JP2683503B2 - 磁性膜構造 - Google Patents
磁性膜構造Info
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- JP2683503B2 JP2683503B2 JP6152453A JP15245394A JP2683503B2 JP 2683503 B2 JP2683503 B2 JP 2683503B2 JP 6152453 A JP6152453 A JP 6152453A JP 15245394 A JP15245394 A JP 15245394A JP 2683503 B2 JP2683503 B2 JP 2683503B2
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- carrier
- film
- magnetoresistive sensor
- magnetic recording
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁束ガイド（ｇｕｉｄ
ｅ）として使用する磁性薄膜構造に関する。
ｅ）として使用する磁性薄膜構造に関する。
【０００２】
【従来の技術と解決すべき課題】磁界の存在による生じ
る抵抗率の変化に応答する磁気抵抗（ＭＲ）センサは、
ディスク装置のような磁気記録装置のヘッドの読取り変
換器（ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）として使用される。ＭＲ
センサは、ＭＲセンサ抵抗の成分がセンサの磁化とセン
サを流れる検出電流の方向との間の角度の余弦の２乗
（ＣＯＳ2 ）として変化する異方性磁気抵抗効果に基づ
いて動作する。
る抵抗率の変化に応答する磁気抵抗（ＭＲ）センサは、
ディスク装置のような磁気記録装置のヘッドの読取り変
換器（ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）として使用される。ＭＲ
センサは、ＭＲセンサ抵抗の成分がセンサの磁化とセン
サを流れる検出電流の方向との間の角度の余弦の２乗
（ＣＯＳ2 ）として変化する異方性磁気抵抗効果に基づ
いて動作する。
【０００３】接触または近接触の磁気記録ディスク装置
におけるように、磁気記録媒体から離れてＭＲセンサを
設けることが望ましいまたは必要とされるこれらの磁気
記録装置において、磁束ガイドは、記録媒体からＭＲセ
ンサへ磁束を導くために使用される。
におけるように、磁気記録媒体から離れてＭＲセンサを
設けることが望ましいまたは必要とされるこれらの磁気
記録装置において、磁束ガイドは、記録媒体からＭＲセ
ンサへ磁束を導くために使用される。
【０００４】記録媒体に垂直に配向された磁界がＭＲセ
ンサ膜の磁化軸の回転を生じ、このため、抵抗率および
対応するＭＲ検出電流の変化を生じさせるために、ＭＲ
センサ膜の磁化容易軸が記録媒体に平行になるように構
成される。ＭＲセンサの磁束ガイドにおいて、膜構造
は、例えば、磁束が検出される磁気記録媒体に平行に、
単一方向に沿って磁化容易軸を有するように製造され
る。このような構造に関連する１つの問題は、ＭＲセン
サ膜のエッジで、磁化軸をほぼ横切る方向に、エッジ磁
区が生成されることである。エッジ磁区は、磁気記録媒
体からの磁束のような供給磁界の存在下で不安定であ
り、従って、供給磁界の存在下でのエッジ磁区の反応は
予測不可能である。ＭＲセンサによる磁気記録媒体から
のデータの読取り中の供給磁界の存在下でのエッジ磁区
の移動は、バルクハウゼンノイズを生成する。それ故、
バルクハウゼンノイズを除去するためには、磁束ガイド
を構成する膜内に単一磁区を有するようにすることによ
りエッジ磁区を除去することが望ましい。
ンサ膜の磁化軸の回転を生じ、このため、抵抗率および
対応するＭＲ検出電流の変化を生じさせるために、ＭＲ
センサ膜の磁化容易軸が記録媒体に平行になるように構
成される。ＭＲセンサの磁束ガイドにおいて、膜構造
は、例えば、磁束が検出される磁気記録媒体に平行に、
単一方向に沿って磁化容易軸を有するように製造され
る。このような構造に関連する１つの問題は、ＭＲセン
サ膜のエッジで、磁化軸をほぼ横切る方向に、エッジ磁
区が生成されることである。エッジ磁区は、磁気記録媒
体からの磁束のような供給磁界の存在下で不安定であ
り、従って、供給磁界の存在下でのエッジ磁区の反応は
予測不可能である。ＭＲセンサによる磁気記録媒体から
のデータの読取り中の供給磁界の存在下でのエッジ磁区
の移動は、バルクハウゼンノイズを生成する。それ故、
バルクハウゼンノイズを除去するためには、磁束ガイド
を構成する膜内に単一磁区を有するようにすることによ
りエッジ磁区を除去することが望ましい。
【０００５】磁束ガイド内のエッジ磁区を減少させる１
つの既知技術は、少なくとも２つの磁性膜を非磁性中間
スペーサ膜と共にラミネートすることである。各磁性膜
は、磁化容易軸方向に磁化を有するが、積層された膜は
逆平行の磁化を有する。ラミネートされた分離磁性膜間
の磁束閉鎖は、エッジ付近のスペーサ膜を通り、サイド
エッジでの外部フリンジ（ｆｒｉｎｇｅ）磁界を経てい
る。ラミネーションは、エッジ磁区および関連するバル
クハウゼンノイズの問題を完全に解決していない。
つの既知技術は、少なくとも２つの磁性膜を非磁性中間
スペーサ膜と共にラミネートすることである。各磁性膜
は、磁化容易軸方向に磁化を有するが、積層された膜は
逆平行の磁化を有する。ラミネートされた分離磁性膜間
の磁束閉鎖は、エッジ付近のスペーサ膜を通り、サイド
エッジでの外部フリンジ（ｆｒｉｎｇｅ）磁界を経てい
る。ラミネーションは、エッジ磁区および関連するバル
クハウゼンノイズの問題を完全に解決していない。
【０００６】米国特許第５，０３２，９４５号明細書に
開示されるような他の技術においては、ラミネート膜の
試みは使用されるが、２つの磁性膜はエッジで閉じるよ
うに形成されている。エッジの閉鎖は、２つの磁性膜間
の磁気短絡として働き、エッジ磁区の影響を低減させ
る。エッジで閉じる２つの磁性膜を有するラミネート膜
は、普通のラミネートされた磁束ガイドよりも製造する
