JP2662549B2 - 排気環境下で基板を冷却するシステム - Google Patents

排気環境下で基板を冷却するシステム

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JP2662549B2
JP2662549B2 JP4262759A JP26275992A JP2662549B2 JP 2662549 B2 JP2662549 B2 JP 2662549B2 JP 4262759 A JP4262759 A JP 4262759A JP 26275992 A JP26275992 A JP 26275992A JP 2662549 B2 JP2662549 B2 JP 2662549B2
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    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1919—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S165/00—Heat exchange
    • Y10S165/903—Convection

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板温度の制御が困難な
高真空システム内で磁気ディスクのための処理といった
薄い基板を処理する技術に関する。特に、本発明は、連
続的な冷却、大気への排出、過度の温度増加に対する保
護のための準備といった目的のために排気された環境で
基板を冷却するシステムに関する。
【０００２】
【従来技術】磁気ディスクのために使用するような薄い
基板に対しは、高真空処理が要求される。この処理は、
一般的に、基板を所望の温度に加熱すること、スパッタ
リングまたは同様の物理的な蒸着処理によりいろいろな
コーティングを行うことに関する。高真空処理は、高純
度コーティング付着を容易に、バックグラウンド圧力、
コーティング速度、および基板温度のようなパラメータ
により制御される様々な特性を実現することを容易にす
る。１９９１年９月２０日に出願された米国特許出願第
７３６，１８３号に基板取扱い処理システムが説明され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】排気された環境（すな
わち、真空）下で基板の温度を制御することは基本的な
操作であるが、これは難しいことである。典型的に、基
本的な加熱は石英ランプ（石英水銀灯）のような装置か
らの放射によりなされる。しかし、たいていの加熱状態
処理は真空環境下でなされることはほとんどない。大気
は、ヒートシンクのまわりで循環環境を与えるようなも
のではない。
【０００４】基板（またはディスク）の処理の間、基板
の温度を下げることもまたしばしば望まれる。たとえ
ば、基板を制御して冷却することが、磁気ディスクをク
ロム、コバルト合金、または炭素層といったもので連続
してコーティングするための予め定められた温度を実現
するために必要となる。この例で、比較的低温の基板に
蒸着すると、非常に堅く、耐摩耗性のある炭素コーティ
ングの特性が強められる。
【０００５】さらに、基板またはディスクがまだ熱い内
に大気にさらすことで冷却することは、特定の応用例に
対しこのような基板の有用性を著しく限定する。さら
に、制御しない冷却および／または大気中で冷却は、上
昇した温度ではいろいろなコーティングの拡散が生じる
ため、コーティングの質に悪い影響を与える。
【０００６】従来からいくつかの技術が処理の間に比較
的薄い基板を冷却するために展開されてきた。米国特許
第４，９０９，３１４号にその装置が開示されている。
開示のシステムは、冷却すべき物品と接触するように設
計、形状付けされた熱交換体を含む。このシステムはま
た、物品と熱交換体との間の熱交換を容易にするため、
アルゴンのような比較的低伝導性のガスを採用する。
【０００７】このようなシステムの主な欠点は、このよ
うな比較的薄い基板の接触動作が初期条件に維持されな
ければならない１またはそれ以上の表面を傷つけること
になることである。さらに、低質量で、その縁でのみ基
板を取り扱う必要性がヒートシンクとの伝導接触を難し
くする。
【０００８】したがって、本発明の目的は、処理開始工
程との間に採用でき、すでに付着された基板のコーティ
ング表面を傷付けることのない真空環境下で基板を冷却
する改良方法を提供することである。
【０００９】本発明の他の目的は、商業的に実行可能な
処理がもたらされる高められた冷却率で真空環境で基板
