JP2585430B2 - 検出素子及びその製造方法 - Google Patents
検出素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2585430B2 JP2585430B2 JP1165268A JP16526889A JP2585430B2 JP 2585430 B2 JP2585430 B2 JP 2585430B2 JP 1165268 A JP1165268 A JP 1165268A JP 16526889 A JP16526889 A JP 16526889A JP 2585430 B2 JP2585430 B2 JP 2585430B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- paste
- conductive
- base
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/146—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the resistive element surrounding the terminal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49083—Heater type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49085—Thermally variable
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49099—Coating resistive material on a base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、流体の物理的特性（流量、流速等）を熱の
交換、伝達を利用して測定する検出素子及びその製造方
法に関するものである。
交換、伝達を利用して測定する検出素子及びその製造方
法に関するものである。
（従来の技術） 従来、例えば吸気流量測定のためのセンサ用の検出素
子の一例として、例えば第９図に示すように、筒状の基
体、例えば円筒形長尺アルミナパイプの外表面に、抵抗
体として白金、ニッケル等の薄膜２を蒸着、メッキ、ス
パッター等の物理的、化学的手段によって設け、次いで
この長尺のアルミナパイプを第９図に示す所定長さに切
断し、金属リード線５の先端を中空部1bへと挿入し、白
金ペースト24及びガラスペースト34（白金ペーストのみ
でもよい。）でアルミナパイプ１へと固着したものが知
られている。
子の一例として、例えば第９図に示すように、筒状の基
体、例えば円筒形長尺アルミナパイプの外表面に、抵抗
体として白金、ニッケル等の薄膜２を蒸着、メッキ、ス
パッター等の物理的、化学的手段によって設け、次いで
この長尺のアルミナパイプを第９図に示す所定長さに切
断し、金属リード線５の先端を中空部1bへと挿入し、白
金ペースト24及びガラスペースト34（白金ペーストのみ
でもよい。）でアルミナパイプ１へと固着したものが知
られている。
（発明が解決しようとする課題） この白金ペースト層24は、アルミナパイプ１の端面1c
上に設けられ、金属リード線５に固着する一方、白金ペ
ースト層24の端部は第９図に拡大図示するように電気抵
抗層２と接触しており、これにより金属リード線５と電
気抵抗体層２との電気的接続を図っている。
上に設けられ、金属リード線５に固着する一方、白金ペ
ースト層24の端部は第９図に拡大図示するように電気抵
抗層２と接触しており、これにより金属リード線５と電
気抵抗体層２との電気的接続を図っている。
しかし、かかる従来の検出素子においては、アルミナ
パイプ１の端面1cが切断により形成され、この切断端面
1cと外周面1dとが鋭く直角を呈しているため、白金ペー
スト層24を焼き付ける際に焼成収縮により白金ペースト
層24の端部に破線で示すように割れ目40が生じ、電気的
接続不良となり、検出素子の抵抗温度係数への悪影響
（係数のバラツキの増加、係数の低下）が生ずる。
パイプ１の端面1cが切断により形成され、この切断端面
1cと外周面1dとが鋭く直角を呈しているため、白金ペー
スト層24を焼き付ける際に焼成収縮により白金ペースト
層24の端部に破線で示すように割れ目40が生じ、電気的
