JPS6051631A - 光フアイバの製造方法 - Google Patents
光フアイバの製造方法Info
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- JPS6051631A JPS6051631A JP16015783A JP16015783A JPS6051631A JP S6051631 A JPS6051631 A JP S6051631A JP 16015783 A JP16015783 A JP 16015783A JP 16015783 A JP16015783 A JP 16015783A JP S6051631 A JPS6051631 A JP S6051631A
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ファイバの製造方法を改良したものに関する
。
。
プリフォームロッドを加熱延伸により紡糸して光ファイ
バを製造するとき、そのプリフォームロッドを紡糸する
ための紡糸炉内を不活性ガス雰囲気とするのが一般であ
り、こうすることにより紡糸炉の内壁劣化等が防止でき
る。
バを製造するとき、そのプリフォームロッドを紡糸する
ための紡糸炉内を不活性ガス雰囲気とするのが一般であ
り、こうすることにより紡糸炉の内壁劣化等が防止でき
る。
ところで、上記紡糸手段を介して製造された石英系光フ
ァイバの場合、これの実用に際して水素雰囲気中におか
れたりすると、その水素に起因した光ファイバの伝送ロ
ス増が１３０μｍ、１．５５μｍなどの長波長帯域にお
いて発生することが判明した。
ァイバの場合、これの実用に際して水素雰囲気中におか
れたりすると、その水素に起因した光ファイバの伝送ロ
ス増が１３０μｍ、１．５５μｍなどの長波長帯域にお
いて発生することが判明した。
以下これについて説明する。
まず、原因となる水素は、光ファイバの被覆材である熱
硬化性樹脂、光硬化性樹脂中において硬化後も残存する
ラジカル基、その他各種の官能基が長期的に水とかＯＨ
基などと反応して発生すると思われる。
硬化性樹脂、光硬化性樹脂中において硬化後も残存する
ラジカル基、その他各種の官能基が長期的に水とかＯＨ
基などと反応して発生すると思われる。
また、被覆光ファイバを構成要素とする光ケーブル中に
は、通常、テンションメンバ、ラップシース用の金属類
が存在し、これら金属がイオン化傾向による電位を発生
し水を分解させて水素を発生させたり、さらに光ケーブ
ル内に存在するシェリー混和物などの各種有機物が前記
メカニズムにより水などと反応して水素を発生する場合
がある。
は、通常、テンションメンバ、ラップシース用の金属類
が存在し、これら金属がイオン化傾向による電位を発生
し水を分解させて水素を発生させたり、さらに光ケーブ
ル内に存在するシェリー混和物などの各種有機物が前記
メカニズムにより水などと反応して水素を発生する場合
がある。
既知の通り、水素はプラスチックや石英ガラスに対する
拡散係数がきわめて大きく、通常の使用温度下でも石英
系光フアイバ中への拡散によりＯＨ基を形成して前記伝
送ロス増を惹き起こす。
拡散係数がきわめて大きく、通常の使用温度下でも石英
系光フアイバ中への拡散によりＯＨ基を形成して前記伝
送ロス増を惹き起こす。
もちろん、光ファイバのコアにまで拡散した水素すべて
が伝送ロス増をもたらすのではないカ、光ファイバの主
成分であるＳｉｎｇやドーパントであるＧ ｅ Ｏｔな
どに格子欠陥特に酸素欠陥があると、これらが侵入して
きた水素を捕獲し、ロス原因のＯＨ基が容易に生成され
ると思われる。
が伝送ロス増をもたらすのではないカ、光ファイバの主
成分であるＳｉｎｇやドーパントであるＧ ｅ Ｏｔな
どに格子欠陥特に酸素欠陥があると、これらが侵入して
きた水素を捕獲し、ロス原因のＯＨ基が容易に生成され
ると思われる。
本発明の目的は水素雰囲気中におかれた場合でも伝送ロ
スが増加しがたい長期的に安定な光ファイバの製造方法
を提供することにあり、その特徴とするところは、少な
くともコア部を備えた石英系のプリフォームロッドを加
熱延伸により紡糸して光ファイバを製造する方法におい
て、上記プリフォームロッドをその紡糸温度よりも低温
の酸素雰囲気中で加熱することにより前処理し、当該前
