JP2623922B2 - スピーカ用振動板の製造方法 - Google Patents
スピーカ用振動板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、スピーカ用振動板の製造方法に関するも
のである。
のである。
［従来の技術］ 従来、スピーカ用振動板としては、比弾性率E/ρ（E:
ヤング率，ρ：密度）が大きいこと、すなわち剛性率が
大きく軽量であることが音響特性上望ましいことが知ら
れており、そのために、スピーカ用振動板の材料，形状
及び製造方法が種々検討されている。そして最近では、
アルミニウムやチタン等の金属と比較して比較的に大き
なE/ρ値を持つセラミックスがスピーカ用振動板に適用
されるようになった。
ヤング率，ρ：密度）が大きいこと、すなわち剛性率が
大きく軽量であることが音響特性上望ましいことが知ら
れており、そのために、スピーカ用振動板の材料，形状
及び製造方法が種々検討されている。そして最近では、
アルミニウムやチタン等の金属と比較して比較的に大き
なE/ρ値を持つセラミックスがスピーカ用振動板に適用
されるようになった。
第５図は従来のセラミックスを適用したスピーカ用振
動板の製造方法の工程を説明するための概略図である。
図において、（Ａ）はプラズマ溶射工程、（Ｂ）は離型
工程、（Ｄ）は焼成工程である。この各工程（Ａ），
（Ｂ），（Ｄ）において、１は溶射ガン、２は粉末供給
ノズル、３は溶射用粉末、４はプラズマ炎、５はドーム
形状等の所望形状を有する金型、６は振動板となる皮
膜、７は電気炉等の容器、８は抵抗線等のヒータ、９は
バルブ付きの排気口、10は不活性ガスを導入するバルブ
付き導入口である。
動板の製造方法の工程を説明するための概略図である。
図において、（Ａ）はプラズマ溶射工程、（Ｂ）は離型
工程、（Ｄ）は焼成工程である。この各工程（Ａ），
（Ｂ），（Ｄ）において、１は溶射ガン、２は粉末供給
ノズル、３は溶射用粉末、４はプラズマ炎、５はドーム
形状等の所望形状を有する金型、６は振動板となる皮
膜、７は電気炉等の容器、８は抵抗線等のヒータ、９は
バルブ付きの排気口、10は不活性ガスを導入するバルブ
付き導入口である。
次に、上記従来のスピーカ用振動板の製造方法につい
て説明する。まず、プラズマ溶射工程（Ａ）において、
アルゴン（Ar）と水素（Ｈ）あるいは窒素（Ｎ）と水素
（Ｈ）の混合ガスを溶射ガン１から放射することにより
発生した高温，高速のプラズマ炎４の中心に、粉末供給
ノズル２より炭化ホウ素（B4C）などのセラミックスの
溶射用粉末３を搬送用のアルゴン又は窒素に乗せて投入
する。すると、投入された溶射用粉末３は溶融し、この
溶融された溶射用粉末３はプラズマ炎４の前方に設置さ
れたドーム形状等の所望形状を有する金型５の表面に被
着し、振動板となる皮膜６が形成される。続いて離型工
程（Ｂ）において、皮膜６を金型５より離し、セラミッ
クス単体から成る皮膜６を作成する。続いて焼成工程
（Ｄ）において、皮膜６を電気炉等の容器７内に入れ、
真空中又は不活性ガス中でヒータ８によって約2000℃で
焼成を行う。これにより、E/ρ値が高い振動板が得られ
る。
て説明する。まず、プラズマ溶射工程（Ａ）において、
アルゴン（Ar）と水素（Ｈ）あるいは窒素（Ｎ）と水素
（Ｈ）の混合ガスを溶射ガン１から放射することにより
発生した高温，高速のプラズマ炎４の中心に、粉末供給
ノズル２より炭化ホウ素（B4C）などのセラミックスの
溶射用粉末３を搬送用のアルゴン又は窒素に乗せて投入
する。すると、投入された溶射用粉末３は溶融し、この
溶融された溶射用粉末３はプラズマ炎４の前方に設置さ
れたドーム形状等の所望形状を有する金型５の表面に被
着し、振動板となる皮膜６が形成される。続いて離型工
程（Ｂ）において、皮膜６を金型５より離し、セラミッ
クス単体から成る皮膜６を作成する。続いて焼成工程
（Ｄ）において、皮膜６を電気炉等の容器７内に入れ、
真空中又は不活性ガス中でヒータ８によって約2000℃で
焼成を行う。これにより、E/ρ値が高い振動板が得られ
る。
［発明が解決しようとする課題］ 上記した従来のスピーカ用振動は以上のような製造方
法によって作成されており、そのために、チタン・アル
ミニウム（Ti・Al）等の金属で形成された振動板と比較
して、大幅に高いE/ρ値を有する振動板を得ていた。し
かるに、上記のような従来の製造方法によって作成され
た振動板は、焼成工程（Ｄ）により振動板となる皮膜６
を焼成した後においても、作成された振動板には約17％
