JP2683147B2 - 光ファイバの製造方法 - Google Patents
光ファイバの製造方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/104—Coating to obtain optical fibres
- C03C25/106—Single coatings
- C03C25/1061—Inorganic coatings
- C03C25/1062—Carbon
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、その表面に炭素被膜が形成された光ファ
イバの製造方法に関し、原料ガスを限定することによ
り、耐水素特性と耐応力疲労特性とに優れた光ファイバ
が得られるようにしたものである。
イバの製造方法に関し、原料ガスを限定することによ
り、耐水素特性と耐応力疲労特性とに優れた光ファイバ
が得られるようにしたものである。
「従来の技術」 石英系光ファイバは、水素と接触するとファイバ内に
拡散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大
し、さらにドーパントをとして含有されているP2O5、Ge
O2、B2O3などが水素と反応と反応しOH基の吸収による伝
送損失も増大してしまう問題があった。
拡散した水素分子の分子振動に起因する吸収損失が増大
し、さらにドーパントをとして含有されているP2O5、Ge
O2、B2O3などが水素と反応と反応しOH基の吸収による伝
送損失も増大してしまう問題があった。
また石英系光ファイバには長時間応力が加わると、そ
の応力が光ファイバの破断強度より充分に小さくとも破
断するという応力疲労現像がある。この応力疲労現像
は、高温多湿によっても促進される。
の応力が光ファイバの破断強度より充分に小さくとも破
断するという応力疲労現像がある。この応力疲労現像
は、高温多湿によっても促進される。
このため、石英系光ファイバの使用可能な環境が限定
され、通常使用されている光ファイバケーブルにおいて
は、光ファイバの破断を防止する目的で乾燥ガス保守、
防湿ゼリー充填等の手段によって光ファイバを保護して
いる。
され、通常使用されている光ファイバケーブルにおいて
は、光ファイバの破断を防止する目的で乾燥ガス保守、
防湿ゼリー充填等の手段によって光ファイバを保護して
いる。
このような問題を解決するため、最近化学気相成長法
（以下、CVD法と略記する。）によって光ファイバ表面
に炭素被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素
特性および耐応力疲労特性を向上し得ることが発表され
ている。
（以下、CVD法と略記する。）によって光ファイバ表面
に炭素被膜を形成し、これによって光ファイバの耐水素
特性および耐応力疲労特性を向上し得ることが発表され
ている。
「発明が解決しようとする課題」 しかしながら上記方法では、光ファイバの耐水素特性
は向上するものの、炭素被膜形成時に光ファイバの引っ
張り強度が低下するという問題があった。たとえば通常
の紫外線硬化型樹脂被覆ファイバの引っ張り破断強度は
約６〜6.5kgであるのに対して、CVD法によって炭素被膜
が形成された光ファイバの引っ張り強度は４〜5kgと低
い。よって炭素被膜が形成された光ファイバは、優れた
特性を有するにもかかわらず、その機械的強度の低さに
よって、用途が限定されてしまい、その改善が望まれて
いた。
は向上するものの、炭素被膜形成時に光ファイバの引っ
張り強度が低下するという問題があった。たとえば通常
の紫外線硬化型樹脂被覆ファイバの引っ張り破断強度は
約６〜6.5kgであるのに対して、CVD法によって炭素被膜
が形成された光ファイバの引っ張り強度は４〜5kgと低
い。よって炭素被膜が形成された光ファイバは、優れた
特性を有するにもかかわらず、その機械的強度の低さに
よって、用途が限定されてしまい、その改善が望まれて
いた。
この発明は上記課題を解決するためになされたもので
あって、耐水素特性と耐応力疲労特性のみならず、機械
的強度に優れた光ファイバを提供することを目的として
いる。
あって、耐水素特性と耐応力疲労特性のみならず、機械
的強度に優れた光ファイバを提供することを目的として
