JPH02142835A - 高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料 - Google Patents
高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料Info
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- JPH02142835A JPH02142835A JP29610888A JP29610888A JPH02142835A JP H02142835 A JPH02142835 A JP H02142835A JP 29610888 A JP29610888 A JP 29610888A JP 29610888 A JP29610888 A JP 29610888A JP H02142835 A JPH02142835 A JP H02142835A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高分子物質からなる薄膜に可逆的にドーピン
グまたは脱ドーピングをして、その表面のぬれ性を制御
する方法、ならびに、この方法を利用した画像形成方法
および画像形成材料であって、プリンター、カラープリ
ンター印刷、複写に利用できるものである。
グまたは脱ドーピングをして、その表面のぬれ性を制御
する方法、ならびに、この方法を利用した画像形成方法
および画像形成材料であって、プリンター、カラープリ
ンター印刷、複写に利用できるものである。
［従来の技術］
従来、高分子材料の表面のぬれ性（表面エネルギー）を
制御する方法としては、放電、火炎放射、オゾンによる
酸化、輻射線照射、機械的な粗面化、ポリマーブレンド
等の乾式処理法、ならびに、プライマー、ポリマーコー
ティング、電着、触媒によるグラフト等の湿式処理法が
知られている。
制御する方法としては、放電、火炎放射、オゾンによる
酸化、輻射線照射、機械的な粗面化、ポリマーブレンド
等の乾式処理法、ならびに、プライマー、ポリマーコー
ティング、電着、触媒によるグラフト等の湿式処理法が
知られている。
しかし、これらの方法はいずれも非可逆的な方法であり
、同じ材料に可逆的に繰り返し行なえる方法はなかった
。
、同じ材料に可逆的に繰り返し行なえる方法はなかった
。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、ドーピングと脱ドーピングを可逆的に行なう
ことができる高分子材料を利用して、その薄膜の表面の
ぬれ性を可逆的に変化させ、繰り返し使用することがで
きる・１４版印刷原板ならびにそれを用いる画像形成方
法を提供しようとするものである。
ことができる高分子材料を利用して、その薄膜の表面の
ぬれ性を可逆的に変化させ、繰り返し使用することがで
きる・１４版印刷原板ならびにそれを用いる画像形成方
法を提供しようとするものである。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するための本発明の構成は、特許請求の
範囲に記載のとおりの高分子薄膜のぬれ性制御方法、画
像形成方法および画像形成材料である。
範囲に記載のとおりの高分子薄膜のぬれ性制御方法、画
像形成方法および画像形成材料である。
まず、電気化学的に、かつ、可逆的にドーピングあるい
は脱ドーピングできる高分子物質について説明すると、
−数的には共役系高分子物質であるが、非共役系高分子
物質の中にも用いられるものかある。
は脱ドーピングできる高分子物質について説明すると、
−数的には共役系高分子物質であるが、非共役系高分子
物質の中にも用いられるものかある。
更に、可溶性、溶融性、導電性高分子物質でも用いるこ
とができる。
とができる。
具体的に説明すると、共役系高分子としてポリアセチレ
ン系、ポリフェニレン系複素環ポリマー イオン性ポリ
マー ラダーポリマー等があげられる。これらの詳細に
ついては占村進著「導電性ポリマー」 （高分子学会）
に出ている。
ン系、ポリフェニレン系複素環ポリマー イオン性ポリ
マー ラダーポリマー等があげられる。これらの詳細に
ついては占村進著「導電性ポリマー」 （高分子学会）
に出ている。
又、非共役系高分子の例としては、Ｍａｃｒ。
ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２＋、６６１〜６６４０８ｇ）に
