JP2598728Y2 - ツイン電圧制御発振器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本考案は、携帯用電話などに用い
られる受信用電圧制御発振回路と送信用電圧制御発振回
路とを同一基板上に形成したツイン電圧制御発振器に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、携帯用電話は、図１０に示すよ
うに、キャリア周波数信号を形成するために、発振用電
圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ及び送信用電圧制御発振回路
ＴＸＶＣＯを必要としていた。

【０００３】例えば受信側の回路構成は、アンテナＡＮ
Ｔ−分波回路ＤＰＸ−バンドパスフィルタＢＰＦ−第１
のミキサー（周波数変換回路）ＭＩＸ−第１中間周波フ
ィルタ−第２のミキサー（周波数変換回路）ＭＩＸ−第
２中間周波フィルタ−検波回路ＤＥＴ−増幅回路ＡＦＡ
ＭＰ−受話器の構成となっている。さらに、受信信号Ｒ
Ｘの周波数を変換するためのキャリア周波数を作成する
ために、温度補償型水晶発振器ＴＣＸＯ−位相比較回路
ＰＬＬ−電圧制御発振回路ＶＣＯ−バンドパスフィルタ
ＢＰＦの回路が構成され、そのキャリア周波数の発振出
力ｆａが第１のミキサーに入力されている。

【０００４】また、送信側の回路構成は、マイク−増幅
回路ＡＦＡＭＰ−電圧制御発振回路ＶＣＯ−バンドパス
フィルタＢＰＦ−増幅回路ＰＯＷＥＲＡＭＰ−分波回路
ＤＰＸ−アンテナＡＮＴの構成となっている。また、増
幅回路ＡＦＡＭＰで増幅された音声信号を所定周波数に
変換するために、温度補償型水晶発振器ＴＣＸＯ−位相
比較回路ＰＬＬの回路が構成され、音声信号が電圧制御
発振回路ＶＣＯで所定送信周波数にまで逓倍化される。

【０００５】通常、受信側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ
と送信側電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯは、夫々異なる電
圧制御発振器で構成され、２つの電圧制御発振器を用い
ていた。

【０００６】しかし、携帯用電話の小型化に対応して、
図８、９に示すように、１つの回路基板８１上に受信側
電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ（図中上側の回路）と送信
側電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯ（図中、下側の回路）と
が形成され、夫々異なる周波数、例えば受信側が２８０
ＭＨｚ、送信側が３８０ＭＨｚの発振出力が行われ、夫
々所定周波数のキャリア信号として使用されていた。

【０００７】受信側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、送信
側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯは、夫々共振回路部、負
性抵抗部、増幅部などからなり、図８に示すように、回
路基板８１の表面には、夫々の電圧制御発振回路ＲＸＶ
ＣＯ、ＴＸＶＣＯを形成するため、コイルＬパターン、
コイルＬの調整用のスタブＴＣのパターン、ＧＮＤ端
子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、Ｖｔ端子、及びトラン
ジスタＱ、抵抗Ｒ、コンデンサＣ、ダイオードＤなどの
電子部品（図示せず）が搭載される端子パッドが形成さ
れ、この端子パッドに夫々トランジスタＱ、抵抗Ｒ、コ
ンデンサＣ、ダイオードＤが半田接合されていた。

【０００８】受信側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯには、
ＧＮＤ端子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、Ｖｔ端子の４
種類の６つ端子（ＧＮＤ端子が３つある）が、図中の基
板８１の上辺に並設され、また、送信側電圧制御発振回
路ＴＸＶＣＯには、ＧＮＤ端子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ
端子、ＭＯＤ端子、Ｖｔ端子の５種類の６つの端子（Ｇ
ＮＤ端子が２つある）が図中の基板８１の下辺に並設さ
れている。尚、図では、各端子に接合されるリード端子
は省略した。