いる。
「課題を解決するたの手段」 この発明の請求項１記載の光ファイバの製造方法は、
光ファイバの紡糸余熱により原料ガスを熱分解させて光
ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成する光ファイバの製
造方法であって、芳香族炭化水素化合物に塩素ガスを添
加してなる原料ガスを用いることを解決手段とし、また
この発明の請求項２記載の光ファイバの製造方法は、請
求項１記載の光ファイバの製造方法において、芳香族炭
化水素化合物中の水素１モルに対して、0.3〜0.6モルの
塩素を添加してなる原料ガスを用いることを、それぞれ
の解決手段とした。
光ファイバの紡糸余熱により原料ガスを熱分解させて光
ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成する光ファイバの製
造方法であって、芳香族炭化水素化合物に塩素ガスを添
加してなる原料ガスを用いることを解決手段とし、また
この発明の請求項２記載の光ファイバの製造方法は、請
求項１記載の光ファイバの製造方法において、芳香族炭
化水素化合物中の水素１モルに対して、0.3〜0.6モルの
塩素を添加してなる原料ガスを用いることを、それぞれ
の解決手段とした。
「作用」 芳香族炭化水素化合物への塩素ガスの添加量を限定す
ることによって、光ファイバの機械的強度を低下させる
ことなく炭素被膜を形成し、耐水素特性と耐応力疲労特
性とに優れた光ファイバを得ることができる。
ることによって、光ファイバの機械的強度を低下させる
ことなく炭素被膜を形成し、耐水素特性と耐応力疲労特
性とに優れた光ファイバを得ることができる。
以下、この発明を詳しく説明する。
第１図はこの発明の光ファイバの製造方法に好適に用
いられる光ファイバ製造装置の一例を示したものであ
る。第１図中、符号１は光ファイバ裸線である。この光
ファイバ裸線１は、光ファイバ母材２を光ファイバ紡糸
炉３内で加熱紡糸したものである。この光ファイバ裸線
１は紡糸されると共に、光ファイバ紡糸炉３の下段に設
けられたCVD反応炉４内へ供給される。
いられる光ファイバ製造装置の一例を示したものであ
る。第１図中、符号１は光ファイバ裸線である。この光
ファイバ裸線１は、光ファイバ母材２を光ファイバ紡糸
炉３内で加熱紡糸したものである。この光ファイバ裸線
１は紡糸されると共に、光ファイバ紡糸炉３の下段に設
けられたCVD反応炉４内へ供給される。
CVD反応炉４は、上段の光ファイバ紡糸炉３内で紡糸
された光ファイバ裸線１表面に、その紡糸余熱を利用し
たCVD法によって炭素被膜を形成するためのものであ
る。このCVD反応炉４は、その内部にてCVD反応を進行さ
せる概略円筒状の反応管５からなり、その上部には原料
ガスを供給するための原料ガス供給管６が、下部には未
反応ガス等を排気する排気管７が、それぞれ取り付けら
れている。さらにこの反応管５の上部と下部には、反応
管４内をシールするためのガスシール機構８、８が接続
されている。
された光ファイバ裸線１表面に、その紡糸余熱を利用し
たCVD法によって炭素被膜を形成するためのものであ
る。このCVD反応炉４は、その内部にてCVD反応を進行さ
せる概略円筒状の反応管５からなり、その上部には原料
ガスを供給するための原料ガス供給管６が、下部には未
反応ガス等を排気する排気管７が、それぞれ取り付けら
れている。さらにこの反応管５の上部と下部には、反応
管４内をシールするためのガスシール機構８、８が接続
されている。
上記製造装置を用い、この発明の製造方法に沿って光
ファイバを製造するには、以下の工程による。
ファイバを製造するには、以下の工程による。
まず光ファイバ母材２を光ファイバ紡糸炉３内で加熱
紡糸して光ファイバ裸線１とする。ついでこの光ファイ
バ裸線１を下段のCVD反応炉４へ挿通し、この中心軸上
を所定の線速で走行するように供給する。
紡糸して光ファイバ裸線１とする。ついでこの光ファイ
バ裸線１を下段のCVD反応炉４へ挿通し、この中心軸上
を所定の線速で走行するように供給する。
ついでガスシール機構８、８から反応管５内へヘリウ
ムガス等の不活性ガスまたは窒素からなるシールガスを
供給して反応管５内のシールを行う。これと共に、原料
