JP2603082B2 - ペニシラン酸誘導体の製造法 - Google Patents
ペニシラン酸誘導体の製造法Info
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はペニシラン酸誘導体の新規な製造法に関す
る。
る。
本発明で得られるペニシラン酸誘導体は例えばβーラ
クタマーゼ阻害剤の合成中間体として有用である。
クタマーゼ阻害剤の合成中間体として有用である。
（従来の技術） 従来一般式 〔式中ＸはCl,Br又はI,YはCl,Br,I又は水素、Ｚは水素,
Cl,N3， 又は−SR5、R1はカルボン酸保護基を示す。R2は水素又
は−COOR4、R3は水素又は−COOR4、R4は低級アルキル、
R5は−CN又は芳香族複素環を示す。ｎは０、１又は２を
示す。〕で表わされるハロゲン化ペニシラン酸誘導体か
ら一般式 〔式中Ｚ、R1及びｎは前記に同じ〕で表わされるペニシ
ラン酸誘導体を製造する方法としては、貴金属触媒を用
いる接触還元、水素化スズ化合物を化学量論量以上用い
る方法、亜鉛を化学量論量以上用いる方法、電解還元法
が知られている〔Nature,201,1124（1964）,J.Chem.So
c.,（Ｃ）,2123（1968），特開昭55-120588,特開昭57-1
69486,特開昭61-63683〕。又、ペニシラン酸1,1−ジオ
キシドを製造する方法としてはマグネシウムを用いる方
法が知られているが、この方法はエステルには適用でき
ない（特開昭60-120883）。
Cl,N3， 又は−SR5、R1はカルボン酸保護基を示す。R2は水素又
は−COOR4、R3は水素又は−COOR4、R4は低級アルキル、
R5は−CN又は芳香族複素環を示す。ｎは０、１又は２を
示す。〕で表わされるハロゲン化ペニシラン酸誘導体か
ら一般式 〔式中Ｚ、R1及びｎは前記に同じ〕で表わされるペニシ
ラン酸誘導体を製造する方法としては、貴金属触媒を用
いる接触還元、水素化スズ化合物を化学量論量以上用い
る方法、亜鉛を化学量論量以上用いる方法、電解還元法
が知られている〔Nature,201,1124（1964）,J.Chem.So
c.,（Ｃ）,2123（1968），特開昭55-120588,特開昭57-1
69486,特開昭61-63683〕。又、ペニシラン酸1,1−ジオ
キシドを製造する方法としてはマグネシウムを用いる方
法が知られているが、この方法はエステルには適用でき
ない（特開昭60-120883）。
接触還元法は高価な貴金属触媒を大量に使用する必要
があり、又、水素の加圧条件が必要であり、実用的方法
ではない。水素化スズ化合物は工業的に使用するのは困
難な試薬である。亜鉛を用いる方法は収率が低く生成物
の純度が悪い。電解還元法は特殊な装置が必要なうえに
収率が高々75％である。
があり、又、水素の加圧条件が必要であり、実用的方法
ではない。水素化スズ化合物は工業的に使用するのは困
難な試薬である。亜鉛を用いる方法は収率が低く生成物
の純度が悪い。電解還元法は特殊な装置が必要なうえに
収率が高々75％である。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は上記の如き難点がなく、安全、簡便な
操作で且つ工業的に有利な方法で、しかも高収率で上記
一般式（II）で表わされるペニシラン酸誘導体を製造す
る方法を提供することにある。
操作で且つ工業的に有利な方法で、しかも高収率で上記
一般式（II）で表わされるペニシラン酸誘導体を製造す
る方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は一般式 〔式中ＸはCl,Br又はI,YはCl,Br,I又は水素、Ｚは水素,
Cl,N3， 又は−SR5、R1はカルボン酸保護基を示す。R2は水素又
は−COOR4、R3は水素又は−COOR4、R4は低級アルキル、
R5は−CN又は芳香族複素環を示す。ｎは０、１又は２を
示す。〕で表わされるハロゲン化ペニシラン酸誘導体を
鉛と反応させるか、若しくは鉛よりもイオン化傾向の大
きい金属の存在下、上記誘導体に対して触媒量の鉛或い
は鉛化合物と反応させることを特徴とする一般式 〔式中Ｚ、R1及びｎは前記に同じ〕で表わされるペニシ
ラン酸誘導体の製造法に係る。
Cl,N3， 又は−SR5、R1はカルボン酸保護基を示す。R2は水素又
は−COOR4、R3は水素又は−COOR4、R4は低級アルキル、
R5は−CN又は芳香族複素環を示す。ｎは０、１又は２を
示す。〕で表わされるハロゲン化ペニシラン酸誘導体を
鉛と反応させるか、若しくは鉛よりもイオン化傾向の大
きい金属の存在下、上記誘導体に対して触媒量の鉛或い
は鉛化合物と反応させることを特徴とする一般式 〔式中Ｚ、R1及びｎは前記に同じ〕で表わされるペニシ
ラン酸誘導体の製造法に係る。
本発明者らは上記従来法の問題点を解決すべく鋭意検
討した結果、還元剤としてはあまり使用されたことのな
い鉛が本発明の目的に適した優れた還元剤であることを
見出し、又鉛よりもイオン化傾向の大きい金属の存在
下、鉛或いは鉛化合物を触媒量使用することにより、鉛
の公害上の問題点を解決することを見出した。即ち、本
発明によれば一般式（II）で表わされるペニシラン酸誘
導体は一般式（Ｉ）で表わされるハロゲン化ペニシラン
酸誘導体を有機溶媒又は含水有機溶媒中で、必要ならば
酸を添加して鉛と反応させるか、若しくは鉛よりもイオ
ン化傾向の大きい金属の存在下で、触媒量の鉛又は鉛化
合物と反応させることにより副生物を伴うことなく高収
率でかつ簡便な操作で製造される。
討した結果、還元剤としてはあまり使用されたことのな
い鉛が本発明の目的に適した優れた還元剤であることを
見出し、又鉛よりもイオン化傾向の大きい金属の存在
下、鉛或いは鉛化合物を触媒量使用することにより、鉛
の公害上の問題点を解決することを見出した。即ち、本
発明によれば一般式（II）で表わされるペニシラン酸誘
導体は一般式（Ｉ）で表わされるハロゲン化ペニシラン
酸誘導体を有機溶媒又は含水有機溶媒中で、必要ならば
酸を添加して鉛と反応させるか、若しくは鉛よりもイオ
