JP2669671B2 - 高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料 - Google Patents
高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高分子物質からなる薄膜に可逆的にドーピ
ングまたは脱ドーピングをして、その表面のぬれ性を制
御する方法、ならびに、この方法を利用した画像形成方
法および画像形成材料であって、プリンター、カラープ
リンター、印刷、複写に利用できるものである。
ングまたは脱ドーピングをして、その表面のぬれ性を制
御する方法、ならびに、この方法を利用した画像形成方
法および画像形成材料であって、プリンター、カラープ
リンター、印刷、複写に利用できるものである。
［従来の技術］ 従来、高分子材料の表面のぬれ性（表面エネルギー）
を制御する方法としては、放電、火炎放射、オゾンによ
る酸化、輻射線照射、機械的な粗面化、ポリマーブレン
ド等の乾式処理法、ならびに、プライマー、ポリマーコ
ーティング、電着、触媒によるグラフト等の湿式処理法
が知られている。
を制御する方法としては、放電、火炎放射、オゾンによ
る酸化、輻射線照射、機械的な粗面化、ポリマーブレン
ド等の乾式処理法、ならびに、プライマー、ポリマーコ
ーティング、電着、触媒によるグラフト等の湿式処理法
が知られている。
しかし、これらの方法はいずれも非可逆的な方法であ
り、同じ材料に可逆的に繰り返し行なえる方法はなかっ
た。
り、同じ材料に可逆的に繰り返し行なえる方法はなかっ
た。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、ドーピングと脱ドーピングを可逆的に行な
うことができる高分子材料を利用して、その薄膜の表面
のぬれ性を可逆的に変化させ、繰り返し使用することが
できる平版印刷原板ならびにそれを用いる画像形成方法
を提供しようとするものである。
うことができる高分子材料を利用して、その薄膜の表面
のぬれ性を可逆的に変化させ、繰り返し使用することが
できる平版印刷原板ならびにそれを用いる画像形成方法
を提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するための本発明の構成は、特許請求
の範囲に記載のとおりの高分子薄膜のぬれ性制御方法、
画像形成方法および画像形成材料である。
の範囲に記載のとおりの高分子薄膜のぬれ性制御方法、
画像形成方法および画像形成材料である。
まず、電気化学的に、かつ、可逆的にドーピングある
いは脱ドーピングできる高分子物質について説明する
と、一般的には共役系高分子物質であるが、非共役系高
分子物質の中にも用いられるものがある。
いは脱ドーピングできる高分子物質について説明する
と、一般的には共役系高分子物質であるが、非共役系高
分子物質の中にも用いられるものがある。
更に、可溶性、溶融性、導電性高分子物質でも用いる
ことができる。
ことができる。
具体的に説明すると、共役系高分子としてポリアセチ
レン系、ポリフェニレン系、複素環ポリマー、イオン性
ポリマー、ラダーポリマー等があげられる。これらの詳
細については吉村進著「導電性ポリマー」（高分子学
会）に出ている。又、非共役系高分子の例としては、Ma
cromolecules 21,661〜664（'88）に記載のように1,4−
シス−ポリブタジエン、1,4−シス−ポリイソプレン、
1,4−トランス−ポリイソプレン等があげられる。
レン系、ポリフェニレン系、複素環ポリマー、イオン性
ポリマー、ラダーポリマー等があげられる。これらの詳
細については吉村進著「導電性ポリマー」（高分子学
会）に出ている。又、非共役系高分子の例としては、Ma
cromolecules 21,661〜664（'88）に記載のように1,4−
シス−ポリブタジエン、1,4−シス−ポリイソプレン、
1,4−トランス−ポリイソプレン等があげられる。
更に可溶性、溶融性conducting polymerの例として
は、ポリ（３−アルキルチオフェン）があり、これらに
ついててもSynth,Met.,18,229（1987）およびJpn.J.App
l.Phys.,26,L 1038（187）,J.Chem.Soc.Chem.Commun,
（1986）873に出ている。
