JPH0331724A - 検出素子及びその製造方法 - Google Patents
検出素子及びその製造方法Info
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- JPH0331724A JPH0331724A JP1165268A JP16526889A JPH0331724A JP H0331724 A JPH0331724 A JP H0331724A JP 1165268 A JP1165268 A JP 1165268A JP 16526889 A JP16526889 A JP 16526889A JP H0331724 A JPH0331724 A JP H0331724A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 55
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 206010010904 Convulsion Diseases 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、流体の物理的特性(流量、流速等)を熱の交
換、伝達を利用して測定する検出素子及びその製造方法
に関するものである。
換、伝達を利用して測定する検出素子及びその製造方法
に関するものである。
(従来の技術)
従来、例えば吸気流量測定のためのセンサ用の検出素子
の一例として、例えば第9図に示すように、筒状の基体
、例えば円筒形長尺アルミナパイプの外表面に、抵抗体
として白金、ニッケル等の薄膜2を蒸着、メツキ、スパ
ッター等の物理的、化学的手段によって設け、次いでこ
の長尺のアルミナパイプを第9図に示す所定長さに切断
し、金属リード!IfA5の先端を中空部1bへと挿入
し、白金ペースト24及びガラスペースト34(白金ペ
ーストのみでもよい。)でアルミナパイプIへと固着し
たものが知られている。
の一例として、例えば第9図に示すように、筒状の基体
、例えば円筒形長尺アルミナパイプの外表面に、抵抗体
として白金、ニッケル等の薄膜2を蒸着、メツキ、スパ
ッター等の物理的、化学的手段によって設け、次いでこ
の長尺のアルミナパイプを第9図に示す所定長さに切断
し、金属リード!IfA5の先端を中空部1bへと挿入
し、白金ペースト24及びガラスペースト34(白金ペ
ーストのみでもよい。)でアルミナパイプIへと固着し
たものが知られている。
(発明が解決しようとする課題)
この白金ペースト層24は、アルミナパイプlの端面1
c上に設けられ、金属リード線5に固着する一方、白金
ペースト層24の端部は第9図に拡大図示するように電
気抵抗層2と接触しており、これにより金属リード綿5
と電気抵抗体N2との電気的接続を図っている。
c上に設けられ、金属リード線5に固着する一方、白金
ペースト層24の端部は第9図に拡大図示するように電
気抵抗層2と接触しており、これにより金属リード綿5
と電気抵抗体N2との電気的接続を図っている。
しかし、かかる従来の検出素子においては、アルミナパ
イプ1の端面ICが切断により形成され、この切断端面
1cと外周面1dとが鋭(直角を呈しているため、白金
ペースト層24を焼き付けるVf、に焼成収縮により白
金ベースl−層24の端部に破線で示すように割れ目4
0が生じ、電気的接続不良となり、検出素子の抵抗温度
係数への悪影g(係数のバラツキの増加、係数の低下)
が生ずる。
イプ1の端面ICが切断により形成され、この切断端面
1cと外周面1dとが鋭(直角を呈しているため、白金
ペースト層24を焼き付けるVf、に焼成収縮により白
金ベースl−層24の端部に破線で示すように割れ目4
0が生じ、電気的接続不良となり、検出素子の抵抗温度
係数への悪影g(係数のバラツキの増加、係数の低下)
が生ずる。
かかる導通不良を防止すべく、第1O図に示すように、
白金ペースト層44を図面において左方向および上下方
向へと厚く盛り上げた検出素子がある。
白金ペースト層44を図面において左方向および上下方
向へと厚く盛り上げた検出素子がある。
しかし、この場合は、金属リード線5とアルミナパイプ
Iとの接続部分が大きくなりすぎ、検出素子の熱容量が
大きくなり、応答速度等の低下を招く。
Iとの接続部分が大きくなりすぎ、検出素子の熱容量が
大きくなり、応答速度等の低下を招く。
本発明の課題は、リード線と電気抵抗体との電気的導電
を確保し、抵抗温度係数への悪影響を防止でき、なおか
つ検出素子の熱容量の増加を抑えて良好な応答性を保ち
うるような検出素子を(2供することである。
