JP2644599B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2644599B2 JP2644599B2 JP1308729A JP30872989A JP2644599B2 JP 2644599 B2 JP2644599 B2 JP 2644599B2 JP 1308729 A JP1308729 A JP 1308729A JP 30872989 A JP30872989 A JP 30872989A JP 2644599 B2 JP2644599 B2 JP 2644599B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- polyimide film
- semiconductor substrate
- polymer composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置とその製造方法、電子回路体お
よびシロキサン骨格を含むポリイミド系樹脂に関する。
よびシロキサン骨格を含むポリイミド系樹脂に関する。
〔従来技術〕 従来、半導体装置の保護膜および／または絶縁膜とし
てシリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系絶縁材が
使用されていたが、近年、耐熱性や表面平坦化に優れた
ポリイミド系樹脂が注目されている。
てシリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系絶縁材が
使用されていたが、近年、耐熱性や表面平坦化に優れた
ポリイミド系樹脂が注目されている。
しかし、ポリイミド系樹脂は、半導体装置の下地基体
としても使用されるシリコン酸化物やシリコン窒化物と
の接着性、そして、配線金属である銅，ニッケル，銅−
ニッケル合金，アルミニウム，クロム，クロム−銅合
金，タングステン等の各種メタルとの接着性に劣る。
としても使用されるシリコン酸化物やシリコン窒化物と
の接着性、そして、配線金属である銅，ニッケル，銅−
ニッケル合金，アルミニウム，クロム，クロム−銅合
金，タングステン等の各種メタルとの接着性に劣る。
このために、例えば、ジャーナル オブ エレクトロ
ケミカル ソサイアティ132,11（1985年）第2700頁〜第
2705頁（J.Electrochem,Soc,Vol132,No.11（1985）,PP2
700〜2705）、あるいは特開昭59−52822号公報等に述べ
られているように、下地基体とポリイミド膜との間の接
着性をよくするために、接着補助剤を用いている。
ケミカル ソサイアティ132,11（1985年）第2700頁〜第
2705頁（J.Electrochem,Soc,Vol132,No.11（1985）,PP2
700〜2705）、あるいは特開昭59−52822号公報等に述べ
られているように、下地基体とポリイミド膜との間の接
着性をよくするために、接着補助剤を用いている。
接着補助剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン等の有機ケイ素化合物、アルミニウムア
セチルアセトネート等のアルミニウムキレート化合物等
が知られている。
ニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン等の有機ケイ素化合物、アルミニウムア
セチルアセトネート等のアルミニウムキレート化合物等
が知られている。
LSI等の保護膜および／または絶縁膜にポリイミド系
樹脂を用いる場合には、下地基体上に接着補助層を設け
る。もし、接着補助層がなければ、保護膜および／また
は絶縁膜は剥がれてしまう。
樹脂を用いる場合には、下地基体上に接着補助層を設け
る。もし、接着補助層がなければ、保護膜および／また
は絶縁膜は剥がれてしまう。
しかし、接着補助層を設けるためには、当然、接着補
助層を設ける工程が必要である。さらに、接着補助層が
配線基板に残存していると、配線層間での抵抗や、ボン
ディングパット部での抵抗が大きくなるために、保護膜
および／または絶縁膜にスルーホールを設けた後に、接
着補助層を除去する工程も必要となる。
助層を設ける工程が必要である。さらに、接着補助層が
配線基板に残存していると、配線層間での抵抗や、ボン
ディングパット部での抵抗が大きくなるために、保護膜
および／または絶縁膜にスルーホールを設けた後に、接
着補助層を除去する工程も必要となる。
以上のように、ポリイミド系樹脂を用いると、接着補
助層を設ける工程、接着補助層を除去する工程とが必要
となり、製造コストが高くなってしまう。
助層を設ける工程、接着補助層を除去する工程とが必要
となり、製造コストが高くなってしまう。
本発明の第１の目的は、下地基体と接着性のよいポリ
イミド膜を用いることにより、接着補助層のない半導体
装置を提供することにある。
イミド膜を用いることにより、接着補助層のない半導体
装置を提供することにある。
本発明の第２の目的は、下地基体と接着性のよいポリ
イミド膜を用いることにより、接着補助層のない半導体
装置の製造方法を提供することにある。
イミド膜を用いることにより、接着補助層のない半導体
装置の製造方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、下地基体との接着性が良いポ
リイミド系樹脂を提供することにある。
リイミド系樹脂を提供することにある。
本発明の第４の目的は、下地基板と接着性のよいポリ
イミド膜を用いることにより、接着補助層のない電子回
路体を提供することにある。
イミド膜を用いることにより、接着補助層のない電子回
路体を提供することにある。
本発明の第１の目的は、 半導体装置に用いられるポリイミド膜が下記の一般式
（１）で表わされる、シロキサン骨格を含む反復単位を
主成分とすることを特徴とする半導体装置によって達成
される。
（１）で表わされる、シロキサン骨格を含む反復単位を
主成分とすることを特徴とする半導体装置によって達成
される。
（但し、一般式（１）中R1は少くとも４個以上の炭素を
含む４価の有機基を、R2は２価の有機基を表わし、R1と
R2のうち少なくとも一方はシロキサン骨格を有する有機
基である。） 半導体装置に用いられるポリイミド膜が、下記の一般
式（２）で表わされるシロキサン骨格を有する反復単位
を主成分とするポリアミド酸と、炭素−炭素２重結合を
有するアミン化合物と、光架橋剤および／または増感剤
からなる感光性重合体組成物を加熱処理して作られたこ
とを特徴とする半導体装置によって達成される。
含む４価の有機基を、R2は２価の有機基を表わし、R1と
R2のうち少なくとも一方はシロキサン骨格を有する有機
基である。） 半導体装置に用いられるポリイミド膜が、下記の一般
式（２）で表わされるシロキサン骨格を有する反復単位
を主成分とするポリアミド酸と、炭素−炭素２重結合を
有するアミン化合物と、光架橋剤および／または増感剤
からなる感光性重合体組成物を加熱処理して作られたこ
とを特徴とする半導体装置によって達成される。
（但し、一般式（１）中R1は少なくとも４個以上の炭素
を含む４価の有機基を、R2は２価の有機基を表わし、R1
とR2のうち少なくとも一方はシロキサン骨格を有する有
機基である。） 上記炭素−炭素２重結合を有するアミン化合物が、下
記一般式（３）で表わされるアミン化合物であることが
好ましい。
を含む４価の有機基を、R2は２価の有機基を表わし、R1
とR2のうち少なくとも一方はシロキサン骨格を有する有
機基である。） 上記炭素−炭素２重結合を有するアミン化合物が、下
記一般式（３）で表わされるアミン化合物であることが
好ましい。
（但し、一般式（３）中に、R3,R4,R5は水素、低級アル
キル基、フェニル基、アルケニル基のうちから選択され
る基を、R6はアルキレン基を、R7は低級アルキルを表
す。） 上記光架橋剤が、下記一般式（４）で表わされるビス
アジド化合物であることを特徴とすることが好ましい。
キル基、フェニル基、アルケニル基のうちから選択され
る基を、R6はアルキレン基を、R7は低級アルキルを表
す。） 上記光架橋剤が、下記一般式（４）で表わされるビス
アジド化合物であることを特徴とすることが好ましい。
（但し、一般式（４）中、Ｘは水酸基、カルボキシ基、
ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルキルエステ
ル基、アミノ基、トリアルキルシリル基から選択された
基を表し、ｍは０または１である。） ポリイミド膜が、シロキサン構造含む反復単位を主成
分とする下記一般式（２），（５），（６）および
（７）で表わされるポリマー、または、（２），
（５），（６）および（７）の少なくとも２つ以上から
なる共重合ポリマーと、共重合開始剤と、一般式（４）
で表わされる光架橋剤および／または増感剤とから成る
感光性重合体組成物を加熱処理して添加したポリイミド
であることを特徴とする半導体装置によって達成され
る。
ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルキルエステ
ル基、アミノ基、トリアルキルシリル基から選択された
基を表し、ｍは０または１である。） ポリイミド膜が、シロキサン構造含む反復単位を主成
分とする下記一般式（２），（５），（６）および
（７）で表わされるポリマー、または、（２），
（５），（６）および（７）の少なくとも２つ以上から
なる共重合ポリマーと、共重合開始剤と、一般式（４）
で表わされる光架橋剤および／または増感剤とから成る
感光性重合体組成物を加熱処理して添加したポリイミド
であることを特徴とする半導体装置によって達成され
る。
（但し、一般式（１）中R1は少くとも４個以上の炭素を
含む４価の有機基を、R2は２価の有機基を表わし、R1と
R2のうち少なくとも一方はシロキサン骨格を有する有機
基である。） −但し、式（５），（６），（７）中、R8は少なくとも
４個以上の炭素を有する４価の有機基を、R9は芳香族環
を含む３価又は４価の有機基を表わし、R8とR9のうち少
なくとも一方はシロキサン骨格を有する有機基である。
R2は２価の有機基を表わす。また、P1,P2,P3は感光基
を、ＸはP3とR9をつなぐ有機基又は−０−又は−NH−を
表し、ｎは１又は２である。） 前記ポリイミド膜が、一主面に少なくとも１以上の半
導体素子を形成した半導体装置の配線間または配線層を
覆う保護膜および／または絶縁膜であることが好まし
い。
含む４価の有機基を、R2は２価の有機基を表わし、R1と
R2のうち少なくとも一方はシロキサン骨格を有する有機
基である。） −但し、式（５），（６），（７）中、R8は少なくとも
４個以上の炭素を有する４価の有機基を、R9は芳香族環
を含む３価又は４価の有機基を表わし、R8とR9のうち少
なくとも一方はシロキサン骨格を有する有機基である。
R2は２価の有機基を表わす。また、P1,P2,P3は感光基
を、ＸはP3とR9をつなぐ有機基又は−０−又は−NH−を
表し、ｎは１又は２である。） 前記ポリイミド膜が、一主面に少なくとも１以上の半
導体素子を形成した半導体装置の配線間または配線層を
覆う保護膜および／または絶縁膜であることが好まし
い。
少なくとも１つ以上の半導体素子を有する基体上に設
けらる保護膜および／または絶縁膜としてポリイミド膜
を用いた半導体装置において、前記ポリイミド膜を構成
するポリイミド系樹脂は、前記基体に対して親和力を有
する基を含む反復単位を主成分とすることを特徴とする
半導体装置によって達成される。
けらる保護膜および／または絶縁膜としてポリイミド膜
を用いた半導体装置において、前記ポリイミド膜を構成
するポリイミド系樹脂は、前記基体に対して親和力を有
する基を含む反復単位を主成分とすることを特徴とする
半導体装置によって達成される。
本発明の第２の目的は、 基体上に、シロキサン骨格を有する反復単位を主成分
とするポリアミド酸と、炭素−炭素２重結合を有するア
ミン化合物と、光架橋剤および／または増感剤とを含む
感光性重合体組成物の塗膜を形成する工程と、前記塗膜
を露光し、現像を行なうパターンを形成する工程と、前
記パターンを加熱硬化させてポリイミド膜に転化する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によ
って達成される。
とするポリアミド酸と、炭素−炭素２重結合を有するア
ミン化合物と、光架橋剤および／または増感剤とを含む
感光性重合体組成物の塗膜を形成する工程と、前記塗膜
を露光し、現像を行なうパターンを形成する工程と、前
記パターンを加熱硬化させてポリイミド膜に転化する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によ
って達成される。
上記感光性重合体組成物の塗膜を形成する工程は、塗
布工程と乾燥工程とを含み、該乾燥工程における乾燥温
度は、室温から120℃の範囲で行なわれることが好まし
い。
布工程と乾燥工程とを含み、該乾燥工程における乾燥温
度は、室温から120℃の範囲で行なわれることが好まし
い。
上記感光性重合体組成物の塗膜を形成する工程は塗布
工程と乾燥工程とを含み、該乾燥工程は減圧乾燥で行な
われることが好ましい。
工程と乾燥工程とを含み、該乾燥工程は減圧乾燥で行な
われることが好ましい。
本発明の第３の目的は、 前記一般式（１）で表わされるシロキサン骨格を有す
ることを特徴とするポリイミド系樹脂によって達成され
る。
ることを特徴とするポリイミド系樹脂によって達成され
る。
前記一般式（２），（５），（６）および（７）で表
わされるポリマー、または、（２），（５），（６）お
よび（７）の少なくとも２つ以上からなる共重合ポリマ
ーを含んだ混合物を加熱処理して作られたことを特徴と
するポリイミド系樹脂によっても達成される。
わされるポリマー、または、（２），（５），（６）お
よび（７）の少なくとも２つ以上からなる共重合ポリマ
ーを含んだ混合物を加熱処理して作られたことを特徴と
するポリイミド系樹脂によっても達成される。
本発明の第４の目的は、 表面はシリコン層からなる基体上に設けられる膜が、
