JP2586033B2 - 出力バツフア回路 - Google Patents

出力バツフア回路

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JP2586033B2
JP2586033B2 JP62074911A JP7491187A JP2586033B2 JP 2586033 B2 JP2586033 B2 JP 2586033B2 JP 62074911 A JP62074911 A JP 62074911A JP 7491187 A JP7491187 A JP 7491187A JP 2586033 B2 JP2586033 B2 JP 2586033B2
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transistor
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良和 桜井
裕 和深
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は出力バッファ回路に関する。
[従来の技術] 従来この種の出力バッファ回路としては、例えば第3
図乃至第4図に示されているようなものが知られてお
り、第3図に示されている出力バッファ回路は入力信号
I3の反転信号でPチャンネル電界効果トランジスタ(以
下、Pチャンネルトランジスタという)P31とNチャン
ネル電界効果トランジスタ(以下、Nチャンネルトラン
ジスタという)N31とを相補的に切り替えて出力信号O3
のレベルを制御している。
これに対して、第4図に示されている出力バッファ回
路は制御信号C4が高レベルならNANDゲートG41とNORゲー
トG43からPチャンネルトランジスタP41とNチャンネル
トランジスタN41とが入力信号I4に基づき相補的に切り
替えられて出力信号O4のレベルが決定される。一方、制
御信号C4が低レベルならゲートG41,G43はトランジスタP
41,N41をオフ状態に固定し、入力信号I4の電圧レベルの
拘らず出力は高インピーダンス状態になる。
[発明が解決しようとする問題点] 近年、多数の電子回路を組み合わせて種々のシステム
が実現されるようになってきたが、システムの高速化、
大規模化が著しく、電子回路間を結合する出力バッファ
回路には高速で動作し、駆動能力の大きいことが要求さ
れるようになってきた。例えば、周辺大規模集積回路に
クロック信号を供給するクロック端子に関する出力バッ
ファ回路では上記要求が著しい。
上記要求に対処すべく、従来の出力バッファ回路では
出力信号を切り替えるためのトランジスタの幾何学的寸
法を大きくして対応していたが、かかる対応ではトラン
ジスタの形成されたペレット上のバッドとそのパッケイ
ジ端子との間に生じるインダクタンスと外部負荷容量と
の影響で例えば第6図に示されているように入力信号H6
Iに対応させて出力信号H6Oを変化させると、出力信号H6
Oの変化時に生じる、いわゆるオーバーシュートOSやア
ンダーシュートUSが大きくなり、これらに起因して誤動
作が発生するという問題点があった。
従って、本発明の目的は駆動能力や動作速度を高めて
も誤動作を引き起こさない出力バッファ回路を提供する
ことである。
[問題点を解決するための手段] 本発明の出力バッファ回路は、第1の電源ラインと、
第2の電源ラインと、前記第1の電源ラインと出力端と
の間に接続された第1のトランジスタと、前記第2の電
源ラインと前記出力端との間に接続された第2のトラン
ジスタと、前記第1及び第2のトランジスタの導通及び
非導通を相補的に制御する制御回路と、前記第1の電源
ラインと前記出力端との間に接続された第3のトランジ
スタと、前記第2の電源ラインと前記出力端との間に接
続された第4のトランジスタと、入力が前記出力端及び
前記制御回路に接続され出力が前記第3のトランジスタ
に接続された第1のゲート手段であって、前記制御回路
が前記第1のトランジスタを導通させる信号に応答して
前記第3のトランジスタを導通させ、これに基づき前記
出力端の電位が第1の電位まで変化したことに応答して
前記第3のトランジスタを遮断せしめる第1のゲート手
段と、入力が前記出力端及び前記制御回路に接続され出
力が前記第4のトランジスタに接続された第2のゲート
手段であって、前記制御回路が前記第2のトランジスタ
を導通させる信号に応答して前記第4のトランジスタを
導通させ、これに基づき前記出力端の電位が第2の電位
まで変化したことに応答して前記第4のトランジスタを
遮断せしめる第2のゲート手段とを備えることを特徴と
する。
[発明の作用] 上記構成に係る出力バッファ回路では、入力信号に基
づき制御部が第1トランジスタをオンさせると第1補助
制御部が第3トランジスタを同時的にオンさせるので、
出力ノードは第1及び第3トランジスタに接続されてい
る電源の電圧に急速に移行し始める。ところが、出力ノ
ードが上記電源の電圧に近づくと第3トランジスタはオ
フするので、出力ノードは上記電源の電圧を超えて変化
することはない。
これに対して、入力信号に基づき制御部が第2トラン
ジスタをオンさせると第2補助制御部が第4トランジス
タを同時的にオンさせるので、出力ノードは第2及び第
4トランジスタに接続されている電源の電圧に急速に移
行し始める。ところが、出力ノードが上記電源の電圧に
近づくと第4トランジスタはオフするので、出力ノード
は上記電源の電圧を超えて変化することはない。
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例の構成を示す回路図であ
り、第3図に示されている従来例を改良したものであ
る。第1図に於て、G13,P11,N11は第3図のG31,P31,N31
にそれぞれ対応している。第1実施例の出力バッファ回
路では更にNANDゲートG12とNORゲートG15とを設け、こ