は、ポリ（３−アルキルチオフェン）があり、これらに
ついててもSynth,Met.,18,229（1987）およびJpn.J.App
l.Phys.,26,L 1038（187）,J.Chem.Soc.Chem.Commun,
（1986）873に出ている。
この高分子物質にドーピングされる物質はClO4 -、BF4
-、AsF6 -、I2H2SO4、AsF5、 等の通常のドーパントに加えて、アニオン性ポリマー
（高分子電解質）があげられる。高分子電解質の例とし
てはポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリビニルサ
ルファイト、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルピリ
ジン、ポリグルタミン酸、ポリリン酸等およびこれらの
アルカリ金属塩があげらる。これらは「高分子電解質」
（高分子実験学、高分子学会）に詳しい。
-、AsF6 -、I2H2SO4、AsF5、 等の通常のドーパントに加えて、アニオン性ポリマー
（高分子電解質）があげられる。高分子電解質の例とし
てはポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリビニルサ
ルファイト、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルピリ
ジン、ポリグルタミン酸、ポリリン酸等およびこれらの
アルカリ金属塩があげらる。これらは「高分子電解質」
（高分子実験学、高分子学会）に詳しい。
上記高分子物質にドーピングあるいは脱ドーピングを
行なうには、例えば第1a〜ｃ図に示すように、基板１の
上にパターン状電極２を置き、その上に高分子薄膜３を
重ねた積層体Ａをつくり、これを第１−ｂ図に示すよう
に、電解液４に浸漬し、対向電極（陰極）５を配置して
パターン状電極２と対向電極５との間に電圧を負荷する
とドーパントが高分子薄膜３中に浸透し、ドーピング部
６が形成される。
行なうには、例えば第1a〜ｃ図に示すように、基板１の
上にパターン状電極２を置き、その上に高分子薄膜３を
重ねた積層体Ａをつくり、これを第１−ｂ図に示すよう
に、電解液４に浸漬し、対向電極（陰極）５を配置して
パターン状電極２と対向電極５との間に電圧を負荷する
とドーパントが高分子薄膜３中に浸透し、ドーピング部
６が形成される。
第２図に示した例は、高分子薄膜３側に一様の電極７
を設け、陰極としてスタイラス電極８を配置してスタイ
ラス電極によるドーピングパターンを形成するものであ
る。
を設け、陰極としてスタイラス電極８を配置してスタイ
ラス電極によるドーピングパターンを形成するものであ
る。
本発明における基板は、プラスチップ、ガラス、金属
等の材料が用いられ、形状は平、板でもドラム状でもよ
い。
等の材料が用いられ、形状は平、板でもドラム状でもよ
い。
電極は、金属、金属酸化物、導電性ポリマー等の導電
材料が用いられる。
材料が用いられる。
電解液は通常電気化学的測定に用いられているもので
よく、例えば水、アセトニトリル、ベンゾニトリル、ニ
トロベンゼン、ジメトキシエタン、プロピレンカーボネ
ート等が用いられる。
よく、例えば水、アセトニトリル、ベンゾニトリル、ニ
トロベンゼン、ジメトキシエタン、プロピレンカーボネ
ート等が用いられる。
電解質は、通常ドーパントと同じ目的に用いられてい
るものが用いられるが、前述した様に特に、側鎖に親水
基を多量に有するアニオン性ポリマー、具体的には高分
子電解質が好ましい。
るものが用いられるが、前述した様に特に、側鎖に親水
基を多量に有するアニオン性ポリマー、具体的には高分
子電解質が好ましい。
［実施例］ 以下、実施例によって、本発明を具体的に説明する。
実施例１ パターン化されたSnO2ガラス基板上に0.04mol/過硫
酸アンモニウム水溶液を均一に噴霧し乾燥した。これを
ピロール単量体0.1mol/を含む水溶液中に30分間浸漬
し、化学的方法によりポリピロールの薄膜を形成した。
酸アンモニウム水溶液を均一に噴霧し乾燥した。これを
ピロール単量体0.1mol/を含む水溶液中に30分間浸漬
し、化学的方法によりポリピロールの薄膜を形成した。
この様にして得られたポリピロール薄膜を陽極とし、
陰極としてステンレス板を用い、更にピロール単量体0.