前記一般式（１）で表わされるシロキサン構造を含む反
復単位を主成分とするポリイミド膜であることを特徴と
する電子回路体によって達成される。
前記一般式（１）で表わされるシロキサン構造を含む反
復単位を主成分とするポリイミド膜であることを特徴と
する電子回路体によって達成される。
一般式〔１〕，〔２〕中のR1,R2は、ポリイミドの耐
熱性の面から含芳香族環有機基、含複素環有機基が望し
い。また、下地基板、配線金属との接着性の面から、
R1,R2の少なくとも一方はシロキサン骨格を有する有機
基であることが望しい。
熱性の面から含芳香族環有機基、含複素環有機基が望し
い。また、下地基板、配線金属との接着性の面から、
R1,R2の少なくとも一方はシロキサン骨格を有する有機
基であることが望しい。
R1は具体的には、 が挙げられる。特に好しい例としては、 が挙げられる。R1は上記の構造１種のみで構成されてい
ても良いし、複数で構成されていても良い。特に を含む構造のポリマーが好しい。
ても良いし、複数で構成されていても良い。特に を含む構造のポリマーが好しい。
R2は具体的には、 などが挙げられる。
R2は上記の構造１種のみで構成されていても良いし、
複数で構成されていても良い。特に、 を含む構造のポリマが好しい。
複数で構成されていても良い。特に、 を含む構造のポリマが好しい。
前記一般式〔３〕で示されるアミン化合物としては２
−（N,N−ジメチルアミノ）エチルアクリレート、２−
（N,N−ジメチルアミノ）エチルメタクリレート、３−
（N,N−ジメチルアミノ）プロピルアクリレート、３−
（N,N−ジメチルアミノ）プロピルアクリレート、４−
（N,N−ジメチルアミノ）ブチルアクリレート、４−
（N,N−ジメチルアミノ）ブチルメタクリレート、５−
（N,N−ジメチルアミノ）ペンチルアクリレート、５−
（N,N−ジメチルアミノ）ペンチルメタクリレート、６
−（N,N−ジメチルアミノ）ヘキシルアクリレート、６
−（N,N−ジメチルアミノ）ヘキシルメタクレレート、
２−（N,N−ジメチルアミノ）エチルシンナメート、３
−（N,N−ジメチルアミノ）プロピルシンナメート、２
−（N,N−ジメチルアミノ）エチル−2,4−ヘキサジエノ
エート、３−（N,N−ジメチルアミノ）プロピル−2,4−
ヘキサジエノエート、４−（N,N−ジメチルアミノ）ブ
チル−2,4−ヘキサジエノエート、２−（N,N−ジエチル
アミノ）エチル−2,4−ヘキサジエノエート、３−（N,N
−ジメチルアミノ）プロピル−2,4−ヘキサジエノエー
トなどがよい、更に好ましくは２−（N,N−ジメチルア
ミノ）エチルメタクリレート、３−（N,N−ジメチルア
ミノ）プロピルメタクリレート、４−（N,N−ジメチル
アミノ）ブチルメタクリレート、２−（N,N−ジメチル
アミノ）エチル−2,4−ヘキサジエノエート、３−（N,N
−ジメチルアミノ）プロピル−2,4−ヘキサジエノエー
トなどが挙げられる。
−（N,N−ジメチルアミノ）エチルアクリレート、２−
（N,N−ジメチルアミノ）エチルメタクリレート、３−
（N,N−ジメチルアミノ）プロピルアクリレート、３−
（N,N−ジメチルアミノ）プロピルアクリレート、４−
（N,N−ジメチルアミノ）ブチルアクリレート、４−
（N,N−ジメチルアミノ）ブチルメタクリレート、５−
（N,N−ジメチルアミノ）ペンチルアクリレート、５−
（N,N−ジメチルアミノ）ペンチルメタクリレート、６
−（N,N−ジメチルアミノ）ヘキシルアクリレート、６
−（N,N−ジメチルアミノ）ヘキシルメタクレレート、
２−（N,N−ジメチルアミノ）エチルシンナメート、３
−（N,N−ジメチルアミノ）プロピルシンナメート、２
−（N,N−ジメチルアミノ）エチル−2,4−ヘキサジエノ
エート、３−（N,N−ジメチルアミノ）プロピル−2,4−
ヘキサジエノエート、４−（N,N−ジメチルアミノ）ブ
チル−2,4−ヘキサジエノエート、２−（N,N−ジエチル
アミノ）エチル−2,4−ヘキサジエノエート、３−（N,N
−ジメチルアミノ）プロピル−2,4−ヘキサジエノエー
トなどがよい、更に好ましくは２−（N,N−ジメチルア
ミノ）エチルメタクリレート、３−（N,N−ジメチルア
ミノ）プロピルメタクリレート、４−（N,N−ジメチル
アミノ）ブチルメタクリレート、２−（N,N−ジメチル
アミノ）エチル−2,4−ヘキサジエノエート、３−（N,N
−ジメチルアミノ）プロピル−2,4−ヘキサジエノエー
トなどが挙げられる。
なお、これらは単独で用いてもよいし、二種以上混合
して用いてもよい。
して用いてもよい。
前記アミン化合物〔３〕の配合割合は前記一般式
〔２〕で表わされる繰り返し単位を主成分とするポリマ
100重量部に対して１重量部以上、4CO重量部以下で用い
るが、好ましくは10重量部以上400重量部以下で用いる
のが望ましい。上記範囲を逸脱すると、感光性重合体組
成物の現像性に悪影響をもたらすことがある。
〔２〕で表わされる繰り返し単位を主成分とするポリマ
100重量部に対して１重量部以上、4CO重量部以下で用い
るが、好ましくは10重量部以上400重量部以下で用いる
のが望ましい。上記範囲を逸脱すると、感光性重合体組
成物の現像性に悪影響をもたらすことがある。
前記一般式〔４〕で示されるビスアジド化合物として
は、 などが好適な例として挙げられる。更に好ましくは などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、二
種以上混合して用いてもよい。
は、 などが好適な例として挙げられる。更に好ましくは などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、二
種以上混合して用いてもよい。
前記一般式〔４〕で示されるビスアジド化合物の配合
割合は、前記一般式〔２〕で表わされる繰り返し単位を
主成分とするポリマ100重量部に対して0.1重量部以上50
重量部以下が良く、さらに好しくは0.5重量部以下50重
量部以下で用いるのが望ましい。この範囲を逸脱する
と、感光性重合体組成物の現像特性、ポリイミドの下地
基板との接着性等に悪影響を及ぼす。
割合は、前記一般式〔２〕で表わされる繰り返し単位を
主成分とするポリマ100重量部に対して0.1重量部以上50
重量部以下が良く、さらに好しくは0.5重量部以下50重
量部以下で用いるのが望ましい。この範囲を逸脱する
と、感光性重合体組成物の現像特性、ポリイミドの下地
基板との接着性等に悪影響を及ぼす。
本発明で用いられる増感剤は、本発明の目的を達成す
るものならよいが、具体的にはＰ−ビス（ジエチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、ベンゾインエーテル、ベンゾイン
イソプピルエーテル、アントロン、1,9−ベンゾアント
ロン、アクリジン、シアノアクリジン、ニトロピレン、
1,8−ジニトロピレン、ミヒラケトン、５−ニトロアセ
ナフテン、２−ニトフルオレン、ピレン−1,6−キノ
ン、９−フルオレノン、1,2−ベンゾアントラキノン、
アントアントロン、２−クロロ−1,2−ベンズアントラ
キノン、２−プロモベンズアントラキノン、２−クロロ
−1,8−フタロイルナフタレンなどが好ましい。
るものならよいが、具体的にはＰ−ビス（ジエチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、ベンゾインエーテル、ベンゾイン
イソプピルエーテル、アントロン、1,9−ベンゾアント
ロン、アクリジン、シアノアクリジン、ニトロピレン、
1,8−ジニトロピレン、ミヒラケトン、５−ニトロアセ
ナフテン、２−ニトフルオレン、ピレン−1,6−キノ
ン、９−フルオレノン、1,2−ベンゾアントラキノン、
アントアントロン、２−クロロ−1,2−ベンズアントラ
キノン、２−プロモベンズアントラキノン、２−クロロ
−1,8−フタロイルナフタレンなどが好ましい。
更に好ましくはＰ−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフ
ェノン、ベンゾインエーテル、ベンゾインソプロピルエ
ーテル、アントロン、ニトロピレン、ミヒラケトン、５
−ニトロアセナフテンなどが挙げられる。
ェノン、ベンゾインエーテル、ベンゾインソプロピルエ
ーテル、アントロン、ニトロピレン、ミヒラケトン、５
−ニトロアセナフテンなどが挙げられる。
これらは単独で用いても良いし、２種以上の混合系で
用いても良い。また、前記一般式〔４〕で表わされるビ
スアジド光架橋剤との混合系で用いても良い。
用いても良い。また、前記一般式〔４〕で表わされるビ
スアジド光架橋剤との混合系で用いても良い。
増感剤の配合量は一般式前記〔２〕で表わされるポリ
アミド酸100重合体に対し、0.1〜50重合部で用いるのが
好しく、更に好ましくは１〜20重量部である。この範囲
を逸脱すると現像性や成膜性に悪影響を与える。
アミド酸100重合体に対し、0.1〜50重合部で用いるのが
好しく、更に好ましくは１〜20重量部である。この範囲
を逸脱すると現像性や成膜性に悪影響を与える。
本発明で用いる感光性重合体組成物は上記構成分を適
当な有機溶剤に溶解した溶液状態で用いるが、この場合
用いる溶剤としては溶解性の観点から非プロトン性極性
溶媒が望しく、Ｎ−メチル−２−ピロピドン、Ｎ−アセ
チル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホル
トリアミド、Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタム、ジメ
チルイミダゾリジノン、1,2−ジメトキシエタン、1,2−
ジエトキシエタン、１−アセトキシ−２−メトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチ
レングリコールジメチルエーテルなどが例として挙げら
れる。これらは単独で用いても良いし、混合して用いる
ことも可能である。
当な有機溶剤に溶解した溶液状態で用いるが、この場合
用いる溶剤としては溶解性の観点から非プロトン性極性
溶媒が望しく、Ｎ−メチル−２−ピロピドン、Ｎ−アセ
チル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホル
トリアミド、Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタム、ジメ
チルイミダゾリジノン、1,2−ジメトキシエタン、1,2−
ジエトキシエタン、１−アセトキシ−２−メトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチ
レングリコールジメチルエーテルなどが例として挙げら
れる。これらは単独で用いても良いし、混合して用いる
ことも可能である。
前記一般式〔５〕、〔６〕中のR8は具体的に などが挙げられる。R8は上記の構造１種のみで構成され
ていても良いし、複数で構成されていても良い。特に を含む構造のポリマが好ましい。
ていても良いし、複数で構成されていても良い。特に を含む構造のポリマが好ましい。
前記一般式〔５〕中のR9は具体的に、 （但しＺは−Ｏ−，−Ｓ−，−SO2−，−CO−，−CH
2−， のなかから選択された基を表わす）等が挙げられるが、
これらに限定されない。
2−， のなかから選択された基を表わす）等が挙げられるが、
これらに限定されない。
さらに好ましい例としては、 等が挙げられる。
R9は上記構造の１種のみで構成されていても良いし、
複数で構成されていても良い。特に、 を含む構造が好ましい。
複数で構成されていても良い。特に、 を含む構造が好ましい。
Ｘの好ましいものの例としては、−Ｏ−， −R51−Ｏ−（但し、R51は低級アルキレンを表わす）等
が挙げられるが、これらに限定されない。
が挙げられるが、これらに限定されない。
さらに好ましいものの例としては、 −CH2−Ｏ−等が挙げられる。
感光基P1,P2,P3の例としては、 （但し、R51は、水素、シアノ基、低級アルキル基から
選択された基、R511は水素、低級アルキル基、アルコキ
シ基から選択された基、R512、R513、R514、R515、R516
は水素、低級アルキル基、ビニル基から選択された基を
表わす）等が挙げられるが、これに限定されない。
選択された基、R511は水素、低級アルキル基、アルコキ
シ基から選択された基、R512、R513、R514、R515、R516
は水素、低級アルキル基、ビニル基から選択された基を
表わす）等が挙げられるが、これに限定されない。
さらに好ましいものの例としては、 等が挙げられる。
P1、P2、P3は同一であってもよいし、異なった基でも
よい。
よい。
前記一般式〔５〕を主成分とする感光性重合体組成
物、および一般式〔５〕、〔６〕を主成分とする感光性
重合体組成物に用いられる光架橋剤は前記一般式〔４〕
で表わされる前記ビスアジト化合物が好しい。
物、および一般式〔５〕、〔６〕を主成分とする感光性
重合体組成物に用いられる光架橋剤は前記一般式〔４〕
で表わされる前記ビスアジト化合物が好しい。
光重合開始剤、増感剤は具体的にミヒラケトン、ビス
−4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェ
ノン、ベンゾインエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、アントロン、1,9−ベンゾアントロン、アクリ
ジン、ニトロピレン、1,8−ジニトロピレン、５−ニト
ロアセトナフテン、２−ニトロフルオレン、ピレン−1,
6−キノン、９−フルオレン、1,2−ベンゾアントラキノ
ン、アントアントロン、２−クロロ−1,2−ベンズアン
トラキノン、２−ブロモベンズアントラキノン、２−ク
ロロ−1,8−フタロイルナフタレン、3,5−ジエチルチオ
キサントン、3,5−ジメチルチオキサントン、3,5−ジイ
ソプロピルチオキサントン、ベンジル、１−フェニル−
５−メルカプト−1H−テトラゾール、１−フェニル−５
−メルテックス、３−アセチルフェナントレン、１−イ
ンダノン、７−Ｈ−ベンズ〔de〕アントラセン−７−オ
ン、１−ナフトルアルデヒド、チオキサンテン−９−オ