のが更に困難である。
開示されるような他の技術においては、ラミネート膜の
試みは使用されるが、２つの磁性膜はエッジで閉じるよ
うに形成されている。エッジの閉鎖は、２つの磁性膜間
の磁気短絡として働き、エッジ磁区の影響を低減させ
る。エッジで閉じる２つの磁性膜を有するラミネート膜
は、普通のラミネートされた磁束ガイドよりも製造する
のが更に困難である。
【０００７】それ故、必要なことは、ＭＲセンサのため
の磁束ガイドの形態での、改良された磁性薄膜構造であ
る。この磁性薄膜構造により、エッジ磁区の影響を除去
し、および、この磁性薄膜構造は、通常の薄膜製造技術
を使用して製造することが容易である。
の磁束ガイドの形態での、改良された磁性薄膜構造であ
る。この磁性薄膜構造により、エッジ磁区の影響を除去
し、および、この磁性薄膜構造は、通常の薄膜製造技術
を使用して製造することが容易である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、エッジ磁区お
よびエッジ磁区に関係するバルクハウゼンノイズを除去
する磁性膜構造である。好適な実施例においては、膜構
造は、特定の方向に磁化容易軸と、磁化容易軸をほぼ横
切るテーパエッジとを有している。膜の磁化軸を横切る
エッジ方向への膜厚の減少は、エッジ磁区を除去し、膜
構造の単一磁区状態を保証する。膜構造は、ＭＲセンサ
のための磁束ガイドとして使用できる。
よびエッジ磁区に関係するバルクハウゼンノイズを除去
する磁性膜構造である。好適な実施例においては、膜構
造は、特定の方向に磁化容易軸と、磁化容易軸をほぼ横
切るテーパエッジとを有している。膜の磁化軸を横切る
エッジ方向への膜厚の減少は、エッジ磁区を除去し、膜
構造の単一磁区状態を保証する。膜構造は、ＭＲセンサ
のための磁束ガイドとして使用できる。
【０００９】膜構造は、膜構造のエッジ部分にテーパを
つけるアンダーカットを有する２層フォトレジストを介
して、ラミネート膜構造の磁性膜および非磁性スペーサ
膜のスパッタ堆積により、好適に製造される。
つけるアンダーカットを有する２層フォトレジストを介
して、ラミネート膜構造の磁性膜および非磁性スペーサ
膜のスパッタ堆積により、好適に製造される。
【００１０】本発明による磁性膜構造を用いると、ＭＲ
センサのための磁束ガイドを有する磁気記録装置は、磁
気記録媒体に記録された信号の読取りの性能を改善し
た。
センサのための磁束ガイドを有する磁気記録装置は、磁
気記録媒体に記録された信号の読取りの性能を改善し
た。
【００１１】
【実施例】図１を参照して、本発明を磁気ディスク記録
装置に具現化した例について説明するが、本発明は、ま
た、例えば磁気テープ記録装置のような他の磁気記録装
置に適用可能であることは明らかである。
装置に具現化した例について説明するが、本発明は、ま
た、例えば磁気テープ記録装置のような他の磁気記録装
置に適用可能であることは明らかである。
【００１２】少なくとも１つの回転磁気ディスク１２
が、スピンドル１４に支持され、ディスク駆動モータ１
８により回転される。各ディスク上の磁気記録媒体は、
ディスク１２上の同心円状のデータトラック（図示せ
ず）の環状パターンの形態である。
が、スピンドル１４に支持され、ディスク駆動モータ１
８により回転される。各ディスク上の磁気記録媒体は、
ディスク１２上の同心円状のデータトラック（図示せ
ず）の環状パターンの形態である。
【００１３】少なくとも１つのヘッドキャリア１３が、
ディスク１２上に設けられ、各キャリア１３は、ディス
クを読取りおよび／または書込む１つ以上の磁気変換器
２１を支持する。変換器は、一般に、読取り／書込みヘ
ッドと称されている。ディスクが回転すると、キャリア
１３は、ヘッド２１が所望のデータが記録されているデ
ィスクの種々の部分へアクセスできるように、ディスク
面２２上を半径方向内側および外側に移動する。各キャ
リア１３は、サスペンション１５によりアクチュエータ
アーム１９へ取付けられている。サスペンション１５
は、ディスク面２２に対してキャリア１３をバイアスす
る微小のスプリング力を与える。各アクチュエータアー
ム１９は、アクチュエータ手段２７に取付けられる。図
１に示されるアクチュエータ手段は、例えば、ボイスコ
イルモータ（ＶＣＭ）とすることができる。ＶＣＭは、
静磁界内で可動なコイルを有し、コイルの移動の方向お
よび速度は、制御ユニット２９により供給されるモータ
電流信号により制御される。１つの種類のディスク装置
においては、ディスク１２の回転は、キャリア１３とデ
ィスク面２２との間に空気ベアリングを形成する。この
空気ベアリングは、キャリア１３に上向きの力すなわち
揚力を与える。それ故、空気ベアリングは、サスペンシ
ョン１５の微小スプリング力と平衡し、動作中にキャリ
ア１３をディスク面上にほぼ一定の微小間隔にあけて支
持をする。本発明は、また、読取りおよび書込み動作中
にヘッドキャリアがディスクと強制的に接触させられ
る、接触または近接触記録ディスク装置のような、他の
種類のディスク装置に適用可能である。このようなディ
スク装置の例は、米国特許第４，８１９，０９１号明細
書、米国特許第５，０９７，３６８号明細書、および米
国特許第５，２０２，８０３号明細書に開示されてい
る。
ディスク１２上に設けられ、各キャリア１３は、ディス
クを読取りおよび／または書込む１つ以上の磁気変換器
２１を支持する。変換器は、一般に、読取り／書込みヘ
ッドと称されている。ディスクが回転すると、キャリア
１３は、ヘッド２１が所望のデータが記録されているデ
ィスクの種々の部分へアクセスできるように、ディスク
面２２上を半径方向内側および外側に移動する。各キャ
リア１３は、サスペンション１５によりアクチュエータ
アーム１９へ取付けられている。サスペンション１５
は、ディスク面２２に対してキャリア１３をバイアスす
る微小のスプリング力を与える。各アクチュエータアー
ム１９は、アクチュエータ手段２７に取付けられる。図
１に示されるアクチュエータ手段は、例えば、ボイスコ
イルモータ（ＶＣＭ）とすることができる。ＶＣＭは、
静磁界内で可動なコイルを有し、コイルの移動の方向お