を冷却するシステムを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】ここで開示する、排気さ
れた環境下で基板を冷却するシステムは、従来技術にと
もなう欠陥、欠点を除去する。開示システムは、いずれ
の表面にも接触することなく急速に薄い基板を冷却する
ため特別な処理チェンバー内での伝導／対流熱伝達を採
用する。冷却チェンバーに、予め定められた距離だけ離
された固定両ヒートシンクが備えられ、その間に基板が
配置される。高熱伝導性ガスが導入され、所望の圧力に
至るまでチェンバー全体がガスで満たされる。次に、基
板はヒートシンクの温度、基板の最初の温度、ガス熱伝
導率、圧力および基板とヒートシンクとの間の距離に依
存し、ある温度まで冷却される。
【００１１】
【実施例】本発明に従い、排気された環境下で基板を冷
却する、開示のシステムは、従来技術にともなう欠陥、
欠点を実質的に減少、除去する。本発明に従い、冷却チ
ェンバーに実質的に平行に向かいあう（対向する）表面
をもつ一対の固定ヒートシンクが設けられる。基板の各
外表面がヒートシンクの向かい合う（対向する）表面に
接近させ、かつ平行になるように、基板を配置すると、
高伝導性ガスが基板からヒートシンクへの熱移動を容易
にするため、冷却チェンバー内に導入される。本発明の
非常に重要な技術的利点は、ヒートシンクの隣接した表
面が、実質的な伝導／対流熱移動を達成するために、基
板に対し所定の近接間隔を保ち、ヒートシンクとの接触
により基板またはディスクの非常に繊細な表面に傷を付
つけるという危険性が除去された点である。
【００１２】ガス伝導冷却は、サンプルモデルに対し次
のように表すことができる。
【００１３】ΔＥ／Δｔ＝Ｋ（Δφ／Ｌ） ここで、ΔＥ＝ディスクから除去されるエネルギー Δｔ＝時間間隔 Ｋ ＝ガス伝導率 Δφ＝基板とヒートシンクとの間の温度差 Ｌ ＝基板とヒートシンクとの間の間隔。
【００１４】多くのガスに対し、熱伝導率Ｋは、大気圧
では一定で、その圧力にほとんど、または全く依存する
ことなく高い。圧力が大気より下降すると、伝統率も減
少する。いろいろなガスの伝導率は、分子量に関連し、
ヘリウム、水素のような最も軽いガスが最もよい伝導体
である。図２は、最近の実験により決定された、ヘリウ
ムに対する圧力対伝導率をグラフにして示す。
【００１５】最も高い基板冷却効率を達成する処理ステ
ーションを設計する際、良い伝導率のためヘリウムまた
は水素のようなガスを選択することが重要である。さら
に、ヒートシンクと基板との間に最も高い温度差を与え
るために、ヒートシンクを実現できる最も低い温度に維
持することが必要である。米国特許出願第７３６，１８
３号に示すような真空システム内で基板を連続的に処理
するとき、基板を容易かつ迅速に処理ステーションに配
置、そしてそこから取り出すことのできる最少で実施可
能な距離にヒートシンクと基板との間を維持することが
望ましい。これは、基板表面との望まない接触を避ける
ことと、基板からヒートシンクへの熱移動を最大にする
こととを達成する間隔である。
【００１６】最後に、処理ステーションのガス圧力は、
伝導率を最大にするため、真空システムの操作を妨げる
ことのない最も高い実施可能な値に制御されなければな
らない。このことは、典型的には、僅かな（全）ガス流
が非常に高まった圧力を与えるように、ガス流を高真空
ポンプへと絞ることによりなされる。
【００１７】図１は本発明の一実施例の簡略した断面図
である。本発明の好適実施例において、基板冷却処理ス
テーション１が、破線で示す複数のボルトのような在来
の取り付け手段により主真空チェンバーハウジング２１
に取り付けられ、Ｏリングシール２２によりそこに効果
的にシールされている。
【００１８】基板冷却処理ステーション１が一般的に、
一対のヒートシンク３に取り付けられる２つのヒートシ
ンクスペーサ２を有する。ヒートシンクスペーサ２は、
基板１０とヒートシンク３との間に臨界的な間隔を維持
するために便宜セットされている。ヒートシンク３の温
度を適切に低い値に維持するために、ヒートシンク３へ
そしてそこを通る導管４および５が、在来の冷媒をヒー
トシンク３に流し、そしてそこから流出させるために備
えられている。これにより、ヒートシンク３の温度が所
望のレベルに維持される。
【００１９】ヒートシンク３の温度が、各ヒートシンク
３に動作可能に取り付けられた一対の在来の温度センサ
６、および処理チェンバー１のハウジングに動作可能に
配置された一対の在来の温度センサ真空フィードスルー
７によりモニターされる。温度センサ６およびフィード
スルー７がリード線８、９により接続されている。
【００２０】好適実施例において、ヒートシンク３は、
ほぼ平坦な表面をもち、お互いにほぼ平行に配置されて