ガス供給管６から原料ガスを反応管５内に供給して、原
料ガスを光ファイバ裸線１と接触せしめて、光ファイバ
裸線１表面に炭素被膜を形成する。反応管５内に挿通さ
れた光ファイバ裸線１は、紡糸余熱により加熱状態とな
っているので、原料ガスと接触せしめると、原料ガス中
の芳香族炭化水素化合物を熱分解して光ファイバ裸線１
表面に炭素被膜を析出させることができる。
ムガス等の不活性ガスまたは窒素からなるシールガスを
供給して反応管５内のシールを行う。これと共に、原料
ガス供給管６から原料ガスを反応管５内に供給して、原
料ガスを光ファイバ裸線１と接触せしめて、光ファイバ
裸線１表面に炭素被膜を形成する。反応管５内に挿通さ
れた光ファイバ裸線１は、紡糸余熱により加熱状態とな
っているので、原料ガスと接触せしめると、原料ガス中
の芳香族炭化水素化合物を熱分解して光ファイバ裸線１
表面に炭素被膜を析出させることができる。
原料ガスは芳香族炭化水素化合物に塩素ガスを添加し
てなるものであって、通常はヘリウム等の不活性ガスま
たは窒素等のキャリアガスによって希釈されてなるもの
である。芳香族炭化水素化合物は、熱分解して炭素被膜
を形成するものであれば特に限定されるものではなく、
たとえばベンゼン、ナフタレンなどを用いることができ
る。原料ガス中の芳香族炭化水素化合物の濃度は炭素原
子濃度にて0.5〜２モル％が好適である。0.5モル％未満
であると炭素被膜の析出速度が低く、また２モル％を越
えると煤が発生しやすくなるためである。
てなるものであって、通常はヘリウム等の不活性ガスま
たは窒素等のキャリアガスによって希釈されてなるもの
である。芳香族炭化水素化合物は、熱分解して炭素被膜
を形成するものであれば特に限定されるものではなく、
たとえばベンゼン、ナフタレンなどを用いることができ
る。原料ガス中の芳香族炭化水素化合物の濃度は炭素原
子濃度にて0.5〜２モル％が好適である。0.5モル％未満
であると炭素被膜の析出速度が低く、また２モル％を越
えると煤が発生しやすくなるためである。
また芳香族炭化水素化合物への塩素ガスの添加量は特
に限定されるものではないが、芳香族炭化水素化合物中
の水素１モルに対して塩素原子が0.3〜0.6モルとなる比
率であることが好ましい。0.3モル未満であると得られ
る光ファイバの機械的強度が低下し、0.6モルを越える
と耐水素特性が低下するためである。
に限定されるものではないが、芳香族炭化水素化合物中
の水素１モルに対して塩素原子が0.3〜0.6モルとなる比
率であることが好ましい。0.3モル未満であると得られ
る光ファイバの機械的強度が低下し、0.6モルを越える
と耐水素特性が低下するためである。
原料ガスの供給速度は芳香族炭化水素化合物の種類、
塩素ガスの添加量および光ファイバ裸線１の紡糸速度等
によって適宜選択されるが、通常は0.2〜1.0分程度が
好適である。
塩素ガスの添加量および光ファイバ裸線１の紡糸速度等
によって適宜選択されるが、通常は0.2〜1.0分程度が
好適である。
また光ファイバ裸線１の紡糸速度は、原料ガス中の芳
香族炭化水素化合物と塩素ガス濃度等によって適宜選択
されるが、光ファイバ裸線１表面が芳香族炭化水素化合
物を熱分解するに充分な余熱を有する加熱状態で反応管
５内に挿通されるものである必要がある。すなわち500
〜1400℃で反応管５に挿通されるように、通常は100m/
分以上が好適である。なお、以下に述べる理由によっ
て、線速の上限は原理的にない。紡糸線速が大きくなる
に従って反応管５内における光ファイバ裸線１の温度が
高くなるので、このような場合には光ファイバ裸線１を
適宜冷却して用いることができるためである。
香族炭化水素化合物と塩素ガス濃度等によって適宜選択
されるが、光ファイバ裸線１表面が芳香族炭化水素化合
物を熱分解するに充分な余熱を有する加熱状態で反応管
５内に挿通されるものである必要がある。すなわち500
〜1400℃で反応管５に挿通されるように、通常は100m/
分以上が好適である。なお、以下に述べる理由によっ
て、線速の上限は原理的にない。紡糸線速が大きくなる
に従って反応管５内における光ファイバ裸線１の温度が
高くなるので、このような場合には光ファイバ裸線１を
適宜冷却して用いることができるためである。
かくして光ファイバ裸線１の機械的強度を低下させる