接続不良となり、検出素子の抵抗温度係数への悪影響
（係数のバラツキの増加、係数の低下）が生ずる。
かかる導通不良を防止すべく、第10図に示すように、
白金ペースト層44を図面において左方向および上下方向
へと厚く盛り上げた検出素子がある。しかし、この場合
は、金属リード線５とアルミナパイプ１との接続部分が
大きくなりすぎ、検出素子の熱容量が大きくなり、応答
速度等の低下を招く。
白金ペースト層44を図面において左方向および上下方向
へと厚く盛り上げた検出素子がある。しかし、この場合
は、金属リード線５とアルミナパイプ１との接続部分が
大きくなりすぎ、検出素子の熱容量が大きくなり、応答
速度等の低下を招く。
本発明の課題は、リード線と電気抵抗体との電気的導
電を確保し、抵抗温度係数への悪影響を防止でき、なお
かつ検出素子の熱容量の増加を抑えて良好な応答性を保
ちうるような検出素子を提供することである。
電を確保し、抵抗温度係数への悪影響を防止でき、なお
かつ検出素子の熱容量の増加を抑えて良好な応答性を保
ちうるような検出素子を提供することである。
（課題を解決するための手段） 本発明は、筒状の基体と、この基体の外周面に形成さ
れた電気抵抗体と、前記基体の端部に取り付けられたリ
ード線とを有し、このリード線と前記電気抵抗体とを電
気的に接続してなる検出素子において、前記基体の端面
上とこの端面近傍の基体内周面上と前記端面近傍の基体
外周面上とに亘って導電性厚膜が設けられ、少なくとも
この導電性厚膜を介して前記リード線と前記抵抗体とが
電気的に接続されていることを特徴とする検出素子に係
るものである。
れた電気抵抗体と、前記基体の端部に取り付けられたリ
ード線とを有し、このリード線と前記電気抵抗体とを電
気的に接続してなる検出素子において、前記基体の端面
上とこの端面近傍の基体内周面上と前記端面近傍の基体
外周面上とに亘って導電性厚膜が設けられ、少なくとも
この導電性厚膜を介して前記リード線と前記抵抗体とが
電気的に接続されていることを特徴とする検出素子に係
るものである。
また、本発明は、筒状の基体の外周面に電気抵抗体を
形成する工程と；前記基体の端面上とこの端面近傍の基
体内周面上と前記端面近傍の基体外周面上とに亘って導
電性厚膜用ペーストを前記基体に被着させる工程と；前
記導電性厚膜用ペーストを熱処理し、前記電気抵抗体と
電気的に接続された導電性厚膜を形成する工程と；前記
リード線を前記基体の端部に固定しかつこのリード線と
前記導電性厚膜とを電気的に接続する導電部を形成する
工程と を有する検出素子の製造方法に係るものである。
形成する工程と；前記基体の端面上とこの端面近傍の基
体内周面上と前記端面近傍の基体外周面上とに亘って導
電性厚膜用ペーストを前記基体に被着させる工程と；前
記導電性厚膜用ペーストを熱処理し、前記電気抵抗体と
電気的に接続された導電性厚膜を形成する工程と；前記
リード線を前記基体の端部に固定しかつこのリード線と
前記導電性厚膜とを電気的に接続する導電部を形成する
工程と を有する検出素子の製造方法に係るものである。
ここで、導電性厚膜とは、電気抵抗体とリード線とを
電気的に接続するのに充分な導電性を有する厚膜を意味
する。この厚膜は厚さ３〜80μｍのものがよく、５〜50
μｍのものが更に好ましい。
電気的に接続するのに充分な導電性を有する厚膜を意味
する。この厚膜は厚さ３〜80μｍのものがよく、５〜50
μｍのものが更に好ましい。
「基体外周面上に」導電性厚膜を設けるとは、基体外
周面に接するように直接に導電性厚膜を設ける場合と、
所定の層（例えば電気抵抗体層）を挟んで基体外周面上
に導電性厚膜を設ける場合とを含む。「基体内周面上」
「端面上」も同義である。
周面に接するように直接に導電性厚膜を設ける場合と、
所定の層（例えば電気抵抗体層）を挟んで基体外周面上
に導電性厚膜を設ける場合とを含む。「基体内周面上」
「端面上」も同義である。
（実施例） 第１図は実施例に係る検出素子を示す断面図（第２図
のＩ−Ｉ線断面に相当する。）、第２図は同じく平面図
である。
のＩ−Ｉ線断面に相当する。）、第２図は同じく平面図
である。
本例においては、円筒状のアルミナパイプ１の外周面
上に、白金、ニッケル、ロジウム、パラジウム等からな
る薄膜電気抵抗体２をスパッタリング、CVD、蒸着、メ
ッキ等の物理的又は化学的方法で形成する。この際、予
め長尺のアルミナパイプに薄膜２を形成した後、第１図