ン、10−チオキサンテノン、３−アセトルインドール等
が挙げられるが、これらに限定されない。
−4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェ
ノン、ベンゾインエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、アントロン、1,9−ベンゾアントロン、アクリ
ジン、ニトロピレン、1,8−ジニトロピレン、５−ニト
ロアセトナフテン、２−ニトロフルオレン、ピレン−1,
6−キノン、９−フルオレン、1,2−ベンゾアントラキノ
ン、アントアントロン、２−クロロ−1,2−ベンズアン
トラキノン、２−ブロモベンズアントラキノン、２−ク
ロロ−1,8−フタロイルナフタレン、3,5−ジエチルチオ
キサントン、3,5−ジメチルチオキサントン、3,5−ジイ
ソプロピルチオキサントン、ベンジル、１−フェニル−
５−メルカプト−1H−テトラゾール、１−フェニル−５
−メルテックス、３−アセチルフェナントレン、１−イ
ンダノン、７−Ｈ−ベンズ〔de〕アントラセン−７−オ
ン、１−ナフトルアルデヒド、チオキサンテン−９−オ
ン、10−チオキサンテノン、３−アセトルインドール等
が挙げられるが、これらに限定されない。
これらの中でさらに好しいものの例としては、ミヒラ
ケトン、ビス−4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノ
ン、１−フェニル−５−メルカプト−1H−テトラゾー
ル、ベンジル、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジ
イソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサ
ントン等が挙げられる。これらは単独または数種混合し
て用いられる。
ケトン、ビス−4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノ
ン、１−フェニル−５−メルカプト−1H−テトラゾー
ル、ベンジル、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジ
イソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサ
ントン等が挙げられる。これらは単独または数種混合し
て用いられる。
本発明に用いられる光重合開始剤、光架橋剤および／
または増感剤の好適な配合割合は、ポリマ100重量部に
対し、0.1〜30重量部が好しく、さらに好しくは、0.5〜
20重量部の範囲である。この範囲を逸脱する現像性に好
ましくない影響を及ぼすこととなる。
または増感剤の好適な配合割合は、ポリマ100重量部に
対し、0.1〜30重量部が好しく、さらに好しくは、0.5〜
20重量部の範囲である。この範囲を逸脱する現像性に好
ましくない影響を及ぼすこととなる。
本発明において必要に応じて加えられる増感助剤は、
光重合開始剤を用いる際の重合促進剤として用いられる
ものである。好ましいものの例としては、４−ジエチル
アミノエチルベンゾエート、４−ジエチルアミノイソプ
ロピルベンゾエート、４−ジメチルアミノエチルベンゾ
エート、４−ジメチルアミノイソプロピルベンゾエー
ト、４−ジメチルアミノイソアミルベンゾエート、エチ
レングリコールジチオグリコレート、エチレングリコー
ルジ（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロー
ルプロパンチオグリコレート、トリメチロールプロパン
トリ（３−メルカプトプロピオレート）、ペンタエリス
リトールテトラチオグリコレート、ペンタエリスリトー
ルテトラ（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチ
ロールエタントリチオグリコレート、トリメチロールエ
タントリ（３−メルカプトプロピオネート）、ジペンタ
エリスリトールヘキサ（３−メルカプトプロピオネー
ト）、ジペンエリスリトールヘキサ（３−メルカプトプ
ロピオネート）、チオグリコール酸、α−メルカプトプ
ロピオン酸等が挙げられる。しかしながら、これに限定
されない。
光重合開始剤を用いる際の重合促進剤として用いられる
ものである。好ましいものの例としては、４−ジエチル
アミノエチルベンゾエート、４−ジエチルアミノイソプ
ロピルベンゾエート、４−ジメチルアミノエチルベンゾ
エート、４−ジメチルアミノイソプロピルベンゾエー
ト、４−ジメチルアミノイソアミルベンゾエート、エチ
レングリコールジチオグリコレート、エチレングリコー
ルジ（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロー
ルプロパンチオグリコレート、トリメチロールプロパン
トリ（３−メルカプトプロピオレート）、ペンタエリス
リトールテトラチオグリコレート、ペンタエリスリトー
ルテトラ（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチ
ロールエタントリチオグリコレート、トリメチロールエ
タントリ（３−メルカプトプロピオネート）、ジペンタ
エリスリトールヘキサ（３−メルカプトプロピオネー
ト）、ジペンエリスリトールヘキサ（３−メルカプトプ
ロピオネート）、チオグリコール酸、α−メルカプトプ
ロピオン酸等が挙げられる。しかしながら、これに限定
されない。
これらの中でさらに好しい例としては、４−ジメチル
アミノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノイソア
ミルベンゾエート、ペンタエリスリトールテトラチオグ
リコレート、ペンタエリスリトールテトラ（３−メルカ
プトプロピオレート）、トリメチロールプロパンチオグ
リコレート等が挙げられる。これらは単独または数種混
合して用いられる。
アミノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノイソア
ミルベンゾエート、ペンタエリスリトールテトラチオグ
リコレート、ペンタエリスリトールテトラ（３−メルカ
プトプロピオレート）、トリメチロールプロパンチオグ
リコレート等が挙げられる。これらは単独または数種混
合して用いられる。
本発明において増感助剤を用いる場合の配合割合は、
ポリマ100重量部に対し0.1〜30重量部が好しく、さらに
好しくは0.5〜20重量部の範囲である。この範囲より少
ない配合量では使用による重合促進効果が得られず、多
い場合には現像性が低下する等の悪影響が生ずる。
ポリマ100重量部に対し0.1〜30重量部が好しく、さらに
好しくは0.5〜20重量部の範囲である。この範囲より少
ない配合量では使用による重合促進効果が得られず、多
い場合には現像性が低下する等の悪影響が生ずる。
前記（５），（６）および（７）で表わされるポリマ
ーまたは、（２），（５），（６）および（７）の少な
くとも２つ以上からなる共重合体と、感光性重合体組成
物は、前記の構成成分を適当な有機溶剤に溶解した溶液
状態で用いるが、この場合用いる有機溶剤は前記の非プ
ロトン性極性溶媒が望ましい。
ーまたは、（２），（５），（６）および（７）の少な
くとも２つ以上からなる共重合体と、感光性重合体組成
物は、前記の構成成分を適当な有機溶剤に溶解した溶液
状態で用いるが、この場合用いる有機溶剤は前記の非プ
ロトン性極性溶媒が望ましい。
本発明の半導体素子の製造方法において、前述の感光
性重合体組成物は通常の微細加工技術でパターン加工が
可能であり、又前記半導体素子基板上への塗布には、ス
ピンナを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段
が可能であり、これらは適宜選択することができる。塗
布膜厚は塗布手段、感光性重合体組成物のワニスの固形
分濃度、粘度などによって調節可能である。
性重合体組成物は通常の微細加工技術でパターン加工が
可能であり、又前記半導体素子基板上への塗布には、ス
ピンナを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段
が可能であり、これらは適宜選択することができる。塗
布膜厚は塗布手段、感光性重合体組成物のワニスの固形
分濃度、粘度などによって調節可能である。
半導体素子表面上で塗膜となった感光性重合体組成物
に露光し、次に未露光部を現像液で溶解除去することに
より、所望のパターンを得ることができる。なお、光源
は紫外線に限らず可視光線，放射線であってもさしつか
えない。現像液としては、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメチ
ルイミダゾリジノン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリドン、
Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタム、γ−ブチロラクト
ンなどの非プロトン性極性溶媒を単独あるいはメタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、
トルエン、キシレン、メチルセルソルブ、水などのポリ
アミド酸の非溶媒との混合液として用いることができ
る。
に露光し、次に未露光部を現像液で溶解除去することに
より、所望のパターンを得ることができる。なお、光源
は紫外線に限らず可視光線，放射線であってもさしつか
えない。現像液としては、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、N,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメチ
ルイミダゾリジノン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリドン、
Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタム、γ−ブチロラクト
ンなどの非プロトン性極性溶媒を単独あるいはメタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、
トルエン、キシレン、メチルセルソルブ、水などのポリ
アミド酸の非溶媒との混合液として用いることができ
る。
現像によって形成したパターンは、ついでリンス液に
よって洗浄し、現像溶媒は除去する。リンス液には、現
像液との混和性の良いポリアミド酸の非溶媒を用いる
が、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソル
ブ、水などが好適な例として挙げられる。
よって洗浄し、現像溶媒は除去する。リンス液には、現
像液との混和性の良いポリアミド酸の非溶媒を用いる
が、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソル
ブ、水などが好適な例として挙げられる。
従来のポリイミド系樹脂の主鎖は、基体と親和性を有
する基がなく、ポリイミド系樹脂を基体に塗布するに
は、前もって、接着補助層を設けておく必要があった。
する基がなく、ポリイミド系樹脂を基体に塗布するに
は、前もって、接着補助層を設けておく必要があった。
しかし、本発明に用いるポリイミド系樹脂膜はその主
鎖中に、基体と親和性があるシロキサンを含むので、本
発明のポリイミド系樹脂膜は基体との接着性に優れてお
り、基体上にポリイミド系樹脂を塗布するにあたり、基
体上に接着補助層を設ける必要がない。
鎖中に、基体と親和性があるシロキサンを含むので、本
発明のポリイミド系樹脂膜は基体との接着性に優れてお
り、基体上にポリイミド系樹脂を塗布するにあたり、基
体上に接着補助層を設ける必要がない。
このため、接着補助層を形成する工程と、接着補助層
を除去する工程とがなく、製造工程が簡略化できる。
を除去する工程とがなく、製造工程が簡略化できる。
さらに、接着補助層を用いないために、除去しきれず
残存した接着補助層による抵抗不良の発生がない。
残存した接着補助層による抵抗不良の発生がない。
以下、実施例を説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。
るものではない。
参考例1. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル100
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1243.3gに
溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷
して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリット
酸二無水物98.1g（0.45モル）と1,3−ビス（3,4−ジカ
ルボキシフェニル）−1,1′,3,3′−テトラメチルジシ
ロキサン二無水物21.3g（0.05モル）を加えた。加え終
えてから更に約15℃で約３時間撹拌反応させて、シロキ
サンを含む下記の基本骨格を持つ、粘度約30ポアズ（25
℃）のポリアミド酸 （但し、R10は が9:1）の溶液を得た。
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1243.3gに
溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷
して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリット
酸二無水物98.1g（0.45モル）と1,3−ビス（3,4−ジカ
ルボキシフェニル）−1,1′,3,3′−テトラメチルジシ
ロキサン二無水物21.3g（0.05モル）を加えた。加え終
えてから更に約15℃で約３時間撹拌反応させて、シロキ
サンを含む下記の基本骨格を持つ、粘度約30ポアズ（25
℃）のポリアミド酸 （但し、R10は が9:1）の溶液を得た。
上記ポリアミド酸溶液20gに（N,N−ジメチルアミノ）