記載のように１．４−シス−ポリブタジェン、ｌ、４−
シス−ポリイソプレン、１．４−トランス−ポリイソプ
レン等があげられる。
記載のように１．４−シス−ポリブタジェン、ｌ、４−
シス−ポリイソプレン、１．４−トランス−ポリイソプ
レン等があげられる。
更に可溶性、溶融性ｃｏｎｄｕｃＮｎｇ ｐｏｌｙｍｅ
ｒの例としては、ポリ（３−アルキルチオフェン）があ
り、これらについてても５ｙｎｔｈ、Ｍｅｔ、、 １８
，２２９（１９８７）およびＪｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、、 ２Ｌｌ、 ＋０３８（１８７）、Ｊ、Ｃｈ
ｃｍ、Ｓｏｃ、Ｃｈｃｍ、Ｃｏｍｍｕｎ、 （１９８６
）８７３に出ている。
ｒの例としては、ポリ（３−アルキルチオフェン）があ
り、これらについてても５ｙｎｔｈ、Ｍｅｔ、、 １８
，２２９（１９８７）およびＪｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、、 ２Ｌｌ、 ＋０３８（１８７）、Ｊ、Ｃｈ
ｃｍ、Ｓｏｃ、Ｃｈｃｍ、Ｃｏｍｍｕｎ、 （１９８６
）８７３に出ている。
この高分子物質にドーピングされる物質はＣｌＯ４″″
ＢＦ４− ＡＳＦ＆−１２、Ｈ２ＳＯ４、ＡｓＦ５
、Ｃ１１ｘ合ＳＯ３−等の通常のドーパントに加えて、
アニオン性ポリマー（高分子電解質）があげられる。高
分子電解質の例としてはポリアクリル酸、ポリメタクリ
ル酸、ポリビニルサルファイド、ポリスチレンスルホン
酸、ポリビニルピリジン、ポリグルタミン酸、ポリリン
酸等およびこれらのアルカリ金属塩があげられる。これ
らは「高分子電解質」（高分子電解質、高分子学会）に
詳しい。
ＢＦ４− ＡＳＦ＆−１２、Ｈ２ＳＯ４、ＡｓＦ５
、Ｃ１１ｘ合ＳＯ３−等の通常のドーパントに加えて、
アニオン性ポリマー（高分子電解質）があげられる。高
分子電解質の例としてはポリアクリル酸、ポリメタクリ
ル酸、ポリビニルサルファイド、ポリスチレンスルホン
酸、ポリビニルピリジン、ポリグルタミン酸、ポリリン
酸等およびこれらのアルカリ金属塩があげられる。これ
らは「高分子電解質」（高分子電解質、高分子学会）に
詳しい。
上記高分子物質にドーピングあるいは脱ドーピングを行
なうには、例えば第１ ａ −ｃ図に示すように、基板
ｌの上にパターン状電極２を置き、その上に高分子薄膜
３を重ねた積層体Ａをつくり、これを第１−１）図に示
すように、電解液４に浸漬し、対向電極（陰極）５を配
置してパターン状電極２と対向電極５との間に電圧を負
荷するとドーパントか高分子薄膜３中に浸透し、ドーピ
ング部６か形成される。
なうには、例えば第１ ａ −ｃ図に示すように、基板
ｌの上にパターン状電極２を置き、その上に高分子薄膜
３を重ねた積層体Ａをつくり、これを第１−１）図に示
すように、電解液４に浸漬し、対向電極（陰極）５を配
置してパターン状電極２と対向電極５との間に電圧を負
荷するとドーパントか高分子薄膜３中に浸透し、ドーピ
ング部６か形成される。
第２図に示した例は、高分子薄膜３側に一様の電極７を
設け、陰極としてスタイラス電極８を配置してスタイラ
ス電極によるドーピングパターンを形成するものである
。
設け、陰極としてスタイラス電極８を配置してスタイラ
ス電極によるドーピングパターンを形成するものである
。
本発明における基板は、プラスチック、ガラス、金属等
の材料が用いられ、形状は平板でもドラム状でもよい。
の材料が用いられ、形状は平板でもドラム状でもよい。
電極は、金属、金属酸化物、導電性ポリマー等の導’７
４４（料が用いられる。
４４（料が用いられる。
電解液は通常電気化学的測定に用いられているものでよ
く、例えば水、アセトニトリルンゾニトリル、ニトロベ
ンゼン、ジメトキシエタン、プロピレンカーボネ−１・
等が用いられる。
く、例えば水、アセトニトリルンゾニトリル、ニトロベ
ンゼン、ジメトキシエタン、プロピレンカーボネ−１・
等が用いられる。
電解質は、通常ドーパントと同じ１」的に用いられてい
るものが用いられるが、前述した様に特に、側鎖に親水
Ｗを多量に有するアニオン性ポリマー、具体的には高分
子電解質が好ましい。
るものが用いられるが、前述した様に特に、側鎖に親水
Ｗを多量に有するアニオン性ポリマー、具体的には高分
子電解質が好ましい。
［実施例］
以下、実施例によって、本発明を具体的に説明する。
実施例１