に示す所定長さに切断するが、長尺の円筒状アルミナパ
イプを切断した後に薄膜電気抵抗体２を設けてもよい。
この場合にも、やはり切断面と円筒状アルミナパイプ１
の外周面との接線付近で電気的導通不良が従来生じてい
た。
上に、白金、ニッケル、ロジウム、パラジウム等からな
る薄膜電気抵抗体２をスパッタリング、CVD、蒸着、メ
ッキ等の物理的又は化学的方法で形成する。この際、予
め長尺のアルミナパイプに薄膜２を形成した後、第１図
に示す所定長さに切断するが、長尺の円筒状アルミナパ
イプを切断した後に薄膜電気抵抗体２を設けてもよい。
この場合にも、やはり切断面と円筒状アルミナパイプ１
の外周面との接線付近で電気的導通不良が従来生じてい
た。
次いで、円筒状アルミナパイプ１の端面1c、内周面1a
の端面近傍（内周面端部）1e及び外周面1dの端面近傍、
（内周面端部）1f上に、薄膜電気抵抗体２を介して厚さ
３〜80μｍの導電性厚膜３を設ける。この導電性厚膜３
は、白金ペースト、金ペースト、ニッケルペースト、白
金−ロジウム合金ペースト等を円筒状アルミナパイプ１
表面に被着させ、焼き付けることで形成する。この形成
方法は後述する。
の端面近傍（内周面端部）1e及び外周面1dの端面近傍、
（内周面端部）1f上に、薄膜電気抵抗体２を介して厚さ
３〜80μｍの導電性厚膜３を設ける。この導電性厚膜３
は、白金ペースト、金ペースト、ニッケルペースト、白
金−ロジウム合金ペースト等を円筒状アルミナパイプ１
表面に被着させ、焼き付けることで形成する。この形成
方法は後述する。
次いで、金属リード線５の先端を中空部1bの端部に挿
入し、導電性厚膜３用のペーストと同じ組成の導電性ペ
ースト４（例えば白金−ガラスペースト）で金属リード
線５の先端を焼き付け固定する。これにより、金属リー
ド線から、導電層４、導電性厚膜３を介して、薄層電気
抵抗体２への電気的接続が行われる。
入し、導電性厚膜３用のペーストと同じ組成の導電性ペ
ースト４（例えば白金−ガラスペースト）で金属リード
線５の先端を焼き付け固定する。これにより、金属リー
ド線から、導電層４、導電性厚膜３を介して、薄層電気
抵抗体２への電気的接続が行われる。
次いで、第１図、第２図の構造体の表面に、無機ガラ
スからなる保護層（図示省略）を形成する。
スからなる保護層（図示省略）を形成する。
また、第３図に示す検出素子は第１図に示す検出素子
とほぼ同様の構成のものであるが、導電部14の断面形状
が金属リード線５を中心に外側へと尖った形状となって
いる。
とほぼ同様の構成のものであるが、導電部14の断面形状
が金属リード線５を中心に外側へと尖った形状となって
いる。
さらに、第１図及び第３図において、導電性厚膜３用
のペーストの組成と、導電部14用のペーストの組成は、
同一である必要はなく、その種類は適宜選択できる。
のペーストの組成と、導電部14用のペーストの組成は、
同一である必要はなく、その種類は適宜選択できる。
上記のような検出素子によれば、円筒状アルミナパイ
プの端面、外周面端部に亘って、導電性厚膜を設け、こ
れにより電気的導通を図っているので、端面と外周面端
部との境界の直角部分で、厚さ３〜80μｍ好ましくは５
〜50μｍの比較的均一な厚さの厚膜であることから焼き
付け時に切れ込みが入って導通不良となることはなく、
検出素子の抵抗温度係数のバラツキや低下を招くことは
ない。厚さを３μｍ以上、80μｍ以下とするのは、３μ
ｍ以下では直角部での電気的導通の確保がむつかしいた
めであり、80μｍ以上では焼き付け時に導電性厚膜ペー
ストが塗布面に対して平行な方向に大きく収縮し、亀裂
が入りやすくなるためである。むろん、従来技術のよう
に導電性ペーストを厚く盛り上げて電気的導通の確保を
図る必要はないので、熱容量も大きくならず、良好な応
答性を確保できる。厚膜はペーストを盛り上げた形状で
はなく、比較的均一な厚みを持っているので、体積、熱
容量を小さくできるからである。
プの端面、外周面端部に亘って、導電性厚膜を設け、こ
れにより電気的導通を図っているので、端面と外周面端
部との境界の直角部分で、厚さ３〜80μｍ好ましくは５
〜50μｍの比較的均一な厚さの厚膜であることから焼き
付け時に切れ込みが入って導通不良となることはなく、
検出素子の抵抗温度係数のバラツキや低下を招くことは
ない。厚さを３μｍ以上、80μｍ以下とするのは、３μ
ｍ以下では直角部での電気的導通の確保がむつかしいた
めであり、80μｍ以上では焼き付け時に導電性厚膜ペー
