JP2630361B2 - 超電導材料 - Google Patents
超電導材料Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- H10N60/85—Superconducting active materials
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- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
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Description
【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 本発明は、超電導材料のTco（電気抵抗が零となる温
度）をより室温に近づける成分に関する。
度）をより室温に近づける成分に関する。
本発明は、酸化物セラミック系超電導材料に関する。
「従来の技術」 従来、超電子材料は、水銀、鉛等の元素、NbN,Nb3Ge,
Nb3Ga等の合金またはNb3（Al0.8Ge0.2）等の三元素化合
物よりなる金属材料が用いられている。しかしこれらの
Tc（超電導臨界温度）オンセットは25kまでであった。
Nb3Ga等の合金またはNb3（Al0.8Ge0.2）等の三元素化合
物よりなる金属材料が用いられている。しかしこれらの
Tc（超電導臨界温度）オンセットは25kまでであった。
他方、近年、セラミック系の超電導材料が注目されて
いる。この材料は最初IBMのチューリッヒ研究所よりBa
−La−Cu−Ｏ（バラクオ）系酸化物高温超電導体として
報告され、さらにLSCO（第二銅酸−ランタン−ストロン
チューム）として知られてきた。これらは（A1-x Bx）y
CuOz,x＝0.01〜0.3,y＝1.3〜2.2,z＝2.0〜4.0で示され
る材料が知られている。しかしこの材料のTcオンセット
（超電導が始まる温度）が30kしか得られなった。
いる。この材料は最初IBMのチューリッヒ研究所よりBa
−La−Cu−Ｏ（バラクオ）系酸化物高温超電導体として
報告され、さらにLSCO（第二銅酸−ランタン−ストロン
チューム）として知られてきた。これらは（A1-x Bx）y
CuOz,x＝0.01〜0.3,y＝1.3〜2.2,z＝2.0〜4.0で示され
る材料が知られている。しかしこの材料のTcオンセット
（超電導が始まる温度）が30kしか得られなった。
「従来の問題点」 しかし、これら酸化物セラミックスの超電導の可能性
はペルブスカイト型の構造を利用しているもので、これ
まで不純物については何らの考慮も払われず、出発原料
も99％あれば十分であるとされていた。そのため、合成
された超電導材料の中に不本意に混入してしまっている
不純物、特にアルカリ金属元素、ハロゲン元素および窒
素、炭素についてはまったく考慮が払われていなかっ
た。
はペルブスカイト型の構造を利用しているもので、これ
まで不純物については何らの考慮も払われず、出発原料
も99％あれば十分であるとされていた。そのため、合成
された超電導材料の中に不本意に混入してしまっている
不純物、特にアルカリ金属元素、ハロゲン元素および窒
素、炭素についてはまったく考慮が払われていなかっ
た。
他方、本発明人は超電導セラミックスのTco,Tcの向上
を努力中に、これらの不純物が、酸化物セラミックスの
粒の粒界に集合し、それに密接した粒との間に障壁を作
ってしまい、電気電導を阻害してしまうことを見出し
た。このため、このセラミックスを流れる最大電流密度
の向上ができず、加えてTco（抵抗が零となる温度）も
予想より低くなってしまった。
を努力中に、これらの不純物が、酸化物セラミックスの
粒の粒界に集合し、それに密接した粒との間に障壁を作
ってしまい、電気電導を阻害してしまうことを見出し
た。このため、このセラミックスを流れる最大電流密度
の向上ができず、加えてTco（抵抗が零となる温度）も
予想より低くなってしまった。
このため、このTcoをさらに高くし、望むべくは液体
窒素温度（77k）またはそれ以上で動作せしめることが
強く求められていた。
窒素温度（77k）またはそれ以上で動作せしめることが
強く求められていた。
「問題を解決すべき手段」 本発明は、かかる高温で超電導を呈するべく、新しい
高純度素材を探し求めた。その結果、Tcオンセットも80
〜124kにまで向上させ得ることが明らかになった。
高純度素材を探し求めた。その結果、Tcオンセットも80
〜124kにまで向上させ得ることが明らかになった。
本発明の高純度超電導性セラミックスは、原子周期表
II a族およびIII a族より選ばれた１種類また複合種類
の元素と、銅と酸素との化合物よりなっている。それら
の具体的な分子の一般式の１例は、（A1-x Bx）yCuzOw
