JP2611157B2 - 一自由面トンネル掘鑿の分鑿式多段発破工法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、トンネル掘鑿技術に関
し、特に一自由面を有するトンネル作業面を掘鑿するた
めの分鑿式多段発破工法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一自由面を有するトンネル内切羽面を掘
鑿する発破工法は、次の自由面を確保するための切削孔
の穿孔方法により角度切削（Ａｎｇｌｅ Ｃｕｔ）方法
とパラレル切削（Ｐａｒａｌｌｅｌ Ｃｕｔ）方法に区
分される。

【０００３】現在、トンネル発破において活用されてい
る最新工法として、角度切削法におけるＶカット（Ｖ−
Ｃｕｔ）工法とパラレル切削法におけるバーンカット
（Ｂｕｒｎ−Ｃｕｔ）工法が一般化されて用いられてい
る。角度切削法は軟岩岩盤の短孔発破に活用され、バー
ンカット法は中軟岩以上の岩盤への長孔穿孔に大部分活
用されている。

【０００４】既存の発破工法を図１及び図２を参照して
説明する。図１は、従来技術によるバーンカット法を示
す。図１（Ａ）は、切羽面の正面を示す図である。

【０００５】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すＡ−Ａ′
線に沿う掘鑿方向に沿った断面図を示す。中央に示す太
いレリーフホール１は、爆薬を装填しない無装薬孔（空
孔）であり、その周囲に図１（Ａ）に示すような分布を
有する多数のパラレルホール２、３、４、５が切羽面９
から孔底面８まで穿孔されている。

【０００６】図１（Ａ）中●は掘鑿方向に平行に穿孔し
たパラレル（ｐａｒａｌｌｅｌ）ホールの配置、分布を
示す。中央に示す３つのレリーフホール１は、爆薬を装
填しない大径の空孔である。他のパラレルホールには、
雷管および爆薬を装填する。図中♯で示した数字は、爆
薬の爆破順序を示す。すなわち、♯１から♯２、♯３と
順次爆破を行い、♯１３まで爆破する。

【０００７】図１（Ｂ）の断面に示すように、レリーフ
ホール１の外側にパラレルホール２〜５が穿孔され、黒
色で示す領域に爆薬が装填される。パラレルホール２
は、無装薬孔１を利用して最初に爆破を行う中心部分の
パラレルホールであり、その周囲のパラレルホール３、
４は、順次爆破空間を拡げるための中間部分のパラレル
ホールであり、パラレルホール５は最終的な外形を定め
るための外郭パラレルホールである。

【０００８】なお、岩盤損傷部６は、爆破によっては離
脱しないが、爆破によって損傷を受け、その強度が弱ま
った領域を示す。岩盤損傷部６内にパラレルホールの残
孔７が残る。

【０００９】図２は、Ｖカット工法を示す。図２（Ａ）
は切羽面正面の切削孔の配置を示し、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図を示す。切羽面の中央
部分において、図２（Ｂ）に示すように、深さと共に間
隔が狭まるように掘鑿方向に対して傾斜したスラント
（ｓｌａｎｔ）ホール１１、１２が穿孔され、その周囲
にパラレルホール１３、１４が穿孔されている。最も内
側のスラントホール１１は、切羽面１８から互いに近付
くように進行し、円筒状孔底面１７に達する。図２
（Ａ）においては、スラントホール１１、１２の孔位置
を矢印で示す。スラントホール１１がいわゆるＶカット
を形成する。その外側には、切羽面１８から円筒状孔底
面１７に達する、徐々に傾斜角を緩めたスラントホール
１２が形成されている。傾斜角度の減少と共に孔底はよ
り深い位置に達している。中間部分のパラレルホール１
３、外郭パラレルホール１４は、図１（Ｂ）に示す中間
部分のパラレルホール４および外郭パラレルホール５と
同様である。切削孔中の黒色領域は装薬区間を示す。

【００１０】図２（Ａ）における♯０〜♯１２は、発破
の順序を示す。図２（Ｂ）に示す岩盤損傷部１５は、図
１（Ｂ）に示す場合よりも厚く形成され、新たに形成さ
れる自由面の先に残孔１６を残す。

【００１１】図２から明らかなように、従来のＶカット
工法によれば、切羽面の中央部分はＶカットのスラント
ホールで爆破し、周辺部分はパラレルホールで爆破して
いる。

【００１２】図４、図５は、スラントホールとパラレル
ホールの形状およびその発破効率を説明するための図で
ある。図４は、スラントホールの形状および切羽面上に
おける射影面積を示す。切羽面２００から掘鑿方向に対
して傾斜したスラントホールが掘鑿方向に対し、角度θ
で形成されている。一対のスラントホールの孔底１００
は、距離ｇで対向するように形成される。

【００１３】図５は、パラレルホールの形状を示す。切
羽面２００から掘鑿方向に沿ってパラレルホールが形成
されている。スラントホールおよびパラレルホールを切
羽面２００上に垂直に投影した射影面積が、図中右側に
示されている。スラントホールは、角度θに依存した射
影面積を有する。一方、パラレルホールの射影面積は、
孔の断面積と同一となる。

【００１４】発破効率は、切羽面における装薬区間の射
影面積に依存する。したがって、発破効率自身は、スラ
ントホールのほうがパラレルホールよりも大きい。な
お、これは自由面が切羽面である場合であり、切羽面の
中央部に掘鑿方向に延びる空間が形成された場合には、
自由面が増加し、その自由面に対する射影面積も切羽効
率に影響する。

【００１５】図１７（Ｂ）は、切羽面９に垂直に形成し
たパラレルホールにおける発破圧の作用を示す。パラレ
ルホール全体に弾薬が装薬されているものとする。発破
圧は、矢印で示すように、破線で囲んだ領域に作用す
る。この発破圧の作用する角度は約４０〜６０度であ
る。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】バーンカット発破工法
においては、以下のような課題がある。

【００１７】（イ）発破理論上、発破効率を増加させる
ためには、一自由面に対して装薬孔を投射した射影面積
が大でなければならない。パラレルホールでは、投射面
積が小さいのみならず（図５参照）、発破圧が切羽面９
に対し、図１７Ｂに示すように４０〜６０度に作用する
ため、深い部分では発破できる面積が狭く、発破効率が
劣る。

