JP2634730B2 - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents

光電変換素子の製造方法

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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換素子の製造方
法に関し、特に光電変換機能を有する生体高分子複合体
を用いた光電変換素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光合成細菌から調製した光電変換機能を
有する生体高分子複合体を利用し、光電変換素子を作成
する技術が、特開平1−110224号、特開平1−2
31886号公報等に提案されている。光電変換活性層
の形成方法としては、塗布法、印刷法、電着法、スピン
コート法が知られている。
【0003】また、光電変換活性層の材料として、クロ
マトフォア(光合成器官膜断片)、スフェロプラスト
(細胞壁を取り除いた膜小胞)、光電変換機能を持つ生
体高分子複合体を可溶化、精製した後にリポソームに組
み込んだ試料等が知られている。
【0004】たとえば、特開平1−110224号公
報、特開平1−231886号公報は、紅色光合成細菌
の一種であるロドシュードモナス・ビリディス(ATC
C19567)のクロマトフォアを用いて光電変換素子
を作製する方法を開示している。
【0005】菌体を破砕し、分画することでクロマトフ
ォアと呼ばれる光合成膜断片の小胞化したものを得、こ
のクロマトフォアをトリス−塩酸緩衝液(pH8.0)
に懸濁したものを利用し、光電変換活性層を形成する。
【0006】塗布乾燥法、スピンコート法では、約10
mMトリス塩酸(pH約7.8)を緩衝液として用いて
いた。また、電着法では、電場を利用するために溶液の
導電性を低くする必要があり、緩衝能を維持できる低濃
度(通常、約3mM)のトリス塩酸(pH約7.8)を
緩衝液として使用していた。
【0007】このような方法で得られた光電変換素子か
らは、開放光電圧約10mV、短絡光電流約100pA
程度の光応答が得られ、その持続時間は数十ミリ秒程度
であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
生体高分子複合体を用いて、光電変換素子を作製するこ
とができる。しかしながら、その光電応答は絶対値が低
かった。
【0009】本発明の目的は、生体高分子複合体を用
い、光電応答の大きな光電変換素子を製造することので
きる光電変換素子の製造方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換素子の
製造方法は、光電変換機能を有する生体高分子複合体を
用いて光電変換活性層を形成する工程と、光電変換活性
層を乾燥させる工程と、光電変換活性層を形成した後、
形成した光電変換活性層に緩衝液を添加して所定の緩衝
剤濃度にする工程とを含む。
【0011】
【0012】
【作用】本発明者らは、光電変換機能を有する生体高分
子複合体を用いて光電変換活性層を形成した後、光電変
換活性層に緩衝液を添加すると、光電応答が増大するこ
とを発見した。
【0013】緩衝液の添加は、光電変換活性層が未乾燥
の状態でも乾燥させた後でもよい。
【0014】
【実施例】図1に、以下に述べる製造方法によって製造
する光電変換素子の構造を概略的に示す。ガラス基板1
0の上に、インジウム錫酸化物(ITO)電極1を形成
する。このITO電極1は、2つの部分1aと1bとに
分割されている。
【0015】ITO電極1の上に、従来の光電変換活性
層よりも緩衝液濃度の高い光電変換活性層2を形成す
る。光電変換活性層2を乾燥させた後、その上に金(A
u)の対向電極3を形成する。
【0016】このAu対向電極3は、ITO電極の一方
1bと端部で接続される。他方のITO電極1aに取出
しリード線4aを接続し、Au対向電極3に取出リード
線4bを接続する。
【0017】このようにして形成した光電変換素子にガ
ラス基板10側から光を入射すると、入射光はガラス基
板10、ITO電極1を透過して光電変換活性層2に入
射する。光電変換活性層2の光電応答は、取出しリード
線4a、4bから取り出される。
【0018】なお、上記工程の光電変換素子を実用化す
る場合には、Au対向電極の上にさらにガラス基板を重
