JP2644683B2 - 含ケイ素化合物、その製造方法、およびその用途 - Google Patents
含ケイ素化合物、その製造方法、およびその用途Info
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- JP2644683B2 JP2644683B2 JP24502794A JP24502794A JP2644683B2 JP 2644683 B2 JP2644683 B2 JP 2644683B2 JP 24502794 A JP24502794 A JP 24502794A JP 24502794 A JP24502794 A JP 24502794A JP 2644683 B2 JP2644683 B2 JP 2644683B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の含ケイ素ブタジ
イン単位を有するポリマーと１，２，４，５‐テトラキ
ス（ジ低級アルキルシリル）ベンゼンとを脱水素的に反
応させることによる含ケイ素ポリマーの製造方法、およ
びそれにより得られる生成物中の新規な含ケイ素ポリマ
ー、及び該含ケイ素ポリマーを含有する耐熱性材料、プ
レセラミックス及び導電性材料に関するものである。
イン単位を有するポリマーと１，２，４，５‐テトラキ
ス（ジ低級アルキルシリル）ベンゼンとを脱水素的に反
応させることによる含ケイ素ポリマーの製造方法、およ
びそれにより得られる生成物中の新規な含ケイ素ポリマ
ー、及び該含ケイ素ポリマーを含有する耐熱性材料、プ
レセラミックス及び導電性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまで、パラジウム触媒存在下、ジシ
ラン類による１，４‐ビス（トリメチルシリル）‐１，
３‐ブタジインのダブルシリル化反応が知られている
〔Ｔ．Ｈｉｙａｍａら、Ｔｅｔｒａｈｅｄｏｒｏｎ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ、２８、１８０７（１９８７）〕。しか
し、この反応は、選択性が低い上に、反応原料、反応条
件及び目的化合物の構造の点で本発明の反応とは異なる
ものである。
ラン類による１，４‐ビス（トリメチルシリル）‐１，
３‐ブタジインのダブルシリル化反応が知られている
〔Ｔ．Ｈｉｙａｍａら、Ｔｅｔｒａｈｅｄｏｒｏｎ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ、２８、１８０７（１９８７）〕。しか
し、この反応は、選択性が低い上に、反応原料、反応条
件及び目的化合物の構造の点で本発明の反応とは異なる
ものである。
【０００３】また、後記一般式（ＩＩ）で表わされる含
ケイ素ポリマーの製造方法は知られていない。
ケイ素ポリマーの製造方法は知られていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、容易に入手
しうる原料を用い温和な条件で含ケイ素ポリマーを効率
よく製造する方法、及びそれにより得られる新規化合物
及びその用途を提供することを目的としてなされたもの
である。
しうる原料を用い温和な条件で含ケイ素ポリマーを効率
よく製造する方法、及びそれにより得られる新規化合物
及びその用途を提供することを目的としてなされたもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、容易に入手しうる
１，２，４，５‐テトラキス（ジ低級アルキルシリル）
ベンゼンと含ケイ素ブタジイン単位を有するポリマーと
が、白金化合物の存在下、温和な条件下に脱水素的に迅
速に反応し、含ケイ素ポリマーを与えること、このよう
な反応生成物中の所定のものが新規な含ケイ素ポリマー
であること、この新規含ケイ素ポリマーを含有する材料
が耐熱性材料、プレセラミックス及び導電性材料として
有用であることを見出し、これらの知見に基づいて本発
明をなすに至った。
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、容易に入手しうる
１，２，４，５‐テトラキス（ジ低級アルキルシリル）
ベンゼンと含ケイ素ブタジイン単位を有するポリマーと
が、白金化合物の存在下、温和な条件下に脱水素的に迅
速に反応し、含ケイ素ポリマーを与えること、このよう