ン化傾向の大きい金属の存在下で、触媒量の鉛又は鉛化
合物と反応させることにより副生物を伴うことなく高収
率でかつ簡便な操作で製造される。
本発明においてＸはCl、Br又はＩを、ＹはCl、Br、Ｉ
又は水素を示す。又Ｚは水素、Cl、N3， 又は−SR5を示す。R2及びR3は水素又は−COOR4を示し、
これらは同一でも異なつていても良い。R4は低級アルキ
ルを示す。R4で示される低級アルキルの具体例としては
メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチ
ル、ｔ−ブチル等を挙げることができる。R5は−CN或い
は芳香族複素環を示す。R5で示される芳香族複素環の具
体例としては 等を例示できる。R6はメチル、エチル、プロピル、ｉ−
プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル等の低級アルキル、
フエニル、−CH2COOH、−CH2SO3H等を示す。
又は水素を示す。又Ｚは水素、Cl、N3， 又は−SR5を示す。R2及びR3は水素又は−COOR4を示し、
これらは同一でも異なつていても良い。R4は低級アルキ
ルを示す。R4で示される低級アルキルの具体例としては
メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチ
ル、ｔ−ブチル等を挙げることができる。R5は−CN或い
は芳香族複素環を示す。R5で示される芳香族複素環の具
体例としては 等を例示できる。R6はメチル、エチル、プロピル、ｉ−
プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル等の低級アルキル、
フエニル、−CH2COOH、−CH2SO3H等を示す。
本発明においてR1はカルボン酸保護基を示す。R1で示
されるカルボン酸保護基の具体例としてはメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル等の
低級アルキル基、メチルチオメチル、フエナシル、ｐ−
ブロモフエナシル、α−メチルフエナシル、ｐ−メトキ
シフエナシル、 Ｎ−フタルイミドメチル等の置換メチル基、2,2,2−ト
リクロロエチル、２−クロロエチル、２−ブロモエチ
ル、２−（トリメチルシリル）エチル、２−メチルチオ
エチル、２−（ｐ−ニトロフエニルスルフエニル）エチ
ル、２−（ｐ−トルエンスルホニル）エチル、クミル等
の置換エチル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等の
低級シクロアルキル基、アリル及びシンナミル等の置換
アリル基、フエニル及びｐ−メチルチオフエニル等の置
換フエニル基、ベンジル及びトリフエニルメチル、ジフ
エニルメチル、ビス（ｏ−ニトロフエニル）メチル、９
−アントリルメチル、２−（9,10−ジオキソ）アントリ
ルメチル、５−ジベンゾスベリル、2,4,6−トリメチル
ベンゾル、ｐ−ブロモベンジル、ｏ−ニトロベンジル、
ｐ−ニトロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ピペロニ
ル、４−ピコリル等の置換ベンジル基、トリメチルシリ
ル、ｔ−ブチルジメチルシリル、トリエチルシリル、ｉ
−プロピルジメチルシリル、フエニルジメチルシリル等
の置換シリル基等を挙げることができる。ｎは０、１又
は２を示す。
されるカルボン酸保護基の具体例としてはメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル等の
低級アルキル基、メチルチオメチル、フエナシル、ｐ−
ブロモフエナシル、α−メチルフエナシル、ｐ−メトキ
シフエナシル、 Ｎ−フタルイミドメチル等の置換メチル基、2,2,2−ト
リクロロエチル、２−クロロエチル、２−ブロモエチ
ル、２−（トリメチルシリル）エチル、２−メチルチオ
エチル、２−（ｐ−ニトロフエニルスルフエニル）エチ
ル、２−（ｐ−トルエンスルホニル）エチル、クミル等
の置換エチル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等の
低級シクロアルキル基、アリル及びシンナミル等の置換
アリル基、フエニル及びｐ−メチルチオフエニル等の置
換フエニル基、ベンジル及びトリフエニルメチル、ジフ
エニルメチル、ビス（ｏ−ニトロフエニル）メチル、９
−アントリルメチル、２−（9,10−ジオキソ）アントリ
ルメチル、５−ジベンゾスベリル、2,4,6−トリメチル
ベンゾル、ｐ−ブロモベンジル、ｏ−ニトロベンジル、
ｐ−ニトロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ピペロニ
ル、４−ピコリル等の置換ベンジル基、トリメチルシリ
ル、ｔ−ブチルジメチルシリル、トリエチルシリル、ｉ
−プロピルジメチルシリル、フエニルジメチルシリル等
の置換シリル基等を挙げることができる。ｎは０、１又
は２を示す。
本発明を実施するには、上記一般式（Ｉ）で表わされ
るハロゲン化ペニシラン酸誘導体を金属鉛と反応させ
る。反応させる金属鉛は形状に特に制限はなく、粉状、
板状、塊状又は針金状等の広範囲の形態の金属鉛が使用
できるが、反応をより低い温度、より短時間で完結させ
るために粉状金属鉛が有利に使用される。粉状金属鉛の
粒子径は広い範囲から選択可能であるが、好ましくは約
10〜500メツシユのものが使用される。これら金属鉛の
使用量としては一般式（Ｉ）のハロゲン化ペニシラン酸
誘導体のハロゲン原子１モルに対し約1.0〜10倍モル、
好ましくは約1.0〜4.0倍モルである。
るハロゲン化ペニシラン酸誘導体を金属鉛と反応させ
る。反応させる金属鉛は形状に特に制限はなく、粉状、
板状、塊状又は針金状等の広範囲の形態の金属鉛が使用
できるが、反応をより低い温度、より短時間で完結させ
るために粉状金属鉛が有利に使用される。粉状金属鉛の
粒子径は広い範囲から選択可能であるが、好ましくは約
10〜500メツシユのものが使用される。これら金属鉛の
使用量としては一般式（Ｉ）のハロゲン化ペニシラン酸