ことなく、その表面に耐水素特性と耐応力疲労特性とに
優れた炭素被膜を形成することができる。
ことなく、その表面に耐水素特性と耐応力疲労特性とに
優れた炭素被膜を形成することができる。
「実施例」 光ファイバ母材から光ファイバ裸線を紡糸する光ファ
イバ紡糸炉の下段に、石英管の反応管を接続してCVD反
応炉とし、第１図に示したと同様の光ファイバの製造装
置とした。
イバ紡糸炉の下段に、石英管の反応管を接続してCVD反
応炉とし、第１図に示したと同様の光ファイバの製造装
置とした。
この光ファイバ製造装置に、GeO2がドーパントとし添
加されたコア部を有する外径30mmの単一モード光ファイ
バ母材を設置した。この光ファイバ母材を1800〜2000℃
に加熱して200m/分の紡糸速度で外径125μｍの単一モー
ド光ファイバに紡糸した。
加されたコア部を有する外径30mmの単一モード光ファイ
バ母材を設置した。この光ファイバ母材を1800〜2000℃
に加熱して200m/分の紡糸速度で外径125μｍの単一モー
ド光ファイバに紡糸した。
芳香族炭化水素化合物としてベンゼンを用い、これに
塩素ガス濃度を適宜変化させて添加して、光ファイバ裸
線表面に炭素被膜を形成した。このようにして得られた
光ファイバの引っ張り破断強度、耐水素特性および耐応
力疲労特性をそれぞれ調べた。第２図に引っ張り破断強
度を試験結果を、第３図に耐水素特性の評価結果を、第
４図に耐応力疲労特性の評価結果を、それぞれ示した。
図中、実線は原料ガス中のベンゼン濃度が5wt％のもの
を、破線はベンゼン濃度が10wt％のものを、一点鎖線は
ベンゼン濃度が30wt％のものを、それぞれ示す。また各
図の横軸は、いずれもベンゼン１モルに対して添加した
塩素ガスのモル比率を示したものである。
塩素ガス濃度を適宜変化させて添加して、光ファイバ裸
線表面に炭素被膜を形成した。このようにして得られた
光ファイバの引っ張り破断強度、耐水素特性および耐応
力疲労特性をそれぞれ調べた。第２図に引っ張り破断強
度を試験結果を、第３図に耐水素特性の評価結果を、第
４図に耐応力疲労特性の評価結果を、それぞれ示した。
図中、実線は原料ガス中のベンゼン濃度が5wt％のもの
を、破線はベンゼン濃度が10wt％のものを、一点鎖線は
ベンゼン濃度が30wt％のものを、それぞれ示す。また各
図の横軸は、いずれもベンゼン１モルに対して添加した
塩素ガスのモル比率を示したものである。
第２図より、ベンゼン１モルに対して塩素ガスを１モ
ル以上添加する。すなわち芳香族炭化水素化合物中の水
素原子１モルに対して塩素を0.3モル以上添加すること
により、炭素被膜形成時の光ファイバの機械的強度の低
下を防止できることが判明した。また原料ガス中の芳香
族炭化水素化合物濃度が増加するにつれ、塩素ガス添加
による強度低下の抑制効果が薄れることが判明した。
ル以上添加する。すなわち芳香族炭化水素化合物中の水
素原子１モルに対して塩素を0.3モル以上添加すること
により、炭素被膜形成時の光ファイバの機械的強度の低
下を防止できることが判明した。また原料ガス中の芳香
族炭化水素化合物濃度が増加するにつれ、塩素ガス添加
による強度低下の抑制効果が薄れることが判明した。
また第３図より、塩素ガスの添加濃度がある一定値を
越えると、得られる光ファイバの耐水素特性が急激に低
下することが判明した。第３図中、縦軸は、得られた光
ファイバを水素分圧1atm、80℃の水素雰囲気中に24時間
放置した前後での波長1.24μｍにおける該光ファイバの
伝送損失増加量を示すものである。そして、例えばベン
ゼン濃度が5wt％の場合には、ベンゼン１モルに対して
塩素ガスを０〜1.7モル添加した場合には、伝送損失増
加量が0dBであるのに対して、1.7モル以上の添加すると
伝送損失増が急激に増加することが判明した。すなわち
芳香族炭化水素化合物中の水素１モルに対して、0.6モ
ルを越えて塩素を添加すると、得られる光ファイバの耐
水素特性が低下することが判明した。また塩素ガスの過
剰添加によって伝送損失増が発生する領域は、原料ガス
中の芳香族炭化水素化合物濃度が増加するに従って、塩
素の添加量が少ない領域に移行する。
越えると、得られる光ファイバの耐水素特性が急激に低
下することが判明した。第３図中、縦軸は、得られた光