パターン化されたＳｎＯ２ガラス基板上に０、０４ｍｏ
１１５）過硫酸アンモニウム水溶液を均一に噴霧し乾燥
した。これをピロール単量体０．１１Ｉｌｏ１１５Ｉを
含む水溶液中に３０分間浸漬し、化学的方法によりポリ
ピロールの薄膜を形成した。
１１５）過硫酸アンモニウム水溶液を均一に噴霧し乾燥
した。これをピロール単量体０．１１Ｉｌｏ１１５Ｉを
含む水溶液中に３０分間浸漬し、化学的方法によりポリ
ピロールの薄膜を形成した。
この様にして得られたポリピロール薄膜を陽極とし、陰
極としてステンレス板を用い、更にピロール中量体０．
２ｍｏｌ／ Ｑ 、パラトルエンスルホン酸テトラブチ
ルアンモニウム０．０５ｍｏｌ／Ｒを含むアセトニトリ
ル溶戚中で２０℃、４．Ｏｖで約５分間定電圧電解を行
ない、第１−ａ図に示す様な厚さ ３μｍのポリピロー
ル薄膜を得た。この薄膜をアセトニトリルで洗浄した後
、次いてポリスチレンスルホン酸アンモニウムｌ０ｗｔ
％を含む水溶液中で対向電極として白金を用いＳＣＥ参
照電極に対して−０，５〜０．３Ｖの電位間で数回サイ
クリックポルタンメトリーを行なった後、０．２Ｖ ｖ
ｓＳ ＣＥの電位に１０分間保持した。
極としてステンレス板を用い、更にピロール中量体０．
２ｍｏｌ／ Ｑ 、パラトルエンスルホン酸テトラブチ
ルアンモニウム０．０５ｍｏｌ／Ｒを含むアセトニトリ
ル溶戚中で２０℃、４．Ｏｖで約５分間定電圧電解を行
ない、第１−ａ図に示す様な厚さ ３μｍのポリピロー
ル薄膜を得た。この薄膜をアセトニトリルで洗浄した後
、次いてポリスチレンスルホン酸アンモニウムｌ０ｗｔ
％を含む水溶液中で対向電極として白金を用いＳＣＥ参
照電極に対して−０，５〜０．３Ｖの電位間で数回サイ
クリックポルタンメトリーを行なった後、０．２Ｖ ｖ
ｓＳ ＣＥの電位に１０分間保持した。
その結果、第１−ｂ図に示すように電位操作を行なった
部分には親水性ドーパントのポリスチレンスルホン酸ア
ニオンが入り込み、それ以外の部分には電極の有無に関
係なく、親水性ドーパントか入らず（第１−Ｃ図）、従
ってこの試料をアセトニトリルで洗浄、乾燥後、水でぬ
らすとドーピング部のみが水にぬれ、その他の部分は水
にぬれなかった。
部分には親水性ドーパントのポリスチレンスルホン酸ア
ニオンが入り込み、それ以外の部分には電極の有無に関
係なく、親水性ドーパントか入らず（第１−Ｃ図）、従
ってこの試料をアセトニトリルで洗浄、乾燥後、水でぬ
らすとドーピング部のみが水にぬれ、その他の部分は水
にぬれなかった。
実施例２
表面抵抗４Ω／口の５ｎ０２ガラス基板を陽極、ニッケ
ル板を陰極、モノマーとして３メチルチオフェン０．２
１１１ｏ１１５１ｓ電解質としてＬｉＢＦ４をＯ，Ｉｎ
＋ｏｌ／ｆＩを含むプロピレンカーボネート溶液中で１
ｏＩＩＩＡＩＣＩ１１２で１分間定電流゛屯解を行ない
、約５μｍ厚のポリ（３−メチルチオフェン）薄膜を得
た。
ル板を陰極、モノマーとして３メチルチオフェン０．２
１１１ｏ１１５１ｓ電解質としてＬｉＢＦ４をＯ，Ｉｎ
＋ｏｌ／ｆＩを含むプロピレンカーボネート溶液中で１
ｏＩＩＩＡＩＣＩ１１２で１分間定電流゛屯解を行ない
、約５μｍ厚のポリ（３−メチルチオフェン）薄膜を得
た。
この様にして得られたポリ（３−メチルチオフェン）薄
膜を電解質として０．５Ｍテトラブチルアンモニウムテ
トラフロロボレートを含むアセトニトリル中で−０，２
Ｖ ｖｓＳ ＣＥの条件で、脱ドピングした後、アセト
ニトリルで十分に洗浄後、乾燥して第２図に示す様な一
様電極上の高分子薄膜を得た。
膜を電解質として０．５Ｍテトラブチルアンモニウムテ
トラフロロボレートを含むアセトニトリル中で−０，２
Ｖ ｖｓＳ ＣＥの条件で、脱ドピングした後、アセト
ニトリルで十分に洗浄後、乾燥して第２図に示す様な一
様電極上の高分子薄膜を得た。
この様にして得られたポリ（３−メチルチオフェン）薄
膜を用いて、第２図に示す様なマルチスタイラス電極か
ら成る陰極を用いて、１０ｗｔ％のポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム中０．７ＶｖｓＳＣＥの条件下で任意
の微小部分にドーピングを行なった。
膜を用いて、第２図に示す様なマルチスタイラス電極か
ら成る陰極を用いて、１０ｗｔ％のポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム中０．７ＶｖｓＳＣＥの条件下で任意
の微小部分にドーピングを行なった。
その後、この高分子薄膜を電解槽から取り出し、水、ア
セＩ・ニトリルの順で洗浄した後、平版印刷手法により
画像を形成したところ、スタイラス電極によるドーピン
グパターンに対応した鮮明な画像か得られた。
セＩ・ニトリルの順で洗浄した後、平版印刷手法により
画像を形成したところ、スタイラス電極によるドーピン
グパターンに対応した鮮明な画像か得られた。
実施例３
実施例２で用いた一様電極上の高分子薄膜を再び０．５
Ｍテトラブチルアンモニウムテトラフロロボレートを含
むアセトニトリル中で−０，２■ｖｓＳＣＥの条件下で
脱ドーピングした後、実施例２と全く同じ方法で実施例
２とは異なるパターンのドーピングを行なった。
Ｍテトラブチルアンモニウムテトラフロロボレートを含
むアセトニトリル中で−０，２■ｖｓＳＣＥの条件下で
脱ドーピングした後、実施例２と全く同じ方法で実施例
２とは異なるパターンのドーピングを行なった。
その後、実施例２と同じ方法により画像出しを行なった
ところ、実施例２とは異なるパターンの本実施例で用い
たパターンに対応した鮮明な画像が得られた。
ところ、実施例２とは異なるパターンの本実施例で用い
たパターンに対応した鮮明な画像が得られた。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の方法によって高分子薄膜の
任意の部分のぬれ性を調節することができるので、これ
と平版印刷の手法との組合せによって、新しい平版印刷
装置ができる。
任意の部分のぬれ性を調節することができるので、これ
と平版印刷の手法との組合せによって、新しい平版印刷
装置ができる。
また、電気化学的方法によってドーピング、脱ドーピン
グが可能なので、印刷板を繰り返し使用することができ
る。
グが可能なので、印刷板を繰り返し使用することができ
る。
第１− ａ図乃至第１−ｃ図および第２図は本発明の具
体例を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・パターン状電極、３・・・高分
子薄膜、４・・・電解液、訃・・対向電極、６・・・ド
ーピング部、７・・・−様の電極、８・・・スタイラス
電極。
体例を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・パターン状電極、３・・・高分
子薄膜、４・・・電解液、訃・・対向電極、６・・・ド
ーピング部、７・・・−様の電極、８・・・スタイラス
電極。
Claims (3)
- （１）高分子薄膜を電気化学的に、かつ、可逆的にドー
ピングあるいは脱ドーピングすることを特徴とする高分
子薄膜表面のぬれ性制御方法。 - （２）高分子薄膜を電気化学的に画像の状態にドーピン
グあるいは脱ドーピングして、その高分子薄膜表面にぬ
れ性の異なる部分を画像の状態に形成し、この薄膜を用
いて平版印刷的手法によって画像を紙に転写する画像形
成方法。 - （３）電気化学的に、かつ、可逆的にドーピングまたは
脱ドーピングによってぬれ性の制御可能な高分子薄膜か
らなる画像形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29610888A JP2669671B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29610888A JP2669671B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142835A true JPH02142835A (ja) | 1990-05-31 |
| JP2669671B2 JP2669671B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=17829240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29610888A Expired - Fee Related JP2669671B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 高分子薄膜表面のぬれ性制御方法ならびにその方法を利用した画像形成方法および画像形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669671B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2306227A (en) * | 1995-09-05 | 1997-04-30 | Fuji Xerox Co Ltd | Image forming and transfer process,member formed by the process and apparatus therefor. |