x＝０〜1,y＝2.0〜4.0好ましくは2.5〜3.5,z＝1.0〜4.0
好ましくは1.5〜3.5,w＝4.0〜10.0好ましくは６〜８で
示し得るものである。Ａはイットリューム族より選ばれ
た元素およびその他のランタノイドより選ばれた元素の
うちの１種類を用いている。イットリューム族とは理化
学辞典（岩波書店 1963年４月１日発行）によれば、Ｙ
（イットリューム）,Gd（ガドリニューム）,Yb（イッテ
ルビューム）,Eu（ユーロピウム）,Tb（テルビウム）,D
y（ジスププシウム）,Ho（ホルミウム）,Er（＃エルビ
ウム）,Tm（ツリウムム）,Lu（ルテチウム）,Sc（スカ
ンジウム）およびその他のランタノイドを用いる。
II a族およびIII a族より選ばれた１種類また複合種類
の元素と、銅と酸素との化合物よりなっている。それら
の具体的な分子の一般式の１例は、（A1-x Bx）yCuzOw
x＝０〜1,y＝2.0〜4.0好ましくは2.5〜3.5,z＝1.0〜4.0
好ましくは1.5〜3.5,w＝4.0〜10.0好ましくは６〜８で
示し得るものである。Ａはイットリューム族より選ばれ
た元素およびその他のランタノイドより選ばれた元素の
うちの１種類を用いている。イットリューム族とは理化
学辞典（岩波書店 1963年４月１日発行）によれば、Ｙ
（イットリューム）,Gd（ガドリニューム）,Yb（イッテ
ルビューム）,Eu（ユーロピウム）,Tb（テルビウム）,D
y（ジスププシウム）,Ho（ホルミウム）,Er（＃エルビ
ウム）,Tm（ツリウムム）,Lu（ルテチウム）,Sc（スカ
ンジウム）およびその他のランタノイドを用いる。
またＢはRa（ラジューム）,Ba（バリューム）,Sr（ス
トロンチューム）,Ca（カルシューム）,Mg（マグネシュ
ーム）,Be（ベリリューム）より選ばれた元素を１種類
または複数種類を用いている。
トロンチューム）,Ca（カルシューム）,Mg（マグネシュ
ーム）,Be（ベリリューム）より選ばれた元素を１種類
または複数種類を用いている。
本発明は銅を層構造とせしめ、これを１分子内で１層
またはそれを対称構造の２層構造とし、この層の最外核
電子の電子の軌道により超電導を呈せしめ得るモデルを
前提としている。
またはそれを対称構造の２層構造とし、この層の最外核
電子の電子の軌道により超電導を呈せしめ得るモデルを
前提としている。
本発明においてはこれら（A1-X Bx）yCuzOwで示され
る超電導セラミックス中に不本意に添加されてしまう不
純物の濃度を特に下げることを目的としている。
る超電導セラミックス中に不本意に添加されてしまう不
純物の濃度を特に下げることを目的としている。
このため、これまでの99（2N）〜99.95％の純度の出
発材料ではなく、99.999％（5N）またはそれ以上の純度
の原料を用いた。そしてその後の工程においても、酸化
用に大気を用いるのではなく、4N以上の純度の酸素雰囲
気中とし、還元させる時には5Nの酸素および5Nのアルゴ
ン中または真空中の焼成を行った。
発材料ではなく、99.999％（5N）またはそれ以上の純度
の原料を用いた。そしてその後の工程においても、酸化
用に大気を用いるのではなく、4N以上の純度の酸素雰囲
気中とし、還元させる時には5Nの酸素および5Nのアルゴ
ン中または真空中の焼成を行った。
かくすることにより、多結晶を呈するセラミックス材
料における１つの結晶粒を大きくでき、ひいてはその結
晶粒界でのバリアをより消失させ得る構成とせしめた。
その結果、Tcoをさらに高くさせ得る。そしてその理想
は核に欠陥のない単結晶構造である。
料における１つの結晶粒を大きくでき、ひいてはその結
晶粒界でのバリアをより消失させ得る構成とせしめた。
その結果、Tcoをさらに高くさせ得る。そしてその理想
は核に欠陥のない単結晶構造である。
本発明は出発材料の酸化物または炭酸化物を混合し、
一度加圧して、出発材料の酸化物または炭酸化物により
（A1-XBX）yCuzOw型の分子を作り得る。
一度加圧して、出発材料の酸化物または炭酸化物により
（A1-XBX）yCuzOw型の分子を作り得る。
さらにこれを微粉末化し、再び加圧してタブレット化
し、本焼成をする工程を有せしめている。
し、本焼成をする工程を有せしめている。
「作用」 本発明の新型のセラミック超電導素材はきわめて簡単
に作ることができる。特にこれらはその出発材料として
5Nまたは6Nの純度の酸化物または炭酸化物を用い、これ
をボールミルを用いて微粉末に粉砕し、混合する。する
と、化学量論的に（A1-XBx）yCuzOwにおけるx,y,z,wの
それぞれの値を任意に変更、制御することができる。
に作ることができる。特にこれらはその出発材料として
5Nまたは6Nの純度の酸化物または炭酸化物を用い、これ
をボールミルを用いて微粉末に粉砕し、混合する。する
と、化学量論的に（A1-XBx）yCuzOwにおけるx,y,z,wの
それぞれの値を任意に変更、制御することができる。