な反応生成物中の所定のものが新規な含ケイ素ポリマー
であること、この新規含ケイ素ポリマーを含有する材料
が耐熱性材料、プレセラミックス及び導電性材料として
有用であることを見出し、これらの知見に基づいて本発
明をなすに至った。
【０００６】すなわち、本発明は、一般式（Ｉ） （−ＳｉＲ1Ｒ2−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−）a （式中のＲ1およびＲ2はアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基またはハロゲ
ン原子の中から選ばれる、互いに同一もしくは相異なる
１価の基、ａは２以上の整数である）で表わされる含ケ
イ素ポリマーと１，２，４，５‐テトラキス（ジ低級ア
ルキルシリル）ベンゼンとを、白金化合物の存在下に、
反応させることを特徴とする、一般式（ＩＩ）
ルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基またはハロゲ
ン原子の中から選ばれる、互いに同一もしくは相異なる
１価の基、ａは２以上の整数である）で表わされる含ケ
イ素ポリマーと１，２，４，５‐テトラキス（ジ低級ア
ルキルシリル）ベンゼンとを、白金化合物の存在下に、
反応させることを特徴とする、一般式（ＩＩ）
【化３】 （式中のＲ1およびＲ2は前記と同じ意味をもち、ｋ、ｍ
およびｎはそれぞれ、ｋ≧１、ｍ≧０、ｎ≧０、ｋ＋ｍ
＝ａ、ｋ＋ｎ＝ａを満たす整数、Ｒ5は低級アルキル基
である）で表わされる含ケイ素ポリマーの製造方法、及
びこれらの方法により得られる化合物中の、一般式（Ｉ
ＩＩ）
およびｎはそれぞれ、ｋ≧１、ｍ≧０、ｎ≧０、ｋ＋ｍ
＝ａ、ｋ＋ｎ＝ａを満たす整数、Ｒ5は低級アルキル基
である）で表わされる含ケイ素ポリマーの製造方法、及
びこれらの方法により得られる化合物中の、一般式（Ｉ
ＩＩ）
【化４】 （式中のＲ3およびＲ4は、炭素数１から１２のアルキル
基、または炭素数６から２４のアリール基の中から選ば
れる、互いに同一もしくは相異なる１価の基、ｒ、ｓお
よびｔはそれぞれ、ｒ≧１、ｓ≧０、ｔ≧０、３００≧
ｒ＋ｓ≧２、３００≧ｒ＋ｔ≧２を満たす整数、Ｒ5は
低級アルキル基である）で表わされる含ケイ素ポリマ
ー、及び一般式（ＩＩＩ）の含ケイ素ポリマーを含有し
てなる耐熱性材料、プレセラミックス及び導電性材料を
提供するものである。
基、または炭素数６から２４のアリール基の中から選ば
れる、互いに同一もしくは相異なる１価の基、ｒ、ｓお
よびｔはそれぞれ、ｒ≧１、ｓ≧０、ｔ≧０、３００≧
ｒ＋ｓ≧２、３００≧ｒ＋ｔ≧２を満たす整数、Ｒ5は
低級アルキル基である）で表わされる含ケイ素ポリマ
ー、及び一般式（ＩＩＩ）の含ケイ素ポリマーを含有し
てなる耐熱性材料、プレセラミックス及び導電性材料を
提供するものである。
【０００７】本発明方法に用いられる一般式（Ｉ）で表
わされる含ケイ素ポリマーにおいて、式中のＲ1、Ｒ2は
それぞれ、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリーロキシ基またはハロゲン原子の中か
ら選ばれる、互いに同一もしくは相異なる１価の基であ
り、Ｒ5は低級アルキル基であって、これは炭素数１〜
４のアルキル基をいい、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等があげられ、また、ａは２以上の整数で
ある。これらの含ケイ素ポリマーを具体的に例示する
と、ポリ（ジメチルシリレン‐１，３‐ブタジイニレ
ン）、ポリ（ジエチルシリレン‐１，３‐ブタジイニレ
ン）、ポリ（ジヘキシルシリレン‐１，３‐ブタジイニ
レン）、ポリ（フェニルメチルシリレン‐１，３‐ブタ
ジイニレン）、ポリ（ジメチルシリレン‐１，３‐ブタ
ジイニレン）、ポリ（ジエチルシリレン‐１，３‐ブタ
ジイニレン）、ポリ（ジヘキシルシリレン‐１，３‐ブ
タジイニレン）、ポリ（フェニルメチルシリレン‐１，
３‐ブタジイニレン）、ポリ（ジフェニルシリレン‐
１，３‐ブタジイニレン）、ポリ｛（４‐メチルフェニ
ル）メチルシリレン‐１，３‐ブタジイニレン｝、ポリ
｛（４‐フルオロフェニル）メチルシリレン‐１，３‐
ブタジイニレン｝、ポリ｛（４‐メトキシフェニル）メ
チルシリレン‐１，３‐ブタジイニレン｝、ポリ｛（４