ストが塗布面に対して平行な方向に大きく収縮し、亀裂
が入りやすくなるためである。むろん、従来技術のよう
に導電性ペーストを厚く盛り上げて電気的導通の確保を
図る必要はないので、熱容量も大きくならず、良好な応
答性を確保できる。厚膜はペーストを盛り上げた形状で
はなく、比較的均一な厚みを持っているので、体積、熱
容量を小さくできるからである。
しかも、導電性厚膜が円筒状アルミナパイプの端面及
び内周面端部に亘って設けられているので、この部分と
金属リード線との間に導電部を設けて容易に金属リード
線を固定でき、特に第１図に示すように導電部の体積を
小さく抑えることができる。
び内周面端部に亘って設けられているので、この部分と
金属リード線との間に導電部を設けて容易に金属リード
線を固定でき、特に第１図に示すように導電部の体積を
小さく抑えることができる。
第１図、第３図において、基体外周面、内周面端部上
に形成される導電性厚膜の長さａは円筒状アルミナパイ
プの全長ｌに対し、10％以下、更には５％以下とするの
が好ましい。ただし電気的導通を確実にするためには、
ａは導電性厚膜の厚さの２倍以上とすると好ましい。
に形成される導電性厚膜の長さａは円筒状アルミナパイ
プの全長ｌに対し、10％以下、更には５％以下とするの
が好ましい。ただし電気的導通を確実にするためには、
ａは導電性厚膜の厚さの２倍以上とすると好ましい。
次いで、導電性厚膜の形成方法について更に述べる。
まず、第４図に示すように、金属板10に例えば深さ10
〜30μｍの凹み10aを設け、この凹み10a中に導電性厚膜
用ペースト13を載せ、第５図に示すように、プラスチッ
ク平板（図示せず）等でペースト13の表面を平らにす
る。
〜30μｍの凹み10aを設け、この凹み10a中に導電性厚膜
用ペースト13を載せ、第５図に示すように、プラスチッ
ク平板（図示せず）等でペースト13の表面を平らにす
る。
この導電性厚膜用ペーストは、白金、ロジウム、ニッ
ケル、金、白金−ロジウム等の金属粉末と、好ましくは
ガラス粉末とともに、有機バインダー及び有機溶剤を加
えてトリロールミル、ボールミル等で混練し、有機溶剤
を更に加えて適正粘度とすることで調製する。
ケル、金、白金−ロジウム等の金属粉末と、好ましくは
ガラス粉末とともに、有機バインダー及び有機溶剤を加
えてトリロールミル、ボールミル等で混練し、有機溶剤
を更に加えて適正粘度とすることで調製する。
次いで、第６図に示すように、外周面1d上に薄膜抵抗
体を形成し終ったアルミナパイプ１の一方の端部をペー
スト13内に埋没させる。次いで、このアルミナパイプ１
を引き上げると、アルミナパイプ端面1c、外周面端部1f
及び内周面端部1e上に導電性厚膜用ペーストが付着し、
これを焼き付けることで、第７図に示すように導電性厚
膜３が形成される。
体を形成し終ったアルミナパイプ１の一方の端部をペー
スト13内に埋没させる。次いで、このアルミナパイプ１
を引き上げると、アルミナパイプ端面1c、外周面端部1f
及び内周面端部1e上に導電性厚膜用ペーストが付着し、
これを焼き付けることで、第７図に示すように導電性厚
膜３が形成される。
また、第８図に示すように、金属製平板20の表面に導
電性厚膜用ペースト13を載せ、表面を平らにならし、第
６図と同様にアルミナパイプ１の端部を埋没させてもよ
い。
電性厚膜用ペースト13を載せ、表面を平らにならし、第
６図と同様にアルミナパイプ１の端部を埋没させてもよ
い。
こうした方法によれば、例えば外形が0.5mm程度の微
小なアルミナパイプ１の端部に生産性良く導電性厚膜３
を形成できる。しかも、厚膜用ペースト13の深さ（厚
み）を変えることで、第１図、第３図に示すａの大きさ
を容易に制御できる。
小なアルミナパイプ１の端部に生産性良く導電性厚膜３
を形成できる。しかも、厚膜用ペースト13の深さ（厚
み）を変えることで、第１図、第３図に示すａの大きさ
を容易に制御できる。
なお、上記の例において、円筒状アルミナパイプの形
状を例えば四角筒状、六角筒状等としてもよく、また基
体材質をアルミナの他、ムライト、ジルコニア、石英、
ガラス等、適宜変更してよい。
状を例えば四角筒状、六角筒状等としてもよく、また基
体材質をアルミナの他、ムライト、ジルコニア、石英、
ガラス等、適宜変更してよい。
薄膜抵抗体は、筒状基体の外周面全面に亘って均一に
設けてもよいが、レーザトリミングによりスパイラル状