【０００９】ここで、ＧＮＤ端子はアース端子であり、
Ｖｏｕｔ端子は所定周波数の発振出力ｆａ、ｆｂ（受信
側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯの出力をｆａ、送信側電
圧制御発振回路ＴＸＶＣＯの出力をｆｂとする）を出力
する端子であり、受信側においては、第１のミキサＭＩ
Ｘに接続され、送信側においては、バンドパスフィルタ
ＢＰＦを介して増幅回路ＰＯＷＥＲＡＭＰに接続され
る。またＶｃｃ端子は電源端子であり、Ｖｔ端子は位相
比較回路ＰＬＬに接続され、発振回路の発振周波数を制
御するための電圧信号が入力されるチューニング端子で
あり、送信側のみに形成されるＭＯＤ端子は、変調する
音声信号が入力される変調端子である。

【００１０】回路基板８１の裏面は、図９に示すよう
に、ＧＮＤ端子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、ＭＯＤ端
子、Ｖｔ端子が形成された部分を除いて、略全面にアー
ス電極パターン８２が形成されている。

【００１１】また、回路基板８１の表面側の電圧制御発
振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯとアース電極パターン８
２とは、導体膜が形成されたスルーホール８３によって
接続されている。

【００１２】上述の構成をした２つの電圧制御発振回路
ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯが形成された回路基板８１は、
底面が開口した箱状のシールドケース（図示せず）内に
収納され、シールドケースの側壁と回路基板８１の裏面
のアース電極パターン８２との間で半田接合されて、電
気的及び機械的に接合される。尚、この半田接合される
部位は図９の斜線部分Ｘ、Ｙとして示している。

【００１３】

【考案が解決しようとする課題】しかし上述のツイン電
圧制御発振器において、回路基板８１の裏面のアース電
極パターン８２が両電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸ
ＶＣＯに対して共通に使用されて、回路基板８１の裏面
の略全面に形成されている。このため、受信側電圧制御
発振回路ＲＸＶＣＯのＶｏｕｔ端子と送信側電圧制御発
振回路ＴＸＶＣＯのＶｏｕｔ端子とが高周波的には近接
した状態となり、受信側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯの
所定振周波数の発振出力ｆａが、送信側電圧制御発振回
路ＴＸＶＣＯの発振回路に漏れしてまい、所定レベル
で、送信側電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯのＶｏｕｔ端子
から不要な出力ｆａ’として現れてしまう。また、送信
側電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯの発振出力ｆｂについて
も同様である。これにより、所定振周波数の発振出力ｆ
ａ、ｆｂに不要な出力ｆｂ’、ｆａ’がのり、また干渉
を起こしたりして、アイソレーション特性を大きく低下
させていた。

【００１４】また、回路基板８１の表面側においても、
アース配線パターン８４を介して両電圧制御発振回路が
接続された状態で構成されているため、この点からして
もアイソレーション特性を大きく低下させていた。

【００１５】本考案は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、ツイン発振回路の大きな作用である配線回
路への実装部品の低減化及び１部品あたりの小型化を維
持しつつ、さらに受信側の発振回路及び送信側の発振回
路の発振出力の漏れを極小化して、アイソレーション特
性を向上させたツイン電圧制御発振器を提供するもので
ある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本考案は、絶縁基板の表
面に受信用電圧制御発振回路と送信用電圧制御発振回路
とを回路的に分離して配置し、該絶縁基板の裏面で前記
受信用電圧制御発振回路と送信用電圧制御発振回路に対
応する位置に夫々分離した少なくとも２つのアース電極
パターンを形成して成る発振回路基板を、底面が開口し
た筺体状のシールドケースで被覆したツイン電圧制御発
振装置である。

【００１７】そして、受信用電圧制御発振回路に相当す
るアース電極パターン及び送信用電圧制御発振回路に相
当するアース電極パターンを、前記シールドケースの互
いに対向しあう位置の内壁に各々接合している。