誘導体のハロゲン原子１モルに対し約1.0〜10倍モル、
好ましくは約1.0〜4.0倍モルである。
本発明では反応系内に鉛よりもイオン化傾向の大きい
金属を共存させることにより上記金属鉛の使用量を極端
に低減することができ、反応後の後処理が容易になると
ともに還元反応をより低い温度、より短時間で遂行でき
る。鉛よりイオン化傾向の大きい金属としてはアルミニ
ウム、鉄、マグネシウムが用いられる。又、これらの金
属は単独又は２種以上混合しても使用できる。使用する
これら金属の形状に特に制限はなく粉状、板状、箔状、
塊状あるいは針金状等の広範囲の形態が用いられるが、
反応をより円滑に進行させるためには粉状金属が有利に
用いられる。粉状金属の粒子径は広い範囲から選択可能
であるが、好ましくは約10〜300メツシユのものが使用
される。これら鉛よりイオン化傾向の大きい金属の使用
量は一般式（Ｉ）のハロゲン化ペニシラン酸誘導体のハ
ロゲン原子１モルに対し約1.0〜50倍モル、好ましくは
約1.0〜5.0倍モルである。
金属を共存させることにより上記金属鉛の使用量を極端
に低減することができ、反応後の後処理が容易になると
ともに還元反応をより低い温度、より短時間で遂行でき
る。鉛よりイオン化傾向の大きい金属としてはアルミニ
ウム、鉄、マグネシウムが用いられる。又、これらの金
属は単独又は２種以上混合しても使用できる。使用する
これら金属の形状に特に制限はなく粉状、板状、箔状、
塊状あるいは針金状等の広範囲の形態が用いられるが、
反応をより円滑に進行させるためには粉状金属が有利に
用いられる。粉状金属の粒子径は広い範囲から選択可能
であるが、好ましくは約10〜300メツシユのものが使用
される。これら鉛よりイオン化傾向の大きい金属の使用
量は一般式（Ｉ）のハロゲン化ペニシラン酸誘導体のハ
ロゲン原子１モルに対し約1.0〜50倍モル、好ましくは
約1.0〜5.0倍モルである。
本発明において鉛よりもイオン化傾向の大きい金属を
併用する場合は、金属鉛の代りに鉛化合物を使用するこ
ともできる。
併用する場合は、金属鉛の代りに鉛化合物を使用するこ
ともできる。
上記鉛化合物は鉛の原子価が０価、２価又は４価のい
ずれでもよく、またこれらの化合物は水和物の形態でも
使用し得る。使用される鉛化合物としては従来公知のも
のを広く使用できる。例えば弗化鉛、塩化鉛、臭化鉛、
沃化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸鉛、硫酸鉛、過塩素酸
鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、リン酸鉛等の無機酸鉛、酢酸鉛、
シユウ酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸鉛、酸化鉛、水
酸化鉛及び０価、２価、４価の原子価を有する鉛の錯体
が挙げられる。錯体の配位子としては、エチレンジアミ
ンテトラ酢酸、ニトリロトリ酢酸等のキレート剤、ケト
ン、エステル、カルボン酸、アミン、オキシム、アンモ
ニア、ニトリル、有機ホスフイン等の酸素原子で配位す
る化合物、窒素原子で配位する化合物、リン原子で配位
する化合物等が挙げられる。これら鉛化合物は単独又は
２種以上混合して使用することができる。これら鉛或い
は鉛化合物の使用量としては理論的には１原子或いは１
分子存在すれば良いわけであるが、通常原料として使用
される一般式（Ｉ）のハロゲン化ペニシラン酸誘導体の
ハロゲン原子１モルに対して約0.00001〜0.5倍モル、好
ましくは約0.0001〜0.2倍モルが使用される。
ずれでもよく、またこれらの化合物は水和物の形態でも
使用し得る。使用される鉛化合物としては従来公知のも
のを広く使用できる。例えば弗化鉛、塩化鉛、臭化鉛、
沃化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸鉛、硫酸鉛、過塩素酸
鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、リン酸鉛等の無機酸鉛、酢酸鉛、
シユウ酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸鉛、酸化鉛、水
酸化鉛及び０価、２価、４価の原子価を有する鉛の錯体
が挙げられる。錯体の配位子としては、エチレンジアミ
ンテトラ酢酸、ニトリロトリ酢酸等のキレート剤、ケト
ン、エステル、カルボン酸、アミン、オキシム、アンモ
ニア、ニトリル、有機ホスフイン等の酸素原子で配位す
る化合物、窒素原子で配位する化合物、リン原子で配位
する化合物等が挙げられる。これら鉛化合物は単独又は
２種以上混合して使用することができる。これら鉛或い
は鉛化合物の使用量としては理論的には１原子或いは１
分子存在すれば良いわけであるが、通常原料として使用
される一般式（Ｉ）のハロゲン化ペニシラン酸誘導体の
ハロゲン原子１モルに対して約0.00001〜0.5倍モル、好
ましくは約0.0001〜0.2倍モルが使用される。
本発明の還元反応は有機溶媒又は含水有機溶媒中、或
いは水と溶け合わない有機溶媒の場合には水との２層系
中、必要ならば酸を添加して行われる。有機溶媒として
はメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパ
ノール、ブタノール、tert−ブタノール等のアルコール
類、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチ
ル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級
カルボン酸の低級アルキルエステル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン等の
ケトン類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテ
ル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロソ
ルブ、ジメトキシエタン等のエーテル類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等の環状エーテル類、アセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニ
トリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロルベンゼン、アニソール等の置
換或いは非置換の芳香族炭化水素類、ジクロルメタン、
クロロホルム、ジクロルエタン、トリクロルエタン、ジ
ブロムエタン、プロピレンジクロライド、四塩化炭素、
フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素類、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン
等のシクロアルカン類、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等
の、一般式（Ｉ）の化合物を溶解し且つ該反応条件下で
は不活性なものである限り、広い範囲から選択すること
ができる。又これらの溶媒は２種以上混合してもよい。
又必要に応じて水が含有されていてもよい。溶媒の使用
量としては一般式（Ｉ）の化合物1kg当り約0.5〜200l程
度、好ましくは約１〜50l程度がよい。
いは水と溶け合わない有機溶媒の場合には水との２層系
中、必要ならば酸を添加して行われる。有機溶媒として
はメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパ
ノール、ブタノール、tert−ブタノール等のアルコール
類、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチ
ル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級
カルボン酸の低級アルキルエステル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン等の
ケトン類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテ
ル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイ
ソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロソ
ルブ、ジメトキシエタン等のエーテル類、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等の環状エーテル類、アセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニ
トリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロルベンゼン、アニソール等の置
換或いは非置換の芳香族炭化水素類、ジクロルメタン、
クロロホルム、ジクロルエタン、トリクロルエタン、ジ
ブロムエタン、プロピレンジクロライド、四塩化炭素、
フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン等の炭化水素類、シクロペンタ
ン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン
等のシクロアルカン類、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等
の、一般式（Ｉ）の化合物を溶解し且つ該反応条件下で
は不活性なものである限り、広い範囲から選択すること
ができる。又これらの溶媒は２種以上混合してもよい。
又必要に応じて水が含有されていてもよい。溶媒の使用
量としては一般式（Ｉ）の化合物1kg当り約0.5〜200l程
度、好ましくは約１〜50l程度がよい。
本発明で必要に応じて使用される酸は強酸から弱酸に
至るまで広範囲の無機酸及び有機酸が利用できる。具体
例としては塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、臭化水素酸、
ヨウ化水素酸、フツ化水素酸、亜臭素酸、臭素酸、次亜
塩素酸、次亜臭素酸、リン酸、亜リン酸、硼酸、珪酸等
の鉱酸類、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シユウ酸、酒石
酸、安息香酸、リンゴ酸、マロン酸、モノクロル酢酸、
ジクロル酢酸、トリクロル酢酸、トリフルオロ酢酸等の
カルボン酸類、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフ
ルオロメタンスルホン酸、クロルスルホン酸等のスルホ
ン酸類、ベンゼンスルフイン酸、トルエンスルフイン酸
等のスルフイン酸類、アスコルビン酸、メルドラム酸、
スクエアリツク酸、ピロメコン酸、低級アルキルマロン
酸エステル、低級アルキルアセト酢酸エステル、フエノ
ール、クレゾール、バルビツル酸等の酸性化合物等が挙
げられる。又これら酸の塩で、その水溶液が酸性を示す
塩が挙げられる。
至るまで広範囲の無機酸及び有機酸が利用できる。具体
例としては塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、臭化水素酸、
ヨウ化水素酸、フツ化水素酸、亜臭素酸、臭素酸、次亜
塩素酸、次亜臭素酸、リン酸、亜リン酸、硼酸、珪酸等
の鉱酸類、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シユウ酸、酒石
酸、安息香酸、リンゴ酸、マロン酸、モノクロル酢酸、
ジクロル酢酸、トリクロル酢酸、トリフルオロ酢酸等の
カルボン酸類、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフ
ルオロメタンスルホン酸、クロルスルホン酸等のスルホ
ン酸類、ベンゼンスルフイン酸、トルエンスルフイン酸
等のスルフイン酸類、アスコルビン酸、メルドラム酸、
