘導することができ、それらは
価値ある中間体である。
実施例1〜34 下記表に示される反応を、管状反応器(0.6cmのコイ
ル、長さ60cm)中の等熱条件下で、気相で少なくとも6
時間行う。反応生成物の分離及び同定は常法により行わ
れる。生成物及び出発物質の定量はガスクロマトグラフ
イ及びCO数により行われる。次の触媒が用いられる。
触媒A ペンタシル型のアルミノシリケート・ゼオライトを、
撹拌式オートクレーブ中で1,6−ヘキサンジアミン水溶
液(50:50重量%混合物)10kg中の高分散性SiO2650g及
びAl2(SO4・18H2O203gから、水熱条件下で150℃で
自生圧下に製造した。過及び洗浄ののち、結晶性生成
物を110℃で24時間乾燥し、500℃で24時間焼成した。こ
のアルミノシリケート・ゼオライトは、SiO292.8重量%
及びAl2O34.2重量%を含有する。
触媒Aは、ペンタシル型の純粋なアルミノシリケート
・ゼオライトを成形補助剤と共に2mmの棒状体に成形
し、110℃で16時間乾燥したのち、500℃で24時間焼成す
ることによつても得られる。
触媒B ペンタシル型のボロシリケート・ゼオライトを、高分
散性SiO2640g、H3BO3122g及び1,6−ヘキサンジアミン水
溶液(50:50重量%混合物)8kgから、撹拌式オートクレ
ーブ中で170℃で自生圧下に水熱合成により製造した。
結晶性生成物を過して洗浄したのち、110℃で24時間
乾燥し、500℃で24時間焼成した。このボロシリケート
・ゼオライトは、SiO294.2重量%及びB2O32.3重量%の
組成を有する。
この材料を成形補助剤と共に成形して2mmの棒状体と
なし、これを110℃で16時間乾燥したのち、500℃で24時
間焼成した。
触媒C 触媒BをCu(NO3水溶液で含浸して、触媒Cを製
造した。再度乾燥して540℃で2時間焼成したのち、Cu
含量は3.4重量%である。
触媒D 98%燐酸200g及びベーマイト136gを水400gに溶解又は
懸濁し、これにジアザビシクロ〔2.2.2〕オクタン(DAB
CO)112g及び水320gからの水溶液を添加し、混合物を撹
拌式オートクレーブ中で、200℃で336時間自生圧下に反
応させることにより、AlPO4−9(APO−9)を合成し
た。過して得られる結晶性物質を120℃で乾燥したの
ち、500℃で16時間焼成した。こうして合成されたAlPO4
−9は、P2O549.0重量%及びAl2O337.1重量%を含有す
る。この物質を棒状化助剤と共に3mmの棒状体に成形
し、120℃で乾燥し、そして500℃で6時間焼成した。
触媒E 98%燐酸200g、ベーマイト136g、シリカゾル(30%)
60g、トリプロピルアミン287g及び水587gから、燐酸珪
素アルミニウム−5(SAPO−5)を製造した。この混合
物を150℃で自生圧下に168時間反応させた。過して得
られる結晶性物質を120℃で乾燥したのち、500℃で焼成
した。SAPO−5はP2O549.8重量%、Al2O333.0重量%及
びSiO26.2重量%を含有する。SAPO−5を棒状化助剤と
共に3mmの棒状体に成形し、120℃で乾燥したのち、500
℃で焼成した。
触媒F 市販で得られるSiO2(BASF社製D11−11)。
実験結果及び反応条件を下記表に示す。
比較例1 水500ml中の2−ナトリウムカルボキシル−スピロ−
1,6−ジオキサ〔2.5〕オクタン81gの溶液に、20%塩酸8
2.1gを80〜85℃で4時間かけて滴加し、85℃で30分間撹
拌した。次いで3時間水蒸気蒸留を行い、得られた留出
物(約2)を塩化ナトリウムで飽和し、塩化メチレン
で7回抽出した。有機相をNa2SO4上で乾燥したのち、溶
剤を留去した。残留物を蒸留すると、4−ホルミルテト
ラヒドロピランが18.1g(36%)得られた。
比較例2 スピロ−1,6−ジオキサ〔2.5〕オクタン20g及び塩化
亜鉛0.3gの混合物を250℃に加熱した。1時間の間に留
出する液体15.2gをガスクロマトグラフイにより測定す
ると、これはスピロ−1,6−ジオキサ〔2.5〕オクタン6.
