JP2619372B2

JP2619372B2 - 光磁気記録方法

Info

Publication number: JP2619372B2
Application number: JP61292306A
Authority: JP
Inventors: 戸田　　剛; 正啓尾島; 和男重松
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1986-12-10
Filing date: 1986-12-10
Publication date: 1997-06-11
Anticipated expiration: 2012-06-11
Also published as: JPS63146259A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光磁気記録装置に係り、特にオーバーライ
トに好適な磁界変調方式による光磁気記録方法に関す
る。

〔従来の技術〕

従来の装置は、特開昭51-107121号に記載のように、
レーザ光を磁性膜へ照射すると同時に磁界付与装置で、
変調磁界だけを印加していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、レーザ光を磁性膜に照射するための
光ヘツドに搭載されたレンズアクチユエータ等からの漏
洩磁界について配慮がされておらず、漏洩磁界等により
変調磁界の実効的な値が変化する。

また、磁性膜の磁気特性や反磁界などの影響によつて
も、記録（または消去）磁界のしきい値（記録または消
去されはじめる磁界の強さ）が磁性膜上で零にならな
い。したがつて、変調磁界は、記録（または消去）磁界
のしきい値に対してアンバランスな磁界強度となる。上
記漏洩磁界だけでも磁性膜上で100Oe程度にも達し、高
速化および高密度化するための磁気ヘツドの形状や特性
が制限されてしまう。そのため、磁性膜上での実効磁界
が、記録（消去）しきい値以下になつたり、わずかにそ
のしきい値を上まわる程度となる。このため、安定な記
録および消去が達成できなくなり、記録・消去を同時に
行なう重ね書き（オーバーライト）が不可能となる問題
があつた。

本発明の目的は、光ヘツドのアクチユエータ等の漏洩
磁界の影響を取り除き、安定なオーバーライトを可能と
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、光ヘツドに搭載されたレンズアクチユエ
ータ等からの漏洩磁界を実質的に取り除くため、磁気ヘ
ツドで漏洩磁界とは逆向きでかつ、同じ大きさの磁界を
発生させ、磁性膜面上での実効磁界が、磁気ヘツドで印
加する変調磁界だけにすることにより、達成される。

〔作用〕

バイアス磁界と変調磁界を同時に発生させる磁界変調
記録方式は、光ヘツドに搭載されたレンズアクチユエー
タ等からの漏洩磁界をキャンセルし、記録磁性膜面上に
変調磁界だけが印加される。それによつて、確実な記録
・消去が行なわれ、オーバーライトが可能になる。

また、磁界の強度が小さくても安定に記録・消去が行
なえる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第
１図は、光磁気デイスク装置の構成を示した図である。
半導体レーザ１からの出射光は、カツプリングレンズ２
で平行光にされ、偏光ビームスプリツタ３とビーム偏向
用ミラー４を通過して、フオーカスレンズ５で、基板7a
を透過し記録磁性膜7b上に絞り込まれる。磁性膜7bから
の反射光は、偏光ビームスプリツタ３で反射され、偏光
ビームスプリツタ９に導かれる。偏光ビームスプリツタ
９を透過した光は、凸レンズ13と円柱レンズ14からなる
非点収差光学系により、光検出器15に導かれ、フオーカ
スエラー検出およびトラツクエラー検出が行なわれる。
ここで得られるフオーカスエラー信号はアクチユエータ
６にフイードバツクされ、フオーカスレンズ５をその光
軸方向に駆動制御し、絞り込まれたレーザ光スポツトの
焦点位置を磁性膜7b上に常に保持する。また、トラツク
エラー信号は、ビーム偏光用ミラー４を駆動制御するア
クチユエータにフイードバツクされる。これにより、光
スポツトは、常に所定のトラツクを追従する。偏光ビー
ムスプリツタ９を反射した光は、偏光ビームスプリツタ
10に入射する。このとき、偏光ビームスプリツタ10の直
前に２分の１波長板（図示せず）をそう入して、入射偏
光面の角度を45度にするか、あるいは、偏光ビームスプ
リツタ10を45度回転させる。偏光ビームスプリツタ10を
透過した光は、光検出器11に、反射した光は光検出器12
へ導かれ、光検出器11と光検出器２の出力の差が光磁気
デイスクからの再生信号となる。

光磁気記録においては、半導体レーザ１の出力を再生
時より大きくして、DC的に磁性膜7bに光スポツトを照射
して照射部の温度を上昇させる。これと同時に、磁気ヘ
ツド８に記録すべき情報に応じて変調した電流を流し、
変調磁界を磁性膜上に印加する。これにより、変調磁界
の上下向きに応じて、磁性膜の磁化が反転する。この磁
界変調方式を第２図を用いて説明する。第２図で、磁気
ヘツド８から発生される磁界および、磁性膜7b上での実
効的な磁界を説明する。（ａ）〜（ｄ）の縦軸は、記録
および消去磁界の強さを示し、横軸は時間ｔを示した。