エチルメタクリレート0.79g（0.005モル）、2,6−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘキ
サノン0.74g（0.002モル）を溶解し、次いで５μｍ孔の
フィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成物溶液
を得た。
エチルメタクリレート0.79g（0.005モル）、2,6−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘキ
サノン0.74g（0.002モル）を溶解し、次いで５μｍ孔の
フィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成物溶液
を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基板上に、接着補助層を形成することな
く、上記感光性重合体組成物溶液をスピンナで回転塗布
し、80℃で40分間乾燥して６μｍ厚の感光性重合体組成
物の塗膜を得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで4
00℃で60分間加熱して、下式 の反復単位で表わされる３μｍ厚ポリイミド膜を得た。
これにより半導体基板上にポリイミド膜を形成した半導
体装置を得た。
成した半導体基板上に、接着補助層を形成することな
く、上記感光性重合体組成物溶液をスピンナで回転塗布
し、80℃で40分間乾燥して６μｍ厚の感光性重合体組成
物の塗膜を得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで4
00℃で60分間加熱して、下式 の反復単位で表わされる３μｍ厚ポリイミド膜を得た。
これにより半導体基板上にポリイミド膜を形成した半導
体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
比較例1. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル100
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1243.3gに
溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷
して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリット
酸二無水物109g（0.5モル）を加えた。加え終えてから
更に約15℃で約３時間撹拌反応させて、下記の基本骨格
を持つ粘度約35ポアズ（25℃）のポリアミド酸 の溶液を得た。
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1243.3gに
溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷
して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリット
酸二無水物109g（0.5モル）を加えた。加え終えてから
更に約15℃で約３時間撹拌反応させて、下記の基本骨格
を持つ粘度約35ポアズ（25℃）のポリアミド酸 の溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成することな
く、上記ポリアミド酸溶液をスピンナで回転塗布し、80
℃で40分間乾燥し、次いで180℃で30分間加熱し、次い
で400℃で60分間加熱して、下式 の反復単位で表わされる３μｍ厚ポリイミド膜を得た。
これにより半導体基板上にポリイミド膜を形成した半導
体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成することな
く、上記ポリアミド酸溶液をスピンナで回転塗布し、80
℃で40分間乾燥し、次いで180℃で30分間加熱し、次い
で400℃で60分間加熱して、下式 の反復単位で表わされる３μｍ厚ポリイミド膜を得た。
これにより半導体基板上にポリイミド膜を形成した半導
体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体とが剥離した。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体とが剥離した。
参考例2. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル100
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1437gに溶
解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷し
て約15℃の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,4,4′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物132.3g（0.45モ
ル）と1,3−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）−1,
1′,3,3′−テトラメチルジシロキサン二無水物21.3g
（0.05モル）を加えた。加え終えてから更に約15℃で約
３時間撹拌反応させて、シロキサンを含む下記の骨格を
持つ粘度約35ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R11は が9:1）の溶液を得た。
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1437gに溶
解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷し
て約15℃の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,4,4′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物132.3g（0.45モ
ル）と1,3−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）−1,
1′,3,3′−テトラメチルジシロキサン二無水物21.3g
（0.05モル）を加えた。加え終えてから更に約15℃で約
３時間撹拌反応させて、シロキサンを含む下記の骨格を
持つ粘度約35ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R11は が9:1）の溶液を得た。
上記ポリアミド酸溶液20gに（N,N−ジメチルアミノ）
エチルメタクリレート0.79g（0.005モル）、2,6−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘキ
サノン0.74g（0.002モル）を溶解し、次いで５μｍ孔の
フィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成物溶液
を得た。
エチルメタクリレート0.79g（0.005モル）、2,6−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘキ
サノン0.74g（0.002モル）を溶解し、次いで５μｍ孔の
フィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成物溶液
を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成することな
く、感光性重合体組成物溶液をスピンナで回転塗布し、
80℃で40分間乾燥して６μｍ厚の感光性重合体組成物の
塗膜を得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃
で60分間加熱して、下式 の反復単位で表わされる３μｍ厚ポリイミド膜を得た。
これにより半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導
体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成することな
く、感光性重合体組成物溶液をスピンナで回転塗布し、
80℃で40分間乾燥して６μｍ厚の感光性重合体組成物の
塗膜を得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃
で60分間加熱して、下式 の反復単位で表わされる３μｍ厚ポリイミド膜を得た。
これにより半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導
体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
比較例2. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル100
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1437gに溶
解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷し
て約15℃の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,4,4′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物147gを加えた。加
え終えてから更に約15℃で約３時間撹拌反応させて、粘
度約35ポアズ（25℃）のポリアミド酸 の溶液を得た。
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1437gに溶
解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷し
て約15℃の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,4,4′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物147gを加えた。加
え終えてから更に約15℃で約３時間撹拌反応させて、粘
度約35ポアズ（25℃）のポリアミド酸 の溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成することな
く、上記ポリアミド酸溶液をスピンナで回転塗布し、80
℃で40分間乾燥し、次いで180℃で30分間加熱し、次い
で400℃で60分間加熱して、下式 の反復単位で表わされる３μｍ厚ポリイミド膜を得た。
これにより半導体基板上にポリイミド膜を形成した半導
体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成することな
く、上記ポリアミド酸溶液をスピンナで回転塗布し、80
℃で40分間乾燥し、次いで180℃で30分間加熱し、次い
で400℃で60分間加熱して、下式 の反復単位で表わされる３μｍ厚ポリイミド膜を得た。
これにより半導体基板上にポリイミド膜を形成した半導
体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体とが剥離した。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体とが剥離した。
参考例3. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル100
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1375.9gに
溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷
して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリット
酸二無水物49.05g（0.225モル）、3,3′,4,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物72.45g（0.225モ
ル）、1,3−ビス（3,4−ジカルボキシフェニ）−1,1′,
3,3′−テトラメチルジシロキサン二無水物21.3g（0.05
モル）を加えた。加え終えてから更に約15℃で約３時間
撹拌反応させて、シロキサンを含む下記の基本骨格を持
つ、粘度約30ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R12は が45:45:10） の溶液を得た。
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン1375.9gに
溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷
して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下にピロメリット
酸二無水物49.05g（0.225モル）、3,3′,4,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物72.45g（0.225モ
ル）、1,3−ビス（3,4−ジカルボキシフェニ）−1,1′,
3,3′−テトラメチルジシロキサン二無水物21.3g（0.05
モル）を加えた。加え終えてから更に約15℃で約３時間
撹拌反応させて、シロキサンを含む下記の基本骨格を持
つ、粘度約30ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R12は が45:45:10） の溶液を得た。
上記ポリアミド酸溶液20gに（N,N−ジメチルアミノ）
エチルメタクリレート0.79g（0.005モル）、2,6−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘキ
サノン0.74g（0.002モル）を溶解し、次いで５μｍ孔フ
ィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成物溶液を
得た。
エチルメタクリレート0.79g（0.005モル）、2,6−ジ
（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシクロヘキ
サノン0.74g（0.002モル）を溶解し、次いで５μｍ孔フ
ィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成物溶液を
得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成することな
く、感光性重合体組成物溶液をスピンナで回転塗布し、
80℃で40分間乾燥し、６μｍ厚の感光性重合体組成物の
塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得るためのフ
ォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン４容、エタノール１容から成る混液で現像し、次いで
エタノールでリンスして所望のパターンを得た。次いで
400℃で30分間加熱して、次いで400℃で60分間加熱し
て、下式 の反復単位で表わされる、所望のパターン形状をした３
μｍ厚ポリイミド膜を得た。これにより半導体基体上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成することな
く、感光性重合体組成物溶液をスピンナで回転塗布し、
80℃で40分間乾燥し、６μｍ厚の感光性重合体組成物の
塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得るためのフ
ォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン４容、エタノール１容から成る混液で現像し、次いで
エタノールでリンスして所望のパターンを得た。次いで
400℃で30分間加熱して、次いで400℃で60分間加熱し
て、下式 の反復単位で表わされる、所望のパターン形状をした３
μｍ厚ポリイミド膜を得た。これにより半導体基体上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
参考例4. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル90g
（0.45モル）、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン9.6g（0.05モル）をＮ−メチル−２−ピ
ロリドン876gに溶解し、アミン溶液を調合した。次に、
この溶液を氷冷して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下
にピロメリット酸二無水物98.1g（0.45モル）と1,3−ビ
ス（3,4−ジカルボキシフェニ）−1,1′,3,3′−テトラ
メチルジシロキサン二無水物21.3g（0.05モル）を加え
た。加え終えてから更に約15℃で約３時間撹拌反応させ
て、シロキサンを含む下記の基本骨格を持つ、粘度約33
ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R13は 9:1,R14は が9:1）の溶液を得た。
（0.45モル）、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン9.6g（0.05モル）をＮ−メチル−２−ピ
ロリドン876gに溶解し、アミン溶液を調合した。次に、
この溶液を氷冷して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下
にピロメリット酸二無水物98.1g（0.45モル）と1,3−ビ
ス（3,4−ジカルボキシフェニ）−1,1′,3,3′−テトラ
メチルジシロキサン二無水物21.3g（0.05モル）を加え
た。加え終えてから更に約15℃で約３時間撹拌反応させ
て、シロキサンを含む下記の基本骨格を持つ、粘度約33
ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R13は 9:1,R14は が9:1）の溶液を得た。
上記ポリアミド酸溶液20gに（N,N−ジメチルアミノ）
エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−ジ
（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５μ
ｍ孔フィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成物
溶液を得た。
エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−ジ
（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５μ
ｍ孔フィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成物
溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物をスピンナで回転塗
布し、80℃で40分間乾燥して、４μｍ厚の感光性重合体
組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得る
ためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱して、次いで400℃で60分
間加熱して、下式 の反復単位で表わされる、所望のパターン形状をした２
μｍ厚ポリイミド膜を得た。これにより半導体基体上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物をスピンナで回転塗
布し、80℃で40分間乾燥して、４μｍ厚の感光性重合体
組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得る
ためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱して、次いで400℃で60分
間加熱して、下式 の反復単位で表わされる、所望のパターン形状をした２
μｍ厚ポリイミド膜を得た。これにより半導体基体上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
参考例5. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル90g
（0.45モル）、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン9.6g（0.05モル）をＮ−メチル−２−ピ
ロリドン986.4gに溶解し、アミノ溶液を調合した。次
に、この溶液を氷冷して約15℃の温度に保ちながら、撹
拌下に3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物147g（0.5モル）を加えた、加え終えてから更に約1
5℃で約３時間撹拌反応させて、シロキサンを含む下記
骨格を持つ粘度約40ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R15は が9:1）の溶液（Ａ）を得た。
（0.45モル）、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン9.6g（0.05モル）をＮ−メチル−２−ピ
ロリドン986.4gに溶解し、アミノ溶液を調合した。次
に、この溶液を氷冷して約15℃の温度に保ちながら、撹
拌下に3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物147g（0.5モル）を加えた、加え終えてから更に約1
5℃で約３時間撹拌反応させて、シロキサンを含む下記
骨格を持つ粘度約40ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R15は が9:1）の溶液（Ａ）を得た。
上記ポリアミド酸溶液（Ａ）20gに（N,N−ジメチルア
ミノ）エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−
ジ（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシ
クロヘキサノン0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５
μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組
成物溶液を得た。
ミノ）エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−
ジ（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシ
クロヘキサノン0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５
μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組
成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、下式（ａ） の反復単位で表わされる。所望のパターン形状をした２
μｍ厚ポリイミド膜を得た。これにより半導体基体上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、下式（ａ） の反復単位で表わされる。所望のパターン形状をした２
μｍ厚ポリイミド膜を得た。これにより半導体基体上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例6. 参考例５で得られた溶液（Ａ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メトキ
シシクロヘキサノン0.39g（0.001モル）を溶解し、次い
で１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合
体組成物溶液を得た。
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メトキ
シシクロヘキサノン0.39g（0.001モル）を溶解し、次い
で１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合
体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面形成し、最上表面にSiO2膜を形成
した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記に
より得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回転
塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合体
組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得る
ためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記に
より得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回転
塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合体
組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得る
ためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例7. 参考例５で得られた溶液（Ａ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メチロ
ールシクロヘキサノン0.39g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メチロ
ールシクロヘキサノン0.39g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例8. 参考例５で得られた溶液（Ａ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルボ
キシシクロヘキサノン0.40g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルボ
キシシクロヘキサノン0.40g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性を向上させることができた。
参考例9. 参考例５で得られた溶液（Ａ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−トリメ
チルシリルシクロヘキサノン0.43g（0.001モル）を溶解
し、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感
光性重合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−トリメ
チルシリルシクロヘキサノン0.43g（0.001モル）を溶解
し、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感