よび速度は、制御ユニット２９により供給されるモータ
電流信号により制御される。１つの種類のディスク装置
においては、ディスク１２の回転は、キャリア１３とデ
ィスク面２２との間に空気ベアリングを形成する。この
空気ベアリングは、キャリア１３に上向きの力すなわち
揚力を与える。それ故、空気ベアリングは、サスペンシ
ョン１５の微小スプリング力と平衡し、動作中にキャリ
ア１３をディスク面上にほぼ一定の微小間隔にあけて支
持をする。本発明は、また、読取りおよび書込み動作中
にヘッドキャリアがディスクと強制的に接触させられ
る、接触または近接触記録ディスク装置のような、他の
種類のディスク装置に適用可能である。このようなディ
スク装置の例は、米国特許第４，８１９，０９１号明細
書、米国特許第５，０９７，３６８号明細書、および米
国特許第５，２０２，８０３号明細書に開示されてい
る。
【００１４】ディスク記録装置の種々の構成部品は、ア
クセス制御信号および内部クロック信号のような、制御
ユニット２９により生成される制御信号により動作中に
制御される。一般的に、制御ユニット２９は、例えば、
論理制御回路，記憶手段，マイクロプロセッサを備えて
いる。制御ユニット２９は、ライン２３上の駆動モータ
制御信号およびライン２８上のヘッド位置およびシーク
制御信号のような、種々の装置動作を制御するための制
御信号を発生する。ライン２８上の制御信号は、関連す
るディスク１２の所望のデータトラックへ選択キャリア
１３を最適に移動し配置するために、所望の電流波形を
与える。読取りおよび書込み信号は、読取り／書込みチ
ャンネル２５により読取り／書込みヘッド２１へ送ら
れ、またはヘッド２１から受けとる。読取り／書込みヘ
ッド２１がディスク１２からのデータを読取るＭＲセン
サを有すると、電流源（図示せず）が、ＭＲセンサへバ
イアス電流を供給するために使用され、読取り／書込み
チャンネル２５は、ＭＲ信号増幅および検出回路を有す
る。
クセス制御信号および内部クロック信号のような、制御
ユニット２９により生成される制御信号により動作中に
制御される。一般的に、制御ユニット２９は、例えば、
論理制御回路，記憶手段，マイクロプロセッサを備えて
いる。制御ユニット２９は、ライン２３上の駆動モータ
制御信号およびライン２８上のヘッド位置およびシーク
制御信号のような、種々の装置動作を制御するための制
御信号を発生する。ライン２８上の制御信号は、関連す
るディスク１２の所望のデータトラックへ選択キャリア
１３を最適に移動し配置するために、所望の電流波形を
与える。読取りおよび書込み信号は、読取り／書込みチ
ャンネル２５により読取り／書込みヘッド２１へ送ら
れ、またはヘッド２１から受けとる。読取り／書込みヘ
ッド２１がディスク１２からのデータを読取るＭＲセン
サを有すると、電流源（図示せず）が、ＭＲセンサへバ
イアス電流を供給するために使用され、読取り／書込み
チャンネル２５は、ＭＲ信号増幅および検出回路を有す
る。
【００１５】代表的な磁気ディスク記録装置の上記説明
および図１は、単なる例示である。ディスク記録装置が
多数のディスクおよびアクチュエータを有することがで
き、各アクチュエータが多数のヘッドキャリアを支持で
きることは明らかである。
および図１は、単なる例示である。ディスク記録装置が
多数のディスクおよびアクチュエータを有することがで
き、各アクチュエータが多数のヘッドキャリアを支持で
きることは明らかである。
【００１６】図２は、キャリア１３上に形成された読取
り／書込みヘッド２１の断面図であり、ヘッド構造を形
成する膜を示している。基本のヘッド構成は、別個の読
取り構造と書込み構造とからなり、これらは互いに上部
に形成され、いくつかの共通要素を共有している。書込
み構造は、書込みギャップ４４を画成するポールチップ
４０，４２を有する薄膜誘導ヘッドである。誘導書込み
ヘッドを構成する銅コイル４６がポールピース４０，４
２間の断面図に示されている。第１のＭＲシールド５０
は、キャリア１３の基板面上に成長された酸化物膜上に
堆積されている。誘導ポールピース４２は、また、第２
のＭＲシールドとして機能する。ＭＲシールド４２，５
０は、２つのシールド間のギャップ材料５０の中央部に
設けられたＭＲセンサ５２から離間されている。ＭＲセ
ンサ５２は、磁気記録媒体の面にほぼ平行に配置された
検出端５８を有する。図２に示されるように、ＭＲセン
サ膜５２の一端は、それに取付けられたリード６０を有
する。図２は読取り／書込みヘッド２１の内部を示す断
面図であるので、センサ膜５２の反対側の半分およびそ
れに関連した電気的なリードは示されていない。電気的
リードは、電流源に接続され、センサ膜５２を介してバ
イアス電流を供給し、および磁気記録ディスクからの磁
束の変化に対応する抵抗の変化を検出する。
り／書込みヘッド２１の断面図であり、ヘッド構造を形
成する膜を示している。基本のヘッド構成は、別個の読
取り構造と書込み構造とからなり、これらは互いに上部
に形成され、いくつかの共通要素を共有している。書込
み構造は、書込みギャップ４４を画成するポールチップ
４０，４２を有する薄膜誘導ヘッドである。誘導書込み
ヘッドを構成する銅コイル４６がポールピース４０，４
２間の断面図に示されている。第１のＭＲシールド５０
は、キャリア１３の基板面上に成長された酸化物膜上に
堆積されている。誘導ポールピース４２は、また、第２
のＭＲシールドとして機能する。ＭＲシールド４２，５
０は、２つのシールド間のギャップ材料５０の中央部に
設けられたＭＲセンサ５２から離間されている。ＭＲセ
ンサ５２は、磁気記録媒体の面にほぼ平行に配置された
検出端５８を有する。図２に示されるように、ＭＲセン
サ膜５２の一端は、それに取付けられたリード６０を有
する。図２は読取り／書込みヘッド２１の内部を示す断
面図であるので、センサ膜５２の反対側の半分およびそ
れに関連した電気的なリードは示されていない。電気的
リードは、電流源に接続され、センサ膜５２を介してバ
イアス電流を供給し、および磁気記録ディスクからの磁
束の変化に対応する抵抗の変化を検出する。
【００１７】図３は、２１′で示される読取り／書込み