| EP0771671A1 (en) | 1995-11-06 | 1997-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Conducting polymer thin film and process for producing the same |
| US5762772A (en) * | 1995-09-05 | 1998-06-09 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method and apparatus for image formation |
| US5892529A (en) * | 1996-03-15 | 1999-04-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming method and image forming apparatus including electroconductive polymer layer for dye intake and release |
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| US6066420A (en) * | 1996-09-19 | 2000-05-23 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming method using photovoltaic force |
| JP2010540104A (ja) * | 2007-10-15 | 2010-12-24 | カーディアック ペースメイカーズ， インコーポレイテッド | 導電性複合材電極材料 |
| US8257562B2 (en) | 2003-12-02 | 2012-09-04 | Acreo Ab | Wettability switch |
| US8417356B2 (en) | 2007-10-19 | 2013-04-09 | Cardiac Pacemakers Inc. | Fibrous electrode material |
| CN108794793A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-11-13 | 长春工业大学 | 一种精确调控共轭聚合物薄膜疏水性能的电场诱导方法 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP29610888A patent/JP2669671B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2306227A (en) * | 1995-09-05 | 1997-04-30 | Fuji Xerox Co Ltd | Image forming and transfer process,member formed by the process and apparatus therefor. |
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| CN108794793A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-11-13 | 长春工业大学 | 一种精确调控共轭聚合物薄膜疏水性能的电场诱导方法 |
| CN108794793B (zh) * | 2018-06-21 | 2021-09-17 | 长春工业大学 | 一种精确调控共轭聚合物薄膜疏水性能的电场诱导方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2669671B2 (ja) | 1997-10-29 |
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