【００１８】（ロ）レリーフホール１の穿孔が難しい。
無装薬孔であるレリーフホール１を５〜７ｃｍ間隔で一
直線に穿孔しなければならないので、穿孔に高度の技術
と装備が要求される。通常孔間間隔を維持しなければな
らないが、２つ以上のレリーフホールの穿孔時に貫通の
おそれが多く、失敗する可能性が高い。

【００１９】（ハ）大口径のレリーフホール１を穿孔し
なければならないので、穿孔時間が長い。

【００２０】（ニ）岩盤損傷部６が大きいので、岩盤の
補強が難しい。浮石発生が多いので、落盤事故のおそれ
が多いのみならず、浮石処理時間が長い。

【００２１】（ホ）破砕された岩石の飛散距離が長いた
め、周囲の通風管や電気パネル、鑿岩ドリル用水パイプ
の損傷が多い。反面、通風管が遠く離れていると換気が
難しいので、作業能率が低下する。電気パネルと鑿岩ド
リル用水パイプが遠く離れていると、連結時に多くの時
間と費用が消費される。

【００２２】（ヘ）切削孔の自由面への投射面積が小さ
いため、多くのパラレルホールを穿孔しなければならな
い。レリーフホール１を大きく穿けてその周囲のパラレ
ルホールに密装薬をしなければならないので、火薬類の
消費量が多い。

【００２３】（ト）掘鑿の単位サイクル当たりの作業時
間が長い。補強費が多く要り、火薬費が多く要る。単位
サイクル当たりの掘進効率が低下して発破回数が多いの
で、掘進費用が過大である。

【００２４】また、Ｖカット発破工法においては、以下
のような課題がある。

【００２５】（イ）傾斜したスラントホールを穿孔する
ため、孔長より進行長が小さい。長孔穿孔時に発破効率
が最も劣る。

【００２６】（ロ）スラントホールの孔底間の間隔が１
００ｍｍ程度でなければならない。１００ｍｍ以下の間
隔では、貫通のおそれが多い。１００ｍｍ以上離れる
と、発破効率が低下する。従って、スラントホール穿孔
に高度の技術が要求される。

【００２７】（ハ）傾斜したスラントホールを穿孔する
ため、穿孔の深さ、孔底の位置を一定に保ちにくい。ス
ラントホール孔底が一定でないので、切羽岩盤と周囲岩
盤の損傷が大きい。スラントホールを集中発破するた
め、発破圧が大きい。浮石発生が多いので、安全面で事
故の危険性が高く、浮石処理時間が長い。

【００２８】（ニ）周辺のスラントホール、すなわち図
２のＶカット周辺のスラントホール１２を角度穿孔し、
密装薬しなければならないので、多くの穿孔数が必要に
なる。

【００２９】（ホ）発破効率の低下、爆薬使用量の増
加、補強費の増加及び発破回数の増加により、単位長さ
当たりの掘鑿費用が高くなる。要約すると、標準的角度
穿孔発破工法においては、投射面積を大きくして発破効
率を高め、第２の自由面を確保したが、スラントホール
の孔底間の距離が１０ｃｍ程に精密でなければならず、
集中装薬をしなければならない。パラレル穿孔発破工法
においては、第２の自由面を得るために大口径（φ１０
２〜１２０ｍｍ）のレリーフホール１を穿け、その周囲
に５〜７ｃｍ間隔でパラレルホール２を穿け、これらの
パラレルホールに爆薬を装填し、パラレルホールを集中
発破しなければならない。または第２の自由面を得るた
めに前端面掘鑿機（ＴＢＭ：Ｔｕｎｎｅｌ Ｂｏｒｉｎ
ｇ Ｍａｃｈｉｎｅ）を利用して人為的に大口径空孔を
穿ける。いずれも多くの時間と費用が必要である。

【００３０】しかも、レリーフホールやスラントホール
は穿孔長さによって角度と数が異なるため、一般の条件
や周囲環境に従って精密に設計しなければならない。さ
らに、スラントホールとパラレルホールとの発破工法に
対する長所短所が明確に区分されるため、これを改善す
るためには高度に発達した装備と技能工を必要とし、現
実的にはほとんど不可能であるか、可能であるとしても
多くの費用と時間が必要であった。

【００３１】本発明の目的は、第２の自由面を容易に得
られるのみならず、周囲岩盤に対する損傷を最小限に抑
制できる新規な発破工法を提供することである。

【００３２】

【課題を解決するための手段】スラントホールとパラレ
ルホールを同じ面積内に併行して穿孔する。ミリセコン
ドからデシセコンド（ｄｅｃｉ−ｓｅｃｏｎｄ）オーダ
の時間差を利用してスラントホールとパラレルホールを
発破する。

【００３３】本発明の一観点によれば、一自由面を有す
るトンネルを掘鑿するための切削孔の穿孔方法におい
て、掘鑿条件に従って、深さと共に間隔が狭まるように
掘鑿方向から傾斜した複数個のスラントホールを穿孔す
る工程と、前記複数個のスラントホールによって画定さ
れる切羽面上の面積内に前記スラントホールよりも深
く、掘鑿方向に沿ったパラレルホールを穿孔する工程と
を有する一自由面トンネル掘鑿のための切削孔の穿孔方
法が提供される。

【００３４】本発明の他の観点によれば、一自由面を有
するトンネルを掘鑿するための切削孔の穿孔及び装薬方
法において、掘鑿条件に従って、深さと共に間隔が狭ま
るように掘鑿方向から傾斜した複数個のスラントホール
を穿孔し、上記複数個のスラントホールによって画定さ
れる切羽面上の面積内に前記スラントホールよりも深
く、掘鑿方向に沿ったパラレルホールを穿孔する穿孔工
程と、上記スラントホールとパラレルホールに電気雷管
と爆薬を装填し、上記パラレルホールには孔底からスラ
ントホールの形成する面までの範囲にのみ爆薬を装填す
る装薬工程を有する一自由面トンネル掘鑿のための切削
孔の穿孔及び装薬方法が提供される。

【００３５】本発明のさらに他の観点によれば、スラン
トホールを発破して、傾斜自由面を形成する工程と、パ
ラレルホールのうち上記面積内の中心部分のパラレルホ
ールを発破して断面が漏斗形状の自由空間を形成する工
程と、パラレルホールのうち上記面積内の中間部分のパ
ラレルホールおよび外側部分のパラレルホールを順次発
破して立方体的空間を形成する工程とを有する一自由面
トンネル掘鑿のための切削孔の発破方法が提供される。