‐トリフルオロメチルフェニル）メチルシリレン‐１，
３‐ブタジイニレン｝、ポリ（ジベンジルシリレン‐
１，３‐ブタジイニレン）、ポリ（フェネチルメチルシ
リレン‐１，３‐ブタジイニレン）、ポリ（メチルメト
キシシリレン‐１，３‐ブタジイニレン）、ポリ（メチ
ルフェノキシフェニルメチルシリレン‐１，３‐ブタジ
イニレン）、ポリ（フルオロメチルシリレン‐１，３‐
ブタジイニレン）等が挙げられる。
わされる含ケイ素ポリマーにおいて、式中のＲ1、Ｒ2は
それぞれ、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリーロキシ基またはハロゲン原子の中か
ら選ばれる、互いに同一もしくは相異なる１価の基であ
り、Ｒ5は低級アルキル基であって、これは炭素数１〜
４のアルキル基をいい、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等があげられ、また、ａは２以上の整数で
ある。これらの含ケイ素ポリマーを具体的に例示する
と、ポリ（ジメチルシリレン‐１，３‐ブタジイニレ
ン）、ポリ（ジエチルシリレン‐１，３‐ブタジイニレ
ン）、ポリ（ジヘキシルシリレン‐１，３‐ブタジイニ
レン）、ポリ（フェニルメチルシリレン‐１，３‐ブタ
ジイニレン）、ポリ（ジメチルシリレン‐１，３‐ブタ
ジイニレン）、ポリ（ジエチルシリレン‐１，３‐ブタ
ジイニレン）、ポリ（ジヘキシルシリレン‐１，３‐ブ
タジイニレン）、ポリ（フェニルメチルシリレン‐１，
３‐ブタジイニレン）、ポリ（ジフェニルシリレン‐
１，３‐ブタジイニレン）、ポリ｛（４‐メチルフェニ
ル）メチルシリレン‐１，３‐ブタジイニレン｝、ポリ
｛（４‐フルオロフェニル）メチルシリレン‐１，３‐
ブタジイニレン｝、ポリ｛（４‐メトキシフェニル）メ
チルシリレン‐１，３‐ブタジイニレン｝、ポリ｛（４
‐トリフルオロメチルフェニル）メチルシリレン‐１，
３‐ブタジイニレン｝、ポリ（ジベンジルシリレン‐
１，３‐ブタジイニレン）、ポリ（フェネチルメチルシ
リレン‐１，３‐ブタジイニレン）、ポリ（メチルメト
キシシリレン‐１，３‐ブタジイニレン）、ポリ（メチ
ルフェノキシフェニルメチルシリレン‐１，３‐ブタジ
イニレン）、ポリ（フルオロメチルシリレン‐１，３‐
ブタジイニレン）等が挙げられる。
【０００８】本発明方法に用いられる１，２，４，５‐
テトラキス（ジ低級アルキルシリル）ベンゼンの低級ア
ルキル基とは炭素数１〜４のアルキル基をいい、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等があげられる。
テトラキス（ジ低級アルキルシリル）ベンゼンの低級ア
ルキル基とは炭素数１〜４のアルキル基をいい、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等があげられる。
【０００９】本発明方法における反応は、通常１，２，
４，５‐テトラキス（ジ低級アルキルシリル）ベンゼン
と原料含ケイ素ポリマーのモル比が、１／１００００〜
１０の範囲で実施され、さらにこのモル比は好ましくは
１／１０００〜１／２の範囲である。
４，５‐テトラキス（ジ低級アルキルシリル）ベンゼン
と原料含ケイ素ポリマーのモル比が、１／１００００〜
１０の範囲で実施され、さらにこのモル比は好ましくは
１／１０００〜１／２の範囲である。
【００１０】本発明方法において白金化合物は触媒とし
て作用し、従来公知の各種のものを使用することができ
るが、反応系に少なくとも一部は可溶の化合物を用いる
のが反応速度的には好ましい。これらの化合物としては
配位子を含む錯体が特に好ましく用いられる。このよう
な配位子を例示すると、ホスフィン、ホスフィナイト、
ホスホナイト、ホスファイト、オレフィン、β‐ジケト
ナト配位子、共役ケトン、アミン、一酸化炭素等が挙げ
られる。これらを具体的に例示すると、トリメチルホス
フィン、トリブチルホスフィン、トリエチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、トリ（ｐ‐トリル）ホスフィン、トリ（ｐ‐ア
ニシル）ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フ
ェニルジメチルホスフィン等の鎖状ホスフィン、Ｐ‐メ
チルホスホレン、Ｐ‐メチルホスホール、９‐メチル‐