以下に実施例に従い、本発明を記す。
「実施例１」 本発明の実施例として、ＡとしてＹ、ＢとしてBaを用
いた。
いた。
出発材料はＹ化合物として酸化イットリューム（Y
2O3）,Ba化合物としてBaCO3,銅化合物としてCuOを用い
た。これらは高純度化学工業株式会社より入手し、純度
は99.99％またはそれ以上の微粉末を用い、ｘ＝0.33
（A:B＝2:1）,y＝3,z＝3,w＝６〜８となるべく選んだ。
またB,B′であるBaおよびCaを1:1とした。
2O3）,Ba化合物としてBaCO3,銅化合物としてCuOを用い
た。これらは高純度化学工業株式会社より入手し、純度
は99.99％またはそれ以上の微粉末を用い、ｘ＝0.33
（A:B＝2:1）,y＝3,z＝3,w＝６〜８となるべく選んだ。
またB,B′であるBaおよびCaを1:1とした。
これらを十分乳鉢で混合し、超純水（比抵抗18MΩ以
上）で十分に超音波洗浄をして乾燥させた。かくしてこ
の工程でLi（リチューム）,Na（ナトリューム）または
Ｋ（カリューム）等のアルカリ金属元素を十分溶去させ
ることができた。そして完成した材料中の不純物の濃度
を0.02重量％好ましくは0.005重量％以下とすることか
可能となった。さらにこの混合粉末をカプセルに封入
し、30kg/cm2の荷重を加えてタブレット化（大きさ10mm
φ×3mm）した。酸化性雰囲気、例えば大気中で500〜10
00℃、例えば700℃で８時間加熱酸化をした。
上）で十分に超音波洗浄をして乾燥させた。かくしてこ
の工程でLi（リチューム）,Na（ナトリューム）または
Ｋ（カリューム）等のアルカリ金属元素を十分溶去させ
ることができた。そして完成した材料中の不純物の濃度
を0.02重量％好ましくは0.005重量％以下とすることか
可能となった。さらにこの混合粉末をカプセルに封入
し、30kg/cm2の荷重を加えてタブレット化（大きさ10mm
φ×3mm）した。酸化性雰囲気、例えば大気中で500〜10
00℃、例えば700℃で８時間加熱酸化をした。
この工程を仮焼成とした。
次にこれを粉砕し、乳鉢で混合した。そしてその粉末
の平均粉半径が10μｍ以下の大きさとなるようにした。
の平均粉半径が10μｍ以下の大きさとなるようにした。
これをカプセルに封入し、50kg/cm2の圧力でタブレッ
トに加圧して成型した。この加圧と同時に加熱をするホ
ットプレス方式、または加熱と同時に電流を印加してこ
のタブレット中の電流を流れやすくする方式を採用して
もよい。
トに加圧して成型した。この加圧と同時に加熱をするホ
ットプレス方式、または加熱と同時に電流を印加してこ
のタブレット中の電流を流れやすくする方式を採用して
もよい。
次に500〜1000℃、例えば900℃の酸化物雰囲気、例え
ば高純度酸素中で酸化して、本焼成を10〜50時間、例え
ば15時間行った。
ば高純度酸素中で酸化して、本焼成を10〜50時間、例え
ば15時間行った。
次にこの試料を酸素を少なくさせたO2−Ar（これら以
外の不純物は10PPM以下にした）中で加熱（600〜1100
℃,3〜30時間、例えば800℃、20時間）して、還元させ
た。すると新型の構造がより顕著に観察されるようにな
った。
外の不純物は10PPM以下にした）中で加熱（600〜1100
℃,3〜30時間、例えば800℃、20時間）して、還元させ
た。すると新型の構造がより顕著に観察されるようにな
った。
この試料を用いて固有抵抗と温度との関係を調べた。
すると最高温度が得られたものとしてのTcオンセット
（超電導の始まる温度）として114K,Tco（電気抵抗の零
となる温度）として103Kを観察することができた。
すると最高温度が得られたものとしてのTcオンセット
（超電導の始まる温度）として114K,Tco（電気抵抗の零
となる温度）として103Kを観察することができた。
この不純物の量をSIMS（二次イオン質量分析装置）で
測ったところ、窒素および炭素は0.1重量％またはそれ
以下であり、0.01重量％しかなかった。またハロゲン元
素は0.1重量％以下の0.001重量％しか検出されなかっ
た。またアルカル金属元素も0.02重量％以下の0.001重
量％しか検出されなかった。
測ったところ、窒素および炭素は0.1重量％またはそれ
以下であり、0.01重量％しかなかった。またハロゲン元
素は0.1重量％以下の0.001重量％しか検出されなかっ
た。またアルカル金属元素も0.02重量％以下の0.001重
量％しか検出されなかった。
この結果、得られた本発明の超電導材料の温度−固有
抵抗特性を第１図に示す。
抵抗特性を第１図に示す。
「実施例２」 この実施例として、ＡとしてYbの酸化物を混合した。
ＢとしてBa、Ｂ′としてSrを用いy:y′＝1:1とした。出
発材料は酸化イッテルビュームおよび酸化イットリュー
ム、BaとしてBaCO3、SrとしてSr2O3また銅化合物として