ファイバを水素分圧1atm、80℃の水素雰囲気中に24時間
放置した前後での波長1.24μｍにおける該光ファイバの
伝送損失増加量を示すものである。そして、例えばベン
ゼン濃度が5wt％の場合には、ベンゼン１モルに対して
塩素ガスを０〜1.7モル添加した場合には、伝送損失増
加量が0dBであるのに対して、1.7モル以上の添加すると
伝送損失増が急激に増加することが判明した。すなわち
芳香族炭化水素化合物中の水素１モルに対して、0.6モ
ルを越えて塩素を添加すると、得られる光ファイバの耐
水素特性が低下することが判明した。また塩素ガスの過
剰添加によって伝送損失増が発生する領域は、原料ガス
中の芳香族炭化水素化合物濃度が増加するに従って、塩
素の添加量が少ない領域に移行する。
また塩素濃度が光ファイバの応力腐食係数ｎ値に与え
る影響を調べて第４図に示した。
る影響を調べて第４図に示した。
紫外線硬化型樹脂被覆の光ファイバのｎ値は、常温、
常湿環境下では通常20〜28であると報告されている。一
般にｎ値が大きい程、応力疲労に強く、そのファイバが
おかれている環境から影響を受けないことが多くの文献
に示されており、光ファイバの耐応力疲労特性を示す指
標となっている。
常湿環境下では通常20〜28であると報告されている。一
般にｎ値が大きい程、応力疲労に強く、そのファイバが
おかれている環境から影響を受けないことが多くの文献
に示されており、光ファイバの耐応力疲労特性を示す指
標となっている。
塩素ガスの添加によってｎ値は低下するが、たとえば
ベンゼン濃度が5wt％の場合、該ベンゼン１モルに対す
る塩素ガスの添加量が１〜1.7モルの範囲でｎ値が300〜
100を示し、充分に炭素被覆光ファイバの特性を示すこ
とが確認できる。これによって芳香族炭化水素化合物に
添加する塩素ガス濃度が、芳香族炭化水素化合物中の水
素１モルに対して0.6モル以下の塩素量となるようにす
る必要があることが確認できた。
ベンゼン濃度が5wt％の場合、該ベンゼン１モルに対す
る塩素ガスの添加量が１〜1.7モルの範囲でｎ値が300〜
100を示し、充分に炭素被覆光ファイバの特性を示すこ
とが確認できる。これによって芳香族炭化水素化合物に
添加する塩素ガス濃度が、芳香族炭化水素化合物中の水
素１モルに対して0.6モル以下の塩素量となるようにす
る必要があることが確認できた。
したがって、上記第２図ないし第４図から原料ガス中
の炭素原子濃度が0.5〜２モル濃度の領域、すなわちベ
ンゼンの場合には、３〜12vol％、において、芳香族炭
化水素化合物中の水素原子１モルに対して、塩素原子を
0.3モル以上0.6モル以下の割合で添加することにより、
光ファイバの強度低下を招くことなく、耐水素特性と耐
応力疲労特性とに優れた炭素被覆光ファイバを得ること
ができることが確認できた。
の炭素原子濃度が0.5〜２モル濃度の領域、すなわちベ
ンゼンの場合には、３〜12vol％、において、芳香族炭
化水素化合物中の水素原子１モルに対して、塩素原子を
0.3モル以上0.6モル以下の割合で添加することにより、
光ファイバの強度低下を招くことなく、耐水素特性と耐
応力疲労特性とに優れた炭素被覆光ファイバを得ること
ができることが確認できた。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明の光ファイバの製造方
法は、芳香族炭化水素化合物に塩素ガスを添加してなる
原料ガスを用いたものであるので、光ファイバの機械的
強度を低下させることなく耐水素特性と耐応力疲労特性
とに優れた炭素被膜が形成された光ファイバを得ること
ができる。
法は、芳香族炭化水素化合物に塩素ガスを添加してなる
原料ガスを用いたものであるので、光ファイバの機械的
強度を低下させることなく耐水素特性と耐応力疲労特性
とに優れた炭素被膜が形成された光ファイバを得ること
ができる。
第１図は、この発明の光ファイバの製造方法に好適に用
いられる光ファイバの製造装置の一例を示した概略構成
図、第２図は、芳香族炭化水素化合物に添加する塩素ガ
ス濃度と、得られた光ファイバの機械的強度との関係を
示したグラフ、第３図は芳香族炭化水素化合物に添加す
る塩素ガス濃度と、得られた光ファイバの耐水素特性と
の関係を示したグラフ、第４図は芳香族炭化水素化合物