【００１８】

【作用】以上のように、本考案は、回路基板の表面側に
おいては、受信用電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、送信用
電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯとが回路的に分離されてお
り、さらに、回路基板の裏面に形成したアース電極パタ
ーンが、夫々の発振回路に対応して分離されているた
め、両発振回路のＶｏｕｔ端子は高周波的に大きく離れ
た構造となる。このため、従来のように一方の発振回路
の発振出力が、基板裏面のアース電極パターンを介し
て、他方の発振回路に漏れることが低減され、アイソレ
ーション特性が安定し、且つ向上する。

【００１９】また、分離されたアース電極パターンとシ
ールドケースとの接合部分が、互いに対向する位置のシ
ールドケースの内壁（側壁）で行われることにより、シ
ールケースを介して互いの接合部分間の距離が大きく離
れるため、シールドケースを介して漏れる発振出力のレ
ベルを大きく低下させることができる。

【００２０】

【実施例】以下、本考案のツイン電圧制御発振器を図面
に基づいて詳説する。

【００２１】図１は、ツイン電圧制御発振器の外観斜視
図であり、図２は、その裏面側の平面図である。また、
図３は回路基板の表面側の配線パターンを示す図であ
り、図４は回路基板の裏面側の配線パターンを示す図で
ある。

【００２２】ツイン電圧制御発振器１０は、２つの電圧
制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯが形成された回路
基板１と、底面が開口したシルードケース２と、回路基
板１に形成された各端子に接続されたリード端子３・・
・から構成されている。

【００２３】回路基板１は図３、図４に示すように、ガ
ラス−エポキシ、セラミックなどから成る絶縁基板１１
上に２つの電圧制御発振回路部、例えば受信側電圧制御
発振回路ＲＸＶＣＯ及び送信用電圧制御発振回路ＴＸＶ
ＣＯが回路的に分離されて形成されており、夫々の電圧
制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯを構成するよう
に、所定配線パターンが形成されている。

【００２４】受信側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯは絶縁
基板１１上に導体膜で形成したコイルＬパターン、コイ
ルＬのインダクタンス成分を調整するスタブＴＣ、ＧＮ
Ｄ端子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、Ｖｔ端子及びトラ
ンジスタＱ、抵抗Ｒ、コンデンサＣ、ダイオードＤなど
が搭載される端子パッドを有し、さらにこの端子パッド
に搭載されたトランジスタＱ、抵抗Ｒ、コンデンサＣ、
ダイオードＤなどの電子部品１３とから構成されてい
る。

【００２５】また、受信側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ
の各端子は、図３の回路基板１の上辺で左側からＧＮＤ
端子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、ＧＮＤ端子、Ｖｔ端
子が並設されており、この各端子にクリップリード端子
3 ・・・が半田接合されている。

【００２６】また、送信側電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯ
は、受信側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯと同様にコイル
Ｌパターン、コイルＬのインダクタンス成分を調整する
スタブＴＣ、ＧＮＤ端子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、
Ｖｔ端子、ＭＯＤ端子及びトランジスタＱ、抵抗Ｒ、コ
ンデンサＣ、ダイオードＤなどが搭載される端子パッド
を有し、さらにこの端子パッドに搭載されたトランジス
タＱ、抵抗Ｒ、コンデンサＣ、ダイオードＤなどの電子
部品１３とから構成されている。

【００２７】また、送信側電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯ
の各端子は、図３の回路基板１の下辺で左側から、ＧＮ
Ｄ端子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、ＭＯＤ端子、Ｖｔ
端子が並設されており、この各端子にクリップリード端
子3 ・・・が半田接合されている。