に近い程度の空隙が存在している。この事実は、本願発
明の出願人による試験研究の実験結果によって実証され
ている。従って、従来のスピーカ用振動板の製造方法で
は、皮膜６から成る振動板中に上記のように約17％程度
の空隙が存在している振動板が作成されることになり、
空隙が少なく、かつより一層高いE/ρ値を有する振動板
を作成することは極めて困難であるという問題点があっ
た。
法によって作成されており、そのために、チタン・アル
ミニウム（Ti・Al）等の金属で形成された振動板と比較
して、大幅に高いE/ρ値を有する振動板を得ていた。し
かるに、上記のような従来の製造方法によって作成され
た振動板は、焼成工程（Ｄ）により振動板となる皮膜６
を焼成した後においても、作成された振動板には約17％
に近い程度の空隙が存在している。この事実は、本願発
明の出願人による試験研究の実験結果によって実証され
ている。従って、従来のスピーカ用振動板の製造方法で
は、皮膜６から成る振動板中に上記のように約17％程度
の空隙が存在している振動板が作成されることになり、
空隙が少なく、かつより一層高いE/ρ値を有する振動板
を作成することは極めて困難であるという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、E/ρ値がきわめて高く、より一層高性能な
スピーカ用として最適な振動板を作成することができる
スピーカ用振動板の製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、E/ρ値がきわめて高く、より一層高性能な
スピーカ用として最適な振動板を作成することができる
スピーカ用振動板の製造方法を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係るスピーカ用振動板の製造方法は、所望
形状の金型上にプラズマ溶射によりセラミックスなどの
皮膜を形成し、この皮膜を金型から離型した後に、皮膜
中に存在する空隙内に、あるいは皮膜を真空中又は不活
性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在する空隙内に、CV
D法によりセラミックスあるいは金属を充填させて振動
板を作成するようにしたものである。
形状の金型上にプラズマ溶射によりセラミックスなどの
皮膜を形成し、この皮膜を金型から離型した後に、皮膜
中に存在する空隙内に、あるいは皮膜を真空中又は不活
性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在する空隙内に、CV
D法によりセラミックスあるいは金属を充填させて振動
板を作成するようにしたものである。
［作用］ この発明におけるスピーカ用振動板の製造方法は、プ
ラズマ溶射法により金型上に被着されたセラミックスな
どの皮膜を形成する第１の工程と、この第１の工程によ
り形成された皮膜を金型から離型する第２の工程と、こ
の第２の工程により形成された皮膜中に存在する空隙内
に、あるいは第２の工程により形成された皮膜を焼成す
る第３の工程によって焼成した後の皮膜中に存在する空
隙内に、CVD法によりセラミックスあるいは金属を充填
する第４の工程により振動板を作成するようにしている
ので、E/ρ値の極めて高い振動板を製造することができ
る。
ラズマ溶射法により金型上に被着されたセラミックスな
どの皮膜を形成する第１の工程と、この第１の工程によ
り形成された皮膜を金型から離型する第２の工程と、こ
の第２の工程により形成された皮膜中に存在する空隙内
に、あるいは第２の工程により形成された皮膜を焼成す
る第３の工程によって焼成した後の皮膜中に存在する空
隙内に、CVD法によりセラミックスあるいは金属を充填
する第４の工程により振動板を作成するようにしている
ので、E/ρ値の極めて高い振動板を製造することができ
る。
［実施例］ 第１図はこの発明の実施例であるスピーカ用振動板の
製造方法の工程を説明するための概略図である。図にお
いて、（Ａ）はプラズマ溶射工程、（Ｂ）は離型工程、
（Ｃ）はCVD（化学蒸着）工程、（Ｄ）は焼成工程であ
る。この各工程（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）におい
て、１は溶射ガン、２は粉末供給ノズル、３は溶射用粉
末、４はプラズマ炎、５はドーム形状等の所望形状を有
する金型、６は振動板となる皮膜、７は電気炉等の容
器、８は抵抗線等のヒータ、９はバルブ付きの排気口、