処理後、そのプリフォームロッドを紡糸することにある
。
スが増加しがたい長期的に安定な光ファイバの製造方法
を提供することにあり、その特徴とするところは、少な
くともコア部を備えた石英系のプリフォームロッドを加
熱延伸により紡糸して光ファイバを製造する方法におい
て、上記プリフォームロッドをその紡糸温度よりも低温
の酸素雰囲気中で加熱することにより前処理し、当該前
処理後、そのプリフォームロッドを紡糸することにある
。
以下、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
図において、１はＭＣＶＤ法、ＶＡＤ法、ＰＣＶＤ法な
どの母材製造手段を介して製造された石英系のプリフォ
ームロッドである。このプリフォームロッド１は、紡糸
後プラスチッククラッドを形成するものの場合、石英系
のコア部のみからなるが、通常は石英系のコア部、クラ
ンド部を備えている。
どの母材製造手段を介して製造された石英系のプリフォ
ームロッドである。このプリフォームロッド１は、紡糸
後プラスチッククラッドを形成するものの場合、石英系
のコア部のみからなるが、通常は石英系のコア部、クラ
ンド部を備えている。
シリコーン系樹脂、弗素系樹脂などの低屈折率プラスチ
ックによりクラッドを形成する光ファイバの場合、これ
の母材すなわちコア部のみのプリフォームロッド１は通
常高純度Ｓ ｉ Ｏｘがらなり、石英系のコア部とクラ
ッド部とを備えたプリフォームロッド１では必要な屈折
率分布を与えたり、製造性を向上させるためＳｉ０ｇ中
にＧｅ％Ｐ、 ＡｔｌＦ％Ｂなどがドープされている。
ックによりクラッドを形成する光ファイバの場合、これ
の母材すなわちコア部のみのプリフォームロッド１は通
常高純度Ｓ ｉ Ｏｘがらなり、石英系のコア部とクラ
ッド部とを備えたプリフォームロッド１では必要な屈折
率分布を与えたり、製造性を向上させるためＳｉ０ｇ中
にＧｅ％Ｐ、 ＡｔｌＦ％Ｂなどがドープされている。
上記プリフォームロッド１は後述するように前処理炉２
で前処理され、その後紡糸炉３を介して光ファイバに加
工される。 − 上下方向にタンデムに配置されている前処理炉２、紡糸
炉３としては抵抗炉、誘導炉などの電気炉が採用され、
図示した前処理炉２、紡糸炉３では、それぞれ炉殻４．
６内に酸化ジルコニウム、＃化マグネシウムなどの耐酸
化耐熱材料からなるリング状のヒータ６．７が内装され
、さらに炉殻４．５には、その内部と連通ずるガス供給
管８．９が連結されている。
で前処理され、その後紡糸炉３を介して光ファイバに加
工される。 − 上下方向にタンデムに配置されている前処理炉２、紡糸
炉３としては抵抗炉、誘導炉などの電気炉が採用され、
図示した前処理炉２、紡糸炉３では、それぞれ炉殻４．
６内に酸化ジルコニウム、＃化マグネシウムなどの耐酸
化耐熱材料からなるリング状のヒータ６．７が内装され
、さらに炉殻４．５には、その内部と連通ずるガス供給
管８．９が連結されている。
前処理炉２を介してプリフォームロッド１を前処理する
とき、その炉殻４内には雰囲気ガスとして酸素のみか、
または酸素と不活性ガス（Ａｒ％１（ｅｌＮｉ）との混
合ガスがガス供給管８を介して供給されるとともに当該
炉２がヒータ６を介して４５０〜１６００℃、好ましく
は１０００〜１６００℃程度の高温に加熱され、これに
より前処理用の酸素雰囲気１０が形成される。
とき、その炉殻４内には雰囲気ガスとして酸素のみか、
または酸素と不活性ガス（Ａｒ％１（ｅｌＮｉ）との混
合ガスがガス供給管８を介して供給されるとともに当該
炉２がヒータ６を介して４５０〜１６００℃、好ましく
は１０００〜１６００℃程度の高温に加熱され、これに
より前処理用の酸素雰囲気１０が形成される。
これら酸素ガス等としては高純度ガスを使うのがよく、
例えば、９００℃の白金下で処理されたのち冷却し、モ
レキューシーブの吸着層を通し、さらに液体窒素トラッ
プを通すことによって精製されたガスが使われる。
例えば、９００℃の白金下で処理されたのち冷却し、モ
レキューシーブの吸着層を通し、さらに液体窒素トラッ
プを通すことによって精製されたガスが使われる。
一方、紡糸炉３の炉殻６内にはガス供給管９を介してＡ
ｒ ｓ Ｈｅ ｓ Ｎｘなどの不活性ガスが供給され
、さらにその内部がヒータ７により２０００℃程度に加
熱されて紡糸用の加熱雰囲気１１が形成される。
ｒ ｓ Ｈｅ ｓ Ｎｘなどの不活性ガスが供給され
、さらにその内部がヒータ７により２０００℃程度に加
熱されて紡糸用の加熱雰囲気１１が形成される。
はじめ、プリフォームロッド１は上記前処理炉２の酸素
雰囲気１０中に低速状態で挿入され、ここで前処理され
た後、つぎの紡糸炉３内へと進入する。
雰囲気１０中に低速状態で挿入され、ここで前処理され
た後、つぎの紡糸炉３内へと進入する。
紡糸炉３の加熱雰囲気１１中へ進入した前処理後のプリ
フォームロッド１は、ここでその下端から順次加熱溶解
されるとともにその溶融状態の下端が高速の引取手段に
より延伸されて光ファイバ１２となり、こうして製造さ
れた光ファイバ１２の外周には紡糸炉３の下位に配置さ
れた図示しないコーテイング機、被覆硬化炉を介して所
定の被覆層が形成される。
フォームロッド１は、ここでその下端から順次加熱溶解
されるとともにその溶融状態の下端が高速の引取手段に
より延伸されて光ファイバ１２となり、こうして製造さ
れた光ファイバ１２の外周には紡糸炉３の下位に配置さ
れた図示しないコーテイング機、被覆硬化炉を介して所
定の被覆層が形成される。
例えば光ファイバ１２がコアのみからなるとき、上記被
覆手段を介して少なくともプラスチッククラッドが形成
され、さらに光ファイバ１２がコア、クラッドからなる
とき、上記被覆手段を介して熱硬化性樹脂、光硬化性樹
脂などによる１次コート、バッファコートのいずれか一
方、または両方が形成される。
覆手段を介して少なくともプラスチッククラッドが形成
され、さらに光ファイバ１２がコア、クラッドからなる
とき、上記被覆手段を介して熱硬化性樹脂、光硬化性樹
脂などによる１次コート、バッファコートのいずれか一
方、または両方が形成される。
本発明ではプリフォームロッド１を加熱延伸により紡糸
しで光ファイバ１２を製造するとき、酸素雰囲気１０中
でプリフォームロッド１を加熱することにより前処理し
、その後該ロッド１を紡糸するようにしたから、前処理
用の酸素雰囲気１０において酸素がプリフォームロッド
１すなわち石英ガラス中に拡散することとなり、その石
英ガラスの組成であるＳｉＯｚやＧ ｅ Ｏ−などに格
子欠陥があるとしても酸素がこれら格子欠陥に侵入して
これを埋め、その格子欠陥を著しく減少させる。
しで光ファイバ１２を製造するとき、酸素雰囲気１０中
でプリフォームロッド１を加熱することにより前処理し
、その後該ロッド１を紡糸するようにしたから、前処理
用の酸素雰囲気１０において酸素がプリフォームロッド
１すなわち石英ガラス中に拡散することとなり、その石
英ガラスの組成であるＳｉＯｚやＧ ｅ Ｏ−などに格
子欠陥があるとしても酸素がこれら格子欠陥に侵入して
これを埋め、その格子欠陥を著しく減少させる。
したがって酸素雰囲気１０での加熱により前処理された
プリフォームロッド１を紡糸して得た光ファイバ１２の
場合、その後、水素雰囲気中におかれても水素を捕獲し
てＯＨ基を形成するといったことがほとんどなくなり、
それ故伝送ロス増が生じがたく、長期にわたって伝送特
性の安定した光ファイバ１２となる。
プリフォームロッド１を紡糸して得た光ファイバ１２の
場合、その後、水素雰囲気中におかれても水素を捕獲し
てＯＨ基を形成するといったことがほとんどなくなり、
それ故伝送ロス増が生じがたく、長期にわたって伝送特
性の安定した光ファイバ１２となる。
なお、上記雰囲気１０中における酸素に関して、これは
できるだけ多いほどよく、該酸素雰囲気１０中での望ま
しい酸素含有量は５０〜１００体積％であるが、それ以
下の酸素含有量例えば３０体積％以上でも応分の効果が
期待できる。
できるだけ多いほどよく、該酸素雰囲気１０中での望ま
しい酸素含有量は５０〜１００体積％であるが、それ以
下の酸素含有量例えば３０体積％以上でも応分の効果が
期待できる。
また、酸素雰囲気１０中の酸素含有量が１００体積％未
満であるとき、その残部はＡｒ、 Ｈｅ５Ｎ！などの不
活性ガスとする。
満であるとき、その残部はＡｒ、 Ｈｅ５Ｎ！などの不
活性ガスとする。
具体例として直径２０〜２５Ｗａｎの石英系プリニアｔ
７Ａ口７ド１によりコア（ＳｉＯｚ−ＧｅＯｔ）の直径
が５０μｍ１クラツド（Ｓｉｎｓ） の直径１２５μｍ
１比屈折率差が１％のＧｌ型光ファイバ１２を製造する
とき、前処理炉２内の酸素雰囲気１０の温度を１４５０
℃、前処理時間を３時間、該雰囲気１０に送入する雰囲
気ガス（０２／Ａｒ）の総流量を１５ｔ／−とμただし
具体例１では０□／Ａ ｒを体積％で１００１０ 、具
体例２ではｏｘ／Ａｒを体積％で５θ１５０とし、さら
に紡糸炉３内の加熱雰囲気１１の温度は２０５０℃とし
、該雰囲気１１内へ送入する不活性ガス（ただしＡｒ）
の総流量１５ｔ／ｍｓ紡糸速度５０ｍ／駆とした。
７Ａ口７ド１によりコア（ＳｉＯｚ−ＧｅＯｔ）の直径
が５０μｍ１クラツド（Ｓｉｎｓ） の直径１２５μｍ
１比屈折率差が１％のＧｌ型光ファイバ１２を製造する
とき、前処理炉２内の酸素雰囲気１０の温度を１４５０
℃、前処理時間を３時間、該雰囲気１０に送入する雰囲
気ガス（０２／Ａｒ）の総流量を１５ｔ／−とμただし
具体例１では０□／Ａ ｒを体積％で１００１０ 、具
体例２ではｏｘ／Ａｒを体積％で５θ１５０とし、さら
に紡糸炉３内の加熱雰囲気１１の温度は２０５０℃とし
、該雰囲気１１内へ送入する不活性ガス（ただしＡｒ）
の総流量１５ｔ／ｍｓ紡糸速度５０ｍ／駆とした。
また、上記光ファイバ１２の外周に１次コートヲ兼ネる
外径４００μｍ程度のバッファコートを形成するとき、
２液性常温架橋型のシリコーン樹脂を塗布ならびに加熱
硬化させた。
外径４００μｍ程度のバッファコートを形成するとき、
２液性常温架橋型のシリコーン樹脂を塗布ならびに加熱
硬化させた。
これら具体例１．２での各光ファイ／くを１００℃、１
気圧の水素雰囲気中に４時間保持し、その後の損失増加
量（ｄＢ／Ｋｍ）を波長１３０μｍイ、波長１．５５μ
ｍ口で測定したところ、具体例１ではイ、口とも損失増
加量が０．０５≧であり、具体例２ではイの場合が０．
０５≧、口の場合が０．０８であった。
気圧の水素雰囲気中に４時間保持し、その後の損失増加
量（ｄＢ／Ｋｍ）を波長１３０μｍイ、波長１．５５μ
ｍ口で測定したところ、具体例１ではイ、口とも損失増
加量が０．０５≧であり、具体例２ではイの場合が０．
０５≧、口の場合が０．０８であった。
比較例として具体例と同様の、ただし前処理しない光フ
ァイバの損失増加量（ｄＢ／Ｋｍ）を上記と同じ条件で
測定したところ、イの場合が０．３１、口の場合が０．
５６にもなった。
ァイバの損失増加量（ｄＢ／Ｋｍ）を上記と同じ条件で
測定したところ、イの場合が０．３１、口の場合が０．
５６にもなった。
以上説明した通り、本発明方法によるときは、水素雰囲
気中におかれた場合でも、伝送ロスが増加しがたい長期
的に安定な光ファイバが製造できる。
気中におかれた場合でも、伝送ロスが増加しがたい長期
的に安定な光ファイバが製造できる。
図面は本発明方法の１実施例を略示した断面図である。
１・・・・・プリフォームロッド
２・・・・・前処理炉
３・・・・・紡糸炉
１０・・・・・酸素雰囲気
１１・・・・・紡糸用加熱雰囲気
１２・・・命・光ファイバ
手続補正書は式）
特許庁長官殿
■・ 事件の表示 特願昭５８−１６０１５７２、発明
の名称 光ファイバの製造方法３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 古河電気工業株式会社 ４、代理人〒１００ 住 所 東京都千代田区有楽町１丁目６番６号小谷ビル
５、補正命令の日付 昭和５８年 １１月 ２９日６、
補正の対象 委任状及び明細書全文 ７、補正の内容 別紙の通り委任状およびタイプ浄書した明細書全文（内
容に変更なし）を提出します。
の名称 光ファイバの製造方法３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 古河電気工業株式会社 ４、代理人〒１００ 住 所 東京都千代田区有楽町１丁目６番６号小谷ビル
５、補正命令の日付 昭和５８年 １１月 ２９日６、
補正の対象 委任状及び明細書全文 ７、補正の内容 別紙の通り委任状およびタイプ浄書した明細書全文（内
容に変更なし）を提出します。
Claims (3)
- （１）少なくともコア部を備えた石英系のプリフォーム
ロッドを加熱延伸により紡糸して光ファイバを製造する
方法において、上記プリフォームロッドをその紡糸温度
よりも低温の酸素雰囲気中で加熱することにより前処理
し、′ 当該前処理後、そのプリ７オームロンドを紡糸