【００２８】また、絶縁基板１１の裏面は、図４に示す
ように、表面側の２つの電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、
ＴＸＶＣＯの形成領域と対応するように、分離された２
つのアース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔが形成されてい
る。また、回路基板１の裏面にも、表側のＧＮＤ端子、
Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、ＭＯＤ端子、Ｖｔ端子に対
応して、夫々ＧＮＤ端子、Ｖｏｕｔ端子、Ｖｃｃ端子、
ＭＯＤ端子、Ｖｔ端子が形成されている。各端子に接合
されるリード端子は、表側の端子と裏面側の端子とを挟
持するように接合される。

【００２９】また、電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸ
ＶＣＯの所定位置や各端子は、裏面側のアースパターン
１２Ｒ、１２Ｔや各端子と、図中丸印で示す導体膜で形
成されたスルーホール１４によって導通されている。

【００３０】このような回路基板１は、底面が開口した
シルードケース２に収納され、半田２３に接合されて電
気的及び機械的に接合されている。具体的には、シール
ケース２の側面には、プレス加工により内側に突出する
突起部２１・・が形成されており、回路基板１の表面側
をシールケース２の上面と対向させるようにして収納
し、該突起部２１・・・で位置決めを行い、回路基板１
のアース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔとシールケース２
の側壁との間で半田接合が施されている。尚、アース電
極パターン１２Ｒ、１２Ｔとシールケース２との接合部
分は、２３Ｒ、２３Ｔで示す。

【００３１】また、シルードケース２の側壁には、回路
基板１に接合したリード端子と接触しないように、切り
欠き部２２が形成されている。

【００３２】本考案は、回路基板１の表面側において
は、電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯが回路的
に分離されており、さらに、回路基板１の裏面において
は、電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯに対応し
て、アース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔが夫々分離して
形成されているため、一方の電圧制御発振回路、例えば
ＲＸＶＣＯのＶｏｕｔ端子から出力される所定キャリア
周波数の発振出力ｆａが、アース電極パターン１２Ｒ、
１２Ｔを介して、他方の電圧制御発振回路、例えばＴＸ
ＶＣＸＯのＶｏｕｔ端子から出力される発振出力Ｆｂに
影響を及ぼす度合いを非常に低減できる。これは、漏れ
出力ｆａ’、ｆｂ’がアース電極パターン１２Ｒ、１２
Ｔを介して他方の電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶ
ＣＯに漏れてしまうが、本考案のように、完全に分離さ
れたアース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔを形成すること
により、高周波的には両電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、
ＴＸＶＣＯのＶｏｕｔ間の距離を高周波的にが長くでき
るためである。

【００３３】図５、６は、本考案の作用効果を説明する
ための模式的な図である。

【００３４】図５（ａ）は本考案の回路基板1 裏面側か
らみた状態で模式図であり、（ｂ）は電気的導通状態を
示す模式図である。尚、図中点線は、Ｖｏｕｔ端子から
導出される発振出力ｆａ’、ｆｂ’の漏れ状況を示す。
また、図６（ａ）、（ｂ）は従来のベタ形状のアース電
極パターンの場合の模式図である。従来では、図６
（ａ）に示すように、ベタ形状のアース電極パターン８
２に、両Ｖｏｕｔ端子が高周波的に近接されているた
め、このベタ形状のアース電極パターン８２を介して、
一方の、例えば受信用電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯの発
振出力ｆａと他方の、例えば送信用電圧制御発振回路Ｔ
ＸＶＣＯの発振出力ｆｂが直接的に影響を及ぼしあう。

【００３５】これに対して、本考案では、図５（ａ）に
示すように、回路基板１の裏面側には、完全に分離した
アース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔが形成されているの
で、このアース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔを介して、
両Ｖｏｕｔ端子間に漏れる発振出力ｆａ’、ｆｂ’が殆
どなくなる。