ね、周囲をシールすること等によって光電変換素子を気
密に封止することが好ましい。なお、光学変換活性層を
透明電極と他の電極の間に挟める構造であれば、他の構
造を採用してもよい。
【0019】以下、光電変換活性層2をクロマトフォア
を用いて形成する場合を例にとって説明する。嫌気的条
件下で光培養した紅色光合成細菌ロドシュードモナス・
ビリディス(ATCC19567)を超音波で破砕し、
分画遠心分離を行なうことで光合成器官膜断片であるク
ロマトフォアを調製する。
【0020】このクロマトフォアを燐酸ナトリウム緩衝
液(3mM、pH7.0)に懸濁し、クロマトフォア濃
度を波長1015nmの光学吸収密度(OD)で約10
0に調整する。この光学吸収密度を示すクロマトフォア
溶液は蛋白濃度約40mg/mlに相当する。なお、こ
の対応関係は牛血清γグロブミンを標準試料とした色素
結合法(ブラッドフォード法)によって求めた。
【0021】別途、ガラス基板10の上にITO電極1
a、1bを形成する。このITO電極1を形成したガラ
ス基板10上に、上述のように調製したクロマトフォア
懸濁液を用いて、光電変換活性層を形成する。この未乾
燥の状態の光電変換活性層に緩衝液を適当量添加する。
緩衝液の濃度は、たとえば約10〜1000mMとす
る。
【0022】緩衝液を添加した光電変換活性層を乾燥さ
せ、乾燥後の光電変換活性層上に真空蒸着等により、A
uを約200Å蒸着してAu対向電極3を形成する。そ
の後、ITO電極1aと、Au対向電極3に取出しリー
ド線4a、4bを取付け、光電変換素子を完成する。
【0023】光合成細菌には、上述のロドシュードモナ
ス・ビリディスの他、ロドバクタ・スフェロイデス(A
TCC17023)等の菌体を用いることもできる。ま
た、スフェロプラストや光反応ユニット(PRU)、光
反応中心(RC)をリポソームに再構成した試料を用い
ることもできる。
【0024】ITO基板上への光電変換活性層の形成
は、塗布、スピンコート、印刷、電着等、種々の方法に
よって実施することができるが、電着法は塗布法、印刷
法等と比較して大面積で均一な厚い膜を作製するのに適
した方法である。たとえば、電着法により厚さ数μm以
上の均質な光電変換活性層を作製することができる。
【0025】電着法を用いる場合、クロマトフォア懸濁
緩衝液は電着操作時に必要な電場強度を得るためには、
導電性を低く抑える必要がある。このため、緩衝作用が
得られる下限程度の数mM程度とすることが好ましい。
【0026】この場合、得られた光電変換活性層の緩衝
液濃度は不足するため、その不足する分を光電変換活性
層形成後、光電変換活性層に緩衝液を添加することによ
って補充する。
【0027】光電変換活性層の形成は、電着法の他、塗
布法、スピンコート法、スクリーン印刷法、ラングミュ
アブロジエット法(LB法)等を用いることもできる。
これらの方法を用いる場合は、光電変換活性層形成時の
導電性に関する制約はない。
【0028】このため、所望の緩衝液濃度を有するクロ
マトフォア懸濁液を調製し、このクロマトフォア懸濁液
を用いて光電変換活性層を作製することもできる。勿
論、上述の電着法と同様に、緩衝液濃度の薄い光電変換
活性層をまず形成し、その後緩衝液を添加することもで
きる。
【0029】緩衝液の添加は、光電変換活性層を乾燥さ
せる前のみでなく、光電変換活性層を乾燥させた後にも
行なうことができる。乾燥方法は、自然乾燥、真空乾燥
等を用いることができる。
【0030】また、添加する緩衝液は単独で使用するだ
けでなく、他の緩衝液やメディエータと呼ばれる電子伝
達物質や酸化還元剤等の成分を加えたものを用いること
もできる。
【0031】対向電極としては、Auの他、ITO、M
g−Ag等の他の金属電極、化合物半導体電極、電界重
合法で得られるポリピロール等の有機導電性材料等を用
いることもできる。
【0032】例1 光電変換活性層の材料としてロドシュードモナス・ビリ
ディスのクロマトフォアを用い、緩衝液として水酸化ナ
トリウムでpHを7.0に調整した燐酸緩衝液を用い
た。
【0033】ITO透明電極を備えたガラス基板とAu
対向電極を備えたガラス基板の間を約0.5mm空けて
対向させ、両基板間にクロマトフォア懸濁液を満たし、
電着法による膜形成を行なった。ITO電極にAu対向
電極に対して3.5Vの正電圧を約30秒間印加した。
この電圧印加により、ITO電極上にクロマトフォア膜
が厚さ約20μm堆積した。この時、吸光度は波長10
15nmで1〜1.5absであった。