10は不活性ガスを導入するバルブ付き導入口、11はCVD
（化学蒸着）装置容器、12はサセプタとなるカーボン、
13は誘導加熱用の高周波コイル、14はCVD原料ガス、15
はCVD原料ガス14のガス導入口、16はCVD原料ガス14のガ
ス排気口である。
製造方法の工程を説明するための概略図である。図にお
いて、（Ａ）はプラズマ溶射工程、（Ｂ）は離型工程、
（Ｃ）はCVD（化学蒸着）工程、（Ｄ）は焼成工程であ
る。この各工程（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）におい
て、１は溶射ガン、２は粉末供給ノズル、３は溶射用粉
末、４はプラズマ炎、５はドーム形状等の所望形状を有
する金型、６は振動板となる皮膜、７は電気炉等の容
器、８は抵抗線等のヒータ、９はバルブ付きの排気口、
10は不活性ガスを導入するバルブ付き導入口、11はCVD
（化学蒸着）装置容器、12はサセプタとなるカーボン、
13は誘導加熱用の高周波コイル、14はCVD原料ガス、15
はCVD原料ガス14のガス導入口、16はCVD原料ガス14のガ
ス排気口である。
次に、上記この発明の実施例であるスピーカ用振動板
の製造方法について説明する。上記第５図に示す従来の
製造方法と同様に、まず、プラズマ溶射工程（Ａ）にお
いて、アルゴンと水素あるいは窒素と水素の混合ガスを
溶射ガン１から放射することにより発生した高温（〜20
000℃），高速プラズマ炎４の中心に、粉末供給ノズル
２より、例えば平均粒径20μｍの炭化ホウ素などのセラ
ミックスの溶射用粉末３を搬送用のアルゴン又は窒素に
乗せて投入する。すると、投入された溶射用粉末３はプ
ラズマ炎４中で溶融あるいは半溶融し、プラズマ炎４の
前方に設置されたドーム形状等の所望形状を有する金型
５の表面に高速で被着し、冷却し、固化堆積して振動板
となる皮膜６が形成される。続いて離型工程（Ｂ）にお
いて、あらかじめ金型５の表面を平滑にし、その材質を
適当に選定することにより、上記のようにして形成され
た皮膜６を金型５より離すことができ、これにより炭化
ホウ素などのセラミックス単体から成る皮膜６を形成す
る。このようにして形成された皮膜６は、炭化ホウ素の
粒子の大部分が機械的に堆積形成されている構成を有す
るために、各粒子間の結合は比較的に弱く、かつ約17％
程度の空隙が存在しているので、E/ρ値は比較的に小さ
いものである。
の製造方法について説明する。上記第５図に示す従来の
製造方法と同様に、まず、プラズマ溶射工程（Ａ）にお
いて、アルゴンと水素あるいは窒素と水素の混合ガスを
溶射ガン１から放射することにより発生した高温（〜20
000℃），高速プラズマ炎４の中心に、粉末供給ノズル
２より、例えば平均粒径20μｍの炭化ホウ素などのセラ
ミックスの溶射用粉末３を搬送用のアルゴン又は窒素に
乗せて投入する。すると、投入された溶射用粉末３はプ
ラズマ炎４中で溶融あるいは半溶融し、プラズマ炎４の
前方に設置されたドーム形状等の所望形状を有する金型
５の表面に高速で被着し、冷却し、固化堆積して振動板
となる皮膜６が形成される。続いて離型工程（Ｂ）にお
いて、あらかじめ金型５の表面を平滑にし、その材質を
適当に選定することにより、上記のようにして形成され
た皮膜６を金型５より離すことができ、これにより炭化
ホウ素などのセラミックス単体から成る皮膜６を形成す
る。このようにして形成された皮膜６は、炭化ホウ素の
粒子の大部分が機械的に堆積形成されている構成を有す
るために、各粒子間の結合は比較的に弱く、かつ約17％
程度の空隙が存在しているので、E/ρ値は比較的に小さ
いものである。
そこで、この発明では続いて行われるCVD工程（Ｃ）
において、皮膜６中に存在する上記の空隙内にCVD法に
よりセラミックスを充填させる。ここでは、例えば炭化
ホウ素を皮膜６の空隙内に充填する方法について説明す
る。まず、CVD装置容器11内に皮膜６を入れ、真空ポン
プにて約10-4torr以下に排気した後に、高周波コイル13
にて誘導加熱によりカーボン12及び皮膜６を約800℃〜1
300℃に加熱する。次に、このようにして加熱された皮
膜６に対し、ガス化させたBcl3とCO及びＨをマスフロメ
ータで調整しCVD原料ガス14として皮膜６上に吹き付け
る。吹き付けられたCVD原料ガス14は皮膜６の表面上の
粒子に付着すると共に、皮膜６の上記空隙内にも侵入し
て堆積し、徐々に空隙（空孔）を充填することができ
る。ここで、CVD装置容器11内の排気はCVD処理中続けら
れている。またCVD処理をする以前の皮膜６の組織は、
