JP2587611B2 - 電子装置 - Google Patents

電子装置

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JP2587611B2
JP2587611B2 JP9689085A JP9689085A JP2587611B2 JP 2587611 B2 JP2587611 B2 JP 2587611B2 JP 9689085 A JP9689085 A JP 9689085A JP 9689085 A JP9689085 A JP 9689085A JP 2587611 B2 JP2587611 B2 JP 2587611B2
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wiring
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semiconductor memory
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満寿夫 辻
邦夫 勝野
正幸 吉澤
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置を複数個外部結線して構成する
電子装置に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体記憶装置を複数個外部結線し大容量
記憶装置として構成する複合半導体記憶装置において、
個々の半導体記憶装置の入力端子のアドレス名、出力端
子名にこだわらず異なるものを結線することにより外部
配線の減少及び信頼性向上をねらったものである。
〔従来の技術〕
従来、複合半導体記憶装置では、第2図に示すように
個々の入力端子及び出力端子をそれぞれ全く対応させて
結線し、それぞれ個々の半導体記憶装置を選択すること
により構成されていた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕
従来の複合半導体記憶装置は、個々の半導体記憶装置
の各入出力端子を対応させて結線しているため、個々の
半導体記憶装置の入出力端子の配置により結線方法が限
定された配線効率が悪く配線面積を多く必要とした。特
に二層配線を接続するいわゆるスルーホールは通常の配
線スペースより面積を必要とし、スルーホール自体の個
数が多くなるほど信頼性も悪くなっていた。
そこで本発明は、この外部結線に必要な配線領域の面
積を減少し信頼性上も向上させることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の電子装置は、第1の半導体装置と、前記第1
の半導体装置が設けられている基板と同一面上に設けら
れる第2の半導体装置と、前記第1の半導体装置の第1
の方向の側に設けられるn個の第1の端子と前記第2の
半導体装置の前記第1の方向の側に設けられるn個の第
2の端子とをそれぞれ接続するために、前記同一面内の
第1の配線層に設けられ、かつ前記第1及び第2の半導
体装置の前記第1の方向側に設けられるn個の第1の配
線と、前記第1の配線層と異なる第2の配線層に設けら
れるn個の第2の配線とを備える電子装置であって、前
記n個の第1の端子と第2の端子とは、前記第1の端子
のうち前記第2の半導体装置にk(1≦k≦n)番目に
近い第1の端子と前記第2の端子のうち前記第1の半導
体装置にk番目に近い第2の端子とが、前記n個の第1
の配線のうちの一つにより、他の前記第1の配線とは交
差することなく接続され、前記n個の第1の配線と、該
n個の第1の配線にそれぞれ対応する前記n個の第2の
配線とを電気的にそれぞれ接続するコンタクトホールを
備えることを特徴とする。
〔作用〕
上記のように結線された複合半導体記憶装置は外部配
線優先で結線することが可能であるため配線領域の減少
及び信頼性を上げることが可能である。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例を図面にもとずいて説明する。
第1図において複合半導体記憶装置は2コの個々の半導
体記憶装置を使用したものである。11,12が個々の半導
体記憶装置、13が複合半導体記憶装置である。簡単に説
明するため入力アドレス端子、出力端子とも4端子づつ
であり、チツプ選択端子は各1端子もっている場合であ
る。入力端子名を1−A1x,2−A2x,3−A3x,4−A4x,1′−
A1Y,2′−A2Y,3′−A3Y,4′−A4Y,出力端子名を5−O
1x,6−O2x,7−O3x,8−O4x,5′−O1Y,6′−O2Y,7′−O
3Y,8′−O4Yチツプ選択端子を9−CS1,10−CS2とすると
本来は1−1′(A1x−A1Y),2−2′(A2x−A2Y),3−
3′(A3x−A3Y),4−4′(A4x−A4Y),5−5′(O1x
−O1Y),6−6′(O2x−O2Y),7−7′(O3x−O3Y),8
−8′(O4x−O4Y)と接続しなければならないが本発明
のように個々の半導体記憶装置の入出力端子名にこだわ
らないで結線すれば、二層配線上のスルーホールを減少
でき配線効率をあげることができる。実施例では1−
4′,2−3′,3−2′,4−1′,5−8′,6−7′,7−
6′,8−5′と結線してある。14は11,12と同じ側の配
線層、13は裏側の配線層、15表,裏の配線14,13を接続
するスルーホール箇処である。1″,2″,3″,4″,5″,
6″,7″,8″は複合半導体装置としての入出力端子名で
個々の半導体記憶装置の方法の端子名称に同じにしても
良く、全く異なることも可能である。
ランダムアクセスメモリ(RAM)の場合は指定された
入出力に対して、個々の半導体記憶装置の中で記憶され
る領域が異なるだけで入出力からみれば全く同等の動作
が可能であり、リードオンリーメモリ(ROM)の場合
は、個々のROMが持っていた入出力端子を複合半導体記
憶装置としての入出力端子に対応させて、ROMデータを
配置しなおしたものを使用すれば良く、この変換は容易
に行なうことができる。
上記のように構成された複合半導体記憶装置はRAM,RO
Mいずれも個々の半導体記憶装置の入出力端子配置にこ
だわらず結線していくことが可能であり、本実施例の
他、入出力端子を多ければ多いほどまた個々の半導体記
憶装置を多数使用するほど、配線の自由度が良くなり、
配線領域の面積が減少し、スルーホールの個数も減少し
信頼性も向上する。本実施例ではスルーホールが18コか
ら10コに減少している。又今回は二層配線で説明したが
複雑になるにつれ3層、4層と多層配線が必要となって
くるが、本発明の方法により配線層数も減少することが
できる。
[発明の効果] 以上のように、本発明によれば、コンタクトホールの
数を従来よりも減少させることができ、また配線の自由
度も高くなるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明にかかる複合半導体記憶装置の配線
図、 第2図は、従来の複合半導体配線図 11,12:個々の半導体記憶装置 13:複合半導体記憶装置 1〜4,1′〜4′:個々の半導体記憶装置の入力端子 5〜8,5′〜8′:個々の半導体記憶装置の出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉澤 正幸 諏訪市大和3丁目3番5号 株式会社諏 訪精工舎内 (56)参考文献 特開 昭59−171196(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の半導体装置と、 前記第1の半導体装置が設けられている基板と同一面上
    に設けられる第2の半導体装置と、 前記第1の半導体装置の第1の方向の側に設けられるn
    個の第1の端子と前記第2の半導体装置の前記第1の方
    向の側に設けられるn個の第2の端子とをそれぞれ接続
    するために、前記同一面内の第1の配線層に設けられ、
    かつ前記第1及び第2の半導体装置の前記第1の方向側
    に設けられるn個の第1の配線と、 前記第1の配線層と異なる第2の配線層に設けられるn
    個の第2の配線とを備える電子装置であって、 前記n個の第1の端子と第2の端子とは、前記第1の端
    子のうち前記第2の半導体装置にk(1≦k≦n)番目
    に近い第1の端子と前記第2の端子のうち前記第1の半
    導体装置にk番目に近い第2の端子とが、前記n個の第
    1の配線のうちの一つにより、他の前記第1の配線とは
    交差することなく接続され、 前記n個の第1の配線と、該n個の第1の配線にそれぞ
    れ対応する前記n個の第2の配線とを電気的にそれぞれ
    接続するコンタクトホールを備えることを特徴とする電
    子装置。
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JPS59171196A (ja) * 1983-03-17 1984-09-27 富士通株式会社 多層セラミツク基板

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