スクエアリツク酸、ピロメコン酸、低級アルキルマロン
酸エステル、低級アルキルアセト酢酸エステル、フエノ
ール、クレゾール、バルビツル酸等の酸性化合物等が挙
げられる。又これら酸の塩で、その水溶液が酸性を示す
塩が挙げられる。
本発明における反応温度は、原料物質、溶媒等により
好ましい範囲が変化するが、通常−20℃〜150℃、好ま
しくは０℃〜70℃程度にて行われる。尚、本発明の反応
を超音波の照射下に行うと、反応がより速く進行する場
合がある。上記反応終了後、例えば通常の抽出操作を行
うことにより目的とする一般式（II）で示されるペニシ
ラン酸誘導体をほぼ純品で単離し得る。更に精製の必要
があれば再結晶、カラムクロマトグラフイー等の汎用精
製手段を採用してもよい。
好ましい範囲が変化するが、通常−20℃〜150℃、好ま
しくは０℃〜70℃程度にて行われる。尚、本発明の反応
を超音波の照射下に行うと、反応がより速く進行する場
合がある。上記反応終了後、例えば通常の抽出操作を行
うことにより目的とする一般式（II）で示されるペニシ
ラン酸誘導体をほぼ純品で単離し得る。更に精製の必要
があれば再結晶、カラムクロマトグラフイー等の汎用精
製手段を採用してもよい。
（発明の効果） 本発明においては鉛が優れた還元剤であることを新た
に見出すことにより以下に示すような利点が得られた。
に見出すことにより以下に示すような利点が得られた。
（１）本発明のペニシラン酸誘導体が新たな精製を必要
としない程、極めて高選択的且つ高収率で製造できる。
としない程、極めて高選択的且つ高収率で製造できる。
（２）特殊な装置を必要とせず広く入手容易な設備で簡
便な操作で目的物が製造できる。
便な操作で目的物が製造できる。
（３）重金属を反応試剤とする方法を工業的規模で実施
するには、特に公害対策上厳しい制約があるが、本発明
の方法によれば公害上全く問題のない金属を併用するこ
とにより、鉛化合物の使用量が極微少量に低減でき、反
応の後処理も容易となる。
するには、特に公害対策上厳しい制約があるが、本発明
の方法によれば公害上全く問題のない金属を併用するこ
とにより、鉛化合物の使用量が極微少量に低減でき、反
応の後処理も容易となる。
以上のように本発明の方法は工業的に極めて有利なペ
ニシラン酸誘導体の製造法である。
ニシラン酸誘導体の製造法である。
（実施例） 以下に実施例を示して本発明をより一層具体的に説明
する。
する。
実施例１ 化合物１（1080mg）をテトラヒドロフラン4mlに溶か
す。NH4Cl353mgを水1mlに溶かした溶液を加える。続い
てアルミニウム粉162mg、PbCl256mg、リンゴ酸19mgを加
え攪拌しながら反応させる。反応の進行と共に発熱する
ので冷却しながら内温を20〜30℃に保ち２時間反応させ
る。反応終了後ロータリーエバポレーターでテトラヒド
ロフランを留去し、その濃縮残分にジクロルメタンを加
え、不溶物をセライトを用いて別後、静置し、分液す
る。ジクロルメタン層を無水MgSO4で乾燥し、減圧濃縮
すると化合物２が90％の収率で得られた。このもののNM
Rスペクトルはその構造とよく一致していた。尚、上記
式においてPhはフエニル基を示す。
す。NH4Cl353mgを水1mlに溶かした溶液を加える。続い
てアルミニウム粉162mg、PbCl256mg、リンゴ酸19mgを加
え攪拌しながら反応させる。反応の進行と共に発熱する
ので冷却しながら内温を20〜30℃に保ち２時間反応させ
る。反応終了後ロータリーエバポレーターでテトラヒド
ロフランを留去し、その濃縮残分にジクロルメタンを加
え、不溶物をセライトを用いて別後、静置し、分液す
る。ジクロルメタン層を無水MgSO4で乾燥し、減圧濃縮
すると化合物２が90％の収率で得られた。このもののNM
Rスペクトルはその構造とよく一致していた。尚、上記
式においてPhはフエニル基を示す。
NMR（CDCl3，δppm）:1.11（3H,s）、1.57（3H,s）、
3.34（1H,dd,J＝2Hz,17Hz）、3.50（1H,dd,J＝4Hz,17H
z）、4.48（1H,s）、4.53（1H,dd,J＝2Hz,4Hz）、6.93
（1H,s）、7.32（10H,bs）。
3.34（1H,dd,J＝2Hz,17Hz）、3.50（1H,dd,J＝4Hz,17H
z）、4.48（1H,s）、4.53（1H,dd,J＝2Hz,4Hz）、6.93
（1H,s）、7.32（10H,bs）。
実施例２ 化合物１（1000mg）をジクロルメタン4mlに溶かす。N
H4Cl350mgを水1mlに溶かした溶液を加える。続いてアル
ミニウム粉160mg、鉛粉10mgを加え攪拌しながら反応さ
せる。内温を20〜30℃に保ち1.5時間反応させる。反応
終了後、攪拌を止め静置し、分液する。ジクロルメタン
層を無水MgSO4で乾燥し、減圧濃縮すると化合物２が92
％の収率で得られた。このもののNMRスペクトルはその
構造とよく一致していた。
H4Cl350mgを水1mlに溶かした溶液を加える。続いてアル
ミニウム粉160mg、鉛粉10mgを加え攪拌しながら反応さ
せる。内温を20〜30℃に保ち1.5時間反応させる。反応
終了後、攪拌を止め静置し、分液する。ジクロルメタン
層を無水MgSO4で乾燥し、減圧濃縮すると化合物２が92
％の収率で得られた。このもののNMRスペクトルはその
構造とよく一致していた。
実施例３ 化合物１（10.8g）をジクロルメタン40mlに溶かす。N
H4Cl2.4gを水10mlに溶かした溶液を加える。続いてアル
ミニウム粉1.2g、PbCl20.1gを加え攪拌しながら反応さ
せる。内温を20〜30℃に保ち２時間反応させる。反応終
了後、攪拌を止め静置し、分液する。ジクロルメタン層
を無水MgSO4で乾燥し、減圧濃縮すると化合物２が95％
の収率で得られた。このもののNMRスペクトルはその構
造とよく一致していた。
H4Cl2.4gを水10mlに溶かした溶液を加える。続いてアル
ミニウム粉1.2g、PbCl20.1gを加え攪拌しながら反応さ
せる。内温を20〜30℃に保ち２時間反応させる。反応終
了後、攪拌を止め静置し、分液する。ジクロルメタン層