（ａ）は、フオーカスレンズ５を駆動するアクチユエ
ータ６が発生した漏洩磁界Haを示す。これは、アクチユ
エータ６に組み込れた永久磁石によるもので、常に一定
方向に漏洩している。この状態で変調磁界を印加して
も、Haを中心に磁界が変調されるため、この場合、記録
を正の磁界と考えると、記録では、漏洩磁界Haだけ加算
された磁界が磁性膜の磁化の向きが決まるが、消去する
場合、漏洩磁界Haが減算された磁界となり、消去のため
の磁界が、不足し、消去が不完全になる。また、漏洩磁
界Haが、負の磁界の場合では、逆に記録が不完全とな
り、オーバーライトが不可能となる。そこで、（ｂ）に
示すように、漏洩磁界Haとは逆向きで同じ大きさのバイ
アス磁界−Haを磁気ヘツド８で、印加する。次に、変調
磁界Hmodulationをバイアス磁界に重畳させて磁気ヘツ
ド８で印加する。（ｃ）は、磁気ヘツドで印加する磁界
Hexternalを示した。

Hextenal＝Hmodulation−Ha …（１）磁性膜上での実効磁界Htotalを（ｄ）に示す。

Htotal＝Hextenal＋Ha ＝（Hmodulation−Ha）＋Ha ＝Hmodulation …（２）磁気ヘツドで、バイアス磁界と変調磁界を印加すること
により、磁性膜上での実効磁界は、磁界の強さ０レベル
を中心に、正負に変調することができ、安定な記録・消
去が可能となる。以上の磁界変調方式による信号レベル
と磁界強度の関係を第３図に示す。第３図（ａ）は、磁
気ヘツド印加磁界強度（Hexternal）による信号レベル
を示す。レンズアクチユエータ等による漏洩磁界Haによ
り、磁気ヘツド印加磁界強度０でも信号レベルが発生す
る。また、記録しきい値が−Haとなり、安定な記録・消
去を行なうためには、変調磁界が記録しきい値を中心と
して印加する必要がある。（ｂ）は、本発明による実施
効果の１例であり、実効磁界Htotalに対する信号レベル
を示してある。磁界ヘツドでバイアス磁界−Haを印加す
ることにより、記録しきい値は実効磁界強度がほぼ零と
なる。これにより、変調磁界が実効磁界強度０を中心と
して印加され、安定な記録・消去が可能となる。さら
に、必要な変調磁界を小さくすることも可能となる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、レンズアクチユエータからの漏洩磁
界の影響による変調磁界のアンバランスを補正すること
ができる。したがつて確実な記録・消去ができ、オーバ
ーライトが可能となり、転送レートや信頼性が向上する
効果がある。また、磁性膜の反磁界による影響もバイア
ス磁界を反磁界の強さに応じて印加することにより、さ
らに、安定なオーバーライトができる。さらに、印加す
る変調磁界を小さくすることができるため、磁界ヘツド
も小型かつ安価になる。また、同じ印加磁界強度であれ
ば、磁性膜と磁気ヘツドの間隔を大きくすることがで
き、磁気デイスクなどで発生するヘツドクラツシユや磁
性膜の損傷などを防げる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す光磁気デイスク装置の
構成図、第２図は本発明による磁界変調方式を説明する
ための図、第３図は本発明の一実施例の効果を示す図で
ある。１……半導体レーザ、６……アクチユエータ、7b……磁
性膜、８……磁気ヘツド、Ha……漏洩磁界。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光を記録媒体に照射し、磁気ヘッド
で記録情報に従って変調した変調磁界を印加して記録す
る方法において、上記磁気ヘッドにより上記変調磁界と
該変調磁界に重畳されたDC的なバイアス磁界を同時に印
加することを特徴とする光磁気記録方法。
【請求項２】レーザ光を記録媒体に照射し、磁気ヘッド
で記録情報に従って変調した変調磁界を印加して記録す
る方法において、上記磁気ヘッドにより上記変調磁界と
該変調磁界に重畳されたバイアス磁界を同時に印加する
ことを特徴とする光磁気記録方法であって、上記バイア
ス磁界がレーザ光を上記記録媒体に照射するための光ヘ
ッドに搭載されたレンズアクチュエータからの漏洩磁界
とは逆向きであることを特徴とする光磁気記録方法。