にしてもよい。
設けてもよいが、レーザトリミングによりスパイラル状
にしてもよい。
以下、更に具体的な実験例について述べる。
まず、外径0.5mm、内径0.2mm、長さ20mmの長尺の円筒
状アルミナパイプを用意し、この円筒状アルミナパイプ
の外周面に白金を0.1μｍの厚さとなるようメッキした
後、このアルミナパイプを長さ2mm毎に切断した。
状アルミナパイプを用意し、この円筒状アルミナパイプ
の外周面に白金を0.1μｍの厚さとなるようメッキした
後、このアルミナパイプを長さ2mm毎に切断した。
次いで、下記組成の材料をトリロールミルで１時間混
練し、ブチルカルビトールで粘度5000cpに調節し、白金
ペーストを調製した。
練し、ブチルカルビトールで粘度5000cpに調節し、白金
ペーストを調製した。
白金粉末（粒径１μｍ） 100重量部 ガラス粉末（作業温度900℃,325メッシュ） ５重量部 有機バインダー（エチルセルロース） ５重量部 有機溶剤 （ブチルカルビトール） 適量 次いで、第４図に示すような金属板に深さ30μｍの凹
部を設け、この凹部に上記金属ペーストを入れ、第５図
に示すように表面を平らにし、第６図に示すように上記
円筒状アルミナパイプ端部を埋没させ、導電性厚膜用ペ
ーストをアルミナパイプ端面、同外周面端部及び同内周
面端部に付着させた。これを乾燥した後さらにもう一方
の端部に同様に導電性厚膜用ペーストを同様に付着乾燥
し、900℃で焼き付けを行い、第７図（片端面のみ図
示）に示すように膜厚約８μｍの均一な導電性厚膜を焼
き付けた。
部を設け、この凹部に上記金属ペーストを入れ、第５図
に示すように表面を平らにし、第６図に示すように上記
円筒状アルミナパイプ端部を埋没させ、導電性厚膜用ペ
ーストをアルミナパイプ端面、同外周面端部及び同内周
面端部に付着させた。これを乾燥した後さらにもう一方
の端部に同様に導電性厚膜用ペーストを同様に付着乾燥
し、900℃で焼き付けを行い、第７図（片端面のみ図
示）に示すように膜厚約８μｍの均一な導電性厚膜を焼
き付けた。
次いで、ステンレス製のリード線の先端を第１図及び
第３図に示すように中空部の端部に挿入した。その後、
上記白金ペーストと同一組成の白金ペーストをリード線
と導電性厚膜との間に塗布し、乾燥し、900℃で焼き付
けて第１図及び第３図に示すような導電部４を形成し
た。
第３図に示すように中空部の端部に挿入した。その後、
上記白金ペーストと同一組成の白金ペーストをリード線
と導電性厚膜との間に塗布し、乾燥し、900℃で焼き付
けて第１図及び第３図に示すような導電部４を形成し
た。
次いで、検出素子全体を無機ガラス保護層で被覆し
た。
た。
表１に上記ペーストを使用して、厚膜の厚さ、アルミ
ナパイプへのかぶりの深さ（ａ）をかえた時の導通の安
定性及び応答性をその一部の例について示した。
ナパイプへのかぶりの深さ（ａ）をかえた時の導通の安
定性及び応答性をその一部の例について示した。
応答時間は、被測定気体としての空気の流量を30kg/
時間とし、空気の温度を25℃から70℃へと変化させた時
の抵抗体の抵抗値変化時間を表示した。具体的には、温
度25℃のときの抵抗値R25（20Ω）、温度70℃のときの
抵抗値R70（定常値）とし、R70とR25との差をΔＲとす
ると、温度を25℃から70℃へと変化させた時点から、抵
抗値がR25から0.8×ΔＲだけ変化した時点までの経過時
間を応答時間とした。
時間とし、空気の温度を25℃から70℃へと変化させた時
の抵抗体の抵抗値変化時間を表示した。具体的には、温
度25℃のときの抵抗値R25（20Ω）、温度70℃のときの
抵抗値R70（定常値）とし、R70とR25との差をΔＲとす
ると、温度を25℃から70℃へと変化させた時点から、抵
抗値がR25から0.8×ΔＲだけ変化した時点までの経過時
間を応答時間とした。
上記の結果より、本発明によって端面と外周面端部と
の直角部分で焼き付け時に切れ込み、割れ目が入るとい
う不具合がなくなった。また、熱容量が小さいことによ
り応答性がよいことがわかる。
の直角部分で焼き付け時に切れ込み、割れ目が入るとい
う不具合がなくなった。また、熱容量が小さいことによ
り応答性がよいことがわかる。
（発明の効果） 本発明に係る検出素子によれば、筒状の基体の端面上
と端面近傍の基体外周面上とに亘って導電性厚膜が設け
られ、この導電性厚膜を介してリード線と電気抵抗体と
を電気的に接続しているので、端面と外周面端部との境