を無水MgSO4で乾燥し、減圧濃縮すると化合物２が95％
の収率で得られた。このもののNMRスペクトルはその構
造とよく一致していた。
実施例４ 実施例１のテトラヒドロフランの代りにアセトンを使
用し、他の条件は実施例１と同様にして化合物１を反応
させると化合物２が得られた。
用し、他の条件は実施例１と同様にして化合物１を反応
させると化合物２が得られた。
実施例５ 化合物３（99mg）をメタノール0.9mlに溶かす。１％
臭化水素酸0.1mlを加える。続いてアルミニウム箔を小
さく切つたものを12mg、PbBr27.2mgを加え、室温で攪拌
しながら反応させた。アルミニウム箔が全て消費された
時点で反応液に1N塩酸2mlを加え、酢酸エチル5mlで抽出
した。酢酸エチル層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し減圧濃縮すると化合物
４が92％の収率で得られた。このもののNMRスペクトル
はその構造とよく一致していた。
臭化水素酸0.1mlを加える。続いてアルミニウム箔を小
さく切つたものを12mg、PbBr27.2mgを加え、室温で攪拌
しながら反応させた。アルミニウム箔が全て消費された
時点で反応液に1N塩酸2mlを加え、酢酸エチル5mlで抽出
した。酢酸エチル層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し減圧濃縮すると化合物
４が92％の収率で得られた。このもののNMRスペクトル
はその構造とよく一致していた。
NMR（CDCl3，δppm）:1.25（3H,s）、1.54（3H,s）、
3.35（1H,dd,J＝2Hz,17Hz）、3.53（1H,dd,J＝4Hz,17H
z）、3.80（3H,s）、4.35（1H,sH）、4.55（1H,dd,J＝2
Hz,4Hz）、5.10及び5.15（2H,ABq,J＝12Hz）、6.87（2
H,d,J＝10Hz）、7.28（2H,d,J＝10Hz）。
3.35（1H,dd,J＝2Hz,17Hz）、3.53（1H,dd,J＝4Hz,17H
z）、3.80（3H,s）、4.35（1H,sH）、4.55（1H,dd,J＝2
Hz,4Hz）、5.10及び5.15（2H,ABq,J＝12Hz）、6.87（2
H,d,J＝10Hz）、7.28（2H,d,J＝10Hz）。
実施例６ 化合物５（201mg）をジクロルメタン1ml、メタノール
0.8mlの混合溶媒に溶かす。１％臭化水素酸0.2mlを加え
る。続いてアルミニウム箔を小さく切つたものを23.4m
g、PbCl214.3mgを加え、室温で攪拌しながら反応させ
た。アルミニウム箔が全て消費された時点で反応液に1N
塩酸2mlを加え、酢酸エチル20mlで抽出した。酢酸エチ
ル層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し減圧濃縮すると化合物６が90％の収率で
得られた。このもののNMRスペクトルはその構造とよく
一致していた。
0.8mlの混合溶媒に溶かす。１％臭化水素酸0.2mlを加え
る。続いてアルミニウム箔を小さく切つたものを23.4m
g、PbCl214.3mgを加え、室温で攪拌しながら反応させ
た。アルミニウム箔が全て消費された時点で反応液に1N
塩酸2mlを加え、酢酸エチル20mlで抽出した。酢酸エチ
ル層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し減圧濃縮すると化合物６が90％の収率で
得られた。このもののNMRスペクトルはその構造とよく
一致していた。
NMR（CDCl3，δppm）:1.22（3H,s）、3.22（1H,dd,J
＝2Hz,17Hz）、3.58（1H,dd,J＝4Hz,17Hz）、3.74（5H,
s）、4.51（1H,dd,J＝2Hz,4Hz）、4.70（1H,s）、4.98
及び5.20（2H,ABq,J＝11Hz）、6.79（2H,d,J＝8Hz）、
7.23（2H,d,J＝8Hz）。
＝2Hz,17Hz）、3.58（1H,dd,J＝4Hz,17Hz）、3.74（5H,
s）、4.51（1H,dd,J＝2Hz,4Hz）、4.70（1H,s）、4.98
及び5.20（2H,ABq,J＝11Hz）、6.79（2H,d,J＝8Hz）、
7.23（2H,d,J＝8Hz）。
実施例７ 化合物７を実施例５の方法と同様に反応させると化合
物４が収率90％で得られた。
物４が収率90％で得られた。
実施例８〜15 第１表に記載の化合物（Ｉ）を実施例５と同様の方法
で反応させて、第１表に記載の生成物（II）を高収率、
高選択率で得た。
で反応させて、第１表に記載の生成物（II）を高収率、
高選択率で得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 松村 清利 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 河原 一郎 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 賀勢 健治 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 鈴木 大助 徳島県徳島市川内町加賀須野463番地 大塚化学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 鳥居 滋 岡山県赤磐郡山陽町４丁目４―18 (72)発明者 田中 秀雄 岡山県岡山市津島中１―４―２―305 (72)発明者 田中 基明 岡山県岡山市津島本町２―32 (72)発明者 中井 章 岡山県岡山市津島本町５―６―１ (56)参考文献 特開 昭55−120588（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−169486（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−63683（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】一般式 〔式中ＸはCl,Br又はI,YはCl,Br,I又は水素、Ｚは水素,