を確保し、抵抗温度係数への悪影響を防止でき、なおか
つ検出素子の熱容量の増加を抑えて良好な応答性を保ち
うるような検出素子を(2供することである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、筒状の基体と、この基体の外周面に形成され
た電気抵抗体と、前記基体の端部に取り付けられたリー
ド線とを有し、このリード線と前記電気抵抗体とを電気
的に接続してなる検出素子において、前記基体の端面」
二とこの端面近傍のに体内周面上と前記端面近傍の基体
外周面上とに亘って導電性厚膜が設けられ、少なくとも
この導電性厚膜を介して前記リード線と前記抵抗体とが
電気的に接続されていることを特徴とする検出素子に係
るものである。
た電気抵抗体と、前記基体の端部に取り付けられたリー
ド線とを有し、このリード線と前記電気抵抗体とを電気
的に接続してなる検出素子において、前記基体の端面」
二とこの端面近傍のに体内周面上と前記端面近傍の基体
外周面上とに亘って導電性厚膜が設けられ、少なくとも
この導電性厚膜を介して前記リード線と前記抵抗体とが
電気的に接続されていることを特徴とする検出素子に係
るものである。
また、本発明は、筒状の基体の外周面に電気抵抗体を形
成する工程と;前記基体の端面上とこの端面近傍の基体
内周面上と前記端面近傍の基体外周面上とに亘って導電
性W膜用ペーストを前記基体に被着させる工程と;前記
導電性厚膜用ペーストを熱処理し、前記電気抵抗体と電
気的に接続された導電性厚膜を形成する工程と;前記リ
ード線を前記基体の端部に固定しかつこのリード線と前
記導電性厚膜とを電気的に接続する導電部を形成する工
程と を有する検出素子の製造方法に係るものである。
成する工程と;前記基体の端面上とこの端面近傍の基体
内周面上と前記端面近傍の基体外周面上とに亘って導電
性W膜用ペーストを前記基体に被着させる工程と;前記
導電性厚膜用ペーストを熱処理し、前記電気抵抗体と電
気的に接続された導電性厚膜を形成する工程と;前記リ
ード線を前記基体の端部に固定しかつこのリード線と前
記導電性厚膜とを電気的に接続する導電部を形成する工
程と を有する検出素子の製造方法に係るものである。
ここで、導電性厚膜とは、電気抵抗体とリード線とを電
気的に接続するのに充分な導電性を有する厚膜を意味す
る。この厚膜は厚さ3〜80t111のものがよく、5
〜50tI11のものが更に好ましい。
気的に接続するのに充分な導電性を有する厚膜を意味す
る。この厚膜は厚さ3〜80t111のものがよく、5
〜50tI11のものが更に好ましい。
「基体外周面上に」導電性厚膜を設けるとは、基体外周
面に接するように直接に導電性厚膜を設ける場合と、所
定の層(例えば電気抵抗体層)を挟んで基体外周面上に
導電性厚膜を設ける場合とを含む。「基体内周面上」
「端面上」も同義である。
面に接するように直接に導電性厚膜を設ける場合と、所
定の層(例えば電気抵抗体層)を挟んで基体外周面上に
導電性厚膜を設ける場合とを含む。「基体内周面上」
「端面上」も同義である。
(実施例)
第1図は実施例に係る検出素子を示す断面図(第2図の
2−1vA断面に相当する。)、第2図は同じく平面図
である。
2−1vA断面に相当する。)、第2図は同じく平面図
である。
本例においては、円筒状のアルミナパイプIの外周面上
に、白金、ニッケル、ロジウム、パラジウム等からなる
薄膜電気抵抗体2をスパッタリング、CVD、蒸着、メ
ツキ等の物理的又は化学的方法で形成する。この際、予
め長尺のアルミナパイプに薄膜2を形成した後、第1図
に示す所定長さに切断するが、長尺の円筒状アルミナパ
イプを切断した後に薄膜電気抵抗体2を設けてもよい。
に、白金、ニッケル、ロジウム、パラジウム等からなる
薄膜電気抵抗体2をスパッタリング、CVD、蒸着、メ
ツキ等の物理的又は化学的方法で形成する。この際、予
め長尺のアルミナパイプに薄膜2を形成した後、第1図
に示す所定長さに切断するが、長尺の円筒状アルミナパ
イプを切断した後に薄膜電気抵抗体2を設けてもよい。
この場合にも、やはり切断面と円筒状アルミナパイプ1
の外周面との接線付近で電気的導通不良が従来生じてい
た。
の外周面との接線付近で電気的導通不良が従来生じてい
た。
次いで、円筒状アルミナパイプ1の端部1c、内周面1
aの端面近傍(内周面端部He及び外周面1dの端面近
傍、(内周面端部Of−,hに、薄膜電気抵抗体2を介
して厚さ3〜80μmの導電性厚膜3を設ける。この導
電性厚膜3は、白金ペースト、金ペースト、ニッケルペ
ースト、白金−ロジウム合金ペースト等を円筒状アルミ