【００３６】本発明の他の観点によれば、一自由面を有
するトンネルを掘鑿するための分鑿式多段発破工法にお
いて、切羽面の中心ゾーンで、深さと共に間隔が狭まる
ように掘鑿方向から傾斜した適当な個数のスラントホー
ルを穿孔し、複数個のスラントホールが画定する切羽面
上の面積内にスラントホールより深く、掘鑿方向に沿う
パラレルホールを穿孔し、上記スラントホールが画定す
る面積の外部に周辺拡大パラレルホール、ストップパラ
レルホール及び外郭パラレルホールを穿孔する穿孔工程
と、上記スラントホールに電気雷管を装薬し、上記面積
内のパラレルホールに孔底からスラントホールが画定す
る断面までの範囲内で爆薬を装薬し、上記周辺拡大パラ
レルホール、ストップパラレルホールおよび外郭パラレ
ルホールに装薬する工程と、スラントホールを発破して
傾斜自由面を形成する工程と、上記面積内のパラレルホ
ールのうち中央部分のパラレルホールを発破して、断面
が漏斗形状の自由面を形成する工程と、上記面積内のパ
ラレルホールのうち中間部分のパラレルホール、外側部
分のパラレルホールを順次発破して立方体的空間を形成
する工程と、上記周辺拡大パラレルホール、ストップパ
ラレルホールおよび外郭パラレルホールを順次発破する
工程とを有する一自由面トンネル掘鑿の分鑿式多段発破
工法が提供される。

【００３７】

【作用】切羽面の中央部分に、スラントホールを穿孔
し、スラントホールで画定される切羽面の中央部分内に
パラレルホールを重ねて穿孔する。パラレルホールをス
ラントホールよりも深く穿孔することにより、十分な掘
鑿長さを得ることができる。スラントホールとパラレル
ホールの長所を併用することにより、切羽面とは別の第
２の自由面を容易に得、かつ周囲の岩盤に対する損傷を
低減することができる。

【００３８】この方法によれば、スラントホールの孔底
間距離は、従来技術のＶカット工法におけるスラントホ
ールの孔底間距離ほど精密に制御する必要はなく、３０
〜５０ｃｍ程度でよい。また、先端が近付く複数のスラ
ントホールで画定される切羽面上の面積内の中央部分に
穿孔するパラレルホールは、従来のバーンカット工法に
おける中央部分のパラレルホールほど高精度に形成する
必要はなく、その間隔は２０〜３０ｃｍ程度でよい。ス
ラントホール、スラントホールで画定される切羽面上の
面積の中央部分内のパラレルホールを順次爆破すること
により、十分な深さを持つ断面が漏斗状の空間が切羽面
中央部分に容易に形成される。

【００３９】

【実施例】以下、図面を参照し、本発明を詳細に説明す
る。なお、以下に説明する実施例および図示した構造
は、説明のための単なる例示であり、本発明を何ら制限
する意図を有さない。

【００４０】まず、図３を参照し、本発明の実施例によ
る一自由面トンネル掘鑿の分鑿式多段発破工法の段階を
概略的に記述する。図３（Ａ）〜（Ｃ）は、トンネルの
掘鑿方向に沿う断面図であり、本発明の実施例による発
破プロセスを概略的に示す。また、図３（Ａ′）〜
（Ｃ′）は、図３（Ａ）〜（Ｃ）に対応する切羽面の正
面図である。

【００４１】図３（Ａ）、（Ａ′）は、一単位工程にお
ける初期状態を示す。トンネル内で切羽面２００′は一
自由面を形成する。この切羽面２００′を掘鑿し、新た
な切羽面２１０を形成しようとする。なお、図３
（Ａ）、（Ａ′）に示すようなかまぼこ型形状も、本明
細書においては、「立方体的」ということとする。

【００４２】図３（Ｂ）、（Ｂ′）は、切羽面における
切削孔の分布、形状および爆薬の装薬を示す。図３
（Ａ）に示す切羽面２００′の中央部分に対向し、先端
で近付くスラントホール２１を形成する。なお、スラン
トホール２１は、垂直面内で角度を形成しても、水平面
内で角度を形成しても、その他の面内で角度を形成して
もよい。図３（Ｂ）は、垂直面内に角度を形成するスラ
ントホールを概略的に図示し、図３（Ｂ′）は水平面内
で角度を形成するスラントホールを図示する。

【００４３】図６は、本実施例におけるスラントホール
の部分断面図を示す。切羽面２００から、切羽面にほぼ
垂直な掘鑿方向に対し、傾斜したスラントホールが対向
してＶ形に形成されている。これらのスラントホールの
孔底間の距離は、約３００〜５００ｍｍである。

【００４４】図８は、比較のため従来技術によるＶカッ
トのスラントホールの形状を示す。切羽面２００から掘
鑿方向に対し、傾斜した一対のスラントホールが形成さ
れる場合、スラントホールの孔底間の距離は約１００ｍ
ｍである。このような短い距離にスラントホールの孔底
を配置しようとすると、高度の掘鑿技術を必要とする。
本実施例においては、孔底間の距離が３００〜５００ｍ
ｍであるため、高度な掘鑿技術は必要としない。

【００４５】図７は、複数のスラントホールの配置を概
略的に示す。切羽面は均一な条件ではなく、角度や硬度
が異なる種々の面を含む。したがって、形成しようとす
るスラントホールも厳密にその位置を画定することは難
しい。図示のように、スラントホールの切羽面上の位置
は、適当に変化させることができる。また、スラントホ
ールの孔底間の距離が３００〜５００ｍｍと掘鑿精度に
余裕があるため、容易に矢印で示すように、スラントホ
ールを対向して形成することができる。なお、図示のよ
うにスラントホールの孔底も互いに対向している必要は
ない。右側のスラントホールの孔底が形成する面と、左
側のスラントホールの孔底が形成する面とがほぼ対向
し、その間の距離が約３００〜５００ｍｍであればよ
い。

【００４６】図３（Ｂ）に示すように、スラントホール
２１が切羽面２００′上で画定する面積内に、重ねてパ
ラレルホール２０′を穿孔する。さらに、スラントホー
ル２１が画定する面積の外側にもパラレルホール２０を
形成する。同一穿孔長とすると、図示のようにパラレル
ホールはスラントホールよりも深い位置に達する。図３
（Ｂ′）は、切羽面内に形成されるスラントホールおよ
びパラレルホールの分布を概略的に示す。切削孔に付し
た♯１〜♯１３は、発破の順序を示す。