7g(33%)及び4−ホルミルテトラヒドロピラン8.5g
(42%)から成る。これを蒸留すると4−ホルミルテト
ラヒドロピラン5.1gが得られたが、室温で放置すると、
最初は透明な液体が結晶化して無色の固体になつた。
出発物質V′は次のようにして製造された。クロル蟻
酸三級ブチルエステル179.5g、4−オキソテトラヒドロ
ピラン120g及び三級ブタノール1200mlの混合物に、10〜
15℃でカリウム三級ブチラート147.8gを少量ずつ添加
し、室温で24時間撹拌した。次いで溶剤を留去し、残留
物に水500mlを添加し、メチル三級ブチルエーテルで抽
出し、有機相をNa2SO4上で乾燥したのち蒸発濃縮した。
残留物を真空で蒸留すると、沸点74℃/0.2mbarの2−三
級ブトキシカルボニル−スピロ−1,6−ジオキサ〔2.5〕
オクタンが210g(収率は理論値の81%)得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B01J 29/86 B01J 29/86 X C07D 407/04 307 C07D 407/04 307 (72)発明者 ノルベルト・ゲーツ ドイツ連邦共和国6520ヴオルムス1・シ エツフアーシユトラーセ25 (72)発明者 レオポルド・フプフアー ドイツ連邦共和国6701フリーデルスハイ ム・ワルタースヘーエ3 (72)発明者 ヨーヘン・ヴイルト ドイツ連邦共和国6705ダイデスハイム・ アン・デル・マルラツハ7

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (R1は後記の意味を有し、R2及びR3はそれぞれOH基であ
    るか、あるいは一緒になって1個の酸素原子を示してオ
    キシラン環を形成し、R4はR2及びR3がそれぞれOH基の場
    合は水素原子を意味し、R2及びR3が一緒になって1個の
    酸素原子である場合は水素原子又は三級ブチルオキシカ
    ルボニル基を意味する)で表されるピラン誘導体を、担
    体上のゼオライト、燐酸塩、硼酸、二酸化珪素又はその
    混合物から選ばれた触媒を用いて高められた温度で処理
    することを特徴とする、一般式 (R1は水素原子、C1〜C12−アルキル基、C2〜C12−アル
    ケニル基、C1〜C6−アルコキシ置換C1〜C12−アルキル
    基、C4〜C12−シクロアルキル基、置換されていてもよ
    いアリール基、ヘテロアリール基、アルアルキル基又は
    置換されていてもよい飽和又は不飽和のN、O又はSを
    含有しうる5員もしくは6員の環を意味する)で表され
    る4−ホルミルテトラヒドロピランの製法。
  2. 【請求項2】式IIの出発物質として4−(1′,2′−ジ
    ヒドロキシ−エチル)−テトラヒドロピラン又は1,6−
    ジオキサスピロ〔2.5〕−オクタンを使用することを特
    徴とする、特許請求の範囲第1項記載の方法。
  3. 【請求項3】触媒として、ペンタシル型ゼオライト、硼
    素−、鉄−もしくはアルミニウムシリケート・ゼオライ
    ト、フォージャサイト−、モルデナイト−もしくはエリ
    オナイト/チャバサイト型のアルミニウムシリケート・
    ゼオライト、又はアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷
    移金属もしくは希土類金属を付与したゼオライトを使用
    することを特徴とする、特許請求の範囲第1項又は第2
    項記載の方法。
  4. 【請求項4】触媒として、場合により水熱法により製造
    されたB、Al、Ce、Zr、Fe、Sr又はその混合物の燐酸塩
    を使用することを特徴とする、特許請求の範囲第1項又
    は第2項記載の方法。
  5. 【請求項5】触媒として、水熱法により製造された燐酸
    アルミニウム、燐酸珪素アルミニウム又は燐酸珪素鉄ア
    ルミニウムを使用することを特徴とする、特許請求の範
    囲第1項、第2項又は第4項記載の方法。
  6. 【請求項6】触媒として、二酸化珪素又は酸化アルミニ
    ウムを基礎とする燐酸及び/又は硼酸を使用することを
    特徴とする、特許請求の範囲第1項又は第2項記載の方
    法。
  7. 【請求項7】気相中で操作することを特徴とする、特許
    請求の範囲第1項から第6項までのいずれか1項記載の
    方法。
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