ナパイプ1表面に被着させ、焼き付けることで形成する
。この形成方法は後述する。
aの端面近傍(内周面端部He及び外周面1dの端面近
傍、(内周面端部Of−,hに、薄膜電気抵抗体2を介
して厚さ3〜80μmの導電性厚膜3を設ける。この導
電性厚膜3は、白金ペースト、金ペースト、ニッケルペ
ースト、白金−ロジウム合金ペースト等を円筒状アルミ
ナパイプ1表面に被着させ、焼き付けることで形成する
。この形成方法は後述する。
次いで、金属リードvA5の先端を中空部1bの端部に
挿入し、導電性厚膜3用のペーストと同じ組成の導電性
ペースト4 (例えば白金−ガラスペースト)で金属リ
ード線5の先端を焼き付は固定する。これにより、金属
リード線から、導電層4、導電性厚膜3を介して、薄層
電気抵抗体2への電気的接続が行われる。
挿入し、導電性厚膜3用のペーストと同じ組成の導電性
ペースト4 (例えば白金−ガラスペースト)で金属リ
ード線5の先端を焼き付は固定する。これにより、金属
リード線から、導電層4、導電性厚膜3を介して、薄層
電気抵抗体2への電気的接続が行われる。
次いで、第1図、第2図の構造体の表面に、無機ガラス
からなる保護層(図示省略)を形成する。
からなる保護層(図示省略)を形成する。
また、第3図に示す検出素子は第1図に示す検出素子と
ほぼ同様の構成のものであるが、導電部14の断面形状
が金属リード線5を中心に外側へと尖った形状となって
いる。
ほぼ同様の構成のものであるが、導電部14の断面形状
が金属リード線5を中心に外側へと尖った形状となって
いる。
さらに、第1図及び第3図において、導電性厚膜3用の
ペーストの組成と、導電部14用のペーストの組成は、
同一である必要はなく、その種類は適宜選択できる。
ペーストの組成と、導電部14用のペーストの組成は、
同一である必要はなく、その種類は適宜選択できる。
上記のような検出素子によれば、円筒状アルミナパイプ
の端面、外周面端部に亘って、導電性厚膜を設け、これ
により電気的導通を図っているので、端面と外周面端部
との境界の直角部分で、厚さ3〜80μ園好ましくは5
〜50μ霧の比較的均一な厚さの厚膜であることから焼
き付は時に切れ込みが入って導通不良となることはなく
、検出素子の抵抗温度係数のバラツキや低下を招くこと
はない。厚さを3μ−以上、80μm以下とするのは、
3μl以下では直角部での電気的導通の確保がむつかし
いためであり、80μ−以上では焼き付は時に導電性厚
膜ペーストが塗布面に対して平行な方向に大きく収縮し
、亀裂が入りやすくなるためである。むろん、従来技術
のように導電性ペーストを厚く盛り上げて電気的導通の
確保を図る必要はないので、熱容量も大きくならず、良
好な応答性を確保できる。厚膜はペーストを盛り上げた
形状ではなく、比較的均一な厚みを持っているので、体
積、熱容量を小さくできるからである。
の端面、外周面端部に亘って、導電性厚膜を設け、これ
により電気的導通を図っているので、端面と外周面端部
との境界の直角部分で、厚さ3〜80μ園好ましくは5
〜50μ霧の比較的均一な厚さの厚膜であることから焼
き付は時に切れ込みが入って導通不良となることはなく
、検出素子の抵抗温度係数のバラツキや低下を招くこと
はない。厚さを3μ−以上、80μm以下とするのは、
3μl以下では直角部での電気的導通の確保がむつかし
いためであり、80μ−以上では焼き付は時に導電性厚
膜ペーストが塗布面に対して平行な方向に大きく収縮し
、亀裂が入りやすくなるためである。むろん、従来技術
のように導電性ペーストを厚く盛り上げて電気的導通の
確保を図る必要はないので、熱容量も大きくならず、良
好な応答性を確保できる。厚膜はペーストを盛り上げた
形状ではなく、比較的均一な厚みを持っているので、体
積、熱容量を小さくできるからである。
しかも、導電性厚膜が円筒状アルミナパイプの端面及び
内周面端部に亘って設けられているので、この部分と金
属リード線との間に導電部を設けて容易に金属リード線
を固定でき、特に第1図に示すように導電部の体積を小
さく抑えることができる。
内周面端部に亘って設けられているので、この部分と金
属リード線との間に導電部を設けて容易に金属リード線
を固定でき、特に第1図に示すように導電部の体積を小
さく抑えることができる。
第1図、第3図において、基体外周面、内周面端部上に
形成される導電性厚膜の長さaは円筒状アルミナパイプ
の全長lに対し、10%以下、更には5%以下とするの
が好ましい。ただし電気的導通を確実にするためには、
aは導電性厚膜の厚さの2倍以上とすると好ましい。
形成される導電性厚膜の長さaは円筒状アルミナパイプ
の全長lに対し、10%以下、更には5%以下とするの