ヘッドの例を示す。このヘッドは、図２に示した読取り
／書込みヘッドに類似しているが、ＭＲセンサ膜５２が
ディスク面に対向するヘッド２１′の端から埋込まれて
いる。磁束ガイド６２は、ディスク面と対向する検出端
６４と、ＭＲセンサ５２へ磁気的に結合する他端６６と
を有する。ＭＲセンサ５２および磁束ガイド６２の端６
６は、ギャップ材料５６部分により分離されている。Ｍ
Ｒセンサ５２および磁束ガイド６２の両方において、磁
化容易軸は、ディスク面に平行に、すなわち磁束ガイド
６２の検出部６４に平行に配向されている。
ヘッドの例を示す。このヘッドは、図２に示した読取り
／書込みヘッドに類似しているが、ＭＲセンサ膜５２が
ディスク面に対向するヘッド２１′の端から埋込まれて
いる。磁束ガイド６２は、ディスク面と対向する検出端
６４と、ＭＲセンサ５２へ磁気的に結合する他端６６と
を有する。ＭＲセンサ５２および磁束ガイド６２の端６
６は、ギャップ材料５６部分により分離されている。Ｍ
Ｒセンサ５２および磁束ガイド６２の両方において、磁
化容易軸は、ディスク面に平行に、すなわち磁束ガイド
６２の検出部６４に平行に配向されている。
【００１８】磁束ガイドにおけるエッジ磁区の問題を、
図４に模式的に示す。図４は、磁性薄膜構造７０を示し
ている。磁性薄膜構造７０は、検出端７２がディスク８
２の面８０の方へ向いているＭＲセンサのための磁束ガ
イドとすることができる。構造７０のサイドエッジに沿
って形成された三角形状磁区７４は、磁性膜に関連する
全磁気エネルギーを最小にするために形成されるエッジ
磁区である。構造７０は、磁化の方向を示す矢印７５に
平行に、かつ、磁気的に記録されたデータを含むディス
ク８２の面８０に平行な検出端７２に平行に配向された
磁化容易軸を有する。磁区壁７６は、中央磁区７７を画
成する。矢印７８は、エッジ磁区に対する磁気ベクトル
を示す。エッジ磁区７４は、ディスク８２から生じる磁
界の存在下では本質的に不安定であり、磁性膜構造７０
が所望の単一磁区を有することを防げる。
図４に模式的に示す。図４は、磁性薄膜構造７０を示し
ている。磁性薄膜構造７０は、検出端７２がディスク８
２の面８０の方へ向いているＭＲセンサのための磁束ガ
イドとすることができる。構造７０のサイドエッジに沿
って形成された三角形状磁区７４は、磁性膜に関連する
全磁気エネルギーを最小にするために形成されるエッジ
磁区である。構造７０は、磁化の方向を示す矢印７５に
平行に、かつ、磁気的に記録されたデータを含むディス
ク８２の面８０に平行な検出端７２に平行に配向された
磁化容易軸を有する。磁区壁７６は、中央磁区７７を画
成する。矢印７８は、エッジ磁区に対する磁気ベクトル
を示す。エッジ磁区７４は、ディスク８２から生じる磁
界の存在下では本質的に不安定であり、磁性膜構造７０
が所望の単一磁区を有することを防げる。
【００１９】図５は、ラミネートされた磁束ガイドとし
て使用する従来のラミネート膜構造９０を示す。薄膜構
造９０は、中央領域９１およびエッジ領域９２，９３を
有するラミネート層である。ラミネート構造は、非磁性
スペーサ膜９６により分離される２つの磁性膜９４，９
５を有する。磁性膜９４，９５の各々の中央領域９１の
磁化は、矢印９７で示す方向である。磁束ループは、エ
ッジ付近のスペーサ膜９６を経て（矢印９８）、および
外部フリンジ磁界を経て（矢印９９）、閉じている。エ
ッジ領域９２，９３において、矢印１００により示され
るエッジ磁区は、磁性膜９４，９５およびスペーサ膜９
６を極端に薄くできる、すなわち磁束ガイドとして利用
できるように構造に対して非常に薄くできなければ、完
全に除去することはできない。
て使用する従来のラミネート膜構造９０を示す。薄膜構
造９０は、中央領域９１およびエッジ領域９２，９３を
有するラミネート層である。ラミネート構造は、非磁性
スペーサ膜９６により分離される２つの磁性膜９４，９
５を有する。磁性膜９４，９５の各々の中央領域９１の
磁化は、矢印９７で示す方向である。磁束ループは、エ
ッジ付近のスペーサ膜９６を経て（矢印９８）、および
外部フリンジ磁界を経て（矢印９９）、閉じている。エ
ッジ領域９２，９３において、矢印１００により示され
るエッジ磁区は、磁性膜９４，９５およびスペーサ膜９
６を極端に薄くできる、すなわち磁束ガイドとして利用
できるように構造に対して非常に薄くできなければ、完
全に除去することはできない。
【００２０】図６は、本発明による磁性膜構造の略図で
ある。図６に示される実施例において、構造１１０は、
磁束ガイドとして使用するラミネート構造であり、非磁
性スペーサ膜１１６により分離された磁性膜１１４，１
１５を有する。薄膜構造１１０は、中央領域１１１を有
し、その磁化１１７の方向は、磁気的に記録されたデー
タを含む媒体（図示せず）に平行に配向されている。薄
膜構造１１０は、磁化軸１１７をほぼ横切るエッジに位
置するエッジ領域１１２，１１３を有している。磁性膜
１１４，１１５およびスペーサ膜１１６は、エッジ１１
１，１１２に向って厚さが減少している。図６に示され
るように、中央領域１１１は、ほぼ均一な厚さを有し、
エッジ領域１１２，１１３では、それらの磁性膜１１
４，１１５およびスペーサ膜１１６に、ラミネート膜構
造のエッジ方向にテーパをつけている。それぞれのエッ
ジ領域１１２，１１３において矢印１１８，１１９で示
されるように、膜の磁性材料の量がテーパの方向に減少
すると、磁化の強度は減少する。それ故、図６に示され
た構造は、磁化１１７と平行に配列されたエッジ領域に
磁化を保持しながら、エッジ１１２，１１３付近での平
行な磁束減衰を実現する。対照的に、図５の従来技術の
ラミネート構造は、膜の磁化軸に平行でない長手方向磁
束成分を依然として生成している。この磁束成分は、極
性が定まらず、膜構造内の磁化の制御不可能な反応を生
じさせる。
ある。図６に示される実施例において、構造１１０は、
磁束ガイドとして使用するラミネート構造であり、非磁
性スペーサ膜１１６により分離された磁性膜１１４，１
１５を有する。薄膜構造１１０は、中央領域１１１を有
し、その磁化１１７の方向は、磁気的に記録されたデー
タを含む媒体（図示せず）に平行に配向されている。薄