【００４７】ここで、スラントホールとの関係でパラレ
ルホールをより詳細に説明する。図１１、１３は、スラ
ントホール２１が画定する切羽面２００の面積内に形成
されるパラレルホールを示す。スラントホール２１は、
先端で互いに近付くように、かつ孔底がほぼ同一平面上
に配置されるように穿孔され、台形状の断面を形成す
る。台形の短辺に相当する（Ｖ型の谷底に相当する）領
域に、中央部分のセンターカットパラレルホール２２が
形成される。また、スラントホール２１が画定する斜面
の内側部分（中間部分）にミドルカットパラレルホール
２３が形成され、斜面の外側部分にアウタカットパラレ
ルホール２４が形成される。

【００４８】図３（Ｂ）に示すように、各パラレルホー
ル２０′、２０（図１１、１３では、２２、２３、２
４）の孔底は、ほぼ同一平面１００上で終端するように
する。

【００４９】これらの切削孔内に、図３（Ｂ）、図１３
の黒色部分で例示するように、爆薬を装薬する。スラン
トホール２１が画定する切羽面の面積内に形成されたパ
ラレルホール２０′（２２、２３、２４）においては、
スラントホール２１が画定する断面よりも深い位置にの
み爆薬が装薬されることに注意されたい。すなわち、ス
ラントホール２１と、中央部分のパラレルホールとの爆
薬が発破されれば、漏斗状の空間を形成するとこがで
き、スラントホールで画定される断面よりも浅い領域に
爆薬を装薬する必要はない。

【００５０】一旦目標とする底面１００に到達する自由
空間が形成されれば、この空間によって画定される自由
面を利用して、内側から順次発破を行うことにより、自
由空間の断面積を順次外側に拡げることができる。図３
（Ｂ）に示す♯１〜♯１３の発破順序がこの手順を示
す。すなわち、まずスラントホールの爆薬が♯０で発破
され、続いて、最も中央部分に配置されたパラレルホー
ルの底に装薬された♯１の爆薬が発破され、その後♯２
〜♯１３と順次外側に向かって爆薬が発破される。

【００５１】図３（Ｃ）、（Ｃ′）は、一単位工程を終
了した後のトンネル内の状態を示す。各爆薬が発破さ
れ、当所の切羽面であった自由面２００′は、新たな自
由面２１０に移動する。なお、図３（Ｃ）には、発破に
よって生じた破砕岩２２０も示す。これらの破砕岩はト
ンネル外に搬出される。

【００５２】なお、上述のスラントホールおよびパラレ
ルホールには、それぞれ電気雷管を装薬するが、電気雷
管の装薬方法を、図１２、図１３を参照して説明する。

【００５３】図１２（Ａ）〜（Ｃ）は、３つの装薬方式
を示す。図１２（Ａ）は、切削孔の底部にブースターを
設けた正起爆（ｉｎｄｉｒｅｃｔ）を示し、図１２
（Ｂ）は、切削孔の中間にブースターを装薬した中起爆
（ｍｉｄｄｌｅ）を示し、図１２（Ｃ）は、切削孔の表
面部分に装薬した逆起爆（ｄｉｒｅｃｔ）を示す。

【００５４】図１３は、上述のスラントホールおよびパ
ラレルホールにおける装薬とブースターの配置を概略的
に示す。

【００５５】切羽面２００の中央（コア）部分におい
て、Ｖ形のスラントホール２１が形成され、切羽面２０
０上に所定面積を画定する。この面積の中央部分に形成
されるセンターカットパラレルホール２２には、その最
深部にブースターが装薬されている。その周囲の中間部
分のミドルカットパラレルホール２３には、やはり正起
爆でブースターが装薬され、スラントホール２１が画定
する深さまでの範囲に一般爆薬が装薬される。スラント
ホールで画定される面積の外側部分に形成されるアウタ
カットパラレルホール２４には、中間部分に形成される
ミドルカットパラレルホール２３と同様の装薬がされ
る。

【００５６】なお、図に示すように、装薬は必ずしもス
ラントホール２１が画定する面まで達する必要はない。
なお、スラントホール２１、スラントホールが画定する
面積よりも外側の領域に形成されるパラレルホールにも
装薬がされる。

【００５７】初めに発破される爆薬は、スラントホール
の爆薬であり、発破効率が高い。ただし、スラントホー
ルによる発破は、深さが不足する傾向がある。スラント
ホール２１が画定する面積の中央部分に形成されるパラ
レルホール２２の孔底部分の爆薬による発破により、不
足する長さが補充される。このパラレルホール２２内の
爆薬による発破は、発破効率は低いが、爆破する体積が
小さいため、爆薬の使用量は少ない。

【００５８】以後、内側から外側に向けて順次発破され
る時には、当初の切羽面２００の他に、スラントホール
および中央部分のパラレルホールによって爆破された空
間が形成されており、この空間によって画定される自由
面に対しても発破力が働くため、効率的な発破を行うこ
とができる。

【００５９】以下、図面を参照し、掘鑿工程の例を詳細
に説明する。まず、穿孔を施す段階をみると、掘鑿作業
条件、すなわち、岩盤の強度、トンネル規格、爆薬の種
類及び周囲環境に従って、上下又は左右の方向のうち、
いずれか一方向へ傾斜した適当な個数のスラントホール
（Ｖホール：先端が互いに近付くように掘鑿方向から傾
斜した切削孔）２１を穿孔する。

【００６０】図９（Ａ）〜９（Ｅ）は、切羽面の断面積
に応じたスラントホールおよびスラントホールが画定す
る面積内のパラレルホールの配置および間隔を概略的に
示す。図９（Ａ）、９（Ｂ）は、大型切羽面に対する切
削孔の配置および間隔を概略的に示す。スラントホール
の孔底が対向する距離は共に３００〜５００ｍｍであ
り、スラントホールが画定する切羽面上の面積は３００
０×４０００ｍｍである。なお、切削孔の配置や装薬
は、掘鑿条件に応じ適宜偏向することができる。たとえ
ば、岩盤の硬さやトンネル形状、爆薬の種類等により調
整される。

【００６１】図９（Ｃ）は、大−中型切羽面に対する切
削孔の配置および間隔を示す。スラントホールの孔底が
対向する距離は、３００〜４００ｍｍであり、スラント
ホールが切羽面上に画定する面積は、２０００×２８０
０ｍｍである。