が好ましい。ただし電気的導通を確実にするためには、
aは導電性厚膜の厚さの2倍以上とすると好ましい。
次いで、導電性厚膜の形成方法について更に述べる。
まず、第4図に示すように、金属板10に例えば深さ1
0〜30μmの凹み10aを設け、この凹み10a中に
導電性厚膜用ペース目3を載せ、第5図に示すように、
プラスチック平板(図示せず)等でペース目3の表面を
平らにする。
0〜30μmの凹み10aを設け、この凹み10a中に
導電性厚膜用ペース目3を載せ、第5図に示すように、
プラスチック平板(図示せず)等でペース目3の表面を
平らにする。
この導電性厚膜用ペーストは、白金、ロジウム、ニッケ
ル、金、白金−ロジウム等の金属粉末と、好ましくはガ
ラス粉末とともに、有機バインダー及び有機溶剤を加え
てトリロールミル、ボールミル等で混練し、有機溶剤を
更に加えて適正粘度とすることで調製する。
ル、金、白金−ロジウム等の金属粉末と、好ましくはガ
ラス粉末とともに、有機バインダー及び有機溶剤を加え
てトリロールミル、ボールミル等で混練し、有機溶剤を
更に加えて適正粘度とすることで調製する。
次いで、第6図に示すように、外周面ld上に薄膜抵抗
体を形成し終ったアルミナパイプ1の一方の端部をペー
スト13内に埋没させる0次いで、このアルミナパイプ
1を引き上げると、アルミナパイプ端面1c、外周面端
部1f及び内周面端部1e上に導電性厚膜用ペーストが
付着し、これを焼き付けることで、第7図に示すように
導電性厚膜3が形成される。
体を形成し終ったアルミナパイプ1の一方の端部をペー
スト13内に埋没させる0次いで、このアルミナパイプ
1を引き上げると、アルミナパイプ端面1c、外周面端
部1f及び内周面端部1e上に導電性厚膜用ペーストが
付着し、これを焼き付けることで、第7図に示すように
導電性厚膜3が形成される。
また、第8図に示すように、金属製平板20の表面に導
電性厚膜用ペースト13を載せ、表面を平らにならし、
第6図と同様にアルミナバイブ1の端部を埋没させても
よい。
電性厚膜用ペースト13を載せ、表面を平らにならし、
第6図と同様にアルミナバイブ1の端部を埋没させても
よい。
こうした方法によれば、例えば外形が0.5m鋼程度の
微小なアルミナパイプlの端部に生産性良く導電性厚膜
3を形成できる。しかも、厚膜用ぺ一スト13の深さ
(厚み)を変えることで、第1図、第3図に示すaの大
きさを容易に制御できる。
微小なアルミナパイプlの端部に生産性良く導電性厚膜
3を形成できる。しかも、厚膜用ぺ一スト13の深さ
(厚み)を変えることで、第1図、第3図に示すaの大
きさを容易に制御できる。
なお、上記の例において、円筒状アルミナパイプの形状
を例えば四角筒状、六角筒状等としてもよく、また基体
材質をアルミナの他、ムライト、ジルコニア、石英、ガ
ラス等、適宜変更してよい。
を例えば四角筒状、六角筒状等としてもよく、また基体
材質をアルミナの他、ムライト、ジルコニア、石英、ガ
ラス等、適宜変更してよい。
薄膜抵抗体は、筒状基体の外周面全面に亘って均一に設
けてもよいが、レーザトリミングによりスパイラル状に
してもよい。
けてもよいが、レーザトリミングによりスパイラル状に
してもよい。
以下、更に具体的な実験例について述べる。
まず、外径0.5wm、内径0.2m11+、長さ20
IIIIlO長尺の円筒状アルミナパイプを用意し、こ
の円筒状アルミナパイプの外周面に白金を0.1μmの
厚さとなるようメツキした後、このアルミナバイブを長
さ2III11毎に切断した。
IIIIlO長尺の円筒状アルミナパイプを用意し、こ
の円筒状アルミナパイプの外周面に白金を0.1μmの
厚さとなるようメツキした後、このアルミナバイブを長
さ2III11毎に切断した。
次いで、下記組成の材料をトリロールミルで1時間混練
し、ブチルカルピトールで粘度5000cpに調節し、
白金ペーストを潤製した。
し、ブチルカルピトールで粘度5000cpに調節し、
白金ペーストを潤製した。
白金粉末(粒径1μm) !00重量部ガラ
ス粉末(作業温度900°C,325メツシユ)5重量
部 有機バインダー(エチルセルロース)5重量部有機溶剤
(ブチルカルピトール)適量次いで、第4図に示
すような金属板に深さ30μmの凹部を設け、この凹部
に上記金属ペーストを入れ、第5図に示すように表面を
平らにし、第6図に示すように上記円筒状アルミナパイ
プ端部を埋没させ、導電性厚膜用ペーストをアルミナバ
イブ端面、同外周面端部及び同内周面端部に付着させた
。これを乾燥した後さらにもう一方の端部に同様に導電
性厚膜用ペーストを同様に付着乾燥し、900℃で焼き