れらのゲートG12,G15の一方の入力には入力信号I1をそ
れぞれ供給し、他方の入力には出力信号O1の反転信号を
インバータG11,G14から供給している。これらのゲートG
12,G15の出力はPチャンネルトランジスタP12のゲート
電極とNチャンネルトランジスタN12のゲート電極とに
供給される。
次に作用について説明する。まず、入力信号I1が低レ
ベルのときにはゲートG12,G13の出力が高レベルなの
で、PチャンネルトランジスタP11,P12はオフしてお
り、NチャンネルトランジスタN11はオンしているの
で、出力信号O1は低レベルを維持している。
ところが、入力信号I1が低レベルから高レベルに移行
した場合には、まず、インバータG13が直ちに出力を低
レベルに移行させてPチャンネルトランジスタP11をオ
ンさせ、NチャンネルトランジスタN11をオフさせる。
ところが出力信号O1は外部負荷を充電する間、低レベル
に留まるので、インバータG11,G14は依然として高レベ
ルの出力を発生させ、ゲートG12,G15は低レベルを出力
する。従って、PチャンネルトランジスタP12はオン
し、NチャンネルトランジスタN12はオフする。やが
て、外部負荷が充電されると、出力信号O1が高レベルに
移行するので、インバータG11は低レベルを発生させ、
PチャンネルトランジスタP12はオフする。従って、当
初は2つのPチャンネルトランジスタで外部負荷を充電
するものの、インバータG11のしきい値を適宜選択する
ことによりオーバシュートを防止することができる。同
様に、入力信号が高レベルから低レベルに移行するとき
も、インバータG14のしきい値を適宜選択してNチャン
ネルトランジスタN12を外部負荷の放電終了前にオフさ
せ、アンダーシュートを防止することができる。
第5図は上記実施例の入力信号H5Iと出力信号H5Oとの
変化を示しており、図から明らかなように第6図に示し
た従来例のそれに比べてオーバシュートとアンダーシュ
ートとが減少している。
上記第1実施例ではインバータG13が制御部を、トラ
ンジスタP11,N11,P12,N12が第1乃至第4トランジスタ
を、ゲートG12とインバータG11とで第1補助制御部を、
ゲートG15とインバータG14とで第2補助制御部をそれぞ
れ構成している。
第2図は本発明の第2実施例の構成を示す回路図であ
り、第2実施例は第4図に示されている従来例を改良し
たものである。第2図に於て、ゲートG24、G25,インバ
ータG26,トランジスタP12,N21は第4図のゲートG41,G4
3,インバータG42,トランジスタP41,N41に対応してお
り、更に、ゲートG22,G28,インバータG21,G29、トラン
ジスタP22,N22は第1図のゲートG12,G15,インバータG1
1,G14、トランジスタP12,N12に対応している。第2実施
例では更にインバータG23,G27が付加されている。第2
実施例の作用は制御信号C2による出力の高インピーダン
ス状態を除けば第1実施例と同様なので詳細な説明は省
略する。
[発明の効果] 以上説明してきたように、本発明によれば、出力ノー
ドは当初2つのトランジスタを介して何れかの電源の電
圧値に向かって移行を開始するが、該電圧値に近付くと
1つのトランジスタはオフし、残りの1つのトランジス
タのみを介して電流が供給されるので、オーバーシュー
トやアンダーシュートを防止することができ、しかも、
当初は2つのトランジスタで充・放電をさせるので、高
速動作と高駆動能力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例の構成を示す回路図、 第2図は本発明の第2実施例の構成を示す回路図、 第3図は従来例の構成を示す回路図、 第4図は他の従来例の構成を示す回路図、 第5図は第1実施例の入力信号と出力信号の波形を示す
波形図、 第6図は従来例の入力信号と出力信号の波形を示す波形
図である。 I1、I2……入力信号、O1、O2……出力信号、G11乃至G1
5,G21乃至G29……ゲート、P11,P12,P21,P22……Pチャ
ンネルトランジスタ、N11、N12、N21、N22……Nチャン
ネルトランジスタ。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の電源ラインと、第2の電源ライン
    と、前記第1の電源ラインと出力端との間に接続された
    第1のトランジスタと、前記第2の電源ラインと前記出
    力端との間に接続された第2のトランジスタと、前記第
    1及び第2のトランジスタの導通及び非導通を相補的に
    制御する制御回路と、前記第1の電源ラインと前記出力
    端との間に接続された第3のトランジスタと、前記第2
    の電源ラインと前記出力端との間に接続された第4のト
    ランジスタと、入力が前記出力端及び前記制御回路に接
    続され出力が前記第3のトランジスタに接続された第1
    のゲート手段であって、前記制御回路が前記第1のトラ
    ンジスタを導通させる信号に応答して前記第3のトラン
    ジスタを導通させ、これに基づき前記出力端の電位が第
    1の電位まで変化したことに応答して前記第3のトラン
    ジスタを遮断せしめる第1のゲート手段と、入力が前記
    出力端及び前記制御回路に接続され出力が前記第4のト
    ランジスタに接続された第2のゲート手段であって、前
    記制御回路が前記第2のトランジスタを導通させる信号
    に応答して前記第4のトランジスタを導通させ、これに
    基づき前記出力端の電位が第2の電位まで変化したこと
    に応答して前記第4のトランジスタを遮断せしめる第2
    のゲート手段とを備えることを特徴とする出力バッファ
    回路。
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