Cl,N3， 又は−SR5、R1はカルボン酸保護基を示す。R2は水素又
は−COOR4、R3は水素又は−COOR4、R4は低級アルキル、
R5は−CN又は芳香族複素環を示す。ｎは０、１又は２を
示す。〕で表わされるハロゲン化ペニシラン酸誘導体を
鉛と反応させることを特徴とする一般式 〔式中Ｚ、R1及びｎは前記に同じ〕で表わされるペニシ
ラン酸誘導体の製造法。 - 【請求項２】一般式 〔式中Ｘ、Ｙ、Ｚ、R1及びｎは前記に同じ〕で表わされ
るハロゲン化ペニシラン酸誘導体を鉛よりもイオン化傾
向の大きい金属の存在下、上記誘導体に対して触媒量の
鉛或いは鉛化合物と反応させることを特徴とする一般式 〔式中Ｚ、R1及びｎは前記に同じ〕で表わされるペニシ
ラン酸誘導体の製造法 - 【請求項３】鉛よりもイオン化傾向の大きい金属がアル
ミニウム、鉄、マグネシウム又はこれらの混合物である
特許請求の範囲第２項記載の製造法。 - 【請求項４】鉛よりもイオン化傾向の大きい金属がアル
ミニウムである特許請求の範囲第３項記載の製造法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62224589A JP2603082B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | ペニシラン酸誘導体の製造法 |
| CA000576581A CA1297870C (en) | 1987-09-07 | 1988-09-06 | Process for preparing penicillanic acid derivatives |
| AU21921/88A AU609870B2 (en) | 1987-09-07 | 1988-09-06 | Process for preparing penicillanic acid derivatives by lead catalysed dehalogenation of the corresponding 6-halopenicillanic acid derivatives |
| DE88114620T DE3879049T2 (de) | 1987-09-07 | 1988-09-07 | Verfahren zur Herstellung von Penizillan-Säurederivaten. |
| US07/241,186 US4912213A (en) | 1987-09-07 | 1988-09-07 | Process for preparing penicillanic acid derivatives |
| EP88114620A EP0306924B1 (en) | 1987-09-07 | 1988-09-07 | Process for preparing penicillanic acid derivatives |
| ES88114620T ES2053655T3 (es) | 1987-09-07 | 1988-09-07 | Un procedimiento para preparar un derivado de acido penicilanico. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62224589A JP2603082B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | ペニシラン酸誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6466189A JPS6466189A (en) | 1989-03-13 |
| JP2603082B2 true JP2603082B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=16816096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0306924B1 (ja) |
| JP (1) | JP2603082B2 (ja) |
| AU (1) | AU609870B2 (ja) |
| CA (1) | CA1297870C (ja) |
| DE (1) | DE3879049T2 (ja) |
| ES (1) | ES2053655T3 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4891369A (en) * | 1986-12-03 | 1990-01-02 | Taiho Pharmaceutical Company, Limited | 2β-Substituted-methylpenicillanic acid derivatives, and salts and esters thereof |
| EP0503597B1 (en) * | 1991-03-13 | 1998-06-10 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Penam derivatives and processes for producing the same |
| ES2178301T3 (es) | 1997-12-29 | 2002-12-16 | Res Corp Technologies Inc | Derivados del acido penicilanico 2-beta-sustituido-6-alquilideno como inhibidores de la beta-lactama. |
| EP1041075B1 (en) * | 1999-03-03 | 2005-02-02 | Astur Pharma S.A. | Procedure for the preparation of dioxopenicillanic acid derivatives |