【００６２】図９（Ｄ）は、中−小型切羽面に対する切
削孔の配置を示す。スラントホールの孔底が対向する距
離は、２００〜３００ｍｍであり、スラントホールが画
定する切羽面上の面積は、１０００×１８００ｍｍであ
る。なお、この場合には、スラントホールが画定する切
羽面上の面積の極近傍に形成されるパラレルホールも考
慮すると、初めに発破される面積は１８００×１８００
ｍｍとなる。

【００６３】図９（Ｅ）は、小型切羽面に対する切削孔
の配置例を示す。この場合は、水平面内のＶ形スラント
ホールと垂直面内のＶ形スラントホールが共に形成され
ている。スラントホールが画定する切羽面上の面積は、
１４００×１４００ｍｍである。

【００６４】なお、図９（Ａ）〜（Ｄ）では、スラント
ホールが水平面内で傾斜する場合を示したが、傾斜する
方向は水平面内に限らない。また、図中♯付きの番号
は、前述と同様、発破順序を示す。

【００６５】発破理論上、装薬孔を自由面に投射した投
射面積が大きいときに発破効率が大きくなる。スラント
ホールを穿孔して射影面積を大きくする。ここで、射影
面積とは、切削孔を切羽面上に投射した時の面積をい
う。図４および図５に示す通り、スラントホールの場合
は、角度θによって射影面積変化するが、パラレルホー
ルの場合は、投射面積は孔の断面積になる。

【００６６】本発明の分鑿式多段発破工法においては、
スラントホールの間隔と傾斜角は掘鑿作業条件に従って
定めるが、図６に示すように、スラントホールの孔底面
上の孔間距離が、例えば３００〜５００ｍｍ程度でかな
りの余裕がある。これは、スラントホール間が発破でき
なくてもセンターカットパラレルホールの下端装薬によ
り容易に発破できるためである。さらに、図７に示すよ
うに角度が相互に異なったり、孔間が一直線にならなく
ても、すなわち、孔口と孔底の位置が変化しても、試験
発破結果から発破効率には差支えがないことが判った。

【００６７】反面、従来のＶカットスラントホール発破
工法においては、スラントホール間が孔底で相互貫通さ
れたり、距離が遠いときには、発破効率が急激に低下す
る。このため、図８に示すように、孔底間が１０ｃｍ程
の距離になるよう精密に穿孔しなければならなかった。

【００６８】すなわち、本発明においては、従来のスラ
ントホールのように孔底間の距離を１０ｃｍ程にする必
要がなく、３０〜５０ｃｍ程度でもよいため、スラント
ホールの孔底間距離に余裕がある。

【００６９】適宜な個数のスラントホールを穿孔した
後、切羽面上でスラントホールが画定する面積内に穿孔
できる最大穿孔長のパラレルホール２０’を実施する
（図９（Ａ）〜９（Ｅ）および図１１参照）。

【００７０】スラントホールが画定する面積内の中央部
分にパラレルホールを穿孔するが、中央部分の孔間隔は
２００〜３００ｍｍになるようにし、中央部分以外の部
分は１００〜５００ｍｍ、望ましくは４００〜５００ｍ
ｍになるようにする。

【００７１】図１０は、トンネル内の切羽面の形状に対
応する切削孔の間隔、配置パターンを概略的に示す。図
１０（Ａ）は、横に広い大断面の切羽面に対する切削孔
の間隔および配置パターンの例を示す。図１０（Ｂ）
は、中断面の切羽面に対する切削孔の間隔および配置パ
ターンを示す。図１０（Ｃ）は、小断面の切羽面に対す
る切削孔の間隔および配置パターンを示す。

【００７２】スラントホールが画定する面積よりも外側
の領域における切削孔の間隔は、掘鑿作業条件に従って
定める。スラントホールが画定する面積に近接するその
周囲のパラレルホール３１と、面積内の外郭パラレルホ
ール３２の距離は、通常の条件に従って定める。

【００７３】次に、切削孔の装薬段階を説明する。スラ
ントホールの装薬は、掘鑿条件に従って異なるが、図１
１に示すように、大体穿孔長の８０％までとする。雷管
はスラントホール全体が同時に発破されるよう瞬発電気
雷管を用い、図１２に示すブースター（Ｂｏｏｓｔｅ
ｒ）の種類は、できる限り正起爆又は中起爆にする。こ
こで、瞬発電気雷管とは、通電と同時に時差なく爆発さ
れる雷管を意味する。スラントホールに装薬される電気
雷管として、通電から遅延時間を経て爆発する遅発電気
雷管も用いることもできる。

【００７４】図１３に示す通り、スラントホールが画定
する面積内の中央領域のパラレルホール２２は、スラン
トホールの孔底よりも深い部分にのみ装薬し、遅発電気
雷管、望ましくは爆発速度が最も早いミリセコンド（Ｍ
Ｓ）電気雷管を用いて、必ず正起爆に装薬する。これ
は、スラントホールが画定する面積内に穿孔できる最大
穿孔長のパラレルホールを穿孔をし、スラントホール外
部（孔底側）にのみ装薬することにより、スラントホー
ル発破後に、その発破圧を利用して残り深さのパラレル
ホールが容易に発破されるようにするためである。

【００７５】スラントホールが画定する面積内の残りの
切削孔、すなわち、斜面内側領域（中間領域）のミドル
カットパラレルホール２３および斜面外側領域のアウタ
カットパラレルホール２４もスラントホールが画定する
断面より深い部分にのみ孔底から装薬し、センターカッ
トパラレルホール２２から外側方向へ向かうに従い、爆
発速度が早い遅発電気雷管から順次爆発速度が遅い遅発
電気雷管に変化するようにする。ブースターは正起爆に
装薬する。

【００７６】図１４は、スラントホールが画定する面積
３０よりも外側の領域におけるパラレルホールの配置お
よび発破順序を概略的に示す。スラントホールが画定す
る面積３０の外側領域には、周辺拡大パラレルホール２
５、ストップパラレルホール２６、および外郭パラレル
ホール２７が配置される。なお、数字に付したａ、ｂ、
ｃ等は、切削孔の位置を識別するために付したものであ
り、これらがない切削孔と同等もしくは同様である。こ
れらのパラレルホールには、望ましくはデシセコンド
（ＤＳ）電気雷管を装着するが、ＭＳ電気雷管を装着し
ても発破効率には大差ない。

【００７７】天井外郭パラレルホール２７ａと側壁外郭
パラレルホール２７ｂ、底外郭パラレルホール２７ｃ、
天井ストップパラレルホール２６ａ、側壁ストップパラ
レルホール２６ｂ、底ストップパラレルホール２６ｃ
は、図１４に示す通り、既存の発破工法と同様にそれぞ
れに別の雷管番号を付し、異なるタイミングの電気雷管
を装着する。

