JP2595593B2 - 整流装置 - Google Patents

整流装置

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JP2595593B2 JP62324764A JP32476487A JP2595593B2 JP 2595593 B2 JP2595593 B2 JP 2595593B2 JP 62324764 A JP62324764 A JP 62324764A JP 32476487 A JP32476487 A JP 32476487A JP 2595593 B2 JP2595593 B2 JP 2595593B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は交流を直流に変換する整流装置、特に、入
力電流を正弦波制御可能な整流装置に関する。
〔従来の技術〕
第4図は、昭和41年電気学会全国大会講演論文集No.4
96号に示されたこの種の整流装置の回路図である。図に
おいて、1は交流電源、2はリアクトル、3〜6はダイ
オードであつて、ダイオード整流回路Aを構成してい
る。7はトランジスタ、8はダイオード、9はコンデン
サ、10は負荷である。
次に、この整流装置の動作を第5図および第6図の波
形図を参照して、入力電流を正弦波基準電流(交流電源
電圧と同位相の正弦波電流)に近づける場合について説
明する。
第5図の時刻T1において、トランジスタ7をオンする
と、リアクトル2には交流電源1の交流電圧vsが印加さ
れ、入力電流isが増大する。時刻T2において、トランジ
スタ7をオフすると、ダイオード8がオンするので、リ
アクトル2にはコンデンサ9の電圧VDと交流電圧VSとの
差が印加される。VD−(|VS|の最大値)>0となるよう
に選べば、リアクトル2には負の電圧が印加され、入力
電流iSは減少する。従つて、トランジスタ7のオン期間
を制御することにより入力電流iSを力率=1の基準電流
iREFに追従させることができる。
しかしながら、第4図の装置では、起動時のコンデン
サ9の電圧VDが低く、例えば、VD=0で、交流電圧VS
大きい第6図の時刻T4の時点差に、交流電源1が投入さ
れると、リアクトル2−ダイオード5−ダイオード8−
コンデンサ9−ダイオード4を通して大きな波高値の突
入電流が流入するとともにコンデンサ9の電圧VDも上昇
する。最悪の場合電圧VDと入力電流iSのピーク値は、入
力電圧 リアクトル2のインダクタンスをLS、コンデンサ9の静
電容量をCDとすると、 入力電流の波高値: コンデンサ電圧VDの最大値: となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように、従来の整流装置では、交流電源投入時、
その投入タイミングによつては、大きな突入電流が流入
するので、整流回路のダイオード3〜6として、必要以
上に大きい定格容量のダイオードを使用する必要がある
上、リアクトル2として大きなピーク電流が流れても飽
和しないリアクトルを選定する必要があり、装置が高価
になるだけでなく大形化するという問題があつた。勿
論、初期充電回路を設ければ上記問題を解消することは
できるが、回路構成が複雑になるとともに、やはり大形
化する。
この発明は上記問題を解消するためになされたもの
で、回路構成及び制御動作を極力複雑化することなく、
起動時の突入電流を抑制することができ、従って従来に
比して安価となる整流装置を提供することを目的とす
る。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明は上記目的を達成するため、整流回路を、第
1及び第2の半導体スイツチング素子の直列回路と逆並
列ダイオードを有する第3及び第4の半導体スイツチン
グ素子の直列回路を並列に接続して構成し、上記第1及
び第2の半導体スイツチング素子は交流電源の負及び正
の半サイクル時にそれぞれオンされ、該オン期間中、該
半導体スイツチング素子と同極に接続された上記逆並列
ダイオードを有する半導体スイツチング素子がオン・オ
フ駆動され該オン期間が制御される構成としたものであ
る。
〔作用〕
この発明では、起動時に、第1及び第2の半導体スイ
ツチング素子の点弧位相を180度から0度へ進ませるこ
とにより、交流電圧とコンデンサの電圧との差が大きく
ならないようにして起動を完了することができるので、
起動期間中の突入電流を抑制することができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図において、11,12はそれぞれ第1及び第2の半
導体スイッチング素子としてのサイリスタ、13,14はそ
れぞれ第3及び第4の半導体スイッチング素子としての
トランジスタ、13a、14aはダイオードであつて、整流回
路Aを構成している。他の構成は前記ダイオード8を有