【００３６】このため、アイソレーション特性は、従来
の構造では、３８〜４２ｄＢであったもののが、本考案
品では約５２ｄＢとなり、約１２ｄＢも向上する。

【００３７】ここで、アイソレーション特性は、例えば
受信側電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯの発振出力ｆａの出
力において、電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯのＶｏｕｔ端
子に導出される発振出力ｆａと電圧制御発振回路ＴＸＶ
ＣＯのＶｏｕｔ端子に導出される漏れ出力ｆａ’の差で
表され、また、図７（ｂ）に示すように、例えば送信側
の電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯの発振出力Ｆｂの出力に
おいて、電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯのＶｏｕｔ端子に
導出される発振出力ｆｂと電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ
のＶｏｕｔ端子に導出される漏れ出力ｆｂ’の差（Δｆ
ａ、Δｆｂ）で表される。

【００３８】さらに、本考案では、このアイソレーショ
ン特性を向上させるには、回路基板１のアース電極パタ
ーン１２Ｒ、１２Ｔとシールケース２とを接合する半田
接合部２３Ｒ、２３Ｔ位置を制御することが重要とな
る。

【００３９】図２に示すように、本考案では、アース電
極パターン１２Ｒ、１２Ｔはシールドケース２を介し
て、電気的に接続（接地）されるが、この半田接合部２
３Ｒ、２３Ｔの接合位置を両電圧制御発振回路ＲＸＶＣ
Ｏ、ＴＸＶＣＯのＶｏｕｔ端子から離した位置に設定す
ることが重要で、シールドケース２とアース電極パター
ン１２Ｒ、１２Ｔの接合位置を電気的に離すようにす
る。具体的には、図２に示すように、受信用電圧制御発
振回路ＲＸＶＣＯにおいて、回路基板１の裏面側のＶｏ
ｕｔ端子が回路基板１の上部に配置されているので、Ｖ
ｏｕｔ端子と半田接合部２３Ｒとの距離を離すために、
半田接合部２３Ｒは、アース電極パターン１２Ｒの下部
右側部分で行っている。

【００４０】また、電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯにおい
て、回路基板１の裏面側のＶｏｕｔ端子が回路基板１の
下部の右寄りに配置されているので、このＶｏｕｔ端子
と半田接合部２３Ｔの距離を離すために、半田接合部２
２Ｔは、アース電極パターン１２Ｔの上部左側部分で行
っている。

【００４１】尚、受信用電圧制御発振回路ＴＸＶＣＯの
Ｖｏｕｔ端子を、回路基板１の裏面の上部の右寄りに配
置することにより、一層の両電圧制御発振回路ＲＸＶＣ
Ｏ，ＴＸＶＣＯの発振出力の影響を防止できる。

【００４２】このように、シールドケース２と回路基板
１との接合部分を考慮した電気的等価回路は図５
（ｂ）、図６（ｂ）のように示されるが、従来品では、
半田接合部Ｘ、Ｙとがアース電極パターン８２を通じ
て、最短距離に接合されることになる。これに対して、
本考案では、両アース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔは、
半田接合部２３Ｒ、２３Ｔがシールドケース2 を介して
接続される。このため、高周波的に、電圧制御発振回路
ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯのＶｏｕｔ端子間を非常に長く
することができるため、、漏れ発振出力ｆａ、ｆｂを大
きく減衰させることができる。

【００４３】このように、アース電極パターンを電圧制
御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯに対応させて、２つ
に分離したアース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔを形成
し、夫々のアース電極パターン１２Ｒ、１２Ｔとシール
ドケース２との接合部分を互いに対向する側面とするこ
とにより、アイソレーション特性を従来のツイン電圧制
御発振回路では、約３８〜４２ｄＢの本考案品では約５
８ｄＢと、約１８ｄＢも向上させることができる。