【００７８】次に、順次発破工程を図１５、１６を参照
して説明する。図１６は、発破順序に従ったトンネル断
面の変化を示す。図１６（Ａ）は、スラントホールの発
破により、Ｖ型（台形）断面の空間２１ａが形成された
状態を示す。この台形２１ａの広い開口部分がスラント
ホールによって画定される切羽面上の面積である。

【００７９】なお、台形の短辺に相当する残存領域２２
ａは、スラントホールによって画定される面積内の中央
部分である。スラントホールによって形成された斜面
は、内側領域２３ａと外側領域２４ａに分類される。

【００８０】スラントホールによって画定された面積よ
りも外側の領域は、内側領域２５ａ、中間領域２６ａ、
外側領域２７ａに分類される。なお、以上分類した各領
域に対応して、パラレルホールが形成され、内側領域か
ら外側領域に向かって順次発破が行われる。

【００８１】図１６（Ｂ）〜（Ｄ）は、スラントホール
によって画定される面積内のパラレルホールの発破によ
り、漏斗状断面を有する空間が形成され、漏斗の細径部
が次第に拡大され、やがて立方体的空間が形成される工
程を示す。

【００８２】図１６（Ｅ）〜（Ｇ）は、立方体的空間が
形成された後の発破により、順次立方体の体積が径方向
に拡大され、目的とする断面積を有する空間を形成する
工程を示す。

【００８３】図１５は、スラントホールが画定する面積
内のパラレルホールにより、順次発破が行われる状態を
パラレルホールの配置と共に示す。図１５（Ａ）〜１５
（Ｄ）は、図１６（Ａ）〜１６（Ｄ）に対応する。図１
５（Ａ）は、スラントホールの発破により、領域２１ａ
内が除去される状態を示す。図１５（Ｂ）は、スラント
ホールが画定する面積内の中央部分底部の発破により、
領域２２ａが除去される状態を示す。図１５（Ｃ）は、
スラントホール斜面によって画定される内側領域２３ａ
が発破により除去される工程を示す。図１５（Ｄ）は、
スラントホールの斜面が画定する外側領域の発破によ
り、領域２４が除去される工程を示す。

【００８４】まず、切羽面中央部のスラントホールがス
ラントホールに装薬された瞬発電気雷管により、同時に
全体的に発破される（図１５（Ａ）参照）。

【００８５】本発明においては、スラントホールの画定
する切羽面の面積内に形成した多数のパラレルホールの
無装薬区間が自由面の役割をするため、スラントホール
で画定される台形断面領域全体が容易に発破できる。ス
ラントホールが効果的に発破された直後、センタパラレ
ルホールに装薬された遅発電気雷管、望ましくはＭＳ電
気雷管により、図１５（Ｂ）に示すように、スラントホ
ールで画定される面積内の中央部のセンターカットパラ
レルホールが発破される。この発破により、パラレルホ
ールの孔底まで貫通孔が形成されて漏斗断面形状の自由
面が確保される。

【００８６】ここで、中央部のセンターカットパラレル
ホールに装薬されたＭＳ電気雷管は、０．０１〜０．０
５秒の時間差で爆発されるミリセコンド（Ｍｉｌｌｉ
Ｓｅｃｏｎｄ：ＭＳ）電気雷管である。スラントホール
で画定される面積中央部のセンターカットパラレルホー
ルは、ＭＳ電気雷管によりスラントホールとミリセコン
ド差で爆破されることにより、発破圧が相互上昇作用を
起こし、効果的に孔底まで掘鑿されて、図１５（Ｂ）の
通り、漏斗形状の第２自由面を作るようになる。

【００８７】次いで、図１５（Ｃ）に示す通り、中央部
のパラレルホールの周辺孔である中間部（傾斜面内側部
分）のミドルカットパラレルホールが順次に発破され
て、新たな第２自由面が形成される。

【００８８】図１５（Ｄ）に示す通り、スラントホール
で画定される面積内の外側部分、すなわち、アウタパラ
レルホールが発破されて、立方体的空間を形成し、完璧
な第２自由面を確保するようになる。

【００８９】本発明は、上述の通り、まず、切削孔を発
破して第２の自由面を確保することを特徴とする。図１
７（Ａ）に示す通り、中央部に発破による自由面が形成
されると、その外側の発破圧がこの自由面に垂直方向で
作用する。このため、スラントホールで画定される面積
の中央部分のパラレルホールより外側の領域では少量の
爆薬によっても完璧に発破を行うことができる。

【００９０】反面、図１７（Ｂ）に示すように、一自由
面における発破においては、クレータ（ｃｒａｔｅｒ）
形状に発破され、密装薬をしなければ好適な自由空間が
得られず、岩盤によって空発の可能性が多い問題点があ
る。

【００９１】周辺拡大パラレルホールから外側は、図１
６（Ｅ）〜（Ｇ）に示す通り、遅発電気雷管により、デ
ジセコンド以下の時差で順次に発破される。図１８、１
９は、本発明の実施例による発破工法による測定結果を
従来技術による発破工法と比較して示す。

【００９２】以上説明した通り、本発明の実施例による
と、次のような効果を得ることができる。

【００９３】（１）穿孔が容易で、穿孔時間が短縮され
る。 （イ）バーンカット発破工法は、レリーフホール周辺を
５〜７ｃｍ間隔で一直線に穿孔しなければならず、Ｖカ
ット発破工法は孔底間隔が１０ｃｍ程にならなければな
らないため、高度の穿孔技術と装備が必要である。これ
らに対し、本発明においてはスラントホール孔底間隔が
３０〜５０ｃｍ程でかなりの余裕があり、角度が相互に
異なり、孔間が一直線にならなくても、試験発破結果に
基づけば発破効率には差支えがない。

【００９４】（ロ）Ｖカットスラントホール発破工法に
おいては、スラントホールの周辺孔（補助スラントホー
ル）は、角度穿孔により密装薬をしなければならないた
め、多くの穿孔数が必要であり、バーンカット発破工法
においては、大口径のレリーフホールを穿孔しなければ
ならない。これらに対し、本発明においては、高精度の
穿孔を必要としないので、穿孔時間が短縮される。