９‐ホスファビシクロ［４．２．１］ノナン等の環状ホ
スフィン、１，２‐ビス（ジメチルホスフィノ）エタ
ン、１，３‐ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、
１，４‐ビス（ジメチルホスフィノ）ブタン、１，２‐
ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３‐ビス
（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４‐ビス（ジ
フェニルホスフィノ）ブタン、１，１′‐ビス（ジメチ
ルホスフィノ）フェロセン、１，１′‐ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）フェロセン、α，α′‐ビス（ジメチル
ホスフィノ）‐ｏ‐キシレン、１，２‐ビス（ジメチル
ホスフィノ）ベンゼン等のビスホスフィン、メチル ジ
メチルホスフィナイト、フェニル ジフェニルホスフィ
ナイト等のホスフィナイト、ジメチルメチルホスホナイ
ト、ジメチル フェニルホスホナイト等のホスホナイ
ト、およびトリエチルホスファイト、トリフェニルホス
ファイト、１‐ホスファ‐２，６，７‐トリオキサ‐４
‐エチルビシクロ［２．２．２］オクタン等のホスファ
イト、エチレン、プロぺン、シクロオクテン、無水マレ
イン酸、１，５‐ヘキサジエン、１，５‐シクロオクタ
ジエン、１，３‐シクロペンタジエン、２，５‐ノルボ
ルナジエン、１，３，５，７‐シクロオクタテトラエン
等のオレフィンやジエン、アセチルアセトナト等のβ‐
ジケトナト配位子、ジベンジリデンアセトン等の共役ケ
トン、およびエチレンジアミン、２，２′‐ビピリジル
等のアミンが挙げられる。従って本反応に用いられる白
金化合物を具体的に例示すると、（η‐エチレン）ビス
（トリフェニルホスフィン）白金、テトラキス（ジフェ
ニルメチルホスフィン）白金、ジクロロビス（フェニル
ジメチルホスフィン）白金、クロロヒドリドビス（トリ
ブチルホスフィン）白金、ジクロロ（テトラメチルエチ
レンジアミン）白金、ジブロモビス（トリエチルホスフ
ァイト）白金、ビス（η‐１，５‐シクロオクタジエ
ン）白金、ジクロロ（η‐１，５‐シクロオクタジエ
ン）白金、ジカルボニルビス（トリブチルホスフィン）
白金、カルボナトビス（トリシクロヘキシルホスフィ
ン）白金、ビス（ジベンジリデンアセトン）ビス（トリ
フェニルホスフィン）白金、ビス（ジベンジリデンアセ
トン）白金等が挙げられるが、これに制限されるもので
はない。
て作用し、従来公知の各種のものを使用することができ
るが、反応系に少なくとも一部は可溶の化合物を用いる
のが反応速度的には好ましい。これらの化合物としては
配位子を含む錯体が特に好ましく用いられる。このよう
な配位子を例示すると、ホスフィン、ホスフィナイト、
ホスホナイト、ホスファイト、オレフィン、β‐ジケト
ナト配位子、共役ケトン、アミン、一酸化炭素等が挙げ
られる。これらを具体的に例示すると、トリメチルホス
フィン、トリブチルホスフィン、トリエチルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、トリ（ｐ‐トリル）ホスフィン、トリ（ｐ‐ア
ニシル）ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フ
ェニルジメチルホスフィン等の鎖状ホスフィン、Ｐ‐メ
チルホスホレン、Ｐ‐メチルホスホール、９‐メチル‐
９‐ホスファビシクロ［４．２．１］ノナン等の環状ホ
スフィン、１，２‐ビス（ジメチルホスフィノ）エタ
ン、１，３‐ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、
１，４‐ビス（ジメチルホスフィノ）ブタン、１，２‐
ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３‐ビス
（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４‐ビス（ジ
フェニルホスフィノ）ブタン、１，１′‐ビス（ジメチ
ルホスフィノ）フェロセン、１，１′‐ビス（ジフェニ
ルホスフィノ）フェロセン、α，α′‐ビス（ジメチル
ホスフィノ）‐ｏ‐キシレン、１，２‐ビス（ジメチル
ホスフィノ）ベンゼン等のビスホスフィン、メチル ジ
メチルホスフィナイト、フェニル ジフェニルホスフィ
ナイト等のホスフィナイト、ジメチルメチルホスホナイ
ト、ジメチル フェニルホスホナイト等のホスホナイ
ト、およびトリエチルホスファイト、トリフェニルホス
ファイト、１‐ホスファ‐２，６，７‐トリオキサ‐４
‐エチルビシクロ［２．２．２］オクタン等のホスファ
イト、エチレン、プロぺン、シクロオクテン、無水マレ
イン酸、１，５‐ヘキサジエン、１，５‐シクロオクタ
ジエン、１，３‐シクロペンタジエン、２，５‐ノルボ
ルナジエン、１，３，５，７‐シクロオクタテトラエン
等のオレフィンやジエン、アセチルアセトナト等のβ‐
ジケトナト配位子、ジベンジリデンアセトン等の共役ケ
トン、およびエチレンジアミン、２，２′‐ビピリジル
等のアミンが挙げられる。従って本反応に用いられる白
金化合物を具体的に例示すると、（η‐エチレン）ビス
（トリフェニルホスフィン）白金、テトラキス（ジフェ
ニルメチルホスフィン）白金、ジクロロビス（フェニル
ジメチルホスフィン）白金、クロロヒドリドビス（トリ
ブチルホスフィン）白金、ジクロロ（テトラメチルエチ
レンジアミン）白金、ジブロモビス（トリエチルホスフ
ァイト）白金、ビス（η‐１，５‐シクロオクタジエ
ン）白金、ジクロロ（η‐１，５‐シクロオクタジエ
ン）白金、ジカルボニルビス（トリブチルホスフィン）
白金、カルボナトビス（トリシクロヘキシルホスフィ
ン）白金、ビス（ジベンジリデンアセトン）ビス（トリ
フェニルホスフィン）白金、ビス（ジベンジリデンアセ
トン）白金等が挙げられるが、これに制限されるもので
はない。
【００１１】またこれらの白金化合物を単独でなく、２
種以上を共存させて実施してもよく、さらに白金化合物
と共に該白金化合物に含まれるものと同一、若しくは異
なる配位子を添加して実施することも、本発明の有利な
態様に含まれる。
種以上を共存させて実施してもよく、さらに白金化合物
と共に該白金化合物に含まれるものと同一、若しくは異
なる配位子を添加して実施することも、本発明の有利な
態様に含まれる。
【００１２】これら白金化合物の使用量はいわゆる触媒
量でよく、１，２，４，５‐テトラキス（ジ低級アルキ
ルシリル）ベンゼンに対するモル比で、０．００００１
〜０．５の範囲で使用され、また配位子は、白金原子に
対し、モル比で、１〜２０、好ましくは１〜４の範囲で
使用される。
量でよく、１，２，４，５‐テトラキス（ジ低級アルキ
ルシリル）ベンゼンに対するモル比で、０．００００１
〜０．５の範囲で使用され、また配位子は、白金原子に
対し、モル比で、１〜２０、好ましくは１〜４の範囲で
使用される。
【００１３】本発明方法において、溶媒を用いることは
反応の生起にとって障害となるものでなく、必要に応じ
溶媒中で反応が行われる。これらの溶媒の選択は、その
沸点、反応させるべき１，２，４，５‐テトラキス（ジ
低級アルキルシリル）ベンゼンの反応性、および原料含
ケイ素ポリマーの溶解性等を考慮して、一般に用いられ
る溶媒、例えば炭化水素系、またはエーテル系の溶媒の
中から選ぶのが好ましい。
反応の生起にとって障害となるものでなく、必要に応じ
溶媒中で反応が行われる。これらの溶媒の選択は、その
沸点、反応させるべき１，２，４，５‐テトラキス（ジ
低級アルキルシリル）ベンゼンの反応性、および原料含
ケイ素ポリマーの溶解性等を考慮して、一般に用いられ
る溶媒、例えば炭化水素系、またはエーテル系の溶媒の
中から選ぶのが好ましい。
【００１４】本発明方法において反応は０℃以下でも進
行するが、好ましい速度を達するためには２５０℃まで
の温度に加熱することもできる。原料物質の構造にもよ
るが、一般的に好ましい温度領域は０〜１５０℃であ
る。
行するが、好ましい速度を達するためには２５０℃まで
の温度に加熱することもできる。原料物質の構造にもよ
るが、一般的に好ましい温度領域は０〜１５０℃であ
る。
【００１５】反応後の生成物の分離は、一般に蒸留、再
結晶、クロマトグラフィー、溶媒による抽出、または再
沈等の有機化学的に通常用いられる手段により、容易に
実施される。
結晶、クロマトグラフィー、溶媒による抽出、または再
沈等の有機化学的に通常用いられる手段により、容易に
実施される。
【００１６】本発明の含ケイ素ポリマーの分子量は、通
常５００〜１０，０００，０００、好ましくは１０００
〜１，０００，０００であるが、これに限定されるもの
ではない。
常５００〜１０，０００，０００、好ましくは１０００
〜１，０００，０００であるが、これに限定されるもの
ではない。
【００１７】本発明方法により、ヘリウム雰囲気下での
熱重量分析で、重量減少が１％になる温度が４００℃以
上の含ケイ素ポリマー、または９００℃までの加熱時
に、その残存率が７０％以上の含ケイ素ポリマーを製造
することができる。このような含ケイ素ポリマーそれ自
体を、耐熱性材料またはプレセラミックスとして用いる
ことができる。
熱重量分析で、重量減少が１％になる温度が４００℃以
上の含ケイ素ポリマー、または９００℃までの加熱時
に、その残存率が７０％以上の含ケイ素ポリマーを製造
することができる。このような含ケイ素ポリマーそれ自
体を、耐熱性材料またはプレセラミックスとして用いる
ことができる。
【００１８】本発明方法により得られる含ケイ素ポリマ
ーは通常、電導度１０-8Ｓ／ｃｍ以下である。しかしこ
の含ケイ素ポリマーにドーピングを行うことにより、電
導度は１０-3〜１０-7Ｓ／ｃｍの範囲になる。従ってこ
の含ケイ素ポリマーは導電性材料として用いることがで
きる。
ーは通常、電導度１０-8Ｓ／ｃｍ以下である。しかしこ
の含ケイ素ポリマーにドーピングを行うことにより、電
導度は１０-3〜１０-7Ｓ／ｃｍの範囲になる。従ってこ
の含ケイ素ポリマーは導電性材料として用いることがで
きる。
【００１９】このドーピングの際にドーパントとして
は、例えば、Ｉ2、ＳｂＦ5、ＡｓＦ5、ＳＯ3、ＦｅＣｌ
3等の種々のものを用いることができる。これらのドー
パントは単独で、または２種以上組み合わせて用いるこ
とができる。
は、例えば、Ｉ2、ＳｂＦ5、ＡｓＦ5、ＳＯ3、ＦｅＣｌ
3等の種々のものを用いることができる。これらのドー
パントは単独で、または２種以上組み合わせて用いるこ
とができる。
【００２０】本発明方法により得られる含ケイ素ポリマ
ーにドーピングを行う方法は特に限定されるものではな
い。例えば本発明方法により得られる含ケイ素ポリマー
からなる薄膜を、キャスト法、スピンコート法等の方法
で形成した後、これをドーパントの蒸気にさらす方法お
よびドーパントの液体に浸す方法や、予め含ケイ素ポリ
マーとドーパントを含む溶液を用いて、キャスト法、ス
ピンコート法等の方法でドーピングされた薄膜を形成す
る方法、含ケイ素ポリマーをペレットに形成した後、ド
ーパントの蒸気にさらす方法またはドーパントの液体に
浸す方法等でドーピングする方法、または含ケイ素ポリ
マーとドーパントの混合物を用いてドーピングされたペ
レットを形成する方法等、種々の方法を用いることがで
きる。
ーにドーピングを行う方法は特に限定されるものではな
い。例えば本発明方法により得られる含ケイ素ポリマー
からなる薄膜を、キャスト法、スピンコート法等の方法
で形成した後、これをドーパントの蒸気にさらす方法お
よびドーパントの液体に浸す方法や、予め含ケイ素ポリ
マーとドーパントを含む溶液を用いて、キャスト法、ス
ピンコート法等の方法でドーピングされた薄膜を形成す
る方法、含ケイ素ポリマーをペレットに形成した後、ド
ーパントの蒸気にさらす方法またはドーパントの液体に
浸す方法等でドーピングする方法、または含ケイ素ポリ
マーとドーパントの混合物を用いてドーピングされたペ
レットを形成する方法等、種々の方法を用いることがで
きる。
【００２１】実施例１ Ｐｔ（ＣＨ2＝ＣＨ2）（ＰＰｈ3）2（ここでＰｈはフェ
ニル基である）を０．００５ｍｍｏｌ、ポリ（フェニル
メチルシリレン‐１，３‐ブタジイニレン）〔重量平均
分子量３６００、分子量分布指数（重量平均分子量／数
平均分子量）２．１〕を０．５ｍｍｏｌモノマーユニッ
トおよび、１，２，４，５‐テトラキス（ジメチルシリ
ル）ベンゼンを０．０２５ｍｍｏｌ含むトルエン溶液４
ｍｌを、窒素下１００℃に加熱して２時間反応を行っ
た。濃縮後、ベンゼン−メタノールで再沈殿を２回おこ
なって、淡褐色粉末状の架橋型ポリマーを収率７８％で
得た。本化合物の物性値、スペクトルデータは以下の通
りであった。
ニル基である）を０．００５ｍｍｏｌ、ポリ（フェニル
メチルシリレン‐１，３‐ブタジイニレン）〔重量平均
分子量３６００、分子量分布指数（重量平均分子量／数
平均分子量）２．１〕を０．５ｍｍｏｌモノマーユニッ
トおよび、１，２，４，５‐テトラキス（ジメチルシリ
ル）ベンゼンを０．０２５ｍｍｏｌ含むトルエン溶液４
ｍｌを、窒素下１００℃に加熱して２時間反応を行っ
た。濃縮後、ベンゼン−メタノールで再沈殿を２回おこ
なって、淡褐色粉末状の架橋型ポリマーを収率７８％で
得た。本化合物の物性値、スペクトルデータは以下の通
りであった。
【００２２】融点：１２１〜１２６℃ 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準）：９７００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
２．４ ＩＲ（ＫＢｒ）：２０６４、１２４９ｃｍ-1 ＵＶ（ＴＨＦ）：２６２、２７８、２９２ｎｍ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４１５℃ 残存率９９％ ６１３℃ 残存率９５％ ９００℃ 残存率９３％
２．４ ＩＲ（ＫＢｒ）：２０６４、１２４９ｃｍ-1 ＵＶ（ＴＨＦ）：２６２、２７８、２９２ｎｍ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４１５℃ 残存率９９％ ６１３℃ 残存率９５％ ９００℃ 残存率９３％
【００２３】実施例２ １，２，４，５‐テトラキス（ジメチルシリル）ベンゼ
ンを０．０５ｍｍｏｌ用いる他は実施例１と同様に反応
を行い、淡褐色の架橋型ポリマーを収率８８％で得た。
本化合物の物性値、スペクトルデータは以下の通りであ
った。
ンを０．０５ｍｍｏｌ用いる他は実施例１と同様に反応
を行い、淡褐色の架橋型ポリマーを収率８８％で得た。
本化合物の物性値、スペクトルデータは以下の通りであ
った。
【００２４】軟化点：１３７〜１４２℃ 重量平均分子量（標準ポリスチレン基準）：１５０００ 分子量分布指数（重量平均分子量／数平均分子量）：
２．９ ＩＲ（ＫＢｒ）：２０６８、１２５２ｃｍ-1 ＵＶ（ＴＨＦ）：２６２、２７８、２９２ｎｍ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４０８℃ 残存率９９％ ５７５℃ 残存率９５％ ９００℃ 残存率９２％
２．９ ＩＲ（ＫＢｒ）：２０６８、１２５２ｃｍ-1 ＵＶ（ＴＨＦ）：２６２、２７８、２９２ｎｍ 熱重量分析（ヘリウム雰囲気下、１０℃／分の昇温速度
で９００℃まで加熱） ４０８℃ 残存率９９％ ５７５℃ 残存率９５％ ９００℃ 残存率９２％
【００２５】実施例３ 実施例１で得られた架橋型ポリマーを１％トルエン溶液
とし、スピンコート法によりガラス基板上に薄膜を作成
した。３ｍｍ×１０ｍｍの長方形の部分以外を除去した
後、金ペーストによって銅線端子を接着し、二端子法で
薄膜の電導度を測定したところ１０-8Ｓ／ｃｍ以下であ
った。この薄膜を２５℃、常圧でヨウ素蒸気にさらして
ドーピングを行ったところ、電導度は１０-5Ｓ／ｃｍで
あった。
とし、スピンコート法によりガラス基板上に薄膜を作成
した。３ｍｍ×１０ｍｍの長方形の部分以外を除去した
後、金ペーストによって銅線端子を接着し、二端子法で
薄膜の電導度を測定したところ１０-8Ｓ／ｃｍ以下であ
った。この薄膜を２５℃、常圧でヨウ素蒸気にさらして
ドーピングを行ったところ、電導度は１０-5Ｓ／ｃｍで
あった。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−の
部分構造を有する含ケイ素ポリマーと１，２，４，５‐
テトラキス（ジ低級アルキルシリル）ベンゼンとの反応
で、含ケイ素ポリマーが得られ、その分離精製も容易で
あり、得られる生成物のうちの前記一般式（ＩＩＩ）で
表わされる新規化合物は、高い耐熱性を示し、耐熱性材
料、特にエンジニアリングプラスチックとして有用であ
り、さらにそのうちの高温における熱分解時の残存率が
高いものはプレセラミックスとして有用であり、またこ
の含ケイ素ポリマーは、基本骨格が一次元の導電性ポリ
カルボシラン類の類縁ポリマーであり、導電性材料とし
て有用である。
部分構造を有する含ケイ素ポリマーと１，２，４，５‐
テトラキス（ジ低級アルキルシリル）ベンゼンとの反応
で、含ケイ素ポリマーが得られ、その分離精製も容易で
あり、得られる生成物のうちの前記一般式（ＩＩＩ）で
表わされる新規化合物は、高い耐熱性を示し、耐熱性材
料、特にエンジニアリングプラスチックとして有用であ
り、さらにそのうちの高温における熱分解時の残存率が
高いものはプレセラミックスとして有用であり、またこ
の含ケイ素ポリマーは、基本骨格が一次元の導電性ポリ
カルボシラン類の類縁ポリマーであり、導電性材料とし
て有用である。
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式 （−ＳｉＲ1Ｒ2−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−）a （式中のＲ1およびＲ2はアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基またはハロゲ
ン原子の中から選ばれる、互いに同一もしくは相異なる
１価の基、ａは２以上の整数である）で表わされる含ケ
イ素ポリマーと１，２，４，５‐テトラキス（ジ低級ア
ルキルシリル）ベンゼンとを、白金化合物の存在下に、
反応させることを特徴とする、一般式 【化１】 （式中のＲ1およびＲ2は前記と同じ意味をもち、ｋ、ｍ
およびｎはそれぞれ、ｋ≧１、ｍ≧０、ｎ≧０、ｋ＋ｍ
＝ａ、ｋ＋ｎ＝ａを満たす整数、Ｒ5は低級アルキル基
である）で表わされる含ケイ素ポリマーの製造方法。 - 【請求項２】 一般式 【化２】 （式中のＲ3およびＲ4は、炭素数１から１２のアルキル
基、または炭素数６から２４のアリール基の中から選ば
れる、互いに同一もしくは相異なる１価の基、ｒ、ｓお
よびｔはそれぞれ、ｒ≧１、ｓ≧０、ｔ≧０、３００≧
ｒ＋ｓ≧２、３００≧ｒ＋ｔ≧２を満たす整数、Ｒ5は
低級アルキル基である）で表わされる含ケイ素ポリマ
ー。 - 【請求項３】 請求項２記載の含ケイ素ポリマーを含有
することを特徴とする耐熱性材料。 - 【請求項４】 請求項２記載の含ケイ素ポリマーを含有
することを特徴とするプレセラミックス。 - 【請求項５】 請求項２記載の含ケイ素ポリマーを含有
することを特徴とする導電性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24502794A JP2644683B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 含ケイ素化合物、その製造方法、およびその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24502794A JP2644683B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 含ケイ素化合物、その製造方法、およびその用途 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4266629A Division JPH0753739B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 含ケイ素化合物、その製造方法、およびその用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07188419A JPH07188419A (ja) | 1995-07-25 |
| JP2644683B2 true JP2644683B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17127494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24502794A Expired - Lifetime JP2644683B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 含ケイ素化合物、その製造方法、およびその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2644683B2 (ja) |
-
1994
- 1994-10-11 JP JP24502794A patent/JP2644683B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07188419A (ja) | 1995-07-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |