JP2591301B2 - 折れ線特性回路 - Google Patents

折れ線特性回路

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JP2591301B2 JP2257781A JP25778190A JP2591301B2 JP 2591301 B2 JP2591301 B2 JP 2591301B2 JP 2257781 A JP2257781 A JP 2257781A JP 25778190 A JP25778190 A JP 25778190A JP 2591301 B2 JP2591301 B2 JP 2591301B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は折れ線特性回路に関し、特に入力電圧が小さ
い時には利得が大きく、入力電圧が大きい時には利得が
小さくなるような特性をもつ折れ線特性回路に関する。
〔従来の技術〕
従来は第8図に示すように、演算増幅器33の反転入力
端子と出力端子69を共通接続してこれを出力とし、また
正転入力端子を信号入力端子68に接続する、所謂電圧フ
ォロアがバッファアンプとして使用されている。第8図
における入出力の利得は1であり、この時のVINとVOUT
の入出力特性は、第9図に示すように、入力信号と同じ
電圧が出力端子に出力され、あるところでアンプの出力
ダイナミックレンジて飽和してしまう。これは、正側電
源電圧に依存する特性である。
〔発明が解決しようとする課題〕
この従来の電圧フォロア型バッファアンプを用いる折
れ線特性回路は、アンプの出力ダイナミックレンジで出
力電圧が制限されてしまい、ある入力信号レベル以上
は、アンプの最大出力電圧により制約される一定電圧と
なってしまうという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
第1の発明の折れ線特性回路は、所定の入力電圧を第
1の正転入力端子に入力し、所定の基準電圧を第2の正
転入力端子に入力して、前記第1および第2の正転入力
端子に入力される電圧値の内の低いレベルの電圧値を選
択して出力する最小値電圧弁別回路と、前記最小値電圧
弁別回路の出力電圧を第3の正転入力端子に入力し、前
記入力電圧の分圧電圧を第4の正転入力端子に入力し
て、前記第3および第4の正転入力端子に入力される電
圧値の内の高いレベルの電圧値を選択して出力する最大
値電圧弁別回路と、を備えて構成され、前記最大値電圧
弁別回路の出力端子を介して、前記入力電圧に対応する
折れ線特性電圧を出力することを特徴としている。
また、第2の発明の折れ線特性回路は、所定の入力電
圧を第1の正転入力端子に入力し、所定の基準電圧を第
2の正転入力端子に入力して、前記第1および第2の正
転入力端子に入力される電圧値の内の低いレベルの電圧
値を選択して出力する最小値電圧弁別回路と、前記最小
値電圧弁別回路の出力電圧を第3の正転入力端子に入力
し、前記入力電圧を第4の正転入力端子に入力して、前
記第3および第4の正転入力端子に入力される電圧値の
内の高いレベルの電圧値を選択して出力する最大値電圧
弁別回路と、を備えて構成され、前記最大値電圧弁別回
路の出力端子を介して、前記入力電圧に対応する折れ線
特性電圧を出力することを特徴としている。
なお、前記第1の発明において、前記最小値電圧弁別
回路は、ベースが前記第1の正転入力端子に接続され、
エミッタが第1の定電流源を介して高電位電源に接続さ
れる第1のPNPトランジスタと、ベースが前記第2の正
転入力端子に接続され、エミッタおよびコレクタがそれ
ぞれ前記第1のPNPトランジスタのエミッタおよびコレ
クタに共通接続される第2のPNPトランジスタと、入力
側が前記第1および第2のPNPトランジスタのコレクタ
に共通接続され、出力側が当該最小値電圧弁別回路の出
力端子に接続される第1のバッファアンプと、ベースが
当該最小値電圧弁別回路の出力端子に接続され、エミッ
タが前記第1および第2のPNPトランジスタのエミッタ
に共通接続される第3のPNPトランジスタと、出力側が
前記第1および第2のPNPトランジスタのコレクタに共
通接続され、入力側が前記第3のPNPトランジスタのコ
レクタに接続される第1のカレントミラー回路とを備え
て構成し、前記最大値電圧弁別回路が、ベースが第3の
正転入力端子に接続され、エミッタが第2の定電流源を
介して低電位電源に接続される第1のNPNトランジスタ
と、ベースが第4の正転入力端子に接続され、エミッタ
およびコレクタがそれぞれ前記第1のNPNトランジスタ
のエミッタおよびコレクタに共通接続される第2のNPN
トランジスタと、入力側が前記第1および第2のNPNト
ランジスタのコレクタに共通接続され、出力側が当該最
大値電圧弁別回路の出力端子に接続される第2のバッフ
ァアンプと、ベースが当該最大値電圧弁別回路の出力端
子に接続され、エミッタが前記第1および第2のNPNト
ランジスタのエミッタに共通接続される第3のNPNトラ
ンジスタと、出力側が前記第1および第2のNPNトラン
ジスタのコレクタに共通接続され、入力側が前記第3の
NPNトランジスタのコレクタに接続される第2のカレン
トミラー回路とを備えて構成してもよい。
また、前記第1発明において、前記最小値電圧弁別回
路が、ベースが前記第2の正転入力端子に接続され、コ
レクタが高電位電源が接続されて、エミッタが第3の定
電流源を介して低電位電源に接続される第4のNPNトラ
ンジスタと、ベースが前記第4のNPNトランジスタのエ
ミッタ接続され、エミッタが所定の抵抗を介して前記第
1の正転入力端子に接続されとともに前記第1の出力端
子に接続されて、コレクタが低電位電源に接続される第
4のPNPトランジスタと、を備えて構成してもよい。
なお、前記第2発明においては、前記最小値電圧弁別
回路は、ベースが前記第1の正転入力端子に接続され、
エミッタが第1の定電流源を介して高電位電源に接続さ
れる第1のPNPトランジスタと、ベースが前記第2の正
転入力端子に接続され、エミッタおよびコレクタがそれ
ぞれ前記第1のPNPトランジスタのエミッタおよびコレ
クタに共通接続される第2のPNPトランジスタと、入力
側が前記第1および第2のPNPトランジスタのコレクタ
に共通接続され、出力側が当該最大値電圧弁別回路の出
力端子に接続される第2のバッファアンプと、ベースが
前記バッファアンプ出力電圧の分圧電圧が供給され、エ
ミッタが前記第1および第2のPNPトランジスタのエミ
ッタに共通接続される第3のPNPトランジスタと、出力
側が前記第1および第2のPNPトランジスタのコレクタ
に共通接続され、入力側が前記第3のPNPトランジスタ
のコレクタに接続される第1のカレントミラー回路とを
備えて構成し、前記最大値電圧弁別回路は、ベースが第
3の正転入力端子に接続され、エミッタが第2の定電流
源を介して低電位電源に接続される第1のNPNトランジ
スタと、ベースが第4の正転入力端子に接続され、エミ
ッタおよびコレクタがそれぞれ前記第1のNPNトランジ
スタのエミッタおよびコレクタに共通接続される第2の
NPNトランジスタと、入力側が前記第1および第2のNPN
トランジスタのコレクタに共通接続され、出力側が当該
最大値電圧弁別回路の出力端子に接続される第2のバッ
ファアンプと、ベースが当該最大値電圧弁別回路の出力
端子に接続され、エミッタが前記第1および第2のNPN
トランジスタのエミッタに共通接続される第3のNPNト
ランジスタと、出力側が前記第1および第2のNPNトラ
ンジスタのコレクタに共通接続され、入力側が前記第3
のNPNトランジスタのコレクタに接続される第2のカレ
ントミラー回路と、を備えて構成してもよい。
〔実施例〕
次に第1の発明について図面を参照して説明する。
図1は第1の発明の1実施例を示す回路図である。最
小値電圧弁別回路1は、二つの正転入力端子と一つの反
転入力端子とを有しており、二つの正転入力端子の内、
一方の正転入力端子は信号入力端子50に接続され、他方
の正転入力端子には、入力端子51より基準電圧VREFが供
給されている。最大値電圧弁別回路2は、同じく二つの
正転入力端子を有しており、反転入力端子と出力端子は
共通接続されている。そして、二つの正転入力端子の
内、一方の入力端子には最小値電圧弁別回路1の出力が
接続されている。また、他方の入力端子には、入力電圧
VINを抵抗3および4により抵抗分割した接点が接続さ
れる。そして最大値電圧弁別回路2の出力は、最終出力
VOUTとして出力端子52から出力される。
第1図において、最小値電圧弁別回路1に入力される
VREFとVINの2入力の内、小さい方の電圧が最小値電圧
弁別回路1から出力される。即ち、VREF>VINの時に
は、最小値電圧弁別回路1の出力電圧V′OUTは、 V′OUT=VIN ……(1) となり、入力と同じ電圧がV′OUTとして出力される。
次に、VREF<VINの時には、 V′OUT=VREF ……(2) となり、基準電圧VREFがV′OUTとして出力されて、入
力信号の如何にかかわらずV′OUTは一定となる。
次に、最大値電圧弁別回路2に入力される二つの入
力、即ち最小値電圧弁別回路1の出力電圧V′OUTと、V
INの抵抗3(抵抗値R1)および抵抗4(抵抗値R2)によ
る抵抗分割電圧VIN×〔R1/(R1+R2)〕の内、大きい方
の電圧が出力端子52から出力される。即ち、VIN×〔R1/
(R1+R2)〕<V′OUTの時には、最大値電圧弁別回路
2の出力電圧VOUTは、 VOUT=V′OUT ……(3) となり、また、VIN×〔R1/(R1+R2)〕>V′OUTの時
には、 VOUT=VIN〔R1/(R1+R2)〕 ……(4) となる。上式の(1)〜(4)をまとめて、VINとVOUT
の入出力特性をグラフ化すると、第2図のようになり、
所望の折れ線特性が得られる。
次に、本実施例における、二つの入力の内の最小電圧
を検出する最小値電圧弁別回路1の具体回路例を第3図
に示す。エミッタが共通接続された三つのPNPトランジ
スタ6、7および8と、上記共通接続されたエミッタと
電源間に接続された定電流源5と、出力端子がPNPトラ
ンジスタ6および7のコレクタに接続され、入力端子が
PNPトランジスタ8のコレクタに接続されて能動負荷と
して動作するカレントミラー回路9と、入力が上記カレ
ントミラー回路9の出力に接続され、出力が反転入力端
子を形成するPNPトランジスタ8のベース、および出力
端子55に接続される反転用のバッファアンプ10とを備え
て構成される。そして、PNPトランジスタ6および7の
ベースが各々二つの正転入力端子53および54に接続さ
れ、反転入力端子を形成するPNPトランジスタ8のベー
スと、上記バッファアンプ10の出力が共通接続されて、
本最小値電圧弁別回路1の出力端子55に接続される。
ここにおいて、PNPトランジスタ6および7のエミッ
タは共通接続されているので、各々のベースに入力され
る二つの入力電圧の内、低い電圧の方のPNPトランジス
タが能動状態となり、他方のPNPトランジスタは遮断状
態となる。そして、その能動状態となった方のPNPトラ
ンジスタとPNPトランジスタ8とにより差動増幅器が構
成される。そして、反転入力端子を形成するPNPトラン
ジスタ8のベースと、上記バッファアンプ10の出力が接
続されているので電圧フォロア構成となり、結果とし
て、二つの入力の内の最小電圧がそのまま出力される。
次に、本実施例における、二つの入力の内の最大電圧
を検出する最大値電圧弁別回路2の具体回路例を第4図
に示す。当該回路の接続関係は、第3図におけるPNPト
ランジスタがNPNトランジスタに置換えられている他
に、電流源とカレントミラー回路の極性および接続関係
が逆になっている以外については、同様の動作関係であ
るのでその動作説明は省略する。なお、第3図の場合と
の相違点として、エミッタが共通接続されている入力ト
ランジスタがNPNトランジスタにより構成されているの
で、この場合には、二つの入力の内の高い電圧が印加さ
れた方のNPNトランジスタが能動状態となる。従って、
最大値電圧弁別回路2の出力端子からは、二つの入力の
内の最大電圧が出力されることになる。
第5図は第1の発明の他の実施例の回路図である。本
実施例は、第1図における最小値電圧弁別回路1を簡単
な回路構成により実現している例であり、抵抗20と、PN
Pトランジスタ19と、NPNトランジスタ17と、定電流源18
とにより最小値電圧弁別回路23を構成している。即ち、
最大値電圧弁別回路2の二つの正転入力端子の内、一方
の入力VIN1には、一端が入力端子59に接続されている抵
抗20の他端と、PNPトランジスタ19のエミッタが共通接
続されている。そして、PNPトランジスタ19のベースに
は、NPNトランジスタ17のエミッタと電流源18とが接続
され、PNPトランジスタ19のコレクタは接地電位GNDに接
続されている。また、NPNトランジスタ17のコレクタは
正電源電圧V+に接続されており、ベースには基準電圧V
REFが供給されている。
ここにおいて、PNPトランジスタ19のエミッタ・ベー
ス間電圧と、NPNトランジスタ17ベース・エミッタ間電
圧とが等しいものと仮定すると、VIN<VREFの時には、P
NPトランジスタ19が遮断状態となり、抵抗20には電流が
流れないので、VIN1としてはVIN電圧が印加される。次
に、VIN>VREFの時には、PNPトランジスタ19が導通状態
となり、一方の正転入力VIN1には一定の基準電圧VREF
印加される状態となる。従って、動作的には、最小値電
圧弁別回路と同様の働きをすることが分る。最小値電圧
弁別回路2の他方の正転入力VIN2については、第1図の
場合と同様であるので、その説明は省略する。以上説明
したように、本実施例においては、最小値電圧弁別回路
を3個の素子のみにより構成することができるという利
点がある。
第6図は第2の発明の一実施例の回路図である。本実
施例においては、定電流源24と、PNPトランジスタ25、2
6および27と、カレントミラー回路28と、バッファアン
プ29と、抵抗30および31とにより最小値電圧弁別回路32
を構成しており、また最大値電圧弁別回路2は、電圧利
得は異なるものの回路構成は第4図の最大値電圧弁別回
路と同様である。従って、図6においては、第1図の場
合と同様に、同一符号“2"を付している。本実施例の最
小値電圧弁別回路32の電圧利得を、最大値電圧弁別回路
2の利得よりも大きくするために、本実施例において
は、最小値電圧弁別回路32の電圧利得を上げ、最大値電
圧弁別回路2利得を“1"としている。即ち、最小値電圧
弁別回路32の反転入力端子を形成するPNPトランジスタ2
7のベースと出力端子67の間には、抵抗31(抵抗値R5
が接続され、また同じく最小値電圧弁別回路32の反転入
力端子を形成するPNPトランジスタ27のベースと基準電
圧(GND)の間には抵抗30(抵抗値R4)が接続されてい
る。そして、二つの正転入力端子65および66の内、正転
入力端子65に信号入力端子62が接続され、正転入力端子
66には、基準電圧VREFが入力される入力端子63が接続さ
れている。
また、最大値電圧弁別回路2の電圧利得を“1"にする
ために、第4図の最大値電圧弁別回路2の内部回路図に
示されるように、反転入力端子を形成するNPNトランジ
スタ16のベースは出力端子58に共通接続される。なお、
この出力端子58は、第6図の折れ線特性回路の出力端子
64に接続されている。そして、最大値電圧弁別回路2の
二つの正転入力端子の内、正転入力端子端子56には信号
入力端子62が接続され、また他方の正転入力端子端子57
には最小値電圧弁別回路32の出力端子67が接続されてい
る。ここにおいて、最小値電圧弁別回路32の電圧利得Av
minは、抵抗値R4およびR5により決まり、次式により当
えられる。
Avmin=1+R5/R4 ……(5) 第6図において、最小値電圧弁別回路32の出力として
は、基準電圧VREFとVINの二つの入力の内、小さい方の
電圧が上記(5)式によりAvmin倍されて出力される。
即ち、VIN<VREFの時には、出力電圧V′OUTは、 V′OUT=VIN・Avmin ……(6) となり、入力VINのAvmin倍の電圧がV′OUTとして出力
される。また、VIN>VREFの時には、出力電圧V′
OUTは、 V′OUT=VREF・Avmin ……(7) となり、入力信号にかかわらず一定の電圧が出力され
る。
次に、最大値電圧弁別回路2の出力としては、前記出
力電圧V′OUTと入力電圧VINの二つの入力の内、大きい
方の電圧が出力端子64に出力される。即ち、VIN<V′
OUTの時には、出力端子64の出力電圧VOUTは、次式によ
り与えられる。
VOUT=V′OUT ……(8) またVIN>V′OUTの時には、出力端子64の出力電圧V
OUTは、次式のようになる。
VOUT=VIN ……(9) 上記の(6)〜(9)式をまとめて、VINとVOUTの入
出力特性をグラフ化すると第7図のようになり、所望の
折れ線特性が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、大きな入力電圧に対
しては利得を下げ、バッファアンプの最大出力電圧を越
えないようにすることにより、入力ダイナミックレンジ
を大きくとることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、第1の発明の一実施例の構成図、第2図は、
前記第1の発明の一実施例の入出力特性を示す図、第3
図は、前記一実施例における最小値電圧弁別回路の1例
を示す回路図、第4図は、前記一実施例および第2の発
明における最大値電圧弁別回路の1例を示す回路図、第
5図は、前記一実施例における最小値電圧弁別回路の他
の回路例を含む構成図、第6図は、最小値電圧弁別回路
の回路例を含む第2の発明の一実施例の構成図、第7図
は、前記第2の発明の一実施例の入出力特性を示す図、
第8図は従来例の構成図、第9図は、従来例の入出力特
性を示す図である。 図において、1,23,32……最小値電圧弁別回路、2……
最大値電圧弁別回路、3,4,20〜22,31,31……抵抗、5,1
3,18,24……定電流源、6〜8,19,25〜27……PNPトラン
ジスタ、9,11,28……カレントミラー回路、10,12,29…
…バッファアンプ、14〜16,17……NPNトランジスタ、33
……演算増幅器。

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所定の入力電圧を第1の正転入力端子に入
    力し、所定の基準電圧を第2の正転入力端子に入力し
    て、前記第1および第2の正転入力端子に入力される電
    圧値の内の低いレベルの電圧値を選択して出力する最小
    値電圧弁別回路と、 前記最小値電圧弁別回路の出力電圧を第3の正転入力端
    子に入力し、前記入力電圧の分圧電圧を第4の正転入力
    端子に入力して、前記第3および第4の正転入力端子に
    入力される電圧値の内の高いレベルの電圧値を選択して
    出力する最大値電圧弁別回路と、 を備えて構成され、前記最大値電圧弁別回路の出力端子
    を介して、前記入力電圧に対応する折れ線特性電圧を出
    力することを特徴とする折れ線特性回路。
  2. 【請求項2】所定の入力電圧を第1の正転入力端子に入
    力し、所定の基準電圧を第2の正転入力端子に入力し
    て、前記第1および第2の正転入力端子に入力される電
    圧値の内の低いレベルの電圧値を選択して出力する最小
    値電圧弁別回路と、 前記最小値電圧弁別回路の出力電圧を第3の正転入力端
    子に入力し、前記入力電圧を第4の正転入力端子に入力
    して、前記第3および第4の正転入力端子に入力される
    電圧値の内の高いレベルの電圧値を選択して出力する最
    大値電圧弁別回路と、 を備えて構成され、前記最大値電圧弁別回路の出力端子
    を介して、前記入力電圧に対応する折れ線特性電圧を出
    力することを特徴とする折れ線特性回路。
  3. 【請求項3】前記最小値電圧弁別回路が、ベースが前記
    第1の正転入力端子に接続され、エミッタが第1の定電
    流源を介して高電位電源に接続される第1のPNPトラン
    ジスタと、 ベースが前記第2の正転入力端子に接続され、エミッタ
    およびコレクタがそれぞれ前記第1のPNPトランジスタ
    のエミッタおよびコレクタに共通接続される第2のPNP
    トランジスタと、 入力側が前記第1および第2のPNPトランジスタのコレ
    クタに共通接続され、出力側が当該最小値電圧弁別回路
    の出力端子に接続される第1のバッファアンプと、 ベースが当該最小値電圧弁別回路の出力端子に接続さ
    れ、エミッタが前記第1および第2のPNPトランジスタ
    のエミッタに共通接続される第3のPNPトランジスタ
    と、 出力側が前記第1および第2のPNPトランジスタのコレ