CuOを用いた。その他は実施例１と同様である。
ＢとしてBa、Ｂ′としてSrを用いy:y′＝1:1とした。出
発材料は酸化イッテルビュームおよび酸化イットリュー
ム、BaとしてBaCO3、SrとしてSr2O3また銅化合物として
CuOを用いた。その他は実施例１と同様である。
Tcオンセットとして119K、Tcoとして107Kを得ること
ができた。
ができた。
「実施例３」 この実施例は従来の方法と比較するために行ったもの
である。
である。
実施例１において、出発材料を3Nとした。またこれら
を微粉末として混合したものに対し、超純水での超音波
洗浄を行うことなく、単に市水での洗浄にとどめた。す
るとこのその他の作製条件を同じにしてもTcは92K、Tco
は74Kにしかならなかった。この形成されたタブレット
の不純物を調べた結果、アルカリ金属元素例えばナトリ
ュームは0.3重量％を有し、炭素および窒素も0.5重量％
を含有していた。
を微粉末として混合したものに対し、超純水での超音波
洗浄を行うことなく、単に市水での洗浄にとどめた。す
るとこのその他の作製条件を同じにしてもTcは92K、Tco
は74Kにしかならなかった。この形成されたタブレット
の不純物を調べた結果、アルカリ金属元素例えばナトリ
ュームは0.3重量％を有し、炭素および窒素も0.5重量％
を含有していた。
本発明において、イットリューム族（Y,Eu,Gd,Tb,Dy,
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Sc,）の元素およびその他のランタノイ
ドを酸化物または炭酸化物とし、それらを出発材料とし
て用いて複合材料セラミックスとしても有効である。特
にこれらより選ばれた材料を（A1-X Bx）yCuzOwで示さ
れる一般式のＢの一部に加えることはTcをさらに５〜10
Kも向上させ得る効果があった。
Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Sc,）の元素およびその他のランタノイ
ドを酸化物または炭酸化物とし、それらを出発材料とし
て用いて複合材料セラミックスとしても有効である。特
にこれらより選ばれた材料を（A1-X Bx）yCuzOwで示さ
れる一般式のＢの一部に加えることはTcをさらに５〜10
Kも向上させ得る効果があった。
本発明のその他の材料であるＢとして、Mg,Beを用い
得る。その概要は実施例１と概略同様である。
得る。その概要は実施例１と概略同様である。
「効果」 本発明により、これまでまったく不可能とされていた
セラミック超電導体を作ることができるようになった。
セラミック超電導体を作ることができるようになった。
本発明において仮焼成をした後に微粉末化する工程に
より、初期状態でのそれぞれの出発材料の化合物を到達
材料、即ち（A1-X Bx）yCuzOwで示される材料を含む化
合物とするものである。
より、初期状態でのそれぞれの出発材料の化合物を到達
材料、即ち（A1-X Bx）yCuzOwで示される材料を含む化
合物とするものである。
さらにこの到達材料の化合物における分子構造内で銅
の層構造をよりさせやすくするため、元素周期律表にお
けるII a族、III a族の元素を複数個混合させた。かく
して最終完成化合物の粒界に偏析しやすい不純物を除去
した。その他はそれぞれの粒が隣の粒とより溶解しやす
くなり、電子顕微鏡写真（×4000）では実施例３での球
状、粒状の粒子がパッキングされており、その周辺の空
隙が大きく観察された。他方、本発明の実施例１では、
十分超密にパッキングされ、わずかの空隙も逆に球状に
見えた。それぞれの多結晶粒は互いに面で十分密接し合
っていることが判明した。即ち、本発明のアルカリ金属
元素、ハロゲン元素および炭素、窒素を除去することに
より、Tcオンセット、Tcoをより高温化できるものと推
定される。
の層構造をよりさせやすくするため、元素周期律表にお
けるII a族、III a族の元素を複数個混合させた。かく
して最終完成化合物の粒界に偏析しやすい不純物を除去
した。その他はそれぞれの粒が隣の粒とより溶解しやす
くなり、電子顕微鏡写真（×4000）では実施例３での球
状、粒状の粒子がパッキングされており、その周辺の空
隙が大きく観察された。他方、本発明の実施例１では、
十分超密にパッキングされ、わずかの空隙も逆に球状に
見えた。それぞれの多結晶粒は互いに面で十分密接し合
っていることが判明した。即ち、本発明のアルカリ金属
元素、ハロゲン元素および炭素、窒素を除去することに
より、Tcオンセット、Tcoをより高温化できるものと推
定される。
また本発明の分子式で示される超電導セラミックスは
その超電導の推定メカニズムとして、銅の酸化物が構造
において層構造を有し、その層構造も一分子内で一層ま
たは２層構成を有し、その層内をキャリアが超電導をし
ているものとされている。
その超電導の推定メカニズムとして、銅の酸化物が構造