光性重合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容かる成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容かる成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例10. 参考例５で得られた溶液（Ａ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）ビチルメタクリレート1.85g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロ
キシシクロヘキサノン0.37g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）ビチルメタクリレート1.85g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロ
キシシクロヘキサノン0.37g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して４μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした２μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例11. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル90g
（0.45モル）、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン0.6g（0.06モル）をＮ−メチル−２−ピ
ロリドンとN,N−ジメチルアセトアミドの１対１混液98
6.4gに溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液
を氷冷して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,
4,4′−ブフェニルテトラカルボン酸二無水物147g（0.5
モル）を加えた。加え終えてから更に約15℃で約４時間
撹拌反応させて、粘度約ポアズ（25℃）のポリアミド酸 の溶液（Ｂ）を得た。
（0.45モル）、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン0.6g（0.06モル）をＮ−メチル−２−ピ
ロリドンとN,N−ジメチルアセトアミドの１対１混液98
6.4gに溶解し、アミン溶液を調合した。次に、この溶液
を氷冷して約15℃の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,
4,4′−ブフェニルテトラカルボン酸二無水物147g（0.5
モル）を加えた。加え終えてから更に約15℃で約４時間
撹拌反応させて、粘度約ポアズ（25℃）のポリアミド酸 の溶液（Ｂ）を得た。
上記ポリアミド酸溶液（Ｂ）20gに（N,N−ジメチルア
ミノ）エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−
ジ（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシ
クロヘキサノ0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５μ
ｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成
物溶液を得た。
ミノ）エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−
ジ（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシ
クロヘキサノ0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５μ
ｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成
物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる、所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる、所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例12. 参考例11で得られた溶液（Ｂ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルボ
キシシクロヘキサノン0.40g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルボ
キシシクロヘキサノン0.40g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例13. 参考例11で得られた溶液（Ｂ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メチロ
−ルシクロヘキサノン0.39g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メチロ
−ルシクロヘキサノン0.39g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる、所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる、所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例14. 参考例11で得られた溶液（Ｂ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルボ
キシシクロヘキサノン0.40g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルボ
キシシクロヘキサノン0.40g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる、所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる、所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例15. 参考例11で得られた溶液（Ｂ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−トリメ
チルシリルシクロヘキサノン0.43g（0.001モル）を溶解
し、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感
光性重合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）プロピルメタクリレート1.71g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−トリメ
チルシリルシクロヘキサノン0.43g（0.001モル）を溶解
し、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感
光性重合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる。所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と接
着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造するこ
とができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と接
着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造するこ
とができた。
参考例16. 参考例11で得られた溶液（Ｂ）20gに３−（N,N−ジメ
チルアミノ）ビチルメタクリレート1.85g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロ
キシシクロヘキサノン0.37g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
チルアミノ）ビチルメタクリレート1.85g（0.01モ
ル）、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロ
キシシクロヘキサノン0.37g（0.001モル）を溶解し、次
いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重
合体組成物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる、所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して８μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、式（ａ）の反復単位で表わされる、所望のパ
ターン形状をした４μｍ厚ポリイミド膜を得た。これに
より半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置
を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例17. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル100
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドンとN,N−ジ
メチルアセトアミドの１対１混液1511.9gに溶解し、ア
ミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷して約15℃
の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,4,4′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物102.9g（0.35モル）と1,3
−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）−1,1,3,3−テト
ラメチルジシロキサン二無水物63.9g（0.15モル）を加
えた。加え終えてから更に約15℃で３時間撹拌反応させ
て、粘度約45ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R16は が7:3）の溶液を得た。
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドンとN,N−ジ
メチルアセトアミドの１対１混液1511.9gに溶解し、ア
ミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷して約15℃
の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,4,4′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物102.9g（0.35モル）と1,3
−ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）−1,1,3,3−テト
ラメチルジシロキサン二無水物63.9g（0.15モル）を加
えた。加え終えてから更に約15℃で３時間撹拌反応させ
て、粘度約45ポアズ（25℃）のポリアミド酸 （但し、R16は が7:3）の溶液を得た。
上記ポリアミド酸溶液20gに（N,N−ジメチルアミノ）
エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−ジ
（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５μ
ｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成
物溶液を得た。
エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−ジ
（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５μ
ｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成
物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、６μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分
間加熱して、下式 の反復単位で表わされる、所望のパターン形状をした３
μｍ厚ポリアミド膜を得た。これにより半導体基板上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、６μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分
間加熱して、下式 の反復単位で表わされる、所望のパターン形状をした３
μｍ厚ポリアミド膜を得た。これにより半導体基板上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
参考例18. 窒素気流気下に4,4−ジアミノジフェニルエーテル100
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドンとN,N−ジ
メチルアセトアミドの１対１混液1519.8gに溶解し、ア
ミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷して約15℃
の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物16.1g（0.05モル）と
3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物88.