    クタに共通接続され、入力側が前記第3のPNPトランジ
    スタのコレクタに接続される第1のカレントミラー回路
    と、を備えて構成され、 前記最大値電圧弁別回路が、ベースが第3の正転入力端
    子に接続され、エミッタが第2の定電流源を介して低電
    位電源に接続される第1のNPNトランジスタと、 ベースが第4の正転入力端子に接続され、エミッタおよ
    びコレクタがそれぞれ前記第1のNPNトランジスタのエ
    ミッタおよびコレクタに共通接続される第2のNPNトラ
    ンジスタと、 入力側が前記第1および第2のNPNトランジスタのコレ
    クタに共通接続され、出力側が当該最大値電圧弁別回路
    の出力端子に接続される第2のバッファアンプと、 ベースが当該最大値電圧弁別回路の出力端子に接続さ
    れ、エミッタが前記第1および第2のNPNトランジスタ
    のエミッタに共通接続される第3のNPNトランジスタ
    と、 出力側が前記第1および第2のNPNトランジスタのコレ
    クタに共通接続され、入力側が前記第3のNPNトランジ
    スタのコレクタに接続される第2のカレントミラー回路
    と、を備えて構成される請求項1記載の折れ線特性回
    路。
  4. 【請求項4】前記最小値電圧弁別回路が、ベースが前記
    第2の正転入力端子に接続され、コレクタが高電位電源
    が接続されて、エミッタが第3の定電流源を介して低電
    位電源に接続される第4のNPNトランジスタと、 ベースが前記第4のNPNトランジスタのエミッタ接続さ
    れ、エミッタが所定の抵抗を介して前記第1の正転入力
    端子に接続されとともに前記第1の出力端子に接続され
    て、コレクタが低電位電源に接続される第4のPNPトラ
    ンジスタと、を備えて構成される請求項1記載の折れ線
    特性回路。
  5. 【請求項5】前記最小値電圧弁別回路が、ベースが前記
    第1の正転入力端子に接続され、エミッタが第1の定電
    流源を介して高電位電源に接続される第1のPNPトラン
    ジスタと、 ベースが前記第2の正転入力端子に接続され、エミッタ
    およびコレクタがそれぞれ前記第1のPNPトランジスタ
    のエミッタおよびコレクタに共通接続される第2のPNP
    トランジスタと、 入力側が前記第1および第2のPNPトランジスタのコレ
    クタに共通接続され、出力側が当該最大値電圧弁別回路
    の出力端子に接続される第2のバッファアンプと、 ベースに前記バッファアンプ出力電圧の分圧電圧が供給
    され、エミッタが前記第1および第2のPNPトランジス
    タのエミッタに共通接続される第3のPNPトランジスタ
    と、 出力側が前記第1および第2のPNPトランジスタのコレ
    クタに共通接続され、入力側が前記第3のPNPトランジ
    スタのコレクタに接続される第1のカレントミラー回路
    と、を備えて構成され、 前記最大値電圧弁別回路が、ベースが第3の正転入力端
    子に接続され、エミッタが第2の定電流源を介して低電
    位電源に接続される第1のNPNトランジスタと、 ベースが第4の正転入力端子に接続され、エミッタおよ
    びコレクタがそれぞれ前記第1のNPNトランジスタのエ
    ミッタおよびコレクタに共通接続される第2のNPNトラ
    ンジスタと、 入力側が前記第1および第2のNPNトランジスタのコレ
    クタに共通接続され、出力側が当該最大値電圧弁別回路
    の出力端子に接続される第2のバッファアンプと、 ベースが当該最大値電圧弁別回路の出力端子に接続さ
    れ、エミッタが前記第1および第2のNPNトランジスタ
    のエミッタに共通接続される第3のNPNトランジスタ
    と、 出力側が前記第1および第2のNPNトランジスタのコレ
    クタに共通接続され、入力側が前記第3のNPNトランジ
    スタのコレクタに接続される第2のカレントミラー回路
    と、を備えて構成される請求項2記載の折れ線特性回
    路。
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