界の直角部分で、厚膜であることから、焼き付け時に切
れ込み、割れ目が入って導通不良となることはなく、従
って検出素子の抵抗温度係数のバラツキや低下を招くこ
とはない。従って、導電性ペーストを厚く盛り上げて電
気的導通の確保を図る必要はなないので、熱容量は大き
くならず、良好な応答性を保持できる。
と端面近傍の基体外周面上とに亘って導電性厚膜が設け
られ、この導電性厚膜を介してリード線と電気抵抗体と
を電気的に接続しているので、端面と外周面端部との境
界の直角部分で、厚膜であることから、焼き付け時に切
れ込み、割れ目が入って導通不良となることはなく、従
って検出素子の抵抗温度係数のバラツキや低下を招くこ
とはない。従って、導電性ペーストを厚く盛り上げて電
気的導通の確保を図る必要はなないので、熱容量は大き
くならず、良好な応答性を保持できる。
しかも、基体端面上と端面近傍の内周面上とに亘って
導電性厚膜を設けているので、端面及び端面近傍の内周
面とリード線との間に導電部を設けることで容易にリー
ド線を固定でき、かつ導電部の体積も小さく抑えうる。
導電性厚膜を設けているので、端面及び端面近傍の内周
面とリード線との間に導電部を設けることで容易にリー
ド線を固定でき、かつ導電部の体積も小さく抑えうる。
本発明にかかる検出素子の製造方法によれば、基体の
端面上とこの端面近傍の基体内周面上と端面近傍の基体
外周面上とに亘って導電性厚膜用ペーストを基体に被着
させ、このペーストを熱処理して導電性厚膜を形成し、
かつ導電部によりリード線と導電性厚膜とを電気的に接
続しているので、最終的に上記導電性厚膜を介してリー
ド線と電気抵抗体とが電気的に接続され、本発明の検出
素子が製造される。
端面上とこの端面近傍の基体内周面上と端面近傍の基体
外周面上とに亘って導電性厚膜用ペーストを基体に被着
させ、このペーストを熱処理して導電性厚膜を形成し、
かつ導電部によりリード線と導電性厚膜とを電気的に接
続しているので、最終的に上記導電性厚膜を介してリー
ド線と電気抵抗体とが電気的に接続され、本発明の検出
素子が製造される。
第１図は検出素子の断面図、 第２図は検出素子の平面図、 第３図は他の検出素子の断面図、 第４図は金属板に設けた凹部中に導電性厚膜用ペースト
を載せた状態の断面図、 第５図は導電性厚膜用ペーストの表面を平らにした状態
の断面図、 第６図は厚膜用ペースト中に円筒状アルミナパイプ端部
を埋没させた状態の断面図、 第７図は円筒状アルミナパイプを引き上げた状態の断面
図、 第８図は金属板の平らな表面上に設けた導電性厚膜用ペ
ースト層中に円筒状アルミナパイプ端部を埋没させた状
態の断面図、 第９図は従来の検出素子を示す断面図、 第10図は従来の他の検出素子を示す一部断面図である。 １…円筒状アルミナパイプ 1a…内周面、1b…中空部 1c…端面、1d…外周面 1e…内周面端部、1f…外周面端部 ２…薄層電気抵抗体、３…導電性厚膜 4,14…導電部、５…金属リード線 13…導電性厚膜用ペースト
を載せた状態の断面図、 第５図は導電性厚膜用ペーストの表面を平らにした状態
の断面図、 第６図は厚膜用ペースト中に円筒状アルミナパイプ端部
を埋没させた状態の断面図、 第７図は円筒状アルミナパイプを引き上げた状態の断面
図、 第８図は金属板の平らな表面上に設けた導電性厚膜用ペ
ースト層中に円筒状アルミナパイプ端部を埋没させた状
態の断面図、 第９図は従来の検出素子を示す断面図、 第10図は従来の他の検出素子を示す一部断面図である。 １…円筒状アルミナパイプ 1a…内周面、1b…中空部 1c…端面、1d…外周面 1e…内周面端部、1f…外周面端部 ２…薄層電気抵抗体、３…導電性厚膜 4,14…導電部、５…金属リード線 13…導電性厚膜用ペースト
Claims (2)
- 【請求項１】筒状の基体と、この基体の外周面に形成さ
れた電気抵抗体と、前記基体の端部に取り付けられたリ
ード線とを有し、このリード線と前記電気抵抗体とを電
気的に接続してなる検出素子において、前記基体の端面
上とこの端面近傍の基体内周面上と前記端面近傍の基体
外周面上とに亘って導電性厚膜が設けられ、少なくとも
この導電性厚膜を介して前記リード線と前記抵抗体とが
電気的に接続されていることを特徴とする検出素子。 - 【請求項２】筒状の基体の外周面に電気抵抗体を形成す
る工程と；前記基体の端面上とこの端面近傍の基体内周
面上と前記端面近傍の基体外周面上とに亘って導電性厚
膜用ペーストを前記基体に被着させる工程と；前記導電
性厚膜用ペーストを熱処理し、前記電気抵抗体と電気的
に接続された導電性厚膜を形成する工程と；前記リード
線を前記基体の端部に固定しかつこのリード線と前記導
電性厚膜とを電気的に接続する導電部を形成する工程と
を有する検出素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165268A JP2585430B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 検出素子及びその製造方法 |
| US07/542,929 US5084694A (en) | 1989-06-29 | 1990-06-25 | Detection elements and production process therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165268A JP2585430B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 検出素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0331724A JPH0331724A (ja) | 1991-02-12 |
| JP2585430B2 true JP2585430B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=15809103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1165268A Expired - Lifetime JP2585430B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 検出素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5084694A (ja) |
| JP (1) | JP2585430B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0810152B2 (ja) * | 1990-03-16 | 1996-01-31 | 日本碍子株式会社 | 流量計用検知素子 |
| US5287083A (en) * | 1992-03-30 | 1994-02-15 | Dale Electronics, Inc. | Bulk metal chip resistor |
| JPH07245240A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| KR100214463B1 (ko) * | 1995-12-06 | 1999-08-02 | 구본준 | 클립형 리드프레임과 이를 사용한 패키지의 제조방법 |
| US5696423A (en) * | 1995-06-29 | 1997-12-09 | Motorola, Inc. | Temperature compenated resonator and method |
| IT1291696B1 (it) * | 1996-07-18 | 1999-01-21 | Ennio Carlet | Elemento riscaldante elettrico autoregolante per riscaldatori a cartuccia o a provetta |
| US6873028B2 (en) * | 2001-11-15 | 2005-03-29 | Vishay Intertechnology, Inc. | Surge current chip resistor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE965703C (de) * | 1950-03-16 | 1957-06-13 | Steatit Magnesia Ag | Elektrischer Widerstand |
| US3808575A (en) * | 1973-04-04 | 1974-04-30 | Allen Bradley Co | Cermet fixed resistor with soldered leads |