【００９５】（２）掘鑿単位Ｍ³ 当たり火薬類使用量が
少ない。 （イ）スラントホールが画定する面積内に位置した多数
のパラレルホールが部分的に無装薬状態で自由面の役割
をするため、少量の爆薬によっても効果的に発破され
る。

【００９６】（ロ）スラントホールよりも深い部分のセ
ンターカットパラレルホールの発破は、スラントホール
の発破圧を利用するため、少量の爆薬によっても効果的
に発破されて残孔がほとんどない。

【００９７】（ハ）スラントホールで画定される面積内
にほぼ立方体的な自由面が形成されるので、周辺の切削
孔発破時に爆薬使用量が節減される。

【００９８】（ニ）発破効率が極大化されるため、火薬
類（爆薬、雷管）使用量が少ない。

【００９９】（３）発破効率が大きい。 （イ）分鑿式多段発破により、面積内の中央部分のパラ
レルホールが完璧に掘鑿（立方体化）されて残孔が殆ど
ないため、発破効率が大きい。

【０１００】（ロ）穿孔が容易であり、相互貫通されて
も発破効率には殆ど差支えがない。

【０１０１】（ハ）掘鑿条件に関係なく、効果的に発破
されるため、発破効率には変わりがない。

【０１０２】（４）切羽面と周辺岩盤の損傷が極小であ
るため、補強作業が容易である。 （イ）パラレルホール穿孔により孔の長さが一定であ
り、発破圧が重力方向へ作用するので、切羽面の損傷が
極小である。

【０１０３】（ロ）周辺パラレルホールには密装薬をし
なくても効果的に発破されるので、周辺岩盤の損傷が少
ない。

【０１０４】（ハ）切削孔がミリセコンドないしデシセ
コンド差により発破されるため、発破圧が相互減殺され
て発破振動が著しく低下する。

【０１０５】（ニ）周辺岩盤の損傷が少ないため、岩盤
の二次変形が抑制される。補強作業（ロックボルト（ｒ
ｏｃｋ ｂｏｌｔｉｎｇ）、ショットクリット（ｓｈｏ
ｔｃｒｅｔｉｎｇ）、コンクリートライニング（ｃｏｎ
ｃｒｅｔｅ ｌｉｎｉｎｇ））が容易である。

【０１０６】（５）切羽面の浮石発生が少ないため、安
全面で事故の発生が減少する。 （イ）切羽面の周辺岩盤の損傷が少ないため、浮石の発
生が少ない。このため、落盤事故の危険が少ない。

【０１０７】（ロ）浮石発生が少ないため、浮石処理時
間（人力除去又は装備利用除去）が短縮される。

【０１０８】（ハ）浮石発生が少ないため、処理工程が
少なく、発破した面が美麗である。

【０１０９】（６）廃石の飛散距離が短いため、周辺施
設物の破損が抑制され、廃石が適当な大きさに発破され
る。このため、廃石処理が容易である。 （イ）廃石の飛散距離が短いため、換気用通風管を切羽
まで接近できるので、発破後の換気が円滑である。した
がって、作業能率が増大される。

【０１１０】（ロ）穿孔及び補強作業用エアパイプ（圧
縮空気）、穿孔用水パイプと動力線を切羽付近まで接近
できるので、作業が能率的であり、適当な時期に補強作
業が可能である。

【０１１１】（ハ）廃石の飛散距離が短いため、廃石処
理が容易である。

【０１１２】（ニ）スラントホールの画定する面積内の
無装薬孔により適当な大きさに発破されるので、廃石処
理が容易である。

【０１１３】（７）掘進全体の作業が短縮され、掘進費
が節約される。 （イ）穿孔時間、浮石処理時間、装薬時間、補強時間等
が短縮されて、発破単位当たりの作業時間が短い。

【０１１４】（ロ）単位掘鑿作業当たり作業時間と火薬
類費用、補強費、浮石処理費、廃石処理費等が節約され
るので、掘進費が廉価である。

【０１１５】

【発明の効果】以上説明したように、効率的な発破工法
が提供される。高度な掘鑿技術を必要とせず、少量の爆
薬で効率的な発破を行うことできる発破工法が提供され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）は、バーンカット（Ｂｕｒｎ−Ｃｕ
ｔ）発破工法における切羽面の正面図、図１（Ｂ）は図
１（Ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図２】図２（Ａ）は、Ｖカット発破工法における切羽
面の正面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ−Ａ’線断面
図である。

【図３】本発明の分鑿式多段発破工法における各工程段
階を説明する概略図である。

【図４】スラントホール（Ｖ−Ｈｏｌｅ）の投射面積を
示す説明図である。

【図５】水平ホールの投射面積を示す説明図である。

【図６】本発明の分鑿式多段発破工法におけるスラント
ホール配置を示す断面図である。

【図７】本発明の分鑿式多段発破工法におけるスラント
ホールの位置とスラントホール間の孔間距離を示す説明
図である。

【図８】従来の角度穿孔のスラントホール配置を示す断
面図である。

【図９Ａ】本発明の実施例による加工面の断面面積によ
る穿孔の穿孔間隔と相互位置関係を示す概略図である。

【図９Ｂ】本発明の実施例による加工面の断面面積によ
る穿孔の穿孔間隔と相互位置関係を示す概略図である。

【図９Ｃ】本発明の実施例による加工面の断面面積によ
る穿孔の穿孔間隔と相互位置関係を示す概略図である。

【図９Ｄ】本発明の実施例による加工面の断面面積によ
る穿孔の穿孔間隔と相互位置関係を示す概略図である。

【図９Ｅ】本発明の実施例による加工面の断面面積によ
る穿孔の穿孔間隔と相互位置関係を示す概略図である。

【図１０】断面大きさによりトンネル穿孔の穿孔間隔と
相互位置関係の一実施例を示す概略図である。

【図１１】本発明の穿孔及びその装薬状態を示す断面図
である。

【図１２】ブースター（ｂｏｏｓｔｅｒ、前爆薬包）の
位置別名称を示す説明図である。

【図１３】本発明の穿孔の位置別ブースターの装薬位置
を示す概略的な断面図である。

【図１４】スラントホールが画定する面積より外側の発
破順序の一実施例を示す正面図である。

【図１５】スラントが画定する面積内の発破順序を示す
説明図である。

【図１６】本発明の分鑿式多段発破工法における発破過
程を示す概略断面図である。

【図１７】本発明の二自由面における発破模型と従来の
一自由面における発破模型を示す断面図である。

【図１８】本発明の分鑿式多段発破工法と従来のトンネ
ル発破工法の規格別試験実績を対比する図表であって、
（Ａ）は大断面トンネル掘鑿、１４’ブーム（ｂｏｏ
ｍ）使用の場合であり、（Ｂ）は中断面トンネル掘鑿、
１４’ブーム使用の場合である。