2mol/、パラトルエンスルホン酸テトラブチルアンモ
ニウム0.05mol/を含むアセトニトリル溶液中で20℃、
4.0Vで約５分間定電圧電解を行ない、第１−ａ図に示す
様な厚さ３μｍのポリピロール薄膜を得た。この薄膜を
アセトニトリルで洗浄した後、次いでポリスチレンスル
ホン酸アンモニウム10wt％を含む水溶液中で対向電極と
して白金を用いSCE参照電極に対して−0.5〜0.3Vの電位
間で数回サイクルリックボルタンメトリーを行なった
後、0.2VvsSCEの電位に10分間保持した。
陰極としてステンレス板を用い、更にピロール単量体0.
2mol/、パラトルエンスルホン酸テトラブチルアンモ
ニウム0.05mol/を含むアセトニトリル溶液中で20℃、
4.0Vで約５分間定電圧電解を行ない、第１−ａ図に示す
様な厚さ３μｍのポリピロール薄膜を得た。この薄膜を
アセトニトリルで洗浄した後、次いでポリスチレンスル
ホン酸アンモニウム10wt％を含む水溶液中で対向電極と
して白金を用いSCE参照電極に対して−0.5〜0.3Vの電位
間で数回サイクルリックボルタンメトリーを行なった
後、0.2VvsSCEの電位に10分間保持した。
その結果、第１−ｂ図に示すように電位操作を行なっ
た部分には親水性ドーパントのポリスチレンスルホン酸
アニオンが入り込み、それ以外の部分には電極の有無に
関係なく、親水性ドーパントが入らず（第１−Ｃ図）、
従ってこの試料をアセトニトリルで洗浄、乾燥後、水で
ぬらすとドーピング部のみが水にぬれ、その他の部分は
水にぬれなかった。
た部分には親水性ドーパントのポリスチレンスルホン酸
アニオンが入り込み、それ以外の部分には電極の有無に
関係なく、親水性ドーパントが入らず（第１−Ｃ図）、
従ってこの試料をアセトニトリルで洗浄、乾燥後、水で
ぬらすとドーピング部のみが水にぬれ、その他の部分は
水にぬれなかった。
実施例２ 表面抵抗４Ω／□のSnO2ガラス基板を陽極、ニッケル
板を陰極、モノマーとして３−メチルチオフェン0.2mol
/、電解質としてLiBF4を0.1mol/を含むプロピレン
カーボネート溶液中で10mA/cm2で１分間定電流電解を行
ない、約５μｍ厚のポリ（３−メチルチオフェン）薄膜
を得た。
板を陰極、モノマーとして３−メチルチオフェン0.2mol
/、電解質としてLiBF4を0.1mol/を含むプロピレン
カーボネート溶液中で10mA/cm2で１分間定電流電解を行
ない、約５μｍ厚のポリ（３−メチルチオフェン）薄膜
を得た。
この様にして得られたポリ（３−メチルチオフェン）
薄膜を電解質として0.5Mテトラブチルアンモニウムテト
ラフロロボレートを含むアセトニトリル中で−0.2VvsSC
Eの条件で、脱ドーピングした後、アセトニトリルで十
分に洗浄後、乾燥して第２図に示す様な一様電極上の高
分子薄膜を得た。
薄膜を電解質として0.5Mテトラブチルアンモニウムテト
ラフロロボレートを含むアセトニトリル中で−0.2VvsSC
Eの条件で、脱ドーピングした後、アセトニトリルで十
分に洗浄後、乾燥して第２図に示す様な一様電極上の高
分子薄膜を得た。
この様にして得られたポリ（３−メチルチオフェン）
薄膜を用いて、第２図に示す様なマルチスタイラス電極
から成る陰極を用いて、10wt％のポリスチレンスルホン
酸アンモニウム中0.7VvsSCEの条件下で任意の微小部分
にドーピングを行なった。
薄膜を用いて、第２図に示す様なマルチスタイラス電極
から成る陰極を用いて、10wt％のポリスチレンスルホン
酸アンモニウム中0.7VvsSCEの条件下で任意の微小部分
にドーピングを行なった。
その後、この高分子薄膜を電解槽から取り出し、水、
アセトニトリルの順で洗浄した後、平版印刷手法により
画像を形成したところ、スタイラス電極によるドーピン
グパターンに対応した鮮明な画像が得られた。
アセトニトリルの順で洗浄した後、平版印刷手法により
画像を形成したところ、スタイラス電極によるドーピン
グパターンに対応した鮮明な画像が得られた。
実施例３ 実施例２で用いた一様電極上の高分子薄膜を再び0.5M
テトラブチルアンモニウムテトラフロロボレートを含む
アセトニトリル中で−0.2VvsSCEの条件下で脱ドーピン
グした後、実施例２と全く同じ方法で実施例２とは異な
るパターンのドーピングを行なった。
テトラブチルアンモニウムテトラフロロボレートを含む
アセトニトリル中で−0.2VvsSCEの条件下で脱ドーピン
グした後、実施例２と全く同じ方法で実施例２とは異な
るパターンのドーピングを行なった。
その後、実施例２と同じ方法により画像出しを行なっ
たところ、実施例２とは異なるパターンの本実施例で用
いタパターンに対応した鮮明な画像が得られた。
たところ、実施例２とは異なるパターンの本実施例で用
いタパターンに対応した鮮明な画像が得られた。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明の方法によって高分子薄膜
の任意の部分のぬれ性を調節することができるので、こ
れと平版印刷の手法との組合せによって、新しい平版印
刷装置ができる。
の任意の部分のぬれ性を調節することができるので、こ
れと平版印刷の手法との組合せによって、新しい平版印
刷装置ができる。
また、電気化学的方法によってドーピング、脱ドーピ
ングが可能なので、印刷板を繰り返し使用することがで
きる。
ングが可能なので、印刷板を繰り返し使用することがで
きる。
第１−ａ図乃至第１−ｃ図および第２図は本発明の具体