膜構造１１０は、磁化軸１１７をほぼ横切るエッジに位
置するエッジ領域１１２，１１３を有している。磁性膜
１１４，１１５およびスペーサ膜１１６は、エッジ１１
１，１１２に向って厚さが減少している。図６に示され
るように、中央領域１１１は、ほぼ均一な厚さを有し、
エッジ領域１１２，１１３では、それらの磁性膜１１
４，１１５およびスペーサ膜１１６に、ラミネート膜構
造のエッジ方向にテーパをつけている。それぞれのエッ
ジ領域１１２，１１３において矢印１１８，１１９で示
されるように、膜の磁性材料の量がテーパの方向に減少
すると、磁化の強度は減少する。それ故、図６に示され
た構造は、磁化１１７と平行に配列されたエッジ領域に
磁化を保持しながら、エッジ１１２，１１３付近での平
行な磁束減衰を実現する。対照的に、図５の従来技術の
ラミネート構造は、膜の磁化軸に平行でない長手方向磁
束成分を依然として生成している。この磁束成分は、極
性が定まらず、膜構造内の磁化の制御不可能な反応を生
じさせる。
【００２１】本発明による図６の構造１１０のエッジの
磁区の除去は、膜の磁化容易軸をほぼ横切るエッジの方
向に膜厚を減少することにより得られる。磁化の除去を
実現するのに必要なテーパの量は、次式と図７とによっ
て概算することができる。なお図７は、構造１１０のテ
ーパエッジ１１２の一部の端面である。
磁区の除去は、膜の磁化容易軸をほぼ横切るエッジの方
向に膜厚を減少することにより得られる。磁化の除去を
実現するのに必要なテーパの量は、次式と図７とによっ
て概算することができる。なお図７は、構造１１０のテ
ーパエッジ１１２の一部の端面である。
【００２２】磁性膜１１４，１１５の厚さは、図６の構
造１１０のテーパエッジに沿った位置ｘ1 ，ｘ2 での厚
さＴ1 ，Ｔ2 により表され、非磁性スペーサ膜１１６の
厚さは、位置ｘ1 ，ｘ2 での厚さＳ1 ，Ｓ2 により表さ
れるものと仮定する。磁化軸は、Ｘ−Ｙ面、すなわち磁
性膜構造１１０の面に配置され、Ｘ−Ｙ面内で方位角θ
の方向に自由に回転する。Ｘ軸に沿った磁気異方性の誘
導容易軸があり、エッジ領域１１２，１１３（図６）を
横切る磁化を保持しようとする。反作用力（ｃｏｕｎｔ
ｅｒｆｏｒｃｅ）は、エッジ１１２，１１３（図６）で
の磁束の発散から生じる減磁界に関連する静磁気エネル
ギーである。この力は、（図６の矢印１１７に垂直な）
長手方向に磁化を回転しようとする。本発明の構造によ
れば、減磁界を拡げて、磁気異方性エネルギーが、いた
るところで静磁気エネルギーに対し優位を占めるように
することが目的である。減磁界の拡散は、エッジの方向
に膜の厚さにテーパをつけることにより行う。この効果
を生成するのに必要とされるテーパの形状は、静磁気エ
ネルギーと磁気異方性エネルギーとの和を、Ｘ−Ｙ面に
おける磁化Ｍの方位角θの関数とみなすことにより得ら
れる。
造１１０のテーパエッジに沿った位置ｘ1 ，ｘ2 での厚
さＴ1 ，Ｔ2 により表され、非磁性スペーサ膜１１６の
厚さは、位置ｘ1 ，ｘ2 での厚さＳ1 ，Ｓ2 により表さ
れるものと仮定する。磁化軸は、Ｘ−Ｙ面、すなわち磁
性膜構造１１０の面に配置され、Ｘ−Ｙ面内で方位角θ
の方向に自由に回転する。Ｘ軸に沿った磁気異方性の誘
導容易軸があり、エッジ領域１１２，１１３（図６）を
横切る磁化を保持しようとする。反作用力（ｃｏｕｎｔ
ｅｒｆｏｒｃｅ）は、エッジ１１２，１１３（図６）で
の磁束の発散から生じる減磁界に関連する静磁気エネル
ギーである。この力は、（図６の矢印１１７に垂直な）
長手方向に磁化を回転しようとする。本発明の構造によ
れば、減磁界を拡げて、磁気異方性エネルギーが、いた
るところで静磁気エネルギーに対し優位を占めるように
することが目的である。減磁界の拡散は、エッジの方向
に膜の厚さにテーパをつけることにより行う。この効果
を生成するのに必要とされるテーパの形状は、静磁気エ
ネルギーと磁気異方性エネルギーとの和を、Ｘ−Ｙ面に
おける磁化Ｍの方位角θの関数とみなすことにより得ら
れる。
【００２３】位置ｘ1 およびｘ2 に対して、Ｙ方向の単
位長さあたり、磁気異方性エネルギーは次式で与えられ
る。
位長さあたり、磁気異方性エネルギーは次式で与えられ
る。
【００２４】
【数１】
【００２５】ここに、Ｋは磁気異方性エネルギー密度で
ある。静磁気エネルギーＥm は次式で与えられる。
ある。静磁気エネルギーＥm は次式で与えられる。
【００２６】
【数２】
【００２７】ここに、Ｈd はスペーサ内の減磁界であ
り、次式で与えられる。
り、次式で与えられる。
【００２８】
【数３】
【００２９】安定な方位角を見つけるためには、次式が
成立するようにする。
成立するようにする。
【００３０】
【数４】
【００３１】この式は、ｓｉｎθ＝０およびｃｏｓθ＝
０のとき、または
０のとき、または
【００３２】
【数５】
【００３３】のとき成り立つ。
【００３４】安定解を見つけるには、次式が成立するよ
うにする。
うにする。
【００３５】
【数６】
【００３６】この式は、所望の方向に対しては、（４）
式の左辺が正のときには、ｓｉｎθ＝０となり、
式の左辺が正のときには、ｓｉｎθ＝０となり、
【００３７】
【数７】
【００３８】のときには、微分形式となる。（５）式に
おいて、磁気異方性磁界ＨK ＝２（Ｋ／ＭS ）は、誘導
および／または磁わい磁気異方性エネルギーである。
おいて、磁気異方性磁界ＨK ＝２（Ｋ／ＭS ）は、誘導
および／または磁わい磁気異方性エネルギーである。
【００３９】従って、（５）式は、エッジを横切る方向
に沿って磁化Ｍを保持するのに必要な最小のテーパを与
える。このテーパは、飽和磁化ＭS ，異方性磁界ＨK ，
テーパのない中央領域１１１での磁性膜１１４，１１５
とスペーサ膜１１６との間の厚さ比Ｔ／Ｓとの関数であ
る。ＨK ＝８０e ，ＭS ＝８００Ｇａｕｓｓのような代
表的な値を仮定すると、それぞれ、１，１０，１００の
Ｔ／Ｓ比に対して０．０１，０．０４，０．１の傾斜す
なわちテーパが得られる。例えば、０．１ミクロン厚さ
の磁性膜と０．０１ミクロン厚さのスペーサ膜とを用い
ると、約１ミクロンの最小テーパ長を必要とする。この