【図１９】本発明の分鑿式多段発破工法と従来のトンネ
ル発破工法の規格別試験実績を対比する図表であって、
（Ａ）は大断面トンネル掘鑿、１８’ブーム使用の場合
であり、（Ｂ）は中断面トンネル掘鑿、１８’ブーム使
用の場合である。

【符号の説明】

１ レリーフホール（空孔） ２〜５ パラレルホール ６ 岩盤損傷部 ７ 残孔 ８ 孔底 ９ 切羽面 １１ スラントホール（角度穿孔） １２ 補助スラントホール １３、１４ パラレルホール １５ 岩盤損傷部 １６ 残孔 １７ 孔底 １８ 切羽面 ２０ スラントホールが画定する面積外部のパラレルホ
ール ２０’スラントホールが画定する面積内部のパラレルホ
ール ２１ スラントホール ２２〜２７ パラレルホール ３０ スラントホール画定面積 ３１ スラントホール画定面積周囲のパラレルホール ３２ スラントホール画定面積内の外郭パラレルホール １００ 孔底 ２００ 切羽面 ２００’一自由面（切羽面） ２１０ 一自由面（掘鑿予定線、発破後切羽面） ２２０ 廃石（破砕岩石）

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一自由面を有するトンネルを掘鑿するた
   めの切削孔の穿孔方法において、 掘鑿条件に従って、深さと共に間隔が狭まるように掘鑿
   方向から傾斜した複数個のスラントホールを穿孔する工
   程と、 前記複数個のスラントホールによって画定される切羽面
   上の面積内に前記スラントホールよりも深く、掘鑿方向
   に沿ったパラレルホールを穿孔する工程とを有する一自
   由面トンネル掘鑿のための切削孔の穿孔方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、 上記スラントホール間の間隔が孔底面上で３００〜５０
   ０ｍｍである一自由面トンネル掘鑿のための切削孔の穿
   孔方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２において、 上記スラントホールによって画定された面積の中央部分
   のパラレルホールの間隔は２００〜３００ｍｍであり、
   上記中央部分以外の部分はパラレルホールの間隔が１０
   ０〜５００ｍｍである一自由面トンネル掘鑿のための切
   削孔の穿孔方法。
4. 【請求項４】 一自由面を有するトンネルを掘鑿するた
   めの切削孔の穿孔及び装薬方法において、 掘鑿条件に従って、深さと共に間隔が狭まるように掘鑿
   方向から傾斜した複数個のスラントホールを穿孔し、上
   記複数個のスラントホールによって画定される切羽面上
   の面積内に前記スラントホールよりも深く、掘鑿方向に
   沿ったパラレルホールを穿孔する穿孔工程と、 上記スラントホールとパラレルホールに電気雷管と爆薬
   を装填し、上記パラレルホールには孔底からスラントホ
   ールの形成する面までの範囲にのみ爆薬を装填する装薬
   工程とを有する一自由面トンネル掘鑿のための切削孔の
   穿孔及び装薬方法。
5. 【請求項５】 請求項４において、 上記スラントホールの爆薬は、正起爆又は中起爆である
   一自由面トンネル掘鑿のための切削孔の穿孔及び装薬方
   法。
6. 【請求項６】 請求項４又は５において、 上記スラントホールに装薬される電気雷管は、瞬発電気
   雷管または遅発電気雷管である一自由面トンネル掘鑿の
   ための切削孔の穿孔及び装薬方法。
7. 【請求項７】 請求項４において、 上記パラレルホールに装填される電気雷管は、遅発電気
   雷管である一自由面トンネル掘鑿のための切削孔の穿孔
   および装薬方法。
8. 【請求項８】 スラントホールを発破して、傾斜自由面
   を形成する工程と、 パラレルホールのうち上記面積内の中心部分のパラレル
   ホールを発破して断面が漏斗形状の自由空間を形成する
   工程と、 パラレルホールのうち上記面積内の中間部分のパラレル
   ホールおよび外側部分のパラレルホールを順次発破して
   立方体的空間を形成する工程とを有する一自由面トンネ
   ル掘鑿のための切削孔の発破方法。
9. 【請求項９】 請求項８において、 上記面積内の中心部分のパラレルホール、上記面積内の
   中間部分のパラレルホール及び上記面積内の外側部分の
   パラレルホールは、順次ミリセコンドからデシセコンド
   の時差で発破される一自由面トンネル掘鑿のための切削
   孔の発破方法。
10. 【請求項１０】 一自由面を有するトンネルを掘鑿する
    ための分鑿式多段発破工法において、切羽面の中心ゾー
    ンで、深さと共に間隔が狭まるように掘鑿方向から傾斜
    した適当な個数のスラントホールを穿孔し、複数個のス
    ラントホールが画定する切羽面上の面積内にスラントホ
    ールより深く、掘鑿方向に沿うパラレルホールを穿孔
    し、上記スラントホールが画定する面積の外部に周辺拡
    大パラレルホール、ストップパラレルホール及び外郭パ
    ラレルホールを穿孔する穿孔工程と、 上記スラントホールに電気雷管を装薬し、上記面積内の
    パラレルホールに孔底からスラントホールが画定する断
    面までの範囲内で爆薬を装薬し、上記周辺拡大パラレル
    ホール、ストップパラレルホールおよび外郭パラレルホ
    ールに装薬する工程と、 スラントホールを発破して傾斜自由面を形成する工程
    と、 上記面積内のパラレルホールのうち中央部分のパラレル
    ホールを発破して、断面が漏斗形状の自由面を形成する
    工程と、 上記面積内のパラレルホールのうち中間部分のパラレル
    ホール、外側部分のパラレルホールを順次発破して立方
    体的空間を形成する工程と、 上記周辺拡大パラレルホール、ストップパラレルホール
    および外郭パラレルホールを順次発破する工程とを有す
    る一自由面トンネル掘鑿の分鑿式多段発破工法。
11. 【請求項１１】 請求項１０において、 上記面積内の中央部分のパラレルホール、中間部分のパ
    ラレルホール、外側部分のパラレルホールは順次ミリセ
    コンドからデシセコンドの時差で順次発破される一自由
    面トンネル掘鑿の分鑿式多段発破工法。