【0034】堆積したクロマトフォア膜に10〜100
0mMの濃度の緩衝液を適当量添加した後、膜を自然乾
燥した。なお、素子面積は1cm2 とした。クロマトフ
ォア膜を乾燥後、クロマトフォア膜の上にAuを対向電
極として真空蒸着した。さらにITO電極とAu対向電
極に取出しリード線を取り付けた。
【0035】このようにして形成した光電変換素子に対
して、中心波長850nmの近赤外光を発光ダイオード
の光源を用いて照射した。この時、光電変換素子から得
られた光電応答を図2(A)、(B)に示す。なお、図
2(C)に照射した近赤外光パルスの波形を示す。
【0036】近赤外光パルスを照射すると、光電変換素
子を開放状態にした時の光電応答電圧(光開放電圧)
は、急速に立ち上がり、次第に緩やかな増加に変化しな
がら、約3秒後には、約120mVの値となった。光照
射を停止すると、光開放電圧は徐々に減衰した。
【0037】また、取出しリード線間を短絡した時に流
れる光短絡電流は、近赤外光パルス照射と同時に急速に
立ち上がり、150nA以上の値となった後、一旦急激
に減衰し、その後緩やかな減少に変化し、ほぼ90nA
程度の値を保った。なお、この電流値は、近赤外光パル
スが連続している間観察された。
【0038】添加した燐酸緩衝剤の濃度を種々に変化さ
せ、図2に示すような近赤外光パルス照射3秒後の光開
放電圧と光短絡電流の光電応答を調べた。この結果を図
3に示す。横軸に添加燐酸緩衝剤の量を示し、縦軸に光
開放電圧(mV)と光短絡電流(nA/cm2 )を示
す。
【0039】添加燐酸緩衝剤が増大すると共に光開放電
圧は急激に立ち上がり、次第に飽和傾向を示しながら、
約1000nanomol/cm2 程度でほぼ飽和値に
達した。添加燐酸緩衝液をさらに増加させると、光開放
電圧は低下し始める。
【0040】しかしながら、約2500nanomol
/cm2 ではまだ高い値を示している。光短絡電流は、
添加燐酸緩衝剤の濃度増加と共に、光開放電圧よりは緩
やかに立ち上がり、約1000nanomol/cm2
程度で飽和値となった。添加燐酸緩衝剤をさらに増大さ
せると、光短絡電流はわずかに減少した。
【0041】例2 光電変換活性層の材料としては、例1と同様、ロドシュ
ードモナス・ビリディスのクロマトフォアを用いた。緩
衝液としては、水酸化ナトリウム(NaOH)でpHを
7.0に調整したPIPES(ピペラジン−N、N′−
ビス(2−エタンスルホン酸))を用いた。光電変換活
性層の形成および測定方法は例1と同様に行なった。添
加緩衝剤量と光照射後3秒後の光電応答を測定した結果
を図4に示す。
【0042】光開放電圧は、添加PIPES量が増加す
ると、直ちに増加を始め、添加PIPES量が250n
anomol/cm2 でほぼ飽和値の30mV程度に達
した。添加PIPES量をさらに増加させても光開放電
圧はほぼ同様の値を示した。光開放電圧の値は例1の場
合よりも小さい。
【0043】光短絡電流は、添加PIPES量が約25
0nanomol/cm2 まではほとんど増大せず、そ
の後急激に増大して750nanomol/cm2 でほ
ぼ飽和値の3.5nA/cm2 に達した。さらに、添加
PIPESの量を1000nanomol/cm2 まで
増大させても光短絡電流はほぼ同じ値を示した。光短絡
電流は例1の場合より小さく、低濃度ではほとんど生じ
ない。
【0044】例3 光電変換活性層の物質としてロドシュードモナス・ビリ
ディスのクロマトフォアを用い、添加緩衝液として水酸
化ナトリウム(NaOH)でpHを7.8に調整したM
OPS(3−(N−モルホリノ)プロパンスルホン酸)
を用いた。光電変換活性層の形成および光電応答の測定
は例1と同様に行なった。
【0045】図5に添加緩衝剤量と光照射後3秒後の光
電応答の値を示す。光開放電圧は、添加MOPS量が増
大すると直ちに急激に立ち上がり、250nanomo
l/cm2 でピーク値を描き、その後急激に低下した。
添加MOPSの濃度が約2000nanomol/cm
2 では光開放電圧はほぼ0となった。
【0046】光短絡電流は、500nanomol/c
2 から立ち上がり、1000nanomol/cm2
でほぼ飽和値となり、2000nanomol/cm2
までほぼ同様な値を示した。光電応答の大きさは例2の
場合よりもさらに小さいが、従来得られていたものより
は大きい。
【0047】例4 光電変換活性層の材料として、ロドシュードモナス・ビ