テーパ長は、より薄い膜の種々の対からガイドを作製す
ることにより任意に短くすることができる。
に沿って磁化Ｍを保持するのに必要な最小のテーパを与
える。このテーパは、飽和磁化ＭS ，異方性磁界ＨK ，
テーパのない中央領域１１１での磁性膜１１４，１１５
とスペーサ膜１１６との間の厚さ比Ｔ／Ｓとの関数であ
る。ＨK ＝８０e ，ＭS ＝８００Ｇａｕｓｓのような代
表的な値を仮定すると、それぞれ、１，１０，１００の
Ｔ／Ｓ比に対して０．０１，０．０４，０．１の傾斜す
なわちテーパが得られる。例えば、０．１ミクロン厚さ
の磁性膜と０．０１ミクロン厚さのスペーサ膜とを用い
ると、約１ミクロンの最小テーパ長を必要とする。この
テーパ長は、より薄い膜の種々の対からガイドを作製す
ることにより任意に短くすることができる。
【００４０】図６は、ラミネートされた磁束ガイドの構
造が、どのようにしてエッジ磁区を除去するかを示す略
図である。製造プロセスについての以下の記述は、徐々
にテーパのつけられたエッジを有する連続構造を形成す
るために、アンダーカットを有する２層フォトレジスト
を用いて、エッジ磁区を有さない膜構造を作製すること
について説明する。
造が、どのようにしてエッジ磁区を除去するかを示す略
図である。製造プロセスについての以下の記述は、徐々
にテーパのつけられたエッジを有する連続構造を形成す
るために、アンダーカットを有する２層フォトレジスト
を用いて、エッジ磁区を有さない膜構造を作製すること
について説明する。
【００４１】本発明によるラミネートされた磁束ガイド
の製造方法を、図８に基づいて説明する。図８は、ヘッ
ドアセンブリ２１′（図３）の磁束ガイド６２のよう
な、ヘッドアセンブリの磁束ガイド部分を作製する方法
を示す。普通の２層フォトレジストの層１５５を、一般
的にギャップ材料部分である基板１５６上にパターニン
グする。図８は、露光および露光フォトレジストの溶解
後のフォトレジスト１５５の断面図を示し、次の磁性膜
構造のテーパエッジ形成を可能にするアンダーカット領
域１４０を示している。磁性膜１５０，１５４および中
間非磁性スペーサ膜１５２よりなる３層は、基板１５６
上へ２層フォトレジスト１５５を介して全てスパッタ堆
積される。アンダーカット領域１４０は、ラミネートさ
れた膜１５０，１５２，１５４の厚さを、それらのエッ
ジに向かって次第に減少させ、実質的にテーパのついた
エッジを得ている。好適な実施例において、磁性膜１５
０，１５４をパーマロイで形成でき、非磁性スペーサ膜
１５２をアルミニウムで形成できる。
の製造方法を、図８に基づいて説明する。図８は、ヘッ
ドアセンブリ２１′（図３）の磁束ガイド６２のよう
な、ヘッドアセンブリの磁束ガイド部分を作製する方法
を示す。普通の２層フォトレジストの層１５５を、一般
的にギャップ材料部分である基板１５６上にパターニン
グする。図８は、露光および露光フォトレジストの溶解
後のフォトレジスト１５５の断面図を示し、次の磁性膜
構造のテーパエッジ形成を可能にするアンダーカット領
域１４０を示している。磁性膜１５０，１５４および中
間非磁性スペーサ膜１５２よりなる３層は、基板１５６
上へ２層フォトレジスト１５５を介して全てスパッタ堆
積される。アンダーカット領域１４０は、ラミネートさ
れた膜１５０，１５２，１５４の厚さを、それらのエッ
ジに向かって次第に減少させ、実質的にテーパのついた
エッジを得ている。好適な実施例において、磁性膜１５
０，１５４をパーマロイで形成でき、非磁性スペーサ膜
１５２をアルミニウムで形成できる。
【００４２】（図６に示されるように）ラミネートされ
た磁束ガイドの形態の、本発明を用いた磁性膜の構造
は、ＭＲセンサ膜と共に使用でき、図３に示される種類
の磁気読取り／書込みヘッド構造に組込むことができ
る。その結果、磁束ガイド内のエッジ磁区を除去でき、
ヘッドアセンブリを埋込みＭＲセンサとバルクハウゼン
ノイズなしに機能させることができる。
た磁束ガイドの形態の、本発明を用いた磁性膜の構造
は、ＭＲセンサ膜と共に使用でき、図３に示される種類
の磁気読取り／書込みヘッド構造に組込むことができ
る。その結果、磁束ガイド内のエッジ磁区を除去でき、
ヘッドアセンブリを埋込みＭＲセンサとバルクハウゼン
ノイズなしに機能させることができる。
【００４３】以上、本発明の好適な実施例について説明
したが、本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、種
々の変形，変更が可能なことは明らかである。
したが、本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、種
々の変形，変更が可能なことは明らかである。
【００４４】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）基板と、前記基板上に形成された磁性層とを備
え、前記磁性層は、２つの磁性膜と、これら２つの磁性
膜間に設けられた非磁性スペーサ膜とのラミネートを有
し、前記磁性膜およびスペーサ膜は、磁性膜の磁化軸を
ほぼ横切る磁性膜のエッジに向かって減少する厚さを有
する、ことを特徴とする磁性膜構造。 （２）前記磁性層が、ほぼ均一の厚さの中央領域と、こ
の中央領域の両端にあるエッジ領域とを有し、各エッジ
領域は、中央領域からそれぞれのエッジへ向かってテー
パがつけられていることを特徴とする上記（１）に記載
の磁性膜構造。 （３）前記基板は、磁気記録ヘッドキャリアであり、ラ
ミネートされた前記磁性層は、前記ヘッドキャリア上に
形成された磁束ガイドであり、更に、前記ヘッドキャリ
ア上に形成され、前記磁束ガイドに磁気的に結合された
磁気抵抗センサを備えることを特徴とする上記（１）に
記載の磁性膜構造。 （４）磁気記録ディスク装置に使用されるヘッドアセン
ブリにおいて、キャリアを備え、このキャリアは、キャ
リアがディスク装置に設けられると、ディスクに対向す
る面を有し、前記キャリア上に形成されたヘッドを備
え、前記ヘッドは、前記キャリアのディスク対向面から
埋込まれた磁気抵抗センサと、前記キャリアのディスク
対向面付近の一端と、前記埋込みセンサに磁気的に結合