において層構造を有し、その層構造も一分子内で一層ま
たは２層構成を有し、その層内をキャリアが超電導をし
ているものとされている。
ここの各粒子内での層と隣の粒子との境界の接触面積
が少ないと最大流し得る電流の向上およびTcoの向上を
はかるためのきわめて大きな障害となる。本発明はこの
障害を除去し、互いの粒子を十分広い面で密接せしめる
ことを、不純物のアルカリ金属元素、ハロゲン元素およ
び炭素および窒素をより少なくすることにより初めて除
去することを可能とした。
が少ないと最大流し得る電流の向上およびTcoの向上を
はかるためのきわめて大きな障害となる。本発明はこの
障害を除去し、互いの粒子を十分広い面で密接せしめる
ことを、不純物のアルカリ金属元素、ハロゲン元素およ
び炭素および窒素をより少なくすることにより初めて除
去することを可能とした。
本発明の実施例は、タブレットにしたものである。し
かしタブレットにするのではなく、仮焼成または本焼成
の後の粉末を溶媒にとかし、基板等にその溶液をコーテ
ィングをし、これを酸化性雰囲気で焼成し、さらにその
後還元性雰囲気で本焼成をすることによって、薄膜の超
電導セラミックスとすることも可能である。
かしタブレットにするのではなく、仮焼成または本焼成
の後の粉末を溶媒にとかし、基板等にその溶液をコーテ
ィングをし、これを酸化性雰囲気で焼成し、さらにその
後還元性雰囲気で本焼成をすることによって、薄膜の超
電導セラミックスとすることも可能である。
第１図は本発明で作られた超電導材料の特性を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−230561（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−230563（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−230564（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−193410（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−224112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−224113（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−225599（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】超電導特性を有する酸化物セラミックス材
料であって、 該材料中には、Li（リチューム）とNa（ナトリューム）
とＫ（カリューム）とが0.02重量％以下含まれているこ
とを特徴とする超電導材料。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、超電導性
を有する材料は元素周期表II a族およびIII a族より選
ばれたそれぞれ１種類または複数種類の元素と、銅と酸
素との化合物のセラミックスよりなることを特徴とする
超電導材料。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項において、超電導特
性を有する材料は（A1-X Bx）yCuzOw x＝０〜1,y＝2.0
〜4.0,z＝1.0〜4.0,w＝4.0〜10.0を有し、ＡはＹ（イッ
トリューム）,Gd（ガドリニューム）,Yb（イッテルビュ
ーム）,Eu（ユーロピウム）,Tb（テルビウム）,Dy（ジ
スプロシウム）,Ho（ホルミウム）,Er（エルビウム）,T
m（ツリウム）,Lu（ルテチウム）,Sc（スカンジウム）
およびその他のランタノイドより選ばれた元素よりな
り、ＢおよびＢ′はRa（ラジューム）,Ba（バリュー
ム）,Sr（ストロンチューム）,Ca（カルシューム）,Mg
（マグネシューム）,Be（ベリリューム）より選ばれた
ことを特徴とする超電導材料。 - 【請求項４】超電導特性を有する酸化物セラミックス材
料であって、 該材料中にはＣ（炭素）またはＮ（窒素）が0.1重量％
以下含まれていることを特徴とする超電導材料。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項において、超電導性
を有する材料は元素周期表II a族およびIII a族より選
ばれたそれぞれ１種類または複数種類の元素と、銅と酸
素との化合物のセラミックスよりなることを特徴とする
超電導材料。 - 【請求項６】特許請求の範囲第４項において、超電導特
性を有する材料は（A1-X Bx）yCuzOw x＝０〜1,y＝2.0
〜4.0,z＝1.0〜4.0,w＝4.0〜10.0を有し、ＡはＹ（イッ
トリューム）,Gd（ガドリニューム）,Yb（イッテルビュ
ーム）,Eu（ユーロピウム）,Tb（テルビウム）,Dy（ジ
スプロシウム）,Ho（ホルミウム）,Er（エルビウム）,T
m（ツリウム）,Lu（ルテチウム）,Sc（スカンジウム）
およびその他のランタノイドより選ばれた元素よりな
り、ＢおよびＢ′はRa（ラジューム）,Ba（バリュー
ム）,Sr（ストロンチューム）,Ca（カルシューム）,Mg
（マグネシューム）,Be（ベリリューム）より選ばれた
ことを特徴とする超電導材料。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075201A JP2630361B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 超電導材料 |
| KR1019880003279A KR950004294B1 (ko) | 1987-03-27 | 1988-03-26 | 초전도성 물질 |
| CN88101627A CN1032777C (zh) | 1987-03-27 | 1988-03-26 | 超导材料 |
| EP88302733A EP0284438B1 (en) | 1987-03-27 | 1988-03-28 | Superconducting materials and methods of manufacturing the same |
| DE3856473T DE3856473T2 (de) | 1987-03-27 | 1988-03-28 | Supraleitende Werkstoffe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US08/474,797 USH1683H (en) | 1987-03-27 | 1995-06-07 | Superconducting material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075201A JP2630361B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 超電導材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239110A JPS63239110A (ja) | 1988-10-05 |
| JP2630361B2 true JP2630361B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=13569342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62075201A Expired - Lifetime JP2630361B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 超電導材料 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0284438B1 (ja) |
| JP (1) | JP2630361B2 (ja) |
| KR (1) | KR950004294B1 (ja) |
| CN (1) | CN1032777C (ja) |
| DE (1) | DE3856473T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| AU589068B2 (en) * | 1987-08-10 | 1989-09-28 | Furukawa Electric Co. Ltd., The | Method of manufacturing oxide superconductor, and method of manufacturing composite oxide powder which is the precursor of the oxide superconductor |
| NZ228820A (en) * | 1989-04-19 | 1992-07-28 | Nz Scientific & Ind Res | Superconducting metal oxide and its preparation |
| JP3217905B2 (ja) * | 1992-06-26 | 2001-10-15 | キヤノン株式会社 | 金属酸化物材料及びその製造方法 |
| DE19603820A1 (de) * | 1995-08-04 | 1997-02-06 | Solvay Barium Strontium Gmbh | Supraleitervormischung |
| DE10111938A1 (de) * | 2001-03-13 | 2002-09-26 | Merck Patent Gmbh | Herstellung von Hochtemperatur-Supraleiter-Pulvern in einem Pulsationsreaktor |