例を示す説明図である。 １……基板、２……パターン状電極、 ３……高分子薄膜、４……電解液、５……対向電極、 ６……ドーピング部、７……一様の電極、 ８……スタイラス電極。
例を示す説明図である。 １……基板、２……パターン状電極、 ３……高分子薄膜、４……電解液、５……対向電極、 ６……ドーピング部、７……一様の電極、 ８……スタイラス電極。
Claims (3)
- 【請求項１】高分子薄膜を電気化学的に、かつ、可逆的
にドーピングあるいは脱ドーピングすることを特徴とす
る高分子薄膜表面のぬれ性制御方法。 - 【請求項２】高分子薄膜を電気化学的に画像の状態にド
ーピングあるいは脱ドーピングして、その高分子薄膜表
面にぬれ性の異なる部分を画像の状態に形成し、この薄
膜を用いて平版印刷的手法によって画像を紙に転写する
画像形成方法。 - 【請求項３】電気化学的に、かつ、可逆的にドーピング
または脱ドーピングによってぬれ性の制御可能な高分子
薄膜からなる画像形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29610888A JP2669671B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29610888A JP2669671B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142835A JPH02142835A (ja) | 1990-05-31 |
| JP2669671B2 true JP2669671B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=17829240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29610888A Expired - Fee Related JP2669671B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669671B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3248405B2 (ja) * | 1995-09-05 | 2002-01-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成方法及び画像形成装置 |
| US5821018A (en) * | 1995-09-05 | 1998-10-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming member and image forming process |
| JPH09123513A (ja) | 1995-11-06 | 1997-05-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 導電性高分子薄膜及びその製造方法、導電性高分子薄 膜の駆動方法並びに画像形成方法及び画像形成装置 |
| JPH09248929A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成方法及び画像形成装置 |
| JPH09249757A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成方法、画像形成媒体、及び被転写媒体 |
| JP3794073B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2006-07-05 | 富士ゼロックス株式会社 | 光起電力を用いた画像形成方法及び画像形成部材 |
| SE526873C2 (sv) | 2003-12-02 | 2005-11-15 | Acreo Ab | Vätbarhetsswitch innefattande ett elektrokemiskt aktivt element med växlingsbara ytvätningsegenskaper, förfarande för dess tillverkning samt dess användning i olika tillämpningar |
| US7899552B2 (en) * | 2007-10-15 | 2011-03-01 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Conductive composite electrode material |
| WO2009055186A2 (en) | 2007-10-19 | 2009-04-30 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Fibrous electrode material |
| CN108794793B (zh) * | 2018-06-21 | 2021-09-17 | 长春工业大学 | 一种精确调控共轭聚合物薄膜疏水性能的电场诱导方法 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP29610888A patent/JP2669671B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH02142835A (ja) | 1990-05-31 |
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