しない点において前記第4図のものと異なり、第4図の
ものと同一構成要素には同一符号を付して示してある。
次に、この装置の動作を第2図の波形図を参照して説
明する。
交流電源1の交流電圧 と位相が等しい正弦波基準電流iREFに入力電流iSを追随
させる場合について説明する。
交流電圧vSの正の半サイクルにおいてはサイリスタ12
をオンさせた状態で、トランジスタ14をオン・オフさせ
る。即ち、 (1)サイリスタ12がオン、トランジスタ14がオンの期
間(時刻T1〜T2) 入力電流iSはリアクトル2−トランジスタ14−サイリ
スタ12を通つて流れ、リアクトル2に印加される電圧VL
はvSとなり、時刻T1からT2期間に入力電流iSは、 だけ増加する。
(2)サイリスタ12がオン、トランジスタ14がオフの期
間(時刻T2〜T3) 入力電流iSはリアクトル2−ダイオード13a−コンデ
ンサ9と負荷10の並列回路−サイリスタ12を通つて流
れ、リアクトル2に印加される電圧VLは(vS−VD)<0
となり、時刻T2からT3の期間に入力電流iSは、 だけ減少する。
上記(1)と(2)の説明から、交流電圧vSの正の半
サイクルにおいて、サイリスタ12をオンさせた状態で、
トランジスタ14をオン・オフさせた場合、該トランジス
タ14のオン期間を調整することにより、入力電流iSを増
減することができる。負の半サイクルにおいては、サイ
リスタ11をオンさせた状態で、トランジスタ13をオン・
オフさせ、そのオン期間を調整することにより、同様
に、入力電流iSを増減することができる。従つて、交流
電圧vSの正の半サイクル、負の半サイクルにトランジス
タ14、トランジスタ13のオン期間を制御することによ
り、入力電流iSを正弦波基準電流iREFに追随させること
ができる。
起動に際し、交流電源1を投入した場合には、サイリ
スタ11と12の位相制御角を、第3図に示すように、180
゜付近から0゜付近まで徐々に位相させるようにする。
このようにすれば、コンデンサ9の電圧VDと交流電圧vS
との差を小さく保つて起動を完了することができるの
で、起動中の突入電流を抑制することができる。
なお、上記実施例におけるトランジスタ13、14に代え
て、ゲートターンオフサイリスタ等の他の自己消弧型半
導体スイツチング素子を用いてもよく、また、強制転流
型のサイリスタを用ることもできる。
また、上記実施例では、トランジスタ13、14を、それ
ぞれ交流電圧の正及び負の半サイクル期間にパルス幅制
御しているが、一方のトランジスタにオフ指令を与えた
時に他方のトランジスタにオン信号を与えるようにして
もよいことは勿論である。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明した通り、所定の第1ないし第4
の半導体スイツチング素子からなる簡単な構成の整流回
路を採用し、定常時は所定の簡便な制御動作で入力電流
の正弦波制御を可能とし、起動時は第1及び第2の半導
体スイッチング素子を位相制御するようにしたので、起
動時の突入電流を効果的に抑制することができ、各半導
体スイッチング素子に従来のような突入電流を考慮した
大きな容量を持たせる必要がなく、リアクトルも小形化
することができるので、従来に比して、装置の価格を低
減し、かつ、小形化することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例を示す回路図、第2図および
第3図は上記実施例の動作を説明するための波形図、第
4図は従来の整流装置の回路図、第5図及び第6図は上
記従来例の動作を説明するための波形図である。 図において、2……リアクトル、9……コンデンサ、1
1、12……サイリスタ、13、14……トランジスタ、13a、
14a……ダイオード。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1及び第2の半導体スイッチング素子の
    直列回路とそれぞれ逆並列ダイオードを有する第3及び
    第4の半導体スイッチング素子の直列回路とを並列に接
    続してなりリアクトルを介して交流電源に接続される整
    流回路、該整流回路の直流出力端子間に挿入されたコン
    デンサを有し、定常時は、上記第1及び第2の半導体ス
    イッチング素子は交流電源電圧の負及び正の半サイクル
    中常にそれぞれオンするよう制御されるとともに、該オ
    ン期間中、該第1又は第2の半導体スイッチング素子と
    同極に接続された上記第3又は第4の半導体スイッチン
    グ素子がオン・オフ駆動され交流入力電流が正弦波基準
    電流に追随するべく該オン期間が制御され、起動時は、
    第1及び第2の半導体スイッチング素子は、その点弧位
    相が制御されることを特徴とする整流装置。
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