【００４４】以上のように、本考案では、回路基板１の
表面側に回路的に分離された２つの電圧制御発振回路Ｒ
ＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯを形成し、且つ回路基板１の裏面
側に夫々の電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯに
対応して、夫々分離された２つのアース電極パターン１
２Ｒ、１２Ｔを形成するとともに、シールドケース２と
回路基板１との半田接合部分２３Ｒ、２３Ｔをシールド
ケースの対向する側面にそれぞれ形成したため、高周波
回路的に２つの電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣ
ＯのＶｏｕｔ端子の距離が互いに離れるために、アイソ
レーシイン特性が向上するが、さらにＶｏｕｔ端子間の
相互の漏れ信号を防止するために、シールドケース２に
２つの電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯを分離
する中仕切りを形成すれば、一層の効果を導出すること
ができる。

【００４５】尚、上述の電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、
ＴＸＶＣＯに、さらに位相比較回路ＰＬＬや温度補償型
水晶発振器を搭載しても構わない。

【００４６】

【考案の効果】以上のように、本考案によれば、ツイン
型電圧制御発振器の大きな特徴である小形化を維持しつ
つ、回路基板の表面に２つの電圧制御発振回路ＲＸＶＣ
Ｏ、ＴＸＶＣＯを夫々回路的に分離して形成するととも
に、裏面に夫々の電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶ
ＣＯに対応して分離されたアース電極パターンを形成し
たため、電圧制御発振回路ＲＸＶＣＯ、ＴＸＶＣＯのＶ
ｏｕｔ端子間の相互の漏れ信号が低減され、アイソレー
ション特性が向上し、Ｃ／Ｎ比が向上するツイン電圧制
御発振装置が達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案のツイン電圧制御発振器の分解斜視図で
ある。

【図２】ツイン電圧制御発振器の裏面側の平面図であ
る。

【図３】回路基板の表面側の配線パターンを示す図であ
る。

【図４】回路基板の裏面側の配線パターンを示す図であ
る。

【図５】（ａ）は本考案の回路基板裏面側からみた状態
で模式図であり、（ｂ）は電気的導通状態を示す模式図
である。

【図６】（ａ）は従来の回路基板裏面側からみた状態で
模式図であり、（ｂ）は従来の電気的導通状態を示す模
式図である。

【図７】アイソレーション特性を説明するための図であ
り、（ａ）は受信側の電圧制御発振回路の発振出力と漏
れ信号との関係を示し（ｂ）は送信側の電圧制御発振回
路の発振出力と漏れ信号との関係を示す。

【図８】従来のツイン電圧制御発振器の回路基板の表面
側の配線パターンを示す図である。

【図９】従来のツイン電圧制御発振器の回路基板の裏面
側の配線パターンを示す図である。

【図１０】ツイン電圧制御発振器を用いた携帯用電話の
ブロック回路構成図である。

【符号の説明】

１・・・・回路基板 １１・・・絶縁基板 １２Ｒ・・アー電極パターン １２Ｔ・・アー電極パターン ２・・・・シルードケース ２１・・・突起部 ２３、２３Ｒ、２３Ｔ・・半田 ３・・・・リード端子 RXVCO ・・・受信側電圧制御発振回路 TXVCO ・・・送信側電圧制御発振回路 fa・・・・受信側電圧制御発振回路の発振出力 fb・・・・送信側電圧制御発振回路の発振出力

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−60135（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−265223（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−279027（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−6853（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−210741（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−80867（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−159940（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−75850（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H03B 1/00 H03L 7/22 H04B 1/38 H05K 1/02

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板の表面に受信用電圧制御発振回
   路と送信用電圧制御発振回路とを回路的に分離して配置
   し、該絶縁基板の裏面で前記受信用電圧制御発振回路と
   送信用電圧制御発振回路に対応する位置に夫々分離した
   少なくとも２つのアース電極パターンを形成して成る発
   振回路基板を、底面が開口した筺体状のシールドケース
   で被覆するとともに、 前記受信用電圧制御発振回路に相当するアース電極パタ
   ーン及び前記送信用電圧制御発振回路に相当するアース
   電極パターンを、前記シールドケースの互いに対向しあ
   う位置の内壁に各々接合した ことを特徴とするツイン電
   圧制御発振器。