いる。ヒートシンクスペーサ２はヒートシンク３にしっ
かりと取り付けられ、両者が確実に同じ温度になるよう
にされている。ヒートシンクスペーサ２の表面は、基板
１０からヒートシンク３へと実質的な伝導／対流熱移動
をなすために近接するが、その間に基板１０を配置し、
繊細な基板１０の表面にダメージを与えることがないよ
うに、基板１０に接触しないような間隔があけられてい
る。ここで使用する実質的伝導／対流熱移動ということ
ばは、輻射のみによる基板１０からヒートシンク３への
最適な熱移動の５００％を越える伝導／対流熱移動を意
味する。
【００２１】流入ガス導管２４が、ヘリウムのような高
伝導性ガスを処理チェンバー２０内に導入すために備え
られている。ヘリウムガスの導入は、基板１０からヒー
トシンク３への熱移動率を高め、冷却効率を高める。
【００２２】好適実施例において、ヒートシンク３は銅
のような高伝導性材料からなり、約−１３０℃という極
低温での動作可能なものである。ヒートシンクスペーサ
２のそれぞれは、また各基板１０の表面から０．０５イ
ンチ（０．１２７ｃｍ）から０．２５インチ（０．６３
５ｃｍ）までの間の所定の間隔、好適には０．０９イン
チ（０．２２９ｃｍ）の間隔に維持される。
【００２３】好適実施例において、ヘリウムガスが伝導
媒体として採用される。ヘリウムガスは、導管２４によ
り処理チェンバーに導入され、非常に小さなオリフィス
またはスロットルプレート（図示せず）を通って処理ス
テーション１のベースの近くに取り付けられた在来の高
真空クライオポンプ２３へと排気される。
【００２４】処理ステーションに搬入、搬出される基板
１０はそこで、米国特許第７６３，１８３号に示された
ような基板ホルダー１１にルーズに保持され、これによ
り基板のコートされたいずれの面も装置のどこにも接触
するこがない。
【００２５】基板冷却処理ステーション１はまた、その
冷却処理ステーション１の取り付け取り外しを容易にす
るための一対のハンドル２５を有する。
【００２６】基板１０の冷却をなすため、本発明の方法
に従い、各ヒートシンク３が、基板１０から０．０５イ
ンチ（０．１２７ｃｍ）から０．２５インチ（０．６３
５ｃｍ）までの間の間隔、好適には０．０９インチ
（０．２２９ｃｍ）の間隔だけ離れるれるように再配置
される。ヒートシンク３は、在来の極低温冷蔵機により
−５０℃から−２００℃の間、好適には−１３０℃に冷
却される。
【００２７】次に、基板１０は、その基板１０の各外表
面がヒートシンクスペーサ２の向かい合う表面に隣接
し、かつ実質的に平行となるように、基板ホルダー１１
により処理チェンバー２０内に配置される。ヘリウムま
たは水素のような高熱伝導性ガスが、処理チェンバー２
０に導入される一方で、ヒートシンク３は基板１０から
ヒートシンク３への熱移動効率を高めるために動作温度
にされる。そのガス流は処理チェンバー２０の圧力より
僅かに高いが、大気圧より実質的に低い圧力で導入、維
持される。好適実施例において、ガス圧は約１から１０
０トル、好適には１０トルに維持される。基板１０の冷
却を停止するために、ガス流は停止されスロットルプレ
ートオリフィル（図示せず）が開く。
【００２８】基板１０を冷却するために使用し得る他の
方法は、高真空ポンピング口（図示せず）を完全に閉
じ、有効な伝導をなすのに十分なガスを入れる。これ
は、動作圧力に到達したとき、停止される初期ガス流の
みに関する。冷却を停止するために、次に高真空弁が開
けられ、比較的少ない正味のガスが排気され、処理チェ
ンバー２０内が高真空に戻される。
【００２９】基板１０を所定の温度に冷却した後、基板
１０は基板ホルダー１１により処理チェンバー２０から
取り除かれる。以下の制御および例は本発明の優れたと
ころを示す。制御および例は、例示のためであって、特
許請求の範囲を限定するためのものではない。
【００３０】制御および例 直径９５ｍｍ、熱さ０．０５インチ（０．１２７ｃ
ｍ）の未コート（非電気ニッケルを除く）アルミニウム
ディスクが以下の実験分析のために採用された。そのデ
ィスクはＶブロックに配置され、３００℃に予め加熱さ
れた。ディスクは、ディスク温度を精密にモニタするた
め従前の熱電対が設置された。ディスクと各ヒートシン
クとの間の間隔は０．２２５インチ（０．５７１５ｃ
ｍ）に維持された。
【００３１】第一の実験において、伝導性ヘリウムが存
在しないとき、冷却率が測定された。したがって、その
実験は輻射のみによる冷却率が測定され、図３に示めさ
れている。
【００３２】次に、同様の冷却実験が、ヒートシンクを
冷却水を使用して２１℃に維持して、いろいろなヘリウ
ム圧力で繰り返され、図４、５、６および７に示されて
いる。図８は−１３０℃の極低温ヒートシンクを使用し