溶射皮膜の特徴として金型５に接していた部分付近は押
しつぶされて空隙が少なくなっている。そのために、CV
D原料ガス14を皮膜６の空隙が多く存在する方向、すな
わち第１図のCVD工程（Ｃ）に示す方向よりCVD原料ガス
14を皮膜６に吹き付ける方が効率良く上記空隙を充填す
ることができる。これとは反対に、金型５に接していた
部分の方向よりCVD原料ガス14を皮膜６に吹き付ける
と、皮膜６の空隙は早く目詰まりし、皮膜６全体の空隙
を埋めることが非常に困難になる。この実施例では、皮
膜６に存在している空隙の約70％を炭化ホウ素（B4C）
で充填することができた。
において、皮膜６中に存在する上記の空隙内にCVD法に
よりセラミックスを充填させる。ここでは、例えば炭化
ホウ素を皮膜６の空隙内に充填する方法について説明す
る。まず、CVD装置容器11内に皮膜６を入れ、真空ポン
プにて約10-4torr以下に排気した後に、高周波コイル13
にて誘導加熱によりカーボン12及び皮膜６を約800℃〜1
300℃に加熱する。次に、このようにして加熱された皮
膜６に対し、ガス化させたBcl3とCO及びＨをマスフロメ
ータで調整しCVD原料ガス14として皮膜６上に吹き付け
る。吹き付けられたCVD原料ガス14は皮膜６の表面上の
粒子に付着すると共に、皮膜６の上記空隙内にも侵入し
て堆積し、徐々に空隙（空孔）を充填することができ
る。ここで、CVD装置容器11内の排気はCVD処理中続けら
れている。またCVD処理をする以前の皮膜６の組織は、
溶射皮膜の特徴として金型５に接していた部分付近は押
しつぶされて空隙が少なくなっている。そのために、CV
D原料ガス14を皮膜６の空隙が多く存在する方向、すな
わち第１図のCVD工程（Ｃ）に示す方向よりCVD原料ガス
14を皮膜６に吹き付ける方が効率良く上記空隙を充填す
ることができる。これとは反対に、金型５に接していた
部分の方向よりCVD原料ガス14を皮膜６に吹き付ける
と、皮膜６の空隙は早く目詰まりし、皮膜６全体の空隙
を埋めることが非常に困難になる。この実施例では、皮
膜６に存在している空隙の約70％を炭化ホウ素（B4C）
で充填することができた。
次に、皮膜６の空隙内に炭化ホウ素が充填された後
に、さらに皮膜６を焼成工程（Ｄ）により焼成する。こ
の焼成は、皮膜６を電気炉等の容器７の中に入れ、この
容器７内を排気した真空中あるいは真空排気後にアルゴ
ン又は窒素等の不活性ガスを入れた雰囲気中で皮膜６に
対し高温焼成を行う。この場合における皮膜６の焼成程
度は焼成温度によって変化し、また、E/ρ値は焼成温度
が約1000℃より徐々に増加し、約2100℃にてピーク値に
達する。
に、さらに皮膜６を焼成工程（Ｄ）により焼成する。こ
の焼成は、皮膜６を電気炉等の容器７の中に入れ、この
容器７内を排気した真空中あるいは真空排気後にアルゴ
ン又は窒素等の不活性ガスを入れた雰囲気中で皮膜６に
対し高温焼成を行う。この場合における皮膜６の焼成程
度は焼成温度によって変化し、また、E/ρ値は焼成温度
が約1000℃より徐々に増加し、約2100℃にてピーク値に
達する。
第２図及び第３図はこの発明の他の実施例であるスピ
ーカ用振動板の製造方法の工程を説明するための概略図
で、第１図と同一符号は同一、又は相当部分を表示して
おり、その詳細な説明は省略する。
ーカ用振動板の製造方法の工程を説明するための概略図
で、第１図と同一符号は同一、又は相当部分を表示して
おり、その詳細な説明は省略する。
第２図に示すこの発明の他の実施例の製造方法におい
ては、プラズマ溶射工程（Ａ），離型工程（Ｂ）までは
上記第１図に示す製造方法と同一の工程であるが、この
実施例の場合には、離型工程（Ｂ）による金型５から離
型後に焼成工程（Ｄ）を行う。すなわち、皮膜６を容器
７内に入れた状態において、焼成工程（Ｄ）により皮膜
６を真空中あるいはアルゴン又は窒素等の不活性ガス中
にて高温焼成を行い、皮膜６の炭化ホウ素（B4C）粒子
間の結合力を増加させる。このように処理した後の皮膜
６は、焼成前の皮膜６と比較して粒子間の結合は増加
し、また開気孔が少しできる。しかるに、皮膜６にはい
まだに多くの開気孔である空隙が存在している。そこ
で、続いて上述したようにCVD工程（Ｃ）により皮膜６
の空隙内に炭化ホウ素（B4C）を充填させる。その結
果、皮膜６における空隙の約60％が炭化ホウ素（B4C）
によって充填され、E/ρ値も上記焼成工程（Ｄ）によっ
て焼成しただけのものよりも約10％以上向上できる。