2g（0.3モル）と1,3−ビス（3,4−ジカルボキシフェニ
ル）−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン二無水物63.
9g（0.15モル）を加えた。加え終えてから更に約15℃で
約３時間撹拌反応させて、粘度約35ポアズ（25℃）のポ
リアミド酸 （但し、R17は が1:6:3）の溶液を得た。
g（0.5モル）をＮ−メチル−２−ピロリドンとN,N−ジ
メチルアセトアミドの１対１混液1519.8gに溶解し、ア
ミン溶液を調合した。次に、この溶液を氷冷して約15℃
の温度に保ちながら、撹拌下に3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物16.1g（0.05モル）と
3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物88.
2g（0.3モル）と1,3−ビス（3,4−ジカルボキシフェニ
ル）−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン二無水物63.
9g（0.15モル）を加えた。加え終えてから更に約15℃で
約３時間撹拌反応させて、粘度約35ポアズ（25℃）のポ
リアミド酸 （但し、R17は が1:6:3）の溶液を得た。
上記により得られた溶液20gに（N,N−ジメチルアミ
ノ）エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−ジ
（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５μ
ｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成
物溶液を得た。
ノ）エチルメタクリレート1.57g（0.01モル）、2,6−ジ
（４′−アジドシンナミリデン）−４−ヒドロキシシク
ロヘキサノン0.42g（0.001モル）を溶解し、次いで５μ
ｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し、感光性重合体組成
物溶液を得た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、６μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、下式 の反復単位で表わされる、所望のパターン形状をした３
μｍ厚ポリアミド膜を得た。これにより半導体基板上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、６μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して、下式 の反復単位で表わされる、所望のパターン形状をした３
μｍ厚ポリアミド膜を得た。これにより半導体基板上に
ポリイミド膜を形成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
参考例19. 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸 10g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分
間加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミ
ド膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を
形成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分
間加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミ
ド膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を
形成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
と接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造す
ることができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
と接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造す
ることができた。
参考例20. 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸 10g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して２μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して２μｍ厚の感光性重合
体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを得
るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現像
し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを得
た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例21. 以下の化学式で表わされる感光製ポリアミド酸エステ
ル （但し、R18は が8:2） 10g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
ル （但し、R18は が8:2） 10g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分
間加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミ
ド膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を
形成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分
間加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミ
ド膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を
形成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずポリイミド膜と半導体基体と
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
参考例22. 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸 （但し、R19は と が7:3） 10g、３−（N,N−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ
ート7g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピ
ロリドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製し
た。次に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧
濾過した。
ート7g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピ
ロリドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製し
た。次に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧
濾過した。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分
間加熱して、次いで400℃で60分間加熱して所望のパタ
ーン形状をした１μｍ厚ポリイミド膜を得た。これによ
り半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置を
得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次いで180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分
間加熱して、次いで400℃で60分間加熱して所望のパタ
ーン形状をした１μｍ厚ポリイミド膜を得た。これによ
り半導体基体上にポリイミド膜を形成した半導体装置を
得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
と接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造す
ることができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
と接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造す
ることができた。
参考例23 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸エステ
ル 10g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
ル 10g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
参考例24 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸エステ
ル （但し、R20は が3:7） 10g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
ル （但し、R20は が3:7） 10g、ミヒラケトン0.2gを60gのＮ−メチル−２−ピロリ
ドンに溶解して感光性重合体組成物溶液を調製した。次
に、この溶液を１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過し
た。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
実施例１ 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸エステル 10g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アジドベンザ
ル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.001モ
ル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して感
光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を１
μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
ル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.001モ
ル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して感
光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を１
μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
参考例26 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸エステ
ル （但し、R21は が9:1） 10g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アジドベンザ
ル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.001モ
ル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して感
光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を１
μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
ル （但し、R21は が9:1） 10g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アジドベンザ
ル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.001モ
ル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して感
光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を１
μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
参考例27 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸エステ
ル 10g、３−（N,N−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ
ート7g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アジドベ
ンザル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.00
1モル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して
感光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を
１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
ル 10g、３−（N,N−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ
ート7g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アジドベ
ンザル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.00
1モル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して
感光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を
１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500間信頼性試験を行なったところ、
ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められず、
接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体との
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
クレープ中で連続500間信頼性試験を行なったところ、
ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められず、
接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体との
接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができた。
実施例２ 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸エステ
ル 10g、３−（N,N−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ
ート7g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アドベン
ザル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.001
モル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して
感光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を
１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
ル 10g、３−（N,N−ジメチルアミノ）プロピルメタクリレ
ート7g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アドベン
ザル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.001
モル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して
感光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を
１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
参考例29 以下の化学式で表わされる感光性ポリアミド酸エステ
ル 10g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アジドベンザ
ル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.001モ
ル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して感
光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を１
μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
ル 10g、ミヒラケトン0.2g、2,6−ジ（４′−アジドベンザ
ル）−４−カルボクシシクロヘキサノン0.4g（0.001モ
ル）を60gのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解して感
光性重合体組成物溶液を調製した。次に、この溶液を１
μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過した。
半導体素子を一主面に形成し、最上表面にSiO2膜を形
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
成した半導体基体上に、接着補助層を形成せずに、上記
により得られた感光性重合体組成物溶液をスピンナで回
転塗布し、80℃で40分間乾燥して、２μｍ厚の感光性重
合体組成物の塗膜を得た。この塗膜を所望のパターンを
得るためのフォトマスクを用いて露光し、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４容、エタノール１容から成る混液で現
