JP2670305B2 - 半導体素子実装用の基板 - Google Patents
半導体素子実装用の基板Info
- Publication number
- JP2670305B2 JP2670305B2 JP63210429A JP21042988A JP2670305B2 JP 2670305 B2 JP2670305 B2 JP 2670305B2 JP 63210429 A JP63210429 A JP 63210429A JP 21042988 A JP21042988 A JP 21042988A JP 2670305 B2 JP2670305 B2 JP 2670305B2
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- JP
- Japan
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- resin film
- mounting
- substrate
- opening
- semiconductor element
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は主として半導体素子実装用の基板および半導
体素子実装用の基板に好適な樹脂フィルムに関する。
体素子実装用の基板に好適な樹脂フィルムに関する。
近年、半導体素子を基板に実装する技術の進歩は急激
である。特にテープ自動配線接続（Tape Automated Bon
ding、以下TABと略称する）は集積回路を形成された半
導体素子（以下ICチップと略称する）を半導体素子実装
用の回路基板にワイヤボンディングなしで、接続する技
術であり、500〜600個と云う多数の外部接続配線数を有
するICチップの配線接続を一度に可能にするため、高密
度の実装技術が必要とされている現在、研究開発が活発
に進められている。
である。特にテープ自動配線接続（Tape Automated Bon
ding、以下TABと略称する）は集積回路を形成された半
導体素子（以下ICチップと略称する）を半導体素子実装
用の回路基板にワイヤボンディングなしで、接続する技
術であり、500〜600個と云う多数の外部接続配線数を有
するICチップの配線接続を一度に可能にするため、高密
度の実装技術が必要とされている現在、研究開発が活発
に進められている。
しかして、この方式には三層構造と二層構造とがあ
る。三層構造は一般的に銅箔等の導電性薄膜と耐熱性の
樹脂フィルムを接着剤で貼り合わせたものであり、耐熱
性の劣る接着剤を用いているために、TABとしての耐熱
性は、樹脂フィルム自体の耐熱性よりも低下して仕舞う
という大きい問題点を有している。
る。三層構造は一般的に銅箔等の導電性薄膜と耐熱性の
樹脂フィルムを接着剤で貼り合わせたものであり、耐熱
性の劣る接着剤を用いているために、TABとしての耐熱
性は、樹脂フィルム自体の耐熱性よりも低下して仕舞う
という大きい問題点を有している。
一方、二層構造においては、かかる接着剤を用いない
為に、TABとしての耐熱性は向上する。さらに、スパッ
タリング、蒸着、メッキ等の薄膜形成手法を用いること
ができるが、この場合、形成される導電性薄膜は、一般
的に数十μｍの厚みを有する銅箔よりも、その厚みが薄
いために、微細加工に対応することが可能である。この
ように二層構造は三層構造に対して、基本的にすぐれた
特徴を有するものであるが、その製造の困難さの故に実
用に供されることが少なかった。蓋し、耐熱性の樹脂フ
ィルムは耐薬品性にも優れるために、逆に、その加工が
困難であったからである。
為に、TABとしての耐熱性は向上する。さらに、スパッ
タリング、蒸着、メッキ等の薄膜形成手法を用いること
ができるが、この場合、形成される導電性薄膜は、一般
的に数十μｍの厚みを有する銅箔よりも、その厚みが薄
いために、微細加工に対応することが可能である。この
ように二層構造は三層構造に対して、基本的にすぐれた
特徴を有するものであるが、その製造の困難さの故に実
用に供されることが少なかった。蓋し、耐熱性の樹脂フ
ィルムは耐薬品性にも優れるために、逆に、その加工が
困難であったからである。
従来の技術において、ICチップを接続するために、IC
チップの接続が可能なように、接続回路パターンを形成
せねばならない。このために、必要な部分以外の導電性
薄膜ならびに樹脂フィルムをエッチングして除去しなけ
ればならない。しかして、このうち、導電性薄膜のエッ
チングは化学的に容易に低コストで実施されるが、前述
の説明のように、樹脂フィルムのエッチングは困難であ
った。この困難さのために、従来技術においては、ほと
んどの場合において、樹脂フィルムのエッチングが不要
である三層構造で実施されていたのである。というの
は、三層構造においては、あらかじめ型抜きやパンチン
グ等により穴をあけた樹脂フィルムを用いて銅箔と接着
することができるからである。しかしながら、二層構造
の形成法の一つの手法であるスパッタリングや蒸着等で
導電性薄膜を形成する方法においては、当然のことなが
ら、フィルムの穴の部分に導電性薄膜を形成することが
できないので、あらかじめ穴をあけておくことができな
い。従って、耐熱性ならびに微細加工性にすぐれた特徴
をもつ二層構造のTABにおいては、二層構造を形成した
後、樹脂フィルムをエッチングすることが必要不可欠で
ある。
チップの接続が可能なように、接続回路パターンを形成
せねばならない。このために、必要な部分以外の導電性
薄膜ならびに樹脂フィルムをエッチングして除去しなけ
ればならない。しかして、このうち、導電性薄膜のエッ
チングは化学的に容易に低コストで実施されるが、前述
の説明のように、樹脂フィルムのエッチングは困難であ
った。この困難さのために、従来技術においては、ほと
んどの場合において、樹脂フィルムのエッチングが不要
である三層構造で実施されていたのである。というの
は、三層構造においては、あらかじめ型抜きやパンチン
グ等により穴をあけた樹脂フィルムを用いて銅箔と接着
することができるからである。しかしながら、二層構造
の形成法の一つの手法であるスパッタリングや蒸着等で
導電性薄膜を形成する方法においては、当然のことなが
ら、フィルムの穴の部分に導電性薄膜を形成することが
できないので、あらかじめ穴をあけておくことができな
い。従って、耐熱性ならびに微細加工性にすぐれた特徴
をもつ二層構造のTABにおいては、二層構造を形成した
後、樹脂フィルムをエッチングすることが必要不可欠で
ある。
本発明者らは樹脂フィルムにあらかじめ開口部を設け
ておき、この開口部を除去容易な材料で閉鎖することに
より、樹脂フィルムのエッチング工程を不要にして、二
層構造のTAB製造の課題を解決したものである。
ておき、この開口部を除去容易な材料で閉鎖することに
より、樹脂フィルムのエッチング工程を不要にして、二
層構造のTAB製造の課題を解決したものである。
すなわち、本発明は、 半導体素子実装用の開口部を有する樹脂フィルムと導
電性薄膜との積層体から基本的になる半導体素子実装用
の基板であって、該樹脂フィルムの開口部分を除去容易
な材料で閉鎖したことを特徴とする半導体素子実装用の
基板、であり、 半導体素子実装用の開口部を有する樹脂フィルムであ
って、該樹脂フィルムの開口部分は除去容易な材料で閉
鎖してあり、その一面に導電性薄膜を形成することによ
り、ただちに半導体素子実装用の基板になりうる。基板
形成用樹脂フィルム、であり、また、 半導体素子実装用の開口部を有する樹脂フィルムと導
電性薄膜との積層体から基本的になる半導体素子実装用
の基板であって、該樹脂フィルムの開口部分を除去容易
な材料で閉鎖したものより、さらに該閉鎖材料を除去
し、開口部を露出せしめてなる半導体素子実装用の基
板、である。
電性薄膜との積層体から基本的になる半導体素子実装用
の基板であって、該樹脂フィルムの開口部分を除去容易
な材料で閉鎖したことを特徴とする半導体素子実装用の
基板、であり、 半導体素子実装用の開口部を有する樹脂フィルムであ
って、該樹脂フィルムの開口部分は除去容易な材料で閉
鎖してあり、その一面に導電性薄膜を形成することによ
り、ただちに半導体素子実装用の基板になりうる。基板
形成用樹脂フィルム、であり、また、 半導体素子実装用の開口部を有する樹脂フィルムと導
電性薄膜との積層体から基本的になる半導体素子実装用
の基板であって、該樹脂フィルムの開口部分を除去容易
な材料で閉鎖したものより、さらに該閉鎖材料を除去
し、開口部を露出せしめてなる半導体素子実装用の基
板、である。
本発明は、第１図および第２図ａに示すように、半導
体素子実装用の開口部を有する樹脂フィルム１であっ
て、該樹脂フィルムの開口部分は除去容易な材料２で閉
鎖してあり、その一面に導電性薄膜を形成することによ
り、ただちに半導体素子実装用の基板になりうる、基板
形成用樹脂フィルム、であり、また、 第２図ｂに示したように半導体素子実装用の開口部を
有する樹脂フィルム１と導電性薄膜３との積層体から基
本的になる半導体素子実装用の基板であって、該樹脂フ
ィルムの開口部分を除去容易な材料２で閉鎖したことを
特徴とする半導体素子実装用の基板、であり、また、 第２図ｃに示したように、半導体素子実装用の開口部
５を有する樹脂フィルムと導電性薄膜３との積層体から
基本的になる半導体素子実装用の基板であって、該樹脂
フィルムの開口部分５を除去容易な材料２で閉鎖したも
のより、さらに該閉鎖材料を除去し、開口部５を露出せ
しめてなる半導体素子実装用の基板、である。
体素子実装用の開口部を有する樹脂フィルム１であっ
て、該樹脂フィルムの開口部分は除去容易な材料２で閉
鎖してあり、その一面に導電性薄膜を形成することによ
り、ただちに半導体素子実装用の基板になりうる、基板
形成用樹脂フィルム、であり、また、 第２図ｂに示したように半導体素子実装用の開口部を
有する樹脂フィルム１と導電性薄膜３との積層体から基
本的になる半導体素子実装用の基板であって、該樹脂フ
ィルムの開口部分を除去容易な材料２で閉鎖したことを
特徴とする半導体素子実装用の基板、であり、また、 第２図ｃに示したように、半導体素子実装用の開口部
５を有する樹脂フィルムと導電性薄膜３との積層体から
基本的になる半導体素子実装用の基板であって、該樹脂
フィルムの開口部分５を除去容易な材料２で閉鎖したも
のより、さらに該閉鎖材料を除去し、開口部５を露出せ
しめてなる半導体素子実装用の基板、である。
本発明において、除去容易な材料とは、除去すること
が、以下のごとく容易である材料であり、除去は物理的
あるいは化学的に行われるものである。具体的な示例と
しては、剥離が容易な材料、溶媒に対する溶解度の
大きい材料、酸、アルカリで容易に分解される材料等
を用いることができる。すなわち、導電性薄膜ならびに
樹脂フィルム（より好ましくは耐熱性のフィルムであ
る）よりも物理的あるいは化学的に脆弱な性質を有する
ものであればよいのである。これらは、溶媒に対する溶
解度の大きい材料、酸、アルカリで容易に分解される材
料等である。具体的には、電子ビーム硬化、紫外線硬
化、熱硬化等の性質を有するモノマーやプレポリマー等
であり、例えば後記実施例の熱硬化−溶剤剥離型のエッ
チングレジスト等である。硬化後形成されるポリマーの
分解性や溶解性が耐熱性の樹脂フィルムと大きく異なる
ことを利用して、樹脂フィルムならびに導電性薄膜から
容易に除去するものである。
が、以下のごとく容易である材料であり、除去は物理的
あるいは化学的に行われるものである。具体的な示例と
しては、剥離が容易な材料、溶媒に対する溶解度の
大きい材料、酸、アルカリで容易に分解される材料等
を用いることができる。すなわち、導電性薄膜ならびに
樹脂フィルム（より好ましくは耐熱性のフィルムであ
る）よりも物理的あるいは化学的に脆弱な性質を有する
ものであればよいのである。これらは、溶媒に対する溶
解度の大きい材料、酸、アルカリで容易に分解される材
料等である。具体的には、電子ビーム硬化、紫外線硬
化、熱硬化等の性質を有するモノマーやプレポリマー等
であり、例えば後記実施例の熱硬化−溶剤剥離型のエッ
チングレジスト等である。硬化後形成されるポリマーの
分解性や溶解性が耐熱性の樹脂フィルムと大きく異なる
ことを利用して、樹脂フィルムならびに導電性薄膜から
容易に除去するものである。
さらに図による説明を続けるに、モノマーやプレポリ
マー等を硬化させて、形成された本発明の実施例の一つ
が第１図である。第１図ならびに第２図において、縦、
横のサイズは任意に選択されており、とくに断面図にお
いては、説明を容易にするために、材料の厚みを拡大強
調している。第２図は本発明の使用の形態を説明するた
めに、第１図のＡ−Ａの位置において、TAB形成のため
の工程ごとに当該断面を図示したＡ−Ａ矢視断面図であ
る。第２図ａは本発明の一実施例であり、開口部を有す
る好ましくは耐熱性の樹脂フィルムの開口部が除去容易
な材料２で閉鎖されている。第２図ｂは本発明の開口部
が除去容易な材料２で閉鎖された好ましくは耐熱性の樹
脂フルムにスパッタリング、蒸着、メッキ等の任意の薄
膜形成手法により導電性薄膜３が形成・積層されてなる
基板の状態を示している。第２図ｃは斯くして得られた
基板の耐熱性の樹脂フィルムから除去容易な材料２が
酸、アルカリ等による分解あるいは溶解等の除去手段に
より除去されて、再び開口部５が形成された状態を示し
ているものである。第２図ｄは導電性薄膜３にICチップ
を接続配線できるようにその不必要な部分が常法によ
り、除去された状態を示す断面図であり、二層構造のTA
Bの断面構造を表している。第２図ｅはICチップ４を配