ては、プラズマ溶射工程（Ａ），離型工程（Ｂ）までは
上記第１図に示す製造方法と同一の工程であるが、この
実施例の場合には、離型工程（Ｂ）による金型５から離
型後に焼成工程（Ｄ）を行う。すなわち、皮膜６を容器
７内に入れた状態において、焼成工程（Ｄ）により皮膜
６を真空中あるいはアルゴン又は窒素等の不活性ガス中
にて高温焼成を行い、皮膜６の炭化ホウ素（B4C）粒子
間の結合力を増加させる。このように処理した後の皮膜
６は、焼成前の皮膜６と比較して粒子間の結合は増加
し、また開気孔が少しできる。しかるに、皮膜６にはい
まだに多くの開気孔である空隙が存在している。そこ
で、続いて上述したようにCVD工程（Ｃ）により皮膜６
の空隙内に炭化ホウ素（B4C）を充填させる。その結
果、皮膜６における空隙の約60％が炭化ホウ素（B4C）
によって充填され、E/ρ値も上記焼成工程（Ｄ）によっ
て焼成しただけのものよりも約10％以上向上できる。
また、第３図に示すこの発明の他の実施例の製造方法
においては、上記第２図に示す実施例の各工程（Ａ），
（Ｂ），（Ｄ），（Ｃ）による処理の後に、さらに焼成
工程（Ｄ）を付加した製造方法である。
においては、上記第２図に示す実施例の各工程（Ａ），
（Ｂ），（Ｄ），（Ｃ）による処理の後に、さらに焼成
工程（Ｄ）を付加した製造方法である。
第４図は従来例及びこの発明の各実施例であるスピー
カ用振動板の製造方法における皮膜のE/ρ値を比較して
示す図である。ここで、焼成工程（Ｄ）における皮膜６
の焼成は、アルゴンの雰囲気中で焼成温度約2000℃にて
焼成した場合を示している。
カ用振動板の製造方法における皮膜のE/ρ値を比較して
示す図である。ここで、焼成工程（Ｄ）における皮膜６
の焼成は、アルゴンの雰囲気中で焼成温度約2000℃にて
焼成した場合を示している。
なお、上記実施例では皮膜６の空隙内にCVD法によっ
て炭化ホウ素（B4C）を充填した場合について示してい
るが、充填する物質はE/ρ値の高い物質が望ましく、セ
ラミックスではSiC,Si3N4,TiC,C等が適しており、また
金属ではBe,Ti等が適している。そして、SiCのCVD法に
よる原料としてはSicl4＋C3H6を用い、その基板の温度
は約1000℃〜1500℃が望ましい。また、ＢのCVD法によ
る原料としてはBcl3＋H2を用い、その基板の温度は約50
0℃〜1500℃が望ましい。
て炭化ホウ素（B4C）を充填した場合について示してい
るが、充填する物質はE/ρ値の高い物質が望ましく、セ
ラミックスではSiC,Si3N4,TiC,C等が適しており、また
金属ではBe,Ti等が適している。そして、SiCのCVD法に
よる原料としてはSicl4＋C3H6を用い、その基板の温度
は約1000℃〜1500℃が望ましい。また、ＢのCVD法によ
る原料としてはBcl3＋H2を用い、その基板の温度は約50
0℃〜1500℃が望ましい。
［発明の効果］ 以上のように、この発明のスピーカ用振動板の製造方
法によれば、所望形状の金型上にプラズマ溶射によりセ
ラミックスなどの皮膜を形成し、この皮膜を金型から離
型した後に、皮膜中に存在する空隙内に、あるいは皮膜
を真空中又は不活性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在
する空隙内に、CVD法によりセラミックスあるいは金属
を充填させて振動板を作成するようにしたので、E/ρ値
が極めて高く、より一層高性能なスピーカ用として最適
な振動板を作成することができるという優れた効果を奏
する。
法によれば、所望形状の金型上にプラズマ溶射によりセ
ラミックスなどの皮膜を形成し、この皮膜を金型から離
型した後に、皮膜中に存在する空隙内に、あるいは皮膜
を真空中又は不活性ガス中で焼成した後の皮膜中に存在
する空隙内に、CVD法によりセラミックスあるいは金属
を充填させて振動板を作成するようにしたので、E/ρ値
が極めて高く、より一層高性能なスピーカ用として最適
な振動板を作成することができるという優れた効果を奏
する。
第１図はこの発明の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図、第２図及び第３
図はこの発明の他の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図、第４図は従来例
及びこの発明の各実施例であるスピーカ用振動板の製造
方法における皮膜のE/ρ値を比較して示す図、第５図は
従来のセラミックスを適用したスピーカ用振動板の製造
