JP2666321B2 - 光導波路型光方向性結合器 - Google Patents

光導波路型光方向性結合器

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    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31Digital deflection, i.e. optical switching
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光導波路型光方向性結合器に係り、特に直
線偏光の入射光のTE波とTM波のうちTM波を効率良く吸収
し減衰させる金属を光導波路の結合部に配置して、充分
な消光比が得られ小型化された光導波路型光方向性結合
器に関するものである。
[従来の技術] 従来の光方向性結合器では、TE波とTM波で結合長が異
なるため、両者の混在した光を入射した場合、その出射
光は結合部の長さによらず充分な消光比が得られなかっ
た。従来、充分な消光比を得るためには、第4図に示す
ように入射光を1度偏光子9あるいはモードスプリッタ
に通して、TE波あるいはTM波の一方のみにした後、光導
波路に入射させ、光導波路の伝播定数を入射光の偏波に
合わせて調整することにより高い消光比を得ていた。
又、偏光子やモードスプリッタの光導波路型とし、光導
波路型光方向性結合器の前段に組み込んだり、同一基板
上に形成したものもあつたが、これらは光導波路型光方
向性結合器の小型化に不利であり、光導波路の構成及び
特性が複雑になるため歩止りの低下を招いていた。
[発明の解決しようとする課題] 本発明は従来技術が有していた前述の欠点を解消した
ものであり、高い消光化を有する小型化された光導波路
型方向性結合器を得るためのものである。
[課題を解決するための手段] 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたもので
あり、電気光学効果を有する導波路基板上に、少なくと
も2本の光導波路を。結合部において接近させ平行に形
成し、光入出射端面において前記結合部より光導波路間
の間隔を広くして形成し、前記結合部に光導波路を挟ん
で電極を設けた光導波路型光方向性結合器において、前
記結合部の少なくとも2本の光導波路を共通して覆うよ
う金属を配置し、入射する直線偏光のTE波とTM波のうち
TM波を吸収させるようにしたことを特徴とする光導波路
型光方向性結合器を提供するものである。
以下、本発明の実施例に従って説明する。第1図は本
発明による光導波路型光方向性結合器の基本構成を示
し、(a)は平面図、(b)は基板中央の断面図であ
る。
LiNbO3等の材料よりなる導波路基板1に、光方向性結
合器型に2本の光導波路2,3を形成する。光導波路2,3の
結合部に、Al4等の金属をスパッタリング法、蒸着法等
により光導波路2,3を覆うよう配置する。前記金属は、
複素屈折率あるいは複素化誘電率の虚部の値が大きな物
質が好ましく、複素屈折率の虚部の値のni,入射光波長
をλとすると、特にAl(ni=5.44、λ=0.63μm)、Zn
(ni=5.52,λ=0.63μm)、Rh(ni=5.31、λ=0.66
μm)、Mg(ni=4.60、λ=0.63μm)が好ましい。
又、光導波路2,3が金属に覆われている長さは、できる
だけ長い方が消光比が向上するが、挿入損失が増加する
という問題があるので、適宜調整して作製する。一方、
第2図に示すAl4等の金属を結合部以外の光入出射端面
近辺に配置しても良いが、この場合印加電圧が0Vのとき
に結合部の長さが完全結合長の整数倍になっていなけれ
ばならないので、光導波路作製の精度が厳しいという欠
点があり、これに対して結合部に金属を配置した場合、
その部分の実効屈折率はTE波に対しても変化するため、
その長さを調整することにより印加電圧が0VのときTE波
に対して完全結合の状態をつくり出すことができる。
Al4の膜厚は0.1μm〜5.0μmであれば、TM波の減衰
効果が充分で容易に作製できるので好ましく、又Al4膜
の長さは、TE波の伝播損失が0.5〜1dB/cm、TM波の伝播
損失が30〜40dB/cmであるので、通常の光方向性結合器
型光スイッチの消光比20〜40dBを得るには結合部の長さ
と同程度の0.5〜2.0cmあれば良く、好ましくは1.0〜2.0
cmであれば良い。
[作用] 光導波路2より入射した光は、光導波路内では、TE波
およびTM波として伝播していく。このうち、TE波は光導