線接続した時の実装状態を示す断面図であり、本発明の
実用例である。
マー等を硬化させて、形成された本発明の実施例の一つ
が第１図である。第１図ならびに第２図において、縦、
横のサイズは任意に選択されており、とくに断面図にお
いては、説明を容易にするために、材料の厚みを拡大強
調している。第２図は本発明の使用の形態を説明するた
めに、第１図のＡ−Ａの位置において、TAB形成のため
の工程ごとに当該断面を図示したＡ−Ａ矢視断面図であ
る。第２図ａは本発明の一実施例であり、開口部を有す
る好ましくは耐熱性の樹脂フィルムの開口部が除去容易
な材料２で閉鎖されている。第２図ｂは本発明の開口部
が除去容易な材料２で閉鎖された好ましくは耐熱性の樹
脂フルムにスパッタリング、蒸着、メッキ等の任意の薄
膜形成手法により導電性薄膜３が形成・積層されてなる
基板の状態を示している。第２図ｃは斯くして得られた
基板の耐熱性の樹脂フィルムから除去容易な材料２が
酸、アルカリ等による分解あるいは溶解等の除去手段に
より除去されて、再び開口部５が形成された状態を示し
ているものである。第２図ｄは導電性薄膜３にICチップ
を接続配線できるようにその不必要な部分が常法によ
り、除去された状態を示す断面図であり、二層構造のTA
Bの断面構造を表している。第２図ｅはICチップ４を配
線接続した時の実装状態を示す断面図であり、本発明の
実用例である。
本発明は、その趣旨において、導電性薄膜ならびに好
ましくは耐熱性の樹脂フィルムについては特に、限定さ
れるものではない。従来技術において、利用されている
材料であれば、如何なるものをも有効に用いることがで
きる。
ましくは耐熱性の樹脂フィルムについては特に、限定さ
れるものではない。従来技術において、利用されている
材料であれば、如何なるものをも有効に用いることがで
きる。
たとえば、導電性薄膜としては、銅、アルミニウム、
ニッケル、クロム等の導電性材料を有効に用いることが
できる。
ニッケル、クロム等の導電性材料を有効に用いることが
できる。
また、好ましくは耐熱性の樹脂フィルムとしてはポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリパラバン酸、ポリヒダントイン、ポリベンゾイ
ミダゾール等の樹脂フィルムを有効に利用できる。
イミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリパラバン酸、ポリヒダントイン、ポリベンゾイ
ミダゾール等の樹脂フィルムを有効に利用できる。
以下、実施例により、本発明の実施の一例を説明す
る。
る。
〔実施例１〕 125μｍのポリイミドフィルムに20mm間隔で7mm×7mm
の開口部をうちぬきにより形成した。この開口部を熱硬
化−溶剤剥離型のエッチングレジスト樹脂を塗布し、70
℃に20分間加熱し、硬化させて閉鎖し、第２図ａに示す
ような本発明の基板形成用樹脂フィルムを形成した。こ
の基板をスパッタリング成膜装置に設置し、銅を１μｍ
の膜厚に堆積した。さらに、メッキにより、銅の膜厚を
８μｍにまで形成し、第２図ｂに示すような本発明の半
導体素子実装用の基板を得た。ついで、アセトンによ
り、エッチングレジスト樹脂を溶解除去して、第２図ｃ
に示す形状のTAB用基材たる半導体素子実装用の基板を
得た。
の開口部をうちぬきにより形成した。この開口部を熱硬
化−溶剤剥離型のエッチングレジスト樹脂を塗布し、70
℃に20分間加熱し、硬化させて閉鎖し、第２図ａに示す
ような本発明の基板形成用樹脂フィルムを形成した。こ
の基板をスパッタリング成膜装置に設置し、銅を１μｍ
の膜厚に堆積した。さらに、メッキにより、銅の膜厚を
８μｍにまで形成し、第２図ｂに示すような本発明の半
導体素子実装用の基板を得た。ついで、アセトンによ
り、エッチングレジスト樹脂を溶解除去して、第２図ｃ
に示す形状のTAB用基材たる半導体素子実装用の基板を
得た。
以上の実施例から明らかなように、本発明は好ましく
は、二層構造のTAB形成技術において、従来技術におい
て、困難であった耐熱性の樹脂フィルムのエッチングを
不要とするものであるから、今後、二層構造のTAB形成
技術を大幅に進展させ、高密度実装技術にきわめて、貢
献するものであり、その産業上の利用可能性はきわめて
大きいと言わざるを得ない。
は、二層構造のTAB形成技術において、従来技術におい
て、困難であった耐熱性の樹脂フィルムのエッチングを
不要とするものであるから、今後、二層構造のTAB形成
技術を大幅に進展させ、高密度実装技術にきわめて、貢
献するものであり、その産業上の利用可能性はきわめて
