JP2602168Y2 - 積層セラミックインダクタ - Google Patents

積層セラミックインダクタ

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JP2602168Y2
JP2602168Y2 JP1992090783U JP9078392U JP2602168Y2 JP 2602168 Y2 JP2602168 Y2 JP 2602168Y2 JP 1992090783 U JP1992090783 U JP 1992090783U JP 9078392 U JP9078392 U JP 9078392U JP 2602168 Y2 JP2602168 Y2 JP 2602168Y2
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sheet
multilayer ceramic
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coil
ceramic inductor
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正之 藤本
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】 本考案は、高周波帯域で使用す
ると優れた特性を示す積層セラミックインダクタに関す
る。
【0002】
【従来の技術】 従来、高周波用のインダクタとしては
空芯コイルが用いられているが、実装性が悪いのと、衝
撃等が加わるとコイルの巻線の状態が変化し、インダク
タンス特性が変化するという欠点を有していた。
【0003】 上記空芯コイルに対して最近、磁性体材
料を用いた積層セラミックインダクタの技術を応用し
て、誘電率の低く、フラットな温度特性を有する非磁性
体のガラスセラミックを用いた高周波用の積層セラミッ
クインダクタが製作されるようになった。
【0004】 磁性体材料を用いた積層セラミックイン
ダクタを例えばグリ−ンシ−ト法で製造する場合には、
フェライト磁性体シ−ト上にコイル導体を形成し、該シ
−トを積層して、シ−トに形成されたスル−ホ−ル導体
を介して層間のコイル導体を接続し、コイル導体の始端
と終端がそれぞれ別の外部電極端子に接続される。
【0005】 図3は従来の積層セラミックインダクタ
の横断面を示す斜視図であって、グリ−ンシ−ト法にし
ろあるいはスラリ−ビルド法にしろ、いずれも積層技術
を利用して積層されたシ−ト内を内部導体パタ−ン2が
周回して巻数4のコイルを形成し、それぞれ端面に形成
された外部電極6に接続されている。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】 コイル導体は、スク
リ−ン印刷法によって形成され、その膜厚は積層するた
めには薄いことが望ましいがコイルの許容電流、直流抵
抗、品質係数Q等については厚い方が好ましい。
【0007】 実際に製造される時には、これらを勘案
して可能なかぎり厚くしているが積層技術の面から限界
があった。
【0008】 一般に導体に電流が流れると磁束を生
じ、中心部の電流ほど多くの磁束と鎖交するので中心部
ほどインダクタンスが大きくなり、周波数が高くなって
くると当然リアクタンスXL が大きくなるので電流は中
心部を流れず導体表面近傍を流れるようになるいわゆる
表皮効果が発生する。
【0009】 このことは導体の断面積が事実上小さく
なることを意味し、導体抵抗が上がりQ値が低くなる結
果を生み、導体の断面積を広げるだけではその効果が薄
い。
【0010】 前記ガラスセラミック材料からなる高周
波用積層セラミックインダクタにおいても、さらに高い
Q値が望まれており、上記の積層技術の面から有効な対
応が必要であるという課題があった。
【0011】 したがって本考案の目的は、前記積層技
術上の制約を克服して、高周波側でのQ値が改善された
高周波用積層セラミックインダクタを提供することにあ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】 本考案者は上記目的を
達成すべく研究の結果、内部電極の構成を考えた場合、
内部導体パタ−ンの断面積を小さくし、かつこの内部導
体パタ−ンの抵抗値を低減させることがQ値を向上させ
ることになる点に着目し、非磁性体シ−トに内設されて
周回するコイル導体を形成する内部導体パタ−ンを細い
パタ−ンを束にした構造にして、前記表皮効果が高周波
領域で発生するのを防ぐようにすれば、高いQ値を実現
した積層セラミックインダクタが得られることを見いだ
し本考案に到達した。
【0013】 したがって本考案は、積層されたセラミ
ックシ−トによってチップ素体の骨格を形成し,セラミ
ックシ−ト上に形成されるコイル導体の接続部を介して
チップ素体内を周回するコイルを形成し、その始端と終
端とがそれぞれ別の外部電極端子に接続してなる積層セ
ラミックインダクタであって、上記セラミックシ−トが
非磁性体シ−トであり、かつ上記周回するコイル導体が
水平方向に複数の導体からなるとともに積層方向にも複
数の導体からなり、これら複数本の内部導体パタ−ンを
束にした構造を有することを特徴とする積層セラミック
インダクタを提供するものである。
【0014】
【作用】本考案では、非磁性体スラリ−と導電ぺ−スト
を交互に繰りかえし印刷するスラリ−ビルド法、あるい
は非磁性体のグリ−ンシ−ト上にコイル導体を形成し、
該シ−トを積層してシ−トに形成されたスル−ホ−ル導
体を介して層間のコイル導体を接続するグリ−ンシ−ト
法においても、コイル導体となる内部導体パタ−ンを
平方向に分け、かつ積層方向にも分ける複数の細線とし
たことにより、電流が導体の表面を集中して流れようと
する作用、すなわち表皮効果が周波数の高い領域で大き
くなるのを防止することができる。
【0015】
【実施例1】 図は本実施例において作成された積層
セラミックインダクタの横断面を示す斜視図、図(a)
ないし(o) は図に示したインダクタをスラリ−ビルド
法を用いて製造する際の工程を説明するための平面図で
あって、これらの図を参照して以下説明する。積層工程
は図4(a) ないし(m) であり、工程順に列挙すると以下
の通りである。(a) 非磁性体シ−ト1の印刷、(b) 下段
の導体(導体引きだし部3を有する3本の内部導体パタ
−ン2)印刷、(c) 薄い非磁性体シ−ト1a印刷、(d)
上段の導体印刷、(e)1/2非磁性シ−ト1印刷( 導体層間
部の形成) 、(f) 下段の導体印刷、(g) 薄い非磁性体シ
−ト1a印刷、(h) 段の導体印刷、(i)1/2非磁性体シ
−ト1印刷、(j) 導体引きだし部を有する導体印刷、
(k) 薄い非磁性体シ−ト1a印刷、(l) 上段の導体引き
だし部を有する導体印刷、および(m) 非磁性体シ−ト1
印刷。なお、非磁性体シ−トの図示に当っては、厚い非
磁性体の場合は白地とし、薄い非磁性体シ−トの場合は
ハッチングで示し、上下シ−ト同士はハッチングの向き
を変えて区別した。次いで、得られた積層体からチップ
素体を得て、これを焼成して焼成体5( 同図n)とした
後、その端面に外部電極6を付与した。以上は巻数1の
場合であるが、上下の導体引きだし部の間に挟まれる内
部導体パタ−ンを繰りかえすことによって、図に見ら
れるように、上下あわせて6本の内部導体パタ−ンが周
回するコイルを形成する巻数4の完成品を得た。
【0016】
【実施例2】 図は本実施例において作成された積層
チップインダクタの横断面を示す斜視図、図(a) 〜
(h) は図に示したインダクタをグリ−ンシ−ト法を用
いて製造する際の工程を説明するための平面図であっ
て、これらの図を参照して以下説明する。図5(a) に見
られるように、(a) 非磁性体シ−ト1上に導体引きだし
部3を有する3/4 周回の2本の内部導体パタ−ン2を印
刷し、(b) 次に薄い非磁性体シ−ト1aを重ね、(c) 上
記(a) と同じ3/4 周回の2本の内部導体パタ−ンを印刷
し、(d) 最後に該導体パタ−ンの所定位置にスル−ホ−
ル4をあける。次いで上記(a) 〜(d) と同様な操作で同
図(e) に示す導体パタ−ンを形成し、順次同図(f) 、
(g) の順に積層し、最後に導体引き出し部3を有する3/
4 周回の2本の内部導体パターン(h) を印刷する。以上
により、図2に見られるように、上下2段合計4本の内
部導体パタ−ンが周回するコイルを形成する巻数4の完
成品を得た。
【0017】
【考案の効果】 以上説明したように、本考案によれ
ば、非磁性体シ−ト中を周回するコイル導体が複数の細
線からなる内部導体パタ−ンで構成されているので、い
わゆる表皮効果を防止でき、高周波側でQ値が改善され
た高周波用積層セラミックインダクタの提供が可能とな
った。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本考案の一実施例において、6本の内部導体
パタ−ンが周回するコイルと形成する積層セラミックイ
ンダクタの横断面を示す斜視図である。
【図2】 本考案の別の実施態様において、4本の内部
導体パタ−ンが周回するコイルを形成する積層セラミッ
クインダクタの横断面を示す斜視図である。
【図3】 従来の積層セラミックインダクタの横断面を
示す斜視図である。
【図4】 図1に示した積層セラミックンダクタをスラ
リ−ビルド法を用いて製造する際の工程を説明するため
の平面図である。
【図5】 図2に示した積層セラミックインダクタをグ
リ−ンシ−ト法を用いて製造する際の工程を説明するた
めの平面図である。
【符号の説明】
1 非磁性体シ−ト 1a 薄い非磁性体シ−ト 2 内部導体パタ−ン 3 導体引きだし部 4 スル−ホ−ル 5 焼成体 6 外部電極

Claims (2)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 積層されたセラミックシ−トによってチ
    ップ素体の骨格を形成し、セラミックシ−ト上に形成さ
    れるコイル導体の接続部を介してチップ素体内を周回す
    るコイルを形成し、その始端と終端とがそれぞれ別の外
    部電極端子に接続してなる積層セラミックインダクタで
    あって、上記セラミックシ−トが非磁性体シ−トであ
    り、かつ上記周回するコイル導体が水平方向に複数の導
    体からなるとともに積層方向にも複数の導体からなり、
    これら複数本の内部導体パタ−ンを束にした構造を有す
    ることを特徴とする積層セラミックインダクタ。
  2. 【請求項2】 前記非磁性体シ−トがガラスセラミック
    シ−トである請求項1記載の積層セラミックインダク
    タ。
JP1992090783U 1992-12-11 1992-12-11 積層セラミックインダクタ Expired - Lifetime JP2602168Y2 (ja)

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JPH0650313U JPH0650313U (ja) 1994-07-08
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0656812B2 (ja) * 1990-10-11 1994-07-27 東光株式会社 積層インダクタとその製造方法
JP2827184B2 (ja) * 1991-01-11 1998-11-18 日本電信電話株式会社 インダクタンス素子

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