する光ファイバの製造方法。 - （２）酸素雰囲気中の酸素含有量が５０体積％以上であ
る特許請求の範囲第１項記載の光ファイバの製造方法。 - （３）酸素雰囲気が酸素と不活性ガスとの涙金ガスによ
り形成されている特許請求の範囲第１項または第２項記
載の光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160157A JPH0717400B2 (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 光フアイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58160157A JPH0717400B2 (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 光フアイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6051631A true JPS6051631A (ja) | 1985-03-23 |
| JPH0717400B2 JPH0717400B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=15709098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58160157A Expired - Lifetime JPH0717400B2 (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 光フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717400B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT3881B (en) | 1994-03-15 | 1996-04-25 | Univ Kauno Tech | The refrigerator |
| CN115057631A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-09-16 | 苏州创鑫激光科技有限公司 | 一种减少光子暗化诱导损耗的漂白方法及其装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641577A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-18 | Nec Corp | Stack register circuit |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58160157A patent/JPH0717400B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641577A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-18 | Nec Corp | Stack register circuit |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT3881B (en) | 1994-03-15 | 1996-04-25 | Univ Kauno Tech | The refrigerator |
| CN115057631A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-09-16 | 苏州创鑫激光科技有限公司 | 一种减少光子暗化诱导损耗的漂白方法及其装置 |
| CN115057631B (zh) * | 2022-04-26 | 2024-02-02 | 苏州创鑫激光科技有限公司 | 一种减少光子暗化诱导损耗的漂白方法及其装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0717400B2 (ja) | 1995-03-01 |
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