された他端とを有し、前記ディスクからの磁束を前記磁
気抵抗センサへ導く磁束ガイドとを有し、前記磁束ガイ
ドは、２つの磁性膜と、これらの２つの磁性膜間に設け
られた非磁性スペーサ膜とのラミネートを有し、前記磁
性膜およびスペーサ膜は、磁性膜の磁化軸をほぼ横切る
磁性膜のエッジに向かって減少する厚さを有する、こと
を特徴とするヘッドアセンブリ。 （５）前記キャリア上に形成された誘導書込みヘッドを
備えることを特徴とする上記（４）に記載のヘッドアセ
ンブリ。 （６）磁気記録媒体と、磁気記録媒体上に記録されたデ
ータを読取る磁気抵抗センサとを有する種類の磁気記録
装置において、磁気記録媒体の近くに磁気抵抗センサを
支持するキャリアと、前記キャリア上に設けられ、磁気
記録媒体付近のキャリア部分から埋込まれた磁気抵抗セ
ンサと、前記キャリア上に設けられ、磁気記録媒体付近
の一端と前記埋込み磁気抵抗センサに磁気的に結合され
た他端とを有し、前記磁気記録媒体からの磁束を前記磁
気抵抗センサへ導く磁束ガイドとを備え、この磁束ガイ
ドは、２つの磁性膜と、中間非磁性スペーサ膜とのラミ
ネートを有し、前記膜の各々は、磁性膜の磁化軸をほぼ
横切る膜のエッジに向かって減少する厚さを有し、前記
磁気記録媒体および前記キャリアを相対的に駆動する手
段と、前記磁気抵抗センサに電気的に結合され、前記磁
気記録媒体から前記磁束ガイドにより前記磁気抵抗セン
サへ導かれる磁束を表す前記磁気抵抗センサの電気抵抗
の変化を検出する手段と、を備えることを特徴とする磁
気記録装置。 （７）前記キャリア上に形成された誘導書込みヘッドを
更に備えることを特徴とする上記（６）に記載の磁気記
録装置。
の事項を開示する。 （１）基板と、前記基板上に形成された磁性層とを備
え、前記磁性層は、２つの磁性膜と、これら２つの磁性
膜間に設けられた非磁性スペーサ膜とのラミネートを有
し、前記磁性膜およびスペーサ膜は、磁性膜の磁化軸を
ほぼ横切る磁性膜のエッジに向かって減少する厚さを有
する、ことを特徴とする磁性膜構造。 （２）前記磁性層が、ほぼ均一の厚さの中央領域と、こ
の中央領域の両端にあるエッジ領域とを有し、各エッジ
領域は、中央領域からそれぞれのエッジへ向かってテー
パがつけられていることを特徴とする上記（１）に記載
の磁性膜構造。 （３）前記基板は、磁気記録ヘッドキャリアであり、ラ
ミネートされた前記磁性層は、前記ヘッドキャリア上に
形成された磁束ガイドであり、更に、前記ヘッドキャリ
ア上に形成され、前記磁束ガイドに磁気的に結合された
磁気抵抗センサを備えることを特徴とする上記（１）に
記載の磁性膜構造。 （４）磁気記録ディスク装置に使用されるヘッドアセン
ブリにおいて、キャリアを備え、このキャリアは、キャ
リアがディスク装置に設けられると、ディスクに対向す
る面を有し、前記キャリア上に形成されたヘッドを備
え、前記ヘッドは、前記キャリアのディスク対向面から
埋込まれた磁気抵抗センサと、前記キャリアのディスク
対向面付近の一端と、前記埋込みセンサに磁気的に結合
された他端とを有し、前記ディスクからの磁束を前記磁
気抵抗センサへ導く磁束ガイドとを有し、前記磁束ガイ
ドは、２つの磁性膜と、これらの２つの磁性膜間に設け
られた非磁性スペーサ膜とのラミネートを有し、前記磁
性膜およびスペーサ膜は、磁性膜の磁化軸をほぼ横切る
磁性膜のエッジに向かって減少する厚さを有する、こと
を特徴とするヘッドアセンブリ。 （５）前記キャリア上に形成された誘導書込みヘッドを
備えることを特徴とする上記（４）に記載のヘッドアセ
ンブリ。 （６）磁気記録媒体と、磁気記録媒体上に記録されたデ
ータを読取る磁気抵抗センサとを有する種類の磁気記録
装置において、磁気記録媒体の近くに磁気抵抗センサを
支持するキャリアと、前記キャリア上に設けられ、磁気
記録媒体付近のキャリア部分から埋込まれた磁気抵抗セ
ンサと、前記キャリア上に設けられ、磁気記録媒体付近
の一端と前記埋込み磁気抵抗センサに磁気的に結合され
た他端とを有し、前記磁気記録媒体からの磁束を前記磁
気抵抗センサへ導く磁束ガイドとを備え、この磁束ガイ
ドは、２つの磁性膜と、中間非磁性スペーサ膜とのラミ
ネートを有し、前記膜の各々は、磁性膜の磁化軸をほぼ
横切る膜のエッジに向かって減少する厚さを有し、前記
磁気記録媒体および前記キャリアを相対的に駆動する手
段と、前記磁気抵抗センサに電気的に結合され、前記磁
気記録媒体から前記磁束ガイドにより前記磁気抵抗セン
サへ導かれる磁束を表す前記磁気抵抗センサの電気抵抗
の変化を検出する手段と、を備えることを特徴とする磁
気記録装置。 （７）前記キャリア上に形成された誘導書込みヘッドを
更に備えることを特徴とする上記（６）に記載の磁気記
録装置。
【図１】一般的な磁気記録ディスク装置のブロック図で
ある。
ある。
【図２】図１のディスク装置で使用される磁気記録読取
り／書込みヘッドの断面図である。
り／書込みヘッドの断面図である。
【図３】埋込みＭＲセンサおよび図１のディスク装置で
使用される磁束ガイドを有する磁気記録読取り／書込み
ヘッドの断面図である。
使用される磁束ガイドを有する磁気記録読取り／書込み
ヘッドの断面図である。
【図４】磁気記録ディスク付近に設けられた従来技術の
磁性膜構造における磁区を示す図である。
磁性膜構造における磁区を示す図である。
【図５】従来技術のラミネートされた磁束ガイドにおけ
る磁区を示す図である。
る磁区を示す図である。
【図６】本発明のラミネートされた磁束ガイドにおける
磁区を示す図である。
磁区を示す図である。
【図７】図６の磁束ガイドのテーパエッジ領域の一部に
おける磁区を示す図である。
おける磁区を示す図である。
【図８】テーパエッジ領域の製造工程中の本発明のラミ
ネートされた磁束ガイドの断面図である。
ネートされた磁束ガイドの断面図である。
１２ 磁気ディスク １３ キャリア １４ スピンドル １５ サスペンション １８ ディスク駆動モータ １９ アクチュエータモータ ２１ ヘッド ２２，８０ ディスク面 ２３，２８ ライン ２５ チャンネル ２７ アクチュエータ手段 ２９ 制御ユニット ４０，４２ ポールチップ ４４ 書込みギャップ ４６ 銅コイル ５０ ＭＲシールド ５２ ＭＲセンサ ５６ ギャップ材料 ６０ リード ６２ 磁束ガイド ６４，７４ 検出端 ７０，１１０ 構造 ７６ 磁区壁 ９１ 中央領域 ９２，９３，１１２，１１３ エッジ領域 ９４，９５，１１４，１１５，１５０，１５４ 磁性膜 １１６，１５２ スペーサ膜 １１７ 磁化軸 １５５ フォトレジスト １５６ 基板