大きいと言わざるを得ない。
第１図は本発明の実施例を示す平面図である。第２図ａ
〜第２図ｅは本発明をTABに使用するときの実施例を示
す断面図である。図中、１……耐熱性の樹脂フィルム、
２……除去容易な開口部の閉鎖材料、３……導電性薄
膜、４……ICチップ、５……開口部を示す。
〜第２図ｅは本発明をTABに使用するときの実施例を示
す断面図である。図中、１……耐熱性の樹脂フィルム、
２……除去容易な開口部の閉鎖材料、３……導電性薄
膜、４……ICチップ、５……開口部を示す。
Claims (5)
- 【請求項１】半導体素子実装用の開口部を有する樹脂フ
ィルムと導電性薄膜との積層体から基本的になる半導体
素子実装用の基板であって、該樹脂フィルムの開口部分
を除去容易な電子ビーム硬化、紫外線硬化もしくは熱硬
化の性質を有するモノマーもしくはプレポリマーの硬化
物で閉鎖したことを特徴とする半導体素子実装用の基
板。 - 【請求項２】半導体素子実装用の開口部を有する樹脂フ
ィルムであって、該樹脂フィルムの開口部分は除去容易
な電子ビーム硬化、紫外線硬化もしくは熱硬化の性質を
有するモノマーもしくはプレポリマーの硬化物で閉鎖し
てあり、その一面に導電性薄膜を形成することにより、
ただちに半導体素子実装用の基板になりうる、基板形成
用樹脂フィルム。 - 【請求項３】半導体素子実装用の開口部を有する樹脂フ
ィルムと導電性薄膜との積層体から基本的になる半導体
素子実装用の基板であって、該樹脂フィルムの開口部分
を除去容易な電子ビーム硬化、紫外線硬化もしくは熱硬
化の性質を有するモノマーもしくはプレポリマーの硬化
物で閉鎖したものより、さらに該閉鎖材料を除去し、開
口部を露出せしめてなる半導体素子実装用の基板。 - 【請求項４】樹脂フィルムが耐熱性フィルムである請求
項１または３記載の基板。 - 【請求項５】樹脂フィルムが耐熱性フィルムである請求
項２記載のフィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210429A JP2670305B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 半導体素子実装用の基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210429A JP2670305B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 半導体素子実装用の基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260134A JPH0260134A (ja) | 1990-02-28 |
| JP2670305B2 true JP2670305B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=16589172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63210429A Expired - Lifetime JP2670305B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 半導体素子実装用の基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2670305B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254373A (en) * | 1975-10-29 | 1977-05-02 | Citizen Watch Co Ltd | Packaging construction for semiconductor element |
| JPS54111763A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Carrier tape for tape carrier |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP63210429A patent/JP2670305B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0260134A (ja) | 1990-02-28 |
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