JP2589890B2 - 差動増幅回路 - Google Patents

差動増幅回路

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JP2589890B2
JP2589890B2 JP3061036A JP6103691A JP2589890B2 JP 2589890 B2 JP2589890 B2 JP 2589890B2 JP 3061036 A JP3061036 A JP 3061036A JP 6103691 A JP6103691 A JP 6103691A JP 2589890 B2 JP2589890 B2 JP 2589890B2
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection

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  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に伝送線受信機に
関し、より詳しくは、入力信号電圧が高い環境で作動す
る高度の共通モード除去率を有する伝送線受信機に関す
る。
【0002】
【従来の技術】物理的に分離した2つのコンピュータ・
システムの間でデータを伝送する場合、システム間の接
地電位差を設定された範囲内に制御しなければならな
い。マシン間で転送される各信号は、駆動回路により差
動駆動される一対の電線からなる接続ケーブルを介して
送信される。接続ケーブルをある距離下ったところに受
信回路を設け、駆動回路によりもたらされる差分信号を
検知し、これを受信システム内の最低受諾レベルに合致
する単端信号に変換する。
【0003】駆動回路は自己の局所接地及び電源レベル
を基準とする信号を送り出すので、受信機の基準レベ
ル、すなわち受信機の局所接地及び電源レベルが異なる
レベルにある時は、駆動回路が受信機に送る信号は受信
機に現れた時共通モード・シフトを受ける。もちろん、
この見かけ上のシフトの大きさは、送信システムと受信
システムの間の接地電位差に等しい。たとえば、7ボル
トの最大接地電位シフトがあるということは、受信回路
電源電圧の範囲外の7ボルトにまでなり得る大きさの共
通モード信号上に乗っている数100ミリボルトの範囲
の差動信号を、受信回路が検出できなければならないこ
とを意味する。受信回路には通常、局所接地に関して単
一の+5ボルト電圧供給が与えられているので、受信回
路は自身の局所接地に関して−7ボルトから+12ボル
トまでの共通モード範囲にわたって機能できなければな
らない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】したがって、高度の共
通モード除去作用を備えながら、それでも広い信号電圧
環境にわたって作動する受信回路が利用可能であること
が、どうしても必要である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、差動モード情
報と高度の共通モード除去作用を備えた出力を発生する
独特の回路を提供する。
【0006】本発明の受信回路は基本的に、共通モード
入力電圧には関係なく差動入力電圧に比例する出力電流
を生成する差動増幅器を含む。本発明では、これは共通
バイアス回路を有する同じ回路構成の第1及び第2電圧
回路網により実現されている。これらの電圧回路網は、
それぞれ差動電圧入力ノードに接続され、それぞれが共
通に同じ1次電流出力ノードに接続されている。本発明
の受信回路は2つの異なった機能を実行する。つまり与
えられた差動信号を検知するだけでなく、これを、情報
送信先のコンピュータ・システム内での最低許容論理レ
ベルに合致する、単端信号に変換する。したがって本発
明は、強度が検知回路への電源電圧レベルを越えること
があり、また受信回路を製造するのに用いられる構成部
品デバイスのブレークダウン電圧を越える共通モード信
号の存在する中で、微小な差動電圧信号を検知するとい
う問題を解決する。
【0007】
【実施例】図面を参照すると、特に図1には、差動電圧
入力ノード11及び12と2本の電流出力線13及び1
4を有する本発明の受信機10が略図の形で示されてい
る。本質的に本発明の受信機は、それぞれが差動電圧入
力の該当する一方に、そして2本の出力線13及び14
に共通に接続されている、2つの同じ回路網15及び1
6と考えることができる。回路網15は電圧線11と、
電流出力線13及び14に接続されている。同様に回路
網16は電圧線12と、電流出力線13及び14に接続
されている。各回路網15または16は、入力ノード1
1及び12にそれぞれ流れ込む電流Ii1及びIi2が
これらの入力で受け取られた電圧に比例するように、そ
れぞれの抵抗性入力インピーダンス17及び18を持つ
ように設計されている。こうして、例えば、片方がIm
+Iiに、もう一方がIm−Iiに等しい2つの出力電
流Io1およびIo2が生成される。ただしImは、値
がその他の回路制約条件により設定されたある最低電流
バイアス・レベルである。図1に示すように、共通バイ
アス発生回路を用いて、両回路網に対する電流Imの値
を本質的に設定し制御する。これは、本発明の重要な特
徴である各出力電流の共通モード成分の値を設定し制御
するのに役立つ。図1に示すように、回路網15及び1
6を共通に両出力ノード13及び14に接続して、差動
入力電圧に比例する値をもつ差動出力電流IdiffO
UTを生成する。この場合、 Io1=Im1+Ii1+Im2−Ii2 Io2=Im2+Ii2+Im1−Ii1 IdiffOUT=Io2−Io1 IdiffOUT=Im2+Ii2+Im1−Ii1−Im1−Ii1−Im2 +Ii2 IdiffOUT=2(Ii2−Ii1) したがってIdiffOUTはVi2−Vi1に比例す
る。
【0008】図2は本発明の1実施例の詳細構成図であ
る。この図には、交差結合された2つの回路網15及び
16の各々が、NPNトランジスタ対、PNPトランジ
スタ、ダイオードを具備するものとしてより詳しく示さ
れている。回路網15は、NPNトランジスタ21及び
22、PNPトランジスタ23、ダイオード24を具備
し、回路網16は、NPNトランジスタ25及び26、
PNPトランジスタ27、ダイオード28を具備する。
共通のバイアス回路19は、電源電圧32と接地点33
の間に結合されたNPNトランジスタ29、PNPトラ
ンジスタ30及び基準電源31を具備する。ダイオード
接続されたトランジスタ29及び30は、回路の接地に
関する低インピーダンスの電圧基準点となっている。
【0009】各回路網15または16の実際の回路及び
制限にとって重要な補足的特徴は、入力電圧に比例する
入力電流を生成する回路網の部分である。回路網は入力
に印加される共通モード電圧の全範囲を見ていて、した
がって、そのトランジスタにおける接合部がブレークダ
ウンすることなくその全範囲にわたって機能できなけれ
ばならない。これは、入力と、値が接地と受信回路電源
の間のどこかにあるように選ばれたある低インピーダン
ス電圧基準点との間に、抵抗を接続すれば、容易に達成
される。
【0010】回路全体を単一の半導体チップ中に作成し
ようとする集積回路技術では、この抵抗を接地に関して
浮動する隔離ウエル中に拡散抵抗器として製作できる。
この拡散抵抗器の破壊値が入力電圧レベルを制限する。
抵抗器は、入力と低インピーダンスの内部基準点の間に
接続されるので、回路網の残りの部分を高い共通モード
電位の入力から効果的に分離する。抵抗中の入力電流は
Ii=(Vi−Vr)/Rである。ここでRは事実上比
例定数である。Vr項は符号が負なので、差動出力電流
に対する結果を変えずに上記方程式から相殺される。
【0011】トランジスタ21、23、25、27はす
べて、入力抵抗器17及び18の各々に対して所要の低
インピーダンス基準電圧を生成するエミッタ・フォロワ
・トランジスタである。これらの入力抵抗器17及び1
8は、それぞれ入力ノード11及び12に接続されるも
のとして示されている。PNPトランジスタ23中の電
流を反映する電流ミラーとして機能するように、ダイオ
ード24とNPNトランジスタ22が接続されている。
ダイオード28及びNPNトランジスタ26もまた、電
流ミラーとして機能し、PNPトランジスタ27中の電
流を反映する。
【0012】上記回路は次のように動作する。まず、ノ
ード11及び12に差動電圧信号が印加されていない、
すなわち入力11と12の間の差分は0であり、共通モ
ード成分をダイオード30のエミッタ電位に等しく設定
する。こうすると、入力11での入力電流I1及び入力
12での入力電流I2は0となり、各回路網、すなわち
トランジスタ21、22、23、25、26、27中の
流は互いに等しい。たとえば、ノード11及び12に
おける電圧及び電流の値が等しいと仮定すれば、回路を
流れる唯一の電流はImである。入力信号が差動をと
る、すなわち入力11及び12に印加されたレベルに差
が生じ始めるとき、トランジスタ21及び25のコレク
タ電流は入力ノード11及び12に印加された電圧、す
なわちノード11でのV1及びノード12でのV2におけ
る差に比例して異なり始める。
【0013】たとえば入力11が入力12よりも正の場
合には、入力11からトランジスタ23及びダイオード
24を介して接地へと電流が流れる。同時に、入力12
は入力11より正でないから、電流がトランジスタ25
を通って引っ張られ、入力12から出る。したがってト
ランジスタ27及びダイオード28を通過して流れる電
流は少なくなる。これらの活動の結果ノード13がトラ
ンジスタ25のコレクタに出す電流の増加と、ノード1
4がトランジスタ21のコレクタに出す電流の減少をも
たらす。トランジスタ23及びダイオード24を通過す
る電流が増大し、トランジスタ22及びダイオード24
が電流ミラーとして機能するので、トランジスタ25も
より多くの電流をノード13から引き出す。同じよう
に、トランジスタ26はダイオード28を通過する電流
を映し、ノード14からより少ない電流を引き出す。こ
うして、ノード13はノード11に印加された電圧増加
を反映し、ノード14はノード12に印加された電圧減
少を反映する。
【0014】したがって、回路は、共通モード入力電圧
を除去する一方、異なるモードの入力電圧にだけ比例す
る出力電流を生じる。同時に、入力抵抗器17及び18
により、入力部における共通モードの電圧スイングから
回路素子が分離される。
【0015】図3では本発明の好ましい実施例を説明す
る。この実施例は、より有効に動作することを別とし
て、図2で明らかにしたのとまったく同じ機能を発揮す
る。好ましい実施例では、電流ミラーにおけるPNPト
ランジスタがNPNデバイスで置き換えられ、これらの
トランジスタにおける不整合の効果を最小にするため抵
抗器が加えられている。この回路では、回路網15及び
16がそれぞれ3つのトランジスタと1つのダイオード
から構成されている。図2のPNPエミッタ・フォロワ
は緩衝NPN電流ミラーにより置き換えられている。こ
うして、たとえば、回路網15はトランジスタ40、4
1、42とダイオード43から構成され、回路網16は
トランジスタ44、45、46とダイオード47から構
成され、バイアス回路はバイアス・ダイオード48、4
9、50から構成されている。この場合、トランジスタ
40でのエミッタ・フォロワと、緩衝電流ミラー・トラ
ンジスタ41及び42を含む負帰還ループの作用によ
り、入力抵抗器17及び18の見るインピーダンスが低
いままになっている。回路網15で、NPNミラー・ト
ランジスタ41及び42におけるVbe不整合の効果を
最小にするため、抵抗器51及び52が加えられてい
る。抵抗器52の両端での電圧降下Vxが充分小さく回
路中のどのトランジスタでも飽和を許さないように、こ
れらの抵抗器51及び52の値が選ばれる。3個のバイ
アス・ダイオード48、49、50によりエミッタ・フ
ォロワ・トランジスタ40に対する電圧バイアスが実現
される。このバイアス回路網で、抵抗器51及び52の
両端での電圧降下に整合するように、抵抗器53が加え
られている。したがって、入力抵抗器17の一端での基
準電圧Vrの公称値は2Vbe+Vxである。
【0016】図2及び図3に示されている両回路は差動
入力電圧に比例する差動出力電流を生成する。もちろ
ん、それ自体では不十分である。それは、通常差動出力
電圧も必要とされるからである。さらに出力電流も、共
通モード入力電圧に依存し、適応させなければならない
共通モード成分 Iocm=(Io1+Io2)/2 をもつ。これらの問題両方を解決するいくつかの方法を
識別できる。こうする簡明な一方法は、標準的なPNP
電流ミラー、すなわち能動負荷としてトランジスタ6
0、61、62、63、64とダイオード65から構成
されている電流ミラーを接続することである。このと
き、出力電圧は単端式でたとえば出力ノード14からあ
るいは差分としてノード13と14からとることができ
る。しかし、差動出力電圧は純粋に差分の負荷で達成で
きるものの半分にすぎない。
【0017】このような回路を負荷とする図3の検知回
路網の構成図を第4図に示すが、これはトランジスタ6
0、61、62、63、64とダイオード65から成る
PNP電流ミラーから構成されている。第4図に示され
ているPNPミラーの出力インピーダンスは大きいの
で、差動入力から単端力への電圧利得も大きい。検知
回路網または電流ミラー自体における飽和を防止するた
め、回路に示されているように、クランプ・ダイオード
66及び67をPNPミラーに加えることができる。ま
た、典型的な集積PNPトランジスタの順電流利得が低
いので、PNP緩衝トランジスタ61にベース電流補償
回路網、トランジスタ64、を加えることができる。こ
の補償回路網なしでも、検知回路網の出力の片方に直接
現れる緩衝トランジスタ61のベース電流は、直流電圧
転送特性に有意なオフセットを生成するのに十分なはず
である。
【0018】本発明の回路、特に、能動負荷が加えられ
た図4に示すような回路を解析して、共通モード入力範
囲全体にわたって回路の直流転送機能を示す1組の曲線
が確定され、図5に示すようになる。この図から、回路
が最小の偏差で広い範囲にわたって動作することがわか
る。
【0019】単にNPNトランジスタをN型FETに、
そしてPNPトランジスタをP型FETに置き換えるこ
とにより、本発明の回路は電界効果トランジスタでもバ
イポーラ・トランジスタでも実施できることに留意され
たい。どのような場合でも、上記回路の構想と基礎的動
作は本質的には同一である。
【0020】
【発明の効果】高度の共通モード除去作用を有するが、
それでも広い信号電圧環境にわたって動作する受信回路
が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の回路の一般構成の概略図であ
る。
【図2】図2は、本発明の一実施例の概略図である。
【図3】図3は、緩衝NPN電流ミラーを用いた本発明
の好ましい実施例である。
【図4】図4は、PNP電流ミラー回路を負荷として含
む本発明の他の実施例である。
【図5】図5は、図4の回路の電圧特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジヨン・エドウイン・ガースバツチ アメリカ合衆国バーモント州バーリント ン、サウス・ウイラード・ストリート 500番地 (56)参考文献 特開 平2−143602(JP,A)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】共通モード入力電圧に関係なく、差動入力
    電圧に比例する出力電流を生じる差動増幅回路であっ
    て、 差動電圧入力ノードが入力抵抗を介して、エミッタ・フ
    ォロワ・トランジスタのエミッタに接続され、かつ共通
    の差動電流出力ノード及び共通のバイアス回路に接続さ
    れた同じ回路構成の第1及び第2の電圧回路網と、 上記電流出力ノードに接続された負荷回路と、を具備
    し、 上記エミッタ・フォロワ・トランジスタは、上記電圧回
    路網の各々に包含され、上記電流出力ノードの一方に結
    合されたコレクタと後記する上記エミッタ・フォロワ・
    トランジスタと異なるエミッタ・フォロワ・トランジス
    タのエミッタに結合されたエミッタを有し、 上記電圧回路網の各々が、電流ミラー用トランジスタ及
    びダイオードからなる電流ミラー、ならびに該電流ミラ
    ーのダイオードと直列配置されているエミッタ・フォロ
    ワ・トランジスタ対を具備し、上記電流ミラー用トラン
    ジスタが上記電流出力ノードの他方に接続され、さら
    に、上記エミッタ・フォロワ・トランジスタ対が複数の
    ダイオードを具備する上記バイアス回路と定電流源に結
    合されている、差動増幅回路。
  2. 【請求項2】上記エミッタ・フォロワ・トランジスタ対
    の一方がNPNデバイスであり、もう一方がPNPデバ
    イスである、請求項1に記載の差動増幅回路。
  3. 【請求項3】共通モード入力電圧に関係なく、差動入力
    電圧に比例する出力電流を生じる差動増幅回路であっ
    て、第1及び第2の供給電圧、第1及び第2の差動電圧入
    力、及び第1及び第2の差動電流出力とに結合された第
    1及び第2の電圧回路網と、 上記第1及び第2の電圧回路網に接続された共通バイア
    ス回路と、 上記電圧回路網の各々は、エミッタ・フォロワ・トラン
    ジスタを包含し、そのコレクタは上記差動電流出力の一
    方に結合され、そのエミッタは緩衝電流ミラー 及び抵抗
    を介して上記差動電圧入力の一方に結合され、 上記緩衝電流ミラーは、第1電流ミラー・トランジスタ
    と第2電流ミラー・トランジスタ、及びダイオードを備
    え、 上記第1電流ミラー・トランジスタは、そのコレクタが
    上記エミッタ・フォロワ・トランジスタのエミッタと上
    記第2電流ミラー・トランジスタのベースに結合され
    ており、 上記第2電流ミラー・トランジスタは、そのコレクタが
    上記差動電流出力の他方と、そのエミッタが上記ダイオ
    ード及び上記第1電流ミラー・トランジスタとに結合さ
    れており、 上記第1電流ミラー・トランジスタと上記ダイオードは
    それぞれ、抵抗器を介して上記供給電圧の一つに結合さ
    れ、上記共通バイアス回路は、上記エミッタ・フォロワ・ト
    ランジスタのベースに結合され、上記1及び2の供給電
    圧の間に複数の半導体ダイオードと抵抗器とを含むこと
    を特徴とする 差動増幅回路。
  4. 【請求項4】検知回路網が設けられ、この回路網はそれ
    に結合された能動負荷を有し、この能動負荷はクランプ
    ・ダイオード対及び上記出力のそれぞれに接続された副
    次的電流ミラーを含む、請求項3の差動増幅回路。
JP3061036A 1990-04-30 1991-03-04 差動増幅回路 Expired - Lifetime JP2589890B2 (ja)

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