Claims (6)
- 【請求項１】磁気記録ディスク装置に使用されるヘッド
アセンブリにおいて、 キャリアを備え、このキャリアは、キャリアがディスク
装置に設けられると、ディスクに対向する面を有し、 前記キャリア上に形成されたヘッドを備え、 前記ヘッドは、 前記キャリアのディスク対向面から埋込まれた磁気抵抗
センサと、 前記キャリアのディスク対向面付近の一端と、前記埋込
みセンサに磁気的に結合された他端とを有し、前記ディ
スクからの磁束を前記磁気抵抗センサへ導く磁束ガイド
とを有し、 前記磁束ガイドは、２つの磁性膜と、これらの２つの磁
性膜間に設けられた非磁性スペーサ膜とのラミネートを
有し、前記磁性膜およびスペーサ膜は、磁性膜の磁化軸
をほぼ横切る磁性膜のエッジに向かって減少する厚さを
有することを特徴とするヘッドアセンブリ。 - 【請求項２】データ記録のためのディスクを有する磁気
記録ディスク装置に使用されるヘッドアセンブリにおい
て、 ディスク装置に設けられると、ディスクに対向する面を
有するキャリアと、 前記キャリア上に形成されたヘッドとを備え、 前記ヘッドは、 前記キャリアのディスク対向面から埋込まれた磁気抵抗
センサと、 前記ディスクから前記磁気抵抗センサへ磁束を導く磁束
ガイドとを有し、 前記磁束ガイドは、２つの磁性膜とこれらの２つの磁性
膜間に設けられた非磁性スペーサ膜とのラミネートから
なり、前記ラミネートされた膜の厚は前記磁束ガイドの
厚さを確定し、前記キャリアのディスク対向面付近の検
出端と前記埋込みセンサに磁気的に結合された他端との
間の長さが前記磁束ガイドの長さを確定し、前記ラミネ
ートの中央領域と該中央領域により分離された２つのエ
ッジからなり該２つのエッジ端が検出端付近の前記磁束
ガイドの幅を確定し、 前記磁性膜の磁化軸は、前記検出端と実質的に平行かつ
前記エッジ端の各々に実質的に垂直な方向であって、 前記磁性膜、及び非磁性スペーサ膜のそれぞれの厚さ
は、前記検出端の中央領域の部分にわたって実質的に一
定であり、かつ前記エッジ領域の各々に向かって減少し
該エッジの端で最小になることにより磁束ガイドに単一
磁区を与えることを特徴とするヘッドアセンブリ。 - 【請求項３】前記キャリア上に形成された誘導書込みヘ
ッドを備えることを特徴とする請求項１及び請求項２に
記載のヘッドアセンブリ。 - 【請求項４】磁気記録媒体と、磁気記録媒体上に記録さ
れたデータを読取る磁気抵抗センサとを有する種類の磁
気記録装置において、 磁気記録媒体の近くに磁気抵抗センサを支持するキャリ
アと、 前記キャリア上に設けられ、磁気記録媒体付近のキャリ
ア部分から埋込まれた磁気抵抗センサと、 前記キャリア上に設けられ、磁気記録媒体付近の一端と
前記埋込み磁気抵抗センサに磁気的に結合された他端と
を有し、前記磁気記録媒体からの磁束を前記磁気抵抗セ
ンサへ導く磁束ガイドとを備え、この磁束ガイドは、２
つの磁性膜と、中間非磁性スペーサ膜とのラミネートを
有し、前記膜の各々は、磁性膜の磁化軸をほぼ横切る膜
のエッジに向かって減少する厚さを有し、 前記磁気記録媒体および前記キャリアを相対的に駆動す
る手段と、 前記磁気抵抗センサに電気的に結合され、前記磁気記録
媒体から前記磁束ガイドにより前記磁気抵抗センサへ導
かれる磁束を表す前記磁気抵抗センサの電気抵抗の変化
を検出する手段と、 を備えることを特徴とする磁気記録装置。 - 【請求項５】磁気記録媒体と、磁気記録媒体上に記録さ
れたデータを読取る磁気抵抗センサとを有する種類の磁
気記録装置において、 磁気記録媒体の近くに磁気抵抗センサを支持するキャリ
アと、 前記キャリア上に設けられ、磁気記録媒体付近のキャリ
ア部分から埋込まれた磁気抵抗センサと、 磁気記録媒体付近の検出端と前記埋込み磁気抵抗センサ
に磁気的に結合された他端とを有し、前記磁気記録媒体
からの磁束を前記磁気抵抗センサへ導く磁束ガイドと、 前記磁気記録媒体および前記キャリアを相対的に駆動す
る手段と、 前記磁気抵抗センサに電気的に結合され、前記磁気記録
媒体から前記磁束ガイドにより前記磁気抵抗センサへ導
かれる磁束を表す前記磁気抵抗センサの電気抵抗の変化
を検出する手段とを備え 前記磁束ガイドは、２つの磁性膜と中間非磁性スペーサ
膜とのラミネートを有し、該ラミネートの２つの離間し
たエッジが前記磁束ガイドの幅を確定し、該磁束ガイド
の幅は前記ラミネートの中央領域と前記エッジ領域を含
み、 前記磁性膜の磁化軸は、前記検出端と実質的に平行かつ
前記エッジ端の各々に実質的に垂直な方向であって、 前記磁性膜、及び非磁性スペーサ膜のそれぞれの厚さ
は、前記検出端の中央領域の部分にわたって実質的に一
定であり、かつ前記エッジ領域の各々に向かって減少し
該エッジの端で最小になることにより磁束ガイドに単一
磁区を与えることを特徴することを特徴とする磁気記録
装置。 - 【請求項６】前記キャリア上に形成された誘導書込みヘ
ッドを更に備えることを特徴とする請求項４及び請求項
５に記載の磁気記録装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11665393A | 1993-09-02 | 1993-09-02 | |
| US116653 | 2002-04-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786032A JPH0786032A (ja) | 1995-03-31 |
| JP2683503B2 true JP2683503B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=22368458
Family Applications (1)
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