| US3887893A (en) * | 1973-09-24 | 1975-06-03 | Allen Bradley Co | Fusible resistor |
| US4069465A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-17 | Allen-Bradley Company | Cylindrical varistor and method of making the same |
| JPH0682057B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1994-10-19 | 日本碍子株式会社 | 検出素子 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1165268A patent/JP2585430B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-06-25 US US07/542,929 patent/US5084694A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0331724A (ja) | 1991-02-12 |
| US5084694A (en) | 1992-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4361597A (en) | Process for making sensor for detecting fluid flow velocity or flow amount | |
| JP2585430B2 (ja) | 検出素子及びその製造方法 | |
| JPH07312301A (ja) | 抵抗体素子 | |
| JP2002514310A (ja) | 温度測定用センサ装置の製造方法 | |
| JPS5952521B2 (ja) | 電気抵抗装置 | |
| US4920635A (en) | A method of manufacturing a thermo-sensitive resistor | |
| US5280264A (en) | Resistor element having lead wire consisting of wire rod and covering alloy layer | |
| JPH0328719A (ja) | 検出素子 | |
| DE2615473A1 (de) | Messwiderstand fuer ein widerstandsthermometer | |
| JP2641598B2 (ja) | 薄膜抵抗体素子 | |
| JP3084167B2 (ja) | 抵抗体素子及び熱式流量計 | |
| JP3112769B2 (ja) | 抵抗体素子及び熱式流量計 | |
| JPH07118401B2 (ja) | 白金薄膜抵抗体 | |
| JP3072303B2 (ja) | ヒーター | |
| JP2001332403A (ja) | 感温性抵抗素子及びこれを用いた熱式流量センサ | |
| JP2568305B2 (ja) | 薄膜抵抗体素子におけるガラスコート層の形成方法 | |
| JP2984455B2 (ja) | 抵抗素子 | |
| JP2003203802A (ja) | 感温性抵抗素子及びその製造方法並びに熱式流量センサ | |
| JPS58198754A (ja) | ガスセンサ素子用ヒ−タ付基板の製造方法 | |
| JPH10172806A (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
| JPS59165395A (ja) | 発熱体 | |
| JP2004363264A (ja) | 抵抗体素子 | |
| JP2002365113A (ja) | 感温性抵抗素子及びこれを用いた熱式流量センサ | |
| JP2002039828A (ja) | 感温性抵抗素子及びこれを用いた熱式流量センサ | |
| GB2352816A (en) | A thermistor probe or catheter comprising a temperature dependent material placed between concentric conductors |