| US6407091B1 (en) | 1999-04-15 | 2002-06-18 | Research Corporation Technologies, Inc. | β-lactamase inhibiting compounds |
| JP3743822B2 (ja) * | 2000-08-11 | 2006-02-08 | 大塚化学ホールディングス株式会社 | ペニシリン結晶及びその製造法 |
| WO2003020732A2 (en) | 2001-07-24 | 2003-03-13 | Alamx, L.L.C. | 7-alkylidene-3-substituted-3-cephem-4-carboxylates as beta-lactamase inhibitors. |
| JP2005525399A (ja) | 2002-04-04 | 2005-08-25 | アラムクス エルエルシー | セリンおよびメタロ−β−ラクタマーゼの阻害剤 |
| BR0215776A (pt) | 2002-06-07 | 2005-03-01 | Orchid Chemicals & Pharm Ltd | Processo para a preparação de derivados de pename a partir de derivados de cefame |
| TW200519119A (en) * | 2003-10-10 | 2005-06-16 | Otsuka Chemical Co Ltd | PENAM crystal and process for producing the same |
| US20060173177A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Gego Csaba L | Process for preparation of penam derivatives |
| CN103044447B (zh) * | 2013-01-16 | 2014-12-17 | 江西富祥药业股份有限公司 | 一种青霉烷亚砜酸二苯甲酯的制备方法 |
| CN109503627A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-03-22 | 齐鲁天和惠世制药有限公司 | 一种他唑巴坦中间体的制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US4762920A (en) * | 1979-03-05 | 1988-08-09 | Pfizer, Inc. | 6,6-Dihalopenicillanic acid 1,1-dioxides |
| US4656263A (en) * | 1979-03-05 | 1987-04-07 | Pfizer Inc. | 6-β-substituted penicillanic acid compound free of the 6-α-epimer |
| ZA81306B (en) * | 1980-01-21 | 1982-02-24 | Bristol Myers Co | Chemical compounds |
| JPS58185589A (ja) * | 1982-04-23 | 1983-10-29 | Taiho Yakuhin Kogyo Kk | ペニシリン誘導体 |
| AU541028B2 (en) * | 1982-06-21 | 1984-12-13 | Taiho Pharmaceutical Co., Ltd. | 6-unsubstituted penicillin derivatives |
| EP0139048A1 (en) * | 1983-10-18 | 1985-05-02 | Gist-Brocades N.V. | Process for the dehalogenation of 6,6-dibromopenicillanic acid 1,1-dioxide |
-
1987
- 1987-09-07 JP JP62224589A patent/JP2603082B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-09-06 CA CA000576581A patent/CA1297870C/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-06 AU AU21921/88A patent/AU609870B2/en not_active Expired
- 1988-09-07 ES ES88114620T patent/ES2053655T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-07 EP EP88114620A patent/EP0306924B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-07 DE DE88114620T patent/DE3879049T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-07 US US07/241,186 patent/US4912213A/en not_active Expired - Lifetime
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| ES2053655T3 (es) | 1994-08-01 |
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| US4912213A (en) | 1990-03-27 |
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| DE3879049T2 (de) | 1993-10-07 |
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