| CN110183473B (zh) * | 2019-05-23 | 2021-09-14 | 深圳先进技术研究院 | 一种新型超导材料及其制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS63230564A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクス |
| JPS63230563A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクス |
| JPS63230561A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導セラミツクス |
| US4826808A (en) * | 1987-03-27 | 1989-05-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Preparation of superconducting oxides and oxide-metal composites |
| JPH0638525B2 (ja) * | 1987-05-06 | 1994-05-18 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 超電導装置の作製方法 |
| US4916116A (en) * | 1987-05-06 | 1990-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of adding a halogen element into oxide superconducting materials by ion injection |
| US4797510A (en) * | 1987-10-13 | 1989-01-10 | Amax, Inc. | Device for joining superconducting wire |
| US4971667A (en) * | 1988-02-05 | 1990-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| US4900715A (en) * | 1988-02-29 | 1990-02-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of preparing superconducting "orthorhomibic"-type compounds in bulk using C1 -C6 alkanoic acid salts |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62075201A patent/JP2630361B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-26 CN CN88101627A patent/CN1032777C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-26 KR KR1019880003279A patent/KR950004294B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-03-28 DE DE3856473T patent/DE3856473T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-28 EP EP88302733A patent/EP0284438B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-07 US US08/474,797 patent/USH1683H/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0284438A3 (en) | 1990-10-31 |
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| CN1032777C (zh) | 1996-09-11 |
| EP0284438A2 (en) | 1988-09-28 |
| CN88101627A (zh) | 1988-10-19 |
| USH1683H (en) | 1997-10-07 |
| EP0284438B1 (en) | 2001-05-30 |
| DE3856473D1 (de) | 2001-07-05 |
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