付けを行い、第7図(片端面のみ図示)に示すように膜
厚約8μmの均一な導電性厚膜を焼き付けた。
ス粉末(作業温度900°C,325メツシユ)5重量
部 有機バインダー(エチルセルロース)5重量部有機溶剤
(ブチルカルピトール)適量次いで、第4図に示
すような金属板に深さ30μmの凹部を設け、この凹部
に上記金属ペーストを入れ、第5図に示すように表面を
平らにし、第6図に示すように上記円筒状アルミナパイ
プ端部を埋没させ、導電性厚膜用ペーストをアルミナバ
イブ端面、同外周面端部及び同内周面端部に付着させた
。これを乾燥した後さらにもう一方の端部に同様に導電
性厚膜用ペーストを同様に付着乾燥し、900℃で焼き
付けを行い、第7図(片端面のみ図示)に示すように膜
厚約8μmの均一な導電性厚膜を焼き付けた。
次いで、ステンレス製のリード線の先端を第1図及び第
3図に示すように中空部の端部に挿入した。その後、上
記白金ペーストと同一組成の白金ペーストをリード線と
導電性厚膜との間に塗布し、乾燥し、900°Cで焼き
付けて第1図及び第3図に示すような導電部4を形成し
た。
3図に示すように中空部の端部に挿入した。その後、上
記白金ペーストと同一組成の白金ペーストをリード線と
導電性厚膜との間に塗布し、乾燥し、900°Cで焼き
付けて第1図及び第3図に示すような導電部4を形成し
た。
次いで、検出素子全体を無機ガラス保護層で被覆した。
表1に上記ペーストを使用して、厚膜の厚さ、アルミナ
パイプへのかぶりの深さ(a)をかえた時の導通の安定
性及び応答性をその一部の例について示した。
パイプへのかぶりの深さ(a)をかえた時の導通の安定
性及び応答性をその一部の例について示した。
無機ガラス保護層厚さを平均30μ−として応答時間を
測定した。試料数はn=5とし平均値をとっている。
測定した。試料数はn=5とし平均値をとっている。
応答時間は、被測定気体としての空気の流量を30kg
/時間とし、空気の温度を25°Cから70°Cへと変
化させた時の抵抗体の抵抗値変化時間を表示した。具体
的には、温度25′Cのときの抵抗(l¥jRZs(2
0Ω)、温度70’Cのときの抵抗値R1゜(定常値)
とし、R7゜とRlsとの差をΔRとすると、温度を2
5゛Cから70°Cへと変化させた時点から、抵抗値が
R25から0,8×ΔRだけ変化した時点までの経過時
間を応答時間とした。
/時間とし、空気の温度を25°Cから70°Cへと変
化させた時の抵抗体の抵抗値変化時間を表示した。具体
的には、温度25′Cのときの抵抗(l¥jRZs(2
0Ω)、温度70’Cのときの抵抗値R1゜(定常値)
とし、R7゜とRlsとの差をΔRとすると、温度を2
5゛Cから70°Cへと変化させた時点から、抵抗値が
R25から0,8×ΔRだけ変化した時点までの経過時
間を応答時間とした。
上記の結果より、本発明によって端面と外周面端部との
直角部分で焼き付は時に切れ込み、割れ目が入るという
不具合がなくなった。また、熱容量が小さいことにより
応答性がよいことがわかる。
直角部分で焼き付は時に切れ込み、割れ目が入るという
不具合がなくなった。また、熱容量が小さいことにより
応答性がよいことがわかる。
(発明の効果)
本発明に係る検出素子によれば、筒状の基体の端面上と
端面近傍の基体外周面上とに亘って導電性厚膜が設けら
れ、この導電性厚膜を介してIJ−ド線と電気抵抗体と
を電気的に接続しているので、端面と外周面端部との境
界の直角部分で、厚膜であることから、焼き付は時に切
れ込み、割れ目が入って導通不良となることはなく、従
って検出素子の抵抗温度係数のバラツキや低下を招くこ
とはない。従って、導電性ペーストを厚く盛り上げて電
気的導通の確保を図る必要はなないので、熱容量は大き
くならず、良好な応答性を保持できる。
端面近傍の基体外周面上とに亘って導電性厚膜が設けら
れ、この導電性厚膜を介してIJ−ド線と電気抵抗体と
を電気的に接続しているので、端面と外周面端部との境
界の直角部分で、厚膜であることから、焼き付は時に切
れ込み、割れ目が入って導通不良となることはなく、従
って検出素子の抵抗温度係数のバラツキや低下を招くこ
とはない。従って、導電性ペーストを厚く盛り上げて電
気的導通の確保を図る必要はなないので、熱容量は大き
くならず、良好な応答性を保持できる。
しかも、基体端面上と端面近傍の内周面上とに亘って導
電性厚膜を設けているので、端面及び端面近傍の内周面
とリード線との間に導電部を設けることで容易にリード
線を固定でき、かつ導電部の体積も小さく抑えうる。
電性厚膜を設けているので、端面及び端面近傍の内周面