リディスから得たクロマトフォアを用い、添加緩衝液と
して塩酸(HCl)でpH7.9に調製したTris
(トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン)を用い
た。光電変換活性層の形成および光電応答の測定は例1
と同様に行なった。
【0048】図6に添加緩衝剤量と光照射後3秒後の光
電応答を示す。添加Tris−HClの濃度が増大する
と、光開放電圧は急激に立ち上がり、250nanom
ol/cm2 でほぼ12mV程度のピーク値を示した。
その後光開放電圧は低下し、2500nanomol/
cm2 ではほぼ0となった。
【0049】光短絡電流は、250nanomol/c
2 程度から立ち上がり、500nanomol/cm
2 でほぼ1.5nA/cm2 程度のピーク値となり、1
250nanomol/cm2 までほぼ同様な値を示
し、その後減衰した。光電応答の大きさは例3の場合よ
りさらに小さかったが、それでも従来のものと較べれば
優るとも劣るものではない。
【0050】以上の例においては、まず電着法で光電変
換活性層を形成し、その光電変換活性層に緩衝剤を添加
した。電着法を用いる場合は、光電変換活性層形成時の
緩衝液濃度を高くすることができないため、光電変換活
性層形成後緩衝剤を添加することが好ましいが、他の膜
形成方法によればこのような2段階の形成方法を取る必
要は必ずしもない。たとえば、塗布法等を用いて光電変
換活性層を形成する場合は、始めから所定濃度の緩衝液
にクロマトフォアを分散させた溶液を用いることができ
る。
【0051】例5 光電変換活性層の物質としてロドシュードモナス・ビリ
ディスから得たクロマトフォアを用い、緩衝液として燐
酸ナトリウム(pH7.0)を用いた。クロマトフォア
溶液の濃度は、波長1015nmの光学吸収密度(O
D)で100(セル長1cm)となるように調製した。
【0052】なお、このクロマトフォア濃度は、蛋白濃
度に換算すると、約40mg/mlに相当する。なお、
この較正は、牛血清γグロブミンを標準とし、色素結合
法(ブラッドフォード法)を用いて測定した。
【0053】このようにして準備したクロマトフォア懸
濁液を約20μl使用して、ガラス基板上のITO電極
上に光電変換活性層を塗布法によって形成した。膜厚は
約8μmとした。
【0054】緩衝液の燐酸ナトリウム濃度を5〜80m
Mに変化させた時の緩衝液濃度に対する光電応答の変化
を図7に示す。光開放電圧は、燐酸緩衝液の濃度がある
程度大きくなると、急激に大きな値を示し、その後緩衝
液濃度によらずほぼ一定値を示した。光短絡電流は、燐
酸緩衝液の濃度が約10mM程度まで比較的緩やかに立
ち上がり、その後20mMまでより急激に立ち上がり、
再び増加率を弱めて80mMまで増大し続けるようであ
る。
【0055】なお、光電変換活性層を自然乾燥させた場
合、燐酸緩衝液濃度が80mM以上では光電変換活性層
に緩衝剤が析出し、膜がボロボロになってしまった。こ
のため、濃度80mMより上のデータは得られていない
が、析出を抑えることにより、より高濃度でも光電応答
は得られるであろう。
【0056】なお、蛋白濃度は約40mg/mlを用い
たが、約4〜400mg/mlの範囲で用いることがで
きると考えられる。また、燐酸緩衝液の濃度は乾燥方法
等を工夫することにより、150mM程度まで利用可能
と思われる。
【0057】ただし、燐酸緩衝液の濃度が10mM以下
では光短絡電流の値が低いため、10〜150mMとす
るのが好ましい。さらに好ましくは、蛋白濃度は20〜
150mg/ml、燐酸緩衝液濃度は20〜80mMと
するのがよい。
【0058】なお、比較のために説明すると、従来の光
電変換活性層の製造方法においては、緩衝液としてTr
is−HClを使用し、緩衝液濃度は十mM以下程度で
あった。
【0059】図2〜7の光電応答を見ると、緩衝液とし
ては特に燐酸塩を用いることが好ましいことが判る。次
にPIPESが好ましい。なお、上述の例において、p
HをNaOH、HClで調整したが、pHを調整する材
料はこれらに限るものではない。また、上述の例に示し
たように、同一の光電変換物質を用いても得られる素子
の電流特性、電圧特性は添加する緩衝液の種類、pH、
添加濃度により異なる。これらのパラメータを最適に選
ぶことにより、最適の特性を得ることができる。
【0060】従来の製造方法、特に電着法による光電変
換活性層の光電応答に対し、上述の例によれば光開放電