てなされた強化された冷却率を示す。上記実験の結果は
表１にまとめられている。
【００３３】
【表１】 表１ 圧力 ヒートシンクの温度℃ ３００℃（初期温度）から １５０℃に到達する時間 高真空 ２１℃ ６２５秒 ４４．４ｍトル ２１℃ ３１５秒 ８４．０ ２１℃ ２２７秒 １２５．８ ２１℃ １９５秒 ２５１ ２１℃ １２０秒 ２４２ −１３０℃ ６２秒。
【００３４】上記例は、基板またはディスクの繊細な表
面にダメージを与える危険性なしに、処理の間、基板ま
たはディスクを有効に冷却する基板冷却システムを説明
している。これは、近接しているが、高伝導性ガスを使
用して基板からヒートシンクへの実質的な伝導／対流熱
移動を達成する十分な間隔をもつシンクの間に基板また
はディスクを容易かつ迅速に配置することで達成され
る。
【００３５】基板冷却装置の実施例および方法を特別の
構造物を参照して開示してきたが、当業者であれば、い
ろいろ使用および条件に適用できるように、本発明を変
更、変形できる。このような変形、変更は、正に特許請
求の範囲の全範囲に包含されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従って基板処理チェンバー内の基板冷
却シンクの断面図を示す。
【図２】ヘリウムの圧力に対する熱伝導率を示すグラフ
である。
【図３】本発明に従った処理条件の変化に伴う冷却（降
下）率を示すグラフである。
【図４】本発明に従った処理条件の変化に伴う冷却（降
下）率を示すグラフである。
【図５】本発明に従った処理条件の変化に伴う冷却（降
下）率を示すグラフである。
【図６】本発明に従った処理条件の変化に伴う冷却（降
下）率を示すグラフである。
【図７】本発明に従った処理条件の変化に伴う冷却（降
下）率を示すグラフである。
【図８】本発明に従った処理条件の変化に伴う冷却（降
下）率を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 処理ステーション ２ スペーサ ３ ヒートシンク １０ 基板 ２０ 真空（冷却）チェンバー ２１ チェンバーハウジング

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 排気環境下で、実質的に平坦な背中合わ
    せの外表面をもつ物品を冷却する装置であって、 真空チェンバー内に配置され、実質的に平坦な対向表面
    をもつ一対の固定ヒートシンクを有する熱交換構造物で
    あって、該両ヒートシンクが前記物品を前記ヒートシン
    クと接触することなく、その間に挿入し、除去するのに
    十分な所定の距離だけ離され、前記所定の距離が前記物
    品と前記シンクとの間に実質的な対流／伝導熱移動を可
    能にするように選択される、ところの熱交換構造物と、 前記物品の外表面が前記ヒートシンクの前記対向する表
    面に近接しかつ平行となる位置に前記物品を移動し、除
    去する移送手段と、 高伝導性ガス流を前記真空チェンバーの圧力より十分に
    高いが、大気圧よりも実質的に低い圧力で前記ヒートシ
    ンクと前記物品との間に提供する手段と、 から成る装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の装置であって、 前記ヒートシンクの前記対向する表面から前記物品の前
    記対向する表面への前記所定の距離が、約０．１２７か
    ら０．６３５ｃｍである、ところの装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の装置であって、 前記ヒートシンクが前記ヒートシンクを冷却する手段を
    含む、ところの装置。
  4. 【請求項４】 排気環境下で、実質的に平坦な背中合わ
    せの外表面をもつ物品を冷却する方法であって、 大気圧より実質的に低い圧力で動作するようにした処理
    チェンバー内に取り付けれる、実質的に平坦な対向する
    表面をもつ一対のヒートシンクを、所定の距離だけ離す
    工程であって、前記所定の距離が、前記物品を前記ヒー
    トシンクと接触することなくその間に挿入し、除去する
    ことが可能となり、前記物品と前記ヒートシンクとの間
    に実質的な対流／伝導熱移動が可能となるように十分に
    接近するように選択される、ところの工程と、 前記ヒートシンクを所定の温度に予め冷却する工程と、 前記物品から前記ヒートシンクへの熱移動を容易にする
    ために、前記処理チェンバーの圧力より十分に高く、大
    気圧より実質的に低い圧力で高熱伝導性ガス流を前記ヒ
    ートシンクと前記物品との間に導入する工程と、 前記物品が所定の温度に冷却した後に前記処理チェンバ