とリード線との間に導電部を設けることで容易にリード
線を固定でき、かつ導電部の体積も小さく抑えうる。
本発明にかかる検出素子の製造方法によれば、基体の端
面上とこの端面近傍の基体内周面上と端面近傍の基体外
周面上とに亘って導電性厚膜用ペーストを基体に被着さ
せ、このペーストを熱処理して導電性厚膜を形成し、か
つ導電部によりリード線と導電性厚膜とを電気的に接続
しているので、最終的に上記導電性厚膜を介してリード
線と電気抵抗体とが電気的に接続され、本発明の検出素
子が製造される。
面上とこの端面近傍の基体内周面上と端面近傍の基体外
周面上とに亘って導電性厚膜用ペーストを基体に被着さ
せ、このペーストを熱処理して導電性厚膜を形成し、か
つ導電部によりリード線と導電性厚膜とを電気的に接続
しているので、最終的に上記導電性厚膜を介してリード
線と電気抵抗体とが電気的に接続され、本発明の検出素
子が製造される。
第1図は検出素子の断面図、
第2図は検出素子の平面図、
第3図は他の検出素子の断面図、
第4図は金属板に設けた凹部中に導電性厚膜用ペースト
を載せた状態の断面図、 第5図は導電性厚膜用ペーストの表面を平らにした状態
の断面図、 第6図は厚膜用ペースト中に円筒状アルミナパイプ端部
を埋没させた状態の断面図、第7図は円筒状アルミナパ
イプを引き上げた状態の断面図、 第8図は金属板の平らな表面上に設けた導電性厚膜用ペ
ースト層中に円筒状アルミナパイプ端部を埋没させた状
態の断面図、 第9図は従来の検出素子を示す断面図、第1θ図は従来
の他の検出素子を示す一部断面図である。 1・・・円筒状アルミナバイブ 1a・・・内周面 tb・・・中空部1c
・・・端面 1e・・・内周面端部 2・・・薄層電気抵抗体 4.14・・・導電部 13・・・導電性厚膜用ベース ト 1d・・・外周面 1、f・・・外周面端部 3・・・導電性厚膜 5・・・金属リード線 第1図
を載せた状態の断面図、 第5図は導電性厚膜用ペーストの表面を平らにした状態
の断面図、 第6図は厚膜用ペースト中に円筒状アルミナパイプ端部
を埋没させた状態の断面図、第7図は円筒状アルミナパ
イプを引き上げた状態の断面図、 第8図は金属板の平らな表面上に設けた導電性厚膜用ペ
ースト層中に円筒状アルミナパイプ端部を埋没させた状
態の断面図、 第9図は従来の検出素子を示す断面図、第1θ図は従来
の他の検出素子を示す一部断面図である。 1・・・円筒状アルミナバイブ 1a・・・内周面 tb・・・中空部1c
・・・端面 1e・・・内周面端部 2・・・薄層電気抵抗体 4.14・・・導電部 13・・・導電性厚膜用ベース ト 1d・・・外周面 1、f・・・外周面端部 3・・・導電性厚膜 5・・・金属リード線 第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、筒状の基体と、この基体の外周面に形成された電気
抵抗体と、前記基体の端部に取り付けられたリード線と
を有し、このリード線と前記電気抵抗体とを電気的に接
続してなる検出素子において、前記基体の端面上とこの
端面近傍の基体内周面上と前記端面近傍の基体外周面上
とに亘って導電性厚膜が設けられ、少なくともこの導電
性厚膜を介して前記リード線と前記抵抗体とが電気的に
接続されていることを特徴とする検出素子。 2、筒状の基体の外周面に電気抵抗体を形成する工程と
;前記基体の端面上とこの端面近傍の基体内周面上と前
記端面近傍の基体外周面上とに亘って導電性厚膜用ペー
ストを前記基体に被着させる工程と;前記導電性厚膜用
ペーストを熱処理し、前記電気抵抗体と電気的に接続さ
れた導電性厚膜を形成する工程と;前記リード線を前記
基体の端部に固定しかつこのリード線と前記導電性厚膜
とを電気的に接続する導電部を形成する工程とを有する
検出素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165268A JP2585430B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 検出素子及びその製造方法 |
US07/542,929 US5084694A (en) | 1989-06-29 | 1990-06-25 | Detection elements and production process therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165268A JP2585430B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 検出素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0331724A true JPH0331724A (ja) | 1991-02-12 |
JP2585430B2 JP2585430B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=15809103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1165268A Expired - Lifetime JP2585430B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 検出素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5084694A (ja) |
JP (1) | JP2585430B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0810152B2 (ja) * | 1990-03-16 | 1996-01-31 | 日本碍子株式会社 | 流量計用検知素子 |
US5287083A (en) * | 1992-03-30 | 1994-02-15 | Dale Electronics, Inc. | Bulk metal chip resistor |
JPH07245240A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
KR100214463B1 (ko) * | 1995-12-06 | 1999-08-02 | 구본준 | 클립형 리드프레임과 이를 사용한 패키지의 제조방법 |
US5696423A (en) * | 1995-06-29 | 1997-12-09 | Motorola, Inc. | Temperature compenated resonator and method |
IT1291696B1 (it) * | 1996-07-18 | 1999-01-21 | Ennio Carlet | Elemento riscaldante elettrico autoregolante per riscaldatori a cartuccia o a provetta |
US6873028B2 (en) * | 2001-11-15 | 2005-03-29 | Vishay Intertechnology, Inc. | Surge current chip resistor |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE965703C (de) * | 1950-03-16 | 1957-06-13 | Steatit Magnesia Ag | Elektrischer Widerstand |
US3808575A (en) * | 1973-04-04 | 1974-04-30 | Allen Bradley Co | Cermet fixed resistor with soldered leads |
US3887893A (en) * | 1973-09-24 | 1975-06-03 | Allen Bradley Co | Fusible resistor |
US4069465A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-17 | Allen-Bradley Company | Cylindrical varistor and method of making the same |
JPH0682057B2 (ja) * | 1987-07-13 | 1994-10-19 | 日本碍子株式会社 | 検出素子 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1165268A patent/JP2585430B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-06-25 US US07/542,929 patent/US5084694A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2585430B2 (ja) | 1997-02-26 |
US5084694A (en) | 1992-01-28 |
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