方法の工程を説明するための概略図である。 図において、１……溶射ガン、２……粉末供給ノズル、
３……溶射用粉末、４……プラズマ炎、５……金型、６
……皮膜、７……容器、８……ヒータ、９……排気口、
10……導入口、11……CVD（化学蒸着）装置容器、12…
…カーボン、13……高周波コイル、14……CVD原料ガ
ス、15……ガス導入口、16……ガス排気口、（Ａ）……
プラズマ溶射工程、（Ｂ）……離型工程、（Ｃ）……CV
D（化学蒸着）工程、（Ｄ）……焼成工程 である。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
造方法の工程を説明するための概略図、第２図及び第３
図はこの発明の他の実施例であるスピーカ用振動板の製
造方法の工程を説明するための概略図、第４図は従来例
及びこの発明の各実施例であるスピーカ用振動板の製造
方法における皮膜のE/ρ値を比較して示す図、第５図は
従来のセラミックスを適用したスピーカ用振動板の製造
方法の工程を説明するための概略図である。 図において、１……溶射ガン、２……粉末供給ノズル、
３……溶射用粉末、４……プラズマ炎、５……金型、６
……皮膜、７……容器、８……ヒータ、９……排気口、
10……導入口、11……CVD（化学蒸着）装置容器、12…
…カーボン、13……高周波コイル、14……CVD原料ガ
ス、15……ガス導入口、16……ガス排気口、（Ａ）……
プラズマ溶射工程、（Ｂ）……離型工程、（Ｃ）……CV
D（化学蒸着）工程、（Ｄ）……焼成工程 である。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】所望形状を有する金型上にプラズマ溶射に
より炭化ホウ素等の皮膜を形成し、この皮膜を金型から
離型した後、上記皮膜中に存在する空隙内に、あるいは
この皮膜を真空又は不活性ガス中で焼成した後の皮膜中
に存在する空隙内に、CVD（化学蒸着）法によりセラミ
ックスあるいは金属を充填させて振動板を作成すること
を特徴とするスピーカ用振動板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14924390A JP2623922B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | スピーカ用振動板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14924390A JP2623922B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | スピーカ用振動板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440799A JPH0440799A (ja) | 1992-02-12 |
| JP2623922B2 true JP2623922B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=15471012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14924390A Expired - Lifetime JP2623922B2 (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | スピーカ用振動板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623922B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5653776B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2015-01-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高性能スピーカー用振動板及びスピーカー用振動板の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP14924390A patent/JP2623922B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440799A (ja) | 1992-02-12 |
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