に添加する塩素ガス濃度と、得られた光ファイバの耐応
力疲労特性を示したグラフである。 １……光ファイバ裸線、 ２……光ファイバ母材、 ４……CVD反応炉。
いられる光ファイバの製造装置の一例を示した概略構成
図、第２図は、芳香族炭化水素化合物に添加する塩素ガ
ス濃度と、得られた光ファイバの機械的強度との関係を
示したグラフ、第３図は芳香族炭化水素化合物に添加す
る塩素ガス濃度と、得られた光ファイバの耐水素特性と
の関係を示したグラフ、第４図は芳香族炭化水素化合物
に添加する塩素ガス濃度と、得られた光ファイバの耐応
力疲労特性を示したグラフである。 １……光ファイバ裸線、 ２……光ファイバ母材、 ４……CVD反応炉。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒木 真治 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株 式会社佐倉工場内 (72)発明者 鈴木 秀雄 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株 式会社佐倉工場内 (72)発明者 勝山 豊 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−83240（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−35404（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】光ファイバの紡糸余熱により原料ガスを熱
分解させて光ファイバ裸線表面に炭素被膜を形成する光
ファイバの製造方法であって、 芳香族炭化水素化合物に塩素ガスを添加してなる原料ガ
スを用いることを特徴とする光ファイバの製造方法。 - 【請求項２】芳香族炭化水素化合物の水素１モルに対し
て、0.3〜0.6モルの塩素を添加してなる原料ガスを用い
ることを特徴とする請求項１記載の光ファイバの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2215310A JP2683147B2 (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2215310A JP2683147B2 (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 光ファイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497925A JPH0497925A (ja) | 1992-03-30 |
| JP2683147B2 true JP2683147B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=16670204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2215310A Expired - Fee Related JP2683147B2 (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683147B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3885827T2 (de) * | 1987-09-18 | 1994-03-17 | American Telephone & Telegraph | Hermetisch verschlossene, optische Fasern. |
| JPH02302343A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ハーメチック被覆光ファイバの製造方法 |
-
1990
- 1990-08-15 JP JP2215310A patent/JP2683147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0497925A (ja) | 1992-03-30 |
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