波路表面上の金属から受ける伝播損失が比較的小さいた
め、結合部において2本の光導波路間で結合が起こり、
若干の損失を伴ってその結合長に従った分配比で光導波
路2より出射する。これに対して、TE波は光導波路表面
上の前記金属から受ける伝播損失がTE波に対して数十倍
と大きいめ、その部分で減衰し、光導波路2,3から出射
光としては得られない。すなわち、出射側では、入射光
のうちTE波成分のみの結合状態を見ていることになる。
このように、入射光がTE波あるいはTM波のみでなくと
も、従来の光方向性結合器と同程度の消光比を得ること
ができる。
[実施例] 第3図に本発明の1実施例を示す。Y−CutのLiNbO3
基板5にTiを拡散して光方向性結合器型の光導波路6を
形成した。電極7およびAlのクラッド層8はどちらもス
パッタリング法で作製したAl膜である。電極7は、光導
波路6の結合部に光導波路6をはさむように設けられ、
光導波路6に対してZ方向の電界を発生させる。Z方向
の電界を印加することにより、最大の電気光学定数を得
ることできるのでスイッチング電圧を低くすることがで
きる。Alのクラッド層8は、光導波路6内を通過するTM
波を減衰させるものである。
本発明による光導波路型光方向性結合器は、主として
光パルス試験器の光スイッチとして用いられる。
光パルス試験器の光スイッチとして用いる場合、半導
体レーザ等の光源からTE偏波のパルスレーザを光導波路
6の1方に入射し、他端より被測定ファイバーへ入射す
る。被測定ファイバー中の破断箇所、接続箇所等でフレ
ネル反射したり、ファイバーの構成物質によって後方散
乱、ラマン散乱を起こした光の1部は戻り光として逆戻
りしてくる。戻り光の偏波面はランダムである。前記戻
り光は、光導波路6の結合部で結合を起こし、電極に印
加された電界により光導波路の伝播定数がTE波の偏波面
に合せて調整される。その際TM波はAlのクラッド層によ
り吸収され減衰する。TE波は、もう1方の光導波路6か
ら出射する。もう1方の光導波路6から出射したTE波
は、測定装置へ導かれる。
従来、第4図に示すようTE波をカットあるいは減衰さ
せるために、偏光子9を別個に設けたり、偏光子あるい
はモードスプリッタを組み込んだ光導波路を接続した
り、同一基板上に形成していたが、光導波路6上にAl等
の金属を配置するだけで良いので、光パルス試験器に対
する挿入損失の低減および充分な消光比を得られるとい
う効果がある。又、光パルス試験器の小型化に対しても
有効である。
[発明の効果] 従来の光導波路型光方向性結合器と異なり、入射光を
偏光子あるいは他の光導波路により特定の偏波面のみに
修正する必要がなく、また、同一基板上に偏光子を前段
に設けて光方向性結合器を後段とした2段構造の光導波
路型光方向性結合器などに比較して小型であり、かつ容
易に作製できるので製造歩留りが向上し、さらに結合部
に配置されたAl等の金属によりTM波を吸収できるので、
TE波によるスイッチングが可能となり、従って充分な消
光比が得られるという効果を有する。又、光パルス試験
器等の光学装置に対する挿入損失が低減し、光学装置の
小型化にも有効である。
【図面の簡単な説明】 第1図と第3図は本発明による光導波路型光方向性結合
器の実施例を示し、第1図(a)と第3図(a)は光導
波路型光方向性結合器の基本構成の平面図であり、第1
図(b)と第3図(b)は導波路基板中央の断面図であ
り、第2図は比較例を示し、光導波路の光入出射端面近
辺に金属を配置した光導波路型光方向性結合器の概略的
平面図であり、第4図は従来の光導波路型光方向性結合
器の基本構成の斜視図である。 1……導波路基板、2,3……光導波路 4……Al

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電気光学効果を有する導波路基板上に、少
    なくとも2本の光導波路を、結合部において接近させ平
    行に形成し、光入出射端面において前記結合部より光導
    波路間の間隔を広くして形成し、前記結合部に光導波路
    を挟んで電極を設けた光導波路型光方向性結合器におい
    て、前記結合部の少なくとも2本の光導波路を共通して
    覆うよう金属を配置し、入射する直線偏光のTE波とTM波
    のうちTM波を吸収させるようにしたことを特徴とする光
    導波路型光方向性結合器。
  2. 【請求項2】請求項1記載の光導波路型光方向性結合器
    を用いた光パルス試験器。
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