    ーから前記物品を取り除く工程と、 から成る方法。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の方法であって、 前記ヒートシンクの前記対向する表面から前記物品の前
    記対向する表面への前記所定の距離が約０．１２７から
    ０．６３５ｃｍである、ところの方法。
  6. 【請求項６】 請求項４に記載の方法であって、 前記ヒートシンクが約−５０℃から−３００℃の範囲の
    温度に予め冷却される、ところの方法。
  7. 【請求項７】 請求項４に記載の方法であって、 前記高伝導性ガスがヘリウムおよび水素からなる群から
    選択される、ところの方法。
  8. 【請求項８】 請求項４に記載の方法であって、 前記高伝導性ガスの圧力が約１から１０トルの範囲に維
    持される、ところの方法。
  9. 【請求項９】 排気環境下で，実質的に平坦な背中合わ
    せの外表面を有する物品の温度を制御するための装置で
    あって， 真空チェンバー内に配置され，実質的に平坦な表面を有
    する少なくとも一つの固定ヒートシンクを有する熱交換
    構造物であって，該ヒートシンクは前記ヒートシンクと
    接触することなくヒートシンクの表面と平行に物品を配
    置し及び除去するのに十分な所定の距離だけ物品から離
    隔され，該所定の距離が前記物品と前記ヒートシンクと
    の間に実質的な対流／伝導熱移動を可能にするように選
    択される，ところの熱交換構造物と， 前記物品の外表面が前記ヒートシンクの前記平坦な表面
    に近接しかつ実質的に平行となる位置に前記物品を移動
    し，除去する移送手段と， 高伝導性ガスを前記真空チェンバーの圧力より十分に高
    いが，大気圧よりも実質的に低い圧力で前記ヒートシン
    クと前記物品との間に提供する手段と， から成る装置。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の装置であって、 前記ヒートシンクの前記対向する表面から前記物品の前
    記対向する表面への前記所定の距離が、約０．１２７か
    ら０．６３５ｃｍである、ところの装置。
  11. 【請求項１１】 請求項９に記載の装置であって、 前記ヒートシンクが前記ヒートシンクを冷却する手段を
    含む、ところの装置。
  12. 【請求項１２】排気環境下で，実質的に平坦な背中合わ
    せの外表面を有する物品の温度を制御するための方法で
    あって， 実質的に平坦な外表面を有するヒートシンクを大気圧よ
    り実質的に低い圧力で動作するようにした処理チェンバ
    ー内に取り付ける際，前記物品の外表面に平行かつ対向
    するように該ヒートシンクを離隔する工程と， 前記物品と前記ヒートシンクとの間に実質的な対流／伝
    導熱移動が可能となるような所定の距離だけ，前記ヒー
    トシンクと接触することなくヒートシンクと平行に該物
    品を離隔して配置する工程と， 前記ヒートシンクの温度を予め所定の温度に制御する工
    程と， 前記物品から前記ヒートシンクへの熱移動を容易にする
    ために，前記処理チェンバー圧力より十分に高く，大気
    圧より実質的に低い圧力で高熱伝導性ガス流を前記ヒー
    トシンクと前記物品との間に導入する工程と， 前記物品が所定の温度に達した後に前記処理チェンバー
    から前記物品を取り除く工程と， から成る方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の方法であって、 前記ヒートシンクの前記対向する表面から前記物品の前
    記対向する表面への前記所定の距離が約０．１２７から
    ０．６３５ｃｍである、ところの方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１２に記載の方法であって、 前記ヒートシンクが約−５０℃から−３００℃の範囲の
    温度に予め冷却される、ところの方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１２に記載の方法であって、 前記高伝導性ガスがヘリウムおよび水素からなる群から
    選択される、ところの方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１２に記載の方法であって、 前記高伝導性ガスの圧力が約１から１０トルの範囲に維
    持される、ところの方法。
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