圧で約20倍、光短絡電流で約100倍の大きな光電応
答を得ることもできる。
【0061】緩衝液として燐酸塩またはPIPESを用
いる場合、添加量は250〜2500nanomol/
cm2 とすることが好ましい。また、緩衝液としてMO
PSまたはTrisを用いる場合は、緩衝液は50〜2
500nanomol/cm 2 とすることが好ましい。
【0062】以上説明したように、本発明の実施例によ
る光電変換素子の製造方法によれば、従来得られた光電
応答をはるかに上回る優れた光電応答を得ることもでき
る。
【0063】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光電変換機能を有する生体高分子複合体を用いて、大き
な光電応答を示す光電変換素子を製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によって製造すべき光電変換素
子の構造を概略的に示す断面図である。
【図2】例1によって製造した光電変換素子の光電応答
を示すグラフである。
【図3】例1によって製造した光電変換素子の光電応答
を燐酸緩衝剤の添加量の関数として示したグラフであ
る。
【図4】例2によって製造した光電変換素子の光電応答
をPIPESの添加量の関数として示したグラフであ
る。
【図5】例3にしたがって製造した光電変換素子の光電
応答をMOPSの添加量の関数として示したグラフであ
る。
【図6】例4にしたがって製造した光電変換素子の光電
応答をTris−HClの添加量の関数として示したグ
ラフである。
【図7】例5にしたがって製造した光電変換素子の光電
応答を燐酸緩衝液濃度の関数として示したグラフであ
る。
【符号の説明】
1 ITO電極 2 光電変換活性層 3 Au対向電極 4 取出しリード線 10 ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−125425(JP,A) 特開 昭60−61659(JP,A) 特開 平3−280897(JP,A) 特開 平3−119997(JP,A) 特開 平1−231886(JP,A) 特開 平1−110224(JP,A)

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光電変換機能を有する生体高分子複合体
    を用いて光電変換活性層を形成する工程と、光電変換活性層を乾燥させる工程と、 光電変換活性層を形成した後、形成した 光電変換活性層
    に緩衝液を添加して所定の緩衝剤濃度にする工程とを含
    む光電変換素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記緩衝液がpH4〜10の緩衝能領域
    を有し、前記所定の緩衝剤濃度が50〜5000nan
    omol/cm2 である請求項1記載の光電変換素子の
    製造方法。
  3. 【請求項3】 前記光電変換活性層を形成する工程が、
    電着ないし塗布による膜形成を含む請求項1ないし2記
    載の光電変換素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記緩衝剤が燐酸塩ないしピペラジン−
    N、N′−ビス(2−エタンスルホン酸)であり、前記
    所定の緩衝剤濃度が250〜2500nanomol/
    cm2 である請求項1〜3のいずれかに記載の光電変換
    素子の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記緩衝剤が3−(N−モルホリノ)プ
    ロパンスルホン酸ないしトリス(ヒドロキシメチル)ア
    ミノメタンであり、前記所定の緩衝剤濃度が50〜25
    00nanomol/cm2 である請求項1〜3のいず
    れかに記載の光電変換素子の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記光電変換活性層を形成する工程が、 緩衝液を用いて生体高分子複合体を調製する工程と、 緩衝液と生体高分子複合体とを含む液を用いて基板上に
    光電変換活性層を作製する工程とを含む請求項1〜5の
    いずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
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