像し、次いでエタノールでリンスして所望のパターンを
得た。次に180℃で30分間加熱し、次いで400℃で60分間
加熱して所望のパターン形状をした１μｍ厚ポリイミド
膜を得た。これにより半導体基体上にポリイミド膜を形
成した半導体装置を得た。
この半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、接着補助層を形成せずにポリイミド膜と半導体基体
との接着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を製造
することができた。
参考例30 第１図は、半導体装置の一参考例の断面図を示す。
第１図に示す半導体装置は、バイポーラトランジスの
例であって、基体に、コレクタ１とベース２とエミッタ
３と、Al電極６とを設けて構成される。ここで、エミッ
タ３はベース２に囲まれ、ベース２はコレクタ１に囲ま
れて、それぞれ、基体の一方の面に、一部が現われてい
る。
例であって、基体に、コレクタ１とベース２とエミッタ
３と、Al電極６とを設けて構成される。ここで、エミッ
タ３はベース２に囲まれ、ベース２はコレクタ１に囲ま
れて、それぞれ、基体の一方の面に、一部が現われてい
る。
また、これらの面上には、SiO2膜が形成されている。
このSiO2膜４には、開口部が設けられている。開口部に
は、Al電極６が形成されている。さらに、それらの上面
には、保護膜としてポリイミド膜５が形成されている。
ポリイミド膜５は、参考例14で使用した感光性重合体に
より形成される。さらに、ポリイミド膜５は、Al電極６
の導通部を覆わないように開口して設けられる。
このSiO2膜４には、開口部が設けられている。開口部に
は、Al電極６が形成されている。さらに、それらの上面
には、保護膜としてポリイミド膜５が形成されている。
ポリイミド膜５は、参考例14で使用した感光性重合体に
より形成される。さらに、ポリイミド膜５は、Al電極６
の導通部を覆わないように開口して設けられる。
上記半導体装置を120℃、２気圧の一定条件でオート
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性が向上したことを確認できた。
クレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性が向上したことを確認できた。
参考例31 第２図は、第１図と異なる半導体装置の一実施例の断
面図を示す。
面図を示す。
本実施例の半導体装置は、シリコン基板18に、トラン
ジスタ等の回路素子を１以上設けると共に、配線層等を
設けて構成されるプレーナ構造のICの例である。第２図
には、その一部を示す。
ジスタ等の回路素子を１以上設けると共に、配線層等を
設けて構成されるプレーナ構造のICの例である。第２図
には、その一部を示す。
第２図に示すシリコン基体18には、コレクタ11とベー
ス12とエミッタ13とを有するトランジスタが設けられて
いる。また、シリコン基体18には、SiO2膜14が設けられ
ている。
ス12とエミッタ13とを有するトランジスタが設けられて
いる。また、シリコン基体18には、SiO2膜14が設けられ
ている。
SiO2膜14には、所定の目的に応じて、例えば、ベース
12とエミッタ13とから電極を取りだすために、開口部が
設けられる。この開口部には、必要に応じて、Al電極16
が形成されている。また、SiO2膜14には、Alからなる配
線19が設けられている。
12とエミッタ13とから電極を取りだすために、開口部が
設けられる。この開口部には、必要に応じて、Al電極16
が形成されている。また、SiO2膜14には、Alからなる配
線19が設けられている。
それらの上面には、絶縁膜としてポリイミド膜15が形
成されている。ポリイミド膜15は、参考例14で使用した
感光性重合体組成物により形成される。ポリイミド膜15
は、下層Al電極16等と接続するための貫通孔20が設けら
れており、さらに、ポリイミド膜15上には、前記貫通孔
20を介して、Al電極16と導通するAl電極17が設けられて
いる。
成されている。ポリイミド膜15は、参考例14で使用した
感光性重合体組成物により形成される。ポリイミド膜15
は、下層Al電極16等と接続するための貫通孔20が設けら
れており、さらに、ポリイミド膜15上には、前記貫通孔
20を介して、Al電極16と導通するAl電極17が設けられて
いる。
本参考例の半導体装置の製造方法について説明する。
シリコン基体18に作り込まれたエミッタ13、コレクタ
11、ベース12の各領域から電極を取り出すため、SiO膜1
4に開孔部を設ける。第一層配線導体（第２図ではAl電
極16および配線19）は、約２μｍのAlを真空蒸着により
堆積し、フォトエッチング技術により所定のパターンを
得る。
11、ベース12の各領域から電極を取り出すため、SiO膜1
4に開孔部を設ける。第一層配線導体（第２図ではAl電
極16および配線19）は、約２μｍのAlを真空蒸着により
堆積し、フォトエッチング技術により所定のパターンを
得る。
次に、参考例14と同様にして、パターン化されたポリ
イミド膜15を形成した。なお、ポリイミド膜15の膜厚は
約４μｍであり、貫通孔20は一辺が10μｍの正方形であ
る。ポリイミド膜15と第２層配線導体（第２図ではAl電
極17）との接着強度を上げるため、ポリイミド膜15を酸
素プラズマで処理する。次に、約３μｍのAl膜を真空蒸
着法で堆積し、フォトエッチング技術によりパターン化
して第２層配線導体とする。
イミド膜15を形成した。なお、ポリイミド膜15の膜厚は
約４μｍであり、貫通孔20は一辺が10μｍの正方形であ
る。ポリイミド膜15と第２層配線導体（第２図ではAl電
極17）との接着強度を上げるため、ポリイミド膜15を酸
素プラズマで処理する。次に、約３μｍのAl膜を真空蒸
着法で堆積し、フォトエッチング技術によりパターン化
して第２層配線導体とする。
上記半導体装置を、120℃、２気圧の一定条件でオー
トクレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性が向上したことを確認できた。
トクレープ中で連続500時間信頼性試験を行なったとこ
ろ、ポリイミド膜と半導体基体との剥離は全く認められ
ず、半導体装置の信頼性が向上したことを確認できた。
なお、上記参考例30および31では、参考例14に示すポ
リイミド膜を用いたが、他の実施例に示すものを用いて
もよい。
リイミド膜を用いたが、他の実施例に示すものを用いて
もよい。
また、参考例30および31では、トランジスタを含む例
を示したが、トランジスタ以外の回路素子を含むもので
あってもよい。例えば、半導体素子を含み、または、含
まない電子回路体が挙げられる。この場合、表面に露出
する部分に、SiO2等のSiを含む層があれば、上記各実施
例のポリイミドの膜を強固に接着することができる。従
って、基体は、必ずしもSiであることを要しない。さら
に、本発明は、半導体装置に限らず、シロキサンと親和
性のよい物質、特に、Siを含む層上にポリイミド膜を形
成する場合にも適用することができる。
を示したが、トランジスタ以外の回路素子を含むもので
あってもよい。例えば、半導体素子を含み、または、含
まない電子回路体が挙げられる。この場合、表面に露出
する部分に、SiO2等のSiを含む層があれば、上記各実施
例のポリイミドの膜を強固に接着することができる。従
って、基体は、必ずしもSiであることを要しない。さら
に、本発明は、半導体装置に限らず、シロキサンと親和
性のよい物質、特に、Siを含む層上にポリイミド膜を形
成する場合にも適用することができる。
本発明の半導体装置は、半導体素子とポリイミド絶縁
膜との間に、接着補助層を形成しなくとも、半導体素子
とポリイミド絶縁膜との間で十分な接着性を確保でき
る。
膜との間に、接着補助層を形成しなくとも、半導体素子
とポリイミド絶縁膜との間で十分な接着性を確保でき
る。
このため、接着補助層を設ける工程と、接着補助層を
部分的に除去する工程とを必要としない。
部分的に除去する工程とを必要としない。
また、接着補助層を用いないので、除去しきれなかっ
た除去補助層が、コンタクト抵抗不良などの素子の特性
の低下を生じることもなく、半導体の信頼性を向上する
ことができる。
た除去補助層が、コンタクト抵抗不良などの素子の特性
の低下を生じることもなく、半導体の信頼性を向上する
ことができる。
第１図は本発明の半導体装置の一参考例、第２図は第１
図とは異なる本発明の半導体装置の一参考例である。 1,11……コレクタ 2,12……ベース 3,13……エミッタ 4,14……SiO2膜 5,15……ポリイミド膜 6,16,17……Al電極 18……シリコン基板。 19……配線 20……貫通孔
図とは異なる本発明の半導体装置の一参考例である。 1,11……コレクタ 2,12……ベース 3,13……エミッタ 4,14……SiO2膜 5,15……ポリイミド膜 6,16,17……Al電極 18……シリコン基板。 19……配線 20……貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−283554（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−170929（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−210164（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−85220（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−179563（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−152018（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基体上に、下記一般式（８）で表される反
復単位からなるポリアミド酸を含む感光性重合体組成物
の塗膜を形成する工程と、 前記塗膜を露光し、現像を行ないパターンを形成する工
程と、 前記パターンを加熱硬化させてポリイミド膜に転化する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （ただし、このポリアミド酸は、R22が下記（ｆ）と下
記（ｇ）とであって、１分子中のR22に占める（ｆ）の
割合は、10〜30モル％であり、 R2が、下記（e1）または下記（e2）であって、１分子中
のR2に占める の割合は、10モル％以下である共重合体である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308729A JP2644599B2 (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308729A JP2644599B2 (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03168214A JPH03168214A (ja) | 1991-07-22 |
| JP2644599B2 true JP2644599B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17984585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308729A Expired - Fee Related JP2644599B2 (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2644599B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2853629B2 (ja) * | 1995-12-28 | 1999-02-03 | 日本電気株式会社 | 液晶配向膜材料及び液晶表示パネルの製造方法 |
| KR100589067B1 (ko) | 2001-10-30 | 2006-06-14 | 가부시키가이샤 가네카 | 감광성 수지 조성물, 이것을 이용한 감광성 필름 및 적층체 |
| JP4720124B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2011-07-13 | 住友ベークライト株式会社 | ポリアミド樹脂及びそのポジ型感光性樹脂組成物、並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子及びこれらの製造方法 |
| JP4650018B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2011-03-16 | 住友ベークライト株式会社 | ポリアミド樹脂及びポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 |
| JP5245474B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | スクリーン印刷用樹脂組成物 |
| JP2025511482A (ja) * | 2022-10-14 | 2025-04-16 | 寧徳時代新能源科技股▲分▼有限公司 | 負極板、その製造方法、二次電池及び電力消費装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58152018A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の保護被膜材料用組成物 |
| JPS57170929A (en) * | 1982-03-19 | 1982-10-21 | Hitachi Ltd | Photosensitive polymeric composition |
| JPS62179563A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性重合体組成物 |
| JPS63210164A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子保護用組成物 |
| JPS6485220A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | Protective coating material composition for semiconductor device |
| JPH01283554A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Hitachi Ltd | 耐熱感光性重合体組成物 |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1308729A patent/JP2644599B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03168214A (ja) | 1991-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4786569A (en) | Adhesively bonded photostructurable polyimide film | |
| US6600006B2 (en) | Positive-type photosensitive polyimide precursor and composition comprising the same | |
| JP2004156012A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体用可溶性ポリイミドおよびこれを含む感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JP2644599B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0430220B1 (en) | Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it | |
| CN115826360A (zh) | 感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、固化物和电子部件 | |
| EP0418870B1 (en) | Radiation sensitive polymer composition | |
| JP7565088B2 (ja) | 感光性ポリイミド樹脂組成物 | |
| KR100414697B1 (ko) | 감광성 수지조성물 및 이를 사용한 반도체장치 | |
| EP0308270B1 (en) | Processes for preparation of polyimide-isoindoquinazoline dione and precursor thereof | |
| JP4655757B2 (ja) | ポジ型感光性接着剤 | |
| JPS6256948A (ja) | 被覆材料 | |
| JP4258690B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPS60121740A (ja) | 多層配線構造体 | |
| US4851506A (en) | Photostructurable polyimide mixtures | |
| JP3732564B2 (ja) | 配線構造体、その製造方法、および層間絶縁膜 | |
| JP2625910B2 (ja) | ポリイミド積層膜の製造方法 | |
| JPH07278301A (ja) | ポリイミド前駆体、ポリイミド前駆体組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3514884B2 (ja) | 表面保護膜、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3462713B2 (ja) | 半導体装置、その製造方法および表面保護膜 | |
| JP2559720B2 (ja) | 感光性重合体組成物 | |
| JP3761009B2 (ja) | 積層体の製造法 | |
| JPH0990629A (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置の製造法 | |
| JP2890491B2 (ja) | 化学線感応性重合体組成物 | |
| JPH09189997A (ja) | 半導体装置、その製造方法、および表面保護膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080502 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080502 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090502 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |