JP2584091B2 - マスク検査装置 - Google Patents
マスク検査装置Info
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- JP2584091B2 JP2584091B2 JP4761990A JP4761990A JP2584091B2 JP 2584091 B2 JP2584091 B2 JP 2584091B2 JP 4761990 A JP4761990 A JP 4761990A JP 4761990 A JP4761990 A JP 4761990A JP 2584091 B2 JP2584091 B2 JP 2584091B2
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- Japan
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- light
- pellicle
- wavelength
- light source
- mask inspection
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ペリクル膜上の異物をペリクル内部か外部
かを判別するマスク検査装置に関するものである。
かを判別するマスク検査装置に関するものである。
従来の技術 以下、従来のマスク検査方法について説明する。
第３図は従来のマスク検査方法に用いられている検査
装置の概略図である。
装置の概略図である。
１は光源、２はレーザ光、３はペリクル膜、４は異
物、５は散乱光、６は受光素子である。
物、５は散乱光、６は受光素子である。
以上のように構成されたマスク検査方法と検査装置に
ついて、以下その動作を説明する。
ついて、以下その動作を説明する。
まず光源１よりレーザ光２を発する。ペリクル膜３上
に異物４があると、レーザ光２が異物４によって散乱さ
れる。その散乱光５を受光素子６が検出する事によって
ペリクル膜３上の異物４が検出される。
に異物４があると、レーザ光２が異物４によって散乱さ
れる。その散乱光５を受光素子６が検出する事によって
ペリクル膜３上の異物４が検出される。
発明が解決しようとする課題 しかし上記従来の構成では、ペリクル膜３が薄いの
で、ペリクル膜３上の異物４がペリクル膜３の上部にあ
るのか、ペリクル膜３とマスクとの内部にあるかを判別
することができなかった。
で、ペリクル膜３上の異物４がペリクル膜３の上部にあ
るのか、ペリクル膜３とマスクとの内部にあるかを判別
することができなかった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、ペリク
ル上の異物がペリクル外部か内部かを判別することので
きるマスク検査方法とマスク検査装置を提供することを
目的とする。
ル上の異物がペリクル外部か内部かを判別することので
きるマスク検査方法とマスク検査装置を提供することを
目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明は、波長の異なる光
源を用い、光のペリクル膜に対する反射率の違いを利用
し、ペリクル上の異物をペリクル外部か内部かを判別す
る構成を有しており、本発明のマスク検査装置は波長の
異なる光源と受光素子とデータ処理部を備えている。
源を用い、光のペリクル膜に対する反射率の違いを利用
し、ペリクル上の異物をペリクル外部か内部かを判別す
る構成を有しており、本発明のマスク検査装置は波長の
異なる光源と受光素子とデータ処理部を備えている。
作用 この構成によって波長の異なる光源を用いることによ
って光のペリクル膜に対する反射率の違いを利用し、ペ
リクル上の異物をペリクル外部か内部かを判別すること
ができる。
って光のペリクル膜に対する反射率の違いを利用し、ペ
リクル上の異物をペリクル外部か内部かを判別すること
ができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。第１図において、２はレーザ光、３はペリ
クル膜、４は異物、６は受光素子であり、これらは従来
例の構成と同じである。７は波長λ１の光源、８は波長
１のときの反射光、９は波長λ２の光源、10はデータ処
理部、11は波長λ２のときの反射光である。
ら説明する。第１図において、２はレーザ光、３はペリ
クル膜、４は異物、６は受光素子であり、これらは従来
例の構成と同じである。７は波長λ１の光源、８は波長
１のときの反射光、９は波長λ２の光源、10はデータ処
理部、11は波長λ２のときの反射光である。
以上のように構成された本実施例のペリクル検査装置
についてその動作を説明する。
についてその動作を説明する。
まず、波長λ１の光源７からレーザ光２を発する。ペ
リクル膜３上に異物４があると、強度の下がった反射光
８は受光素子６で検出し、その強度がデータの処理部10
に入力される。次に波長λ１の光源７と波長λ２の光源
９の位置を入れ換え、光源９からレーザ光２を発する。
ペリクル膜３上に異物があると同様に強度の下がった反
射光11が受光素子６で検出され、その強度がデータ処理
部10に入力される。データ処理部でこれら２つの反射光
8,11の強度を比較することによって異物４の位置がペリ
クリ外部か内部かを判定する。
リクル膜３上に異物４があると、強度の下がった反射光
８は受光素子６で検出し、その強度がデータの処理部10
に入力される。次に波長λ１の光源７と波長λ２の光源
９の位置を入れ換え、光源９からレーザ光２を発する。
ペリクル膜３上に異物があると同様に強度の下がった反
射光11が受光素子６で検出され、その強度がデータ処理
部10に入力される。データ処理部でこれら２つの反射光
8,11の強度を比較することによって異物４の位置がペリ
クリ外部か内部かを判定する。
以上のように本実施例によれば、ペリクルの反射率が
波長によって異なる。この様子を第２図に示す。
波長によって異なる。この様子を第２図に示す。
波長λ１の光による反射光８の波長と波長λ２の光に
よる反射光11の強度は、異物がペリクル外部にある場合
は同じであるが、異物がペリクル内部にある場合は、光
の波長が異なるためペリクル膜面での反射率に差が影響
して反射光８に反射光11に差ができる。よってペリクル
上の異物がペリクル外部か内部かを判別できる。
よる反射光11の強度は、異物がペリクル外部にある場合
は同じであるが、異物がペリクル内部にある場合は、光
の波長が異なるためペリクル膜面での反射率に差が影響
して反射光８に反射光11に差ができる。よってペリクル
上の異物がペリクル外部か内部かを判別できる。
なお上記実施例の光源の波長λ1,λ２はペリクルの吸
収のない波長であればよい。
収のない波長であればよい。
発明の効果 本発明は、波長の異なる光源を用い、光のペリクル膜
に対する反射率の違いを利用しペリクル上の異物をペリ
クル外部か内部かを判別するマスク検査方法と波長の異
なる光源と受光素子とデータ部処理部を備えることによ
り、ペリクル上の異物をペリクル外部か内部かを判別で
きる検査装置を実現できるものである。
に対する反射率の違いを利用しペリクル上の異物をペリ
クル外部か内部かを判別するマスク検査方法と波長の異
なる光源と受光素子とデータ部処理部を備えることによ
り、ペリクル上の異物をペリクル外部か内部かを判別で
きる検査装置を実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例マスク検査装置の概略図、第
２図は光源の波長とペリクル膜の反射率特性図、第３図
は従来のマスク検査装置の概略図である。 １……光源、２……レーザ光、３……ペリクル膜、４…
…異物、５……散乱光、６……受光素子、７……波長λ
１の光源、８……波長λ１のときの反射光、９……波長
λ２の光源、10……データ処理部、11……波長λ２のと
きの反射光。
２図は光源の波長とペリクル膜の反射率特性図、第３図
は従来のマスク検査装置の概略図である。 １……光源、２……レーザ光、３……ペリクル膜、４…
…異物、５……散乱光、６……受光素子、７……波長λ
１の光源、８……波長λ１のときの反射光、９……波長
λ２の光源、10……データ処理部、11……波長λ２のと
きの反射光。
Claims (1)
- 【請求項１】波長の異なるレーザー光を放出する２つの
光源と、前記レーザー光が照射されるペリクルが取り付
けられたマスクと、前記２つの光源から放出された前記
レーザー光が前記ペリクルおよび前記マスク上で反射さ
れた反射光を検出する受光素子と、前記受光素子で検出
された前記２つの光源から照射されたレーザー光の波長
での反射率を比較するデータ処理部を備えたことを特徴
とするマスク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4761990A JP2584091B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | マスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4761990A JP2584091B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | マスク検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03249650A JPH03249650A (ja) | 1991-11-07 |
| JP2584091B2 true JP2584091B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=12780233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4761990A Expired - Fee Related JP2584091B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | マスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584091B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9671686B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102404639B1 (ko) | 2015-02-02 | 2022-06-03 | 삼성전자주식회사 | 전자 빔 노광 방법 및 그를 포함하는 기판 제조 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0820371B2 (ja) * | 1988-01-21 | 1996-03-04 | 株式会社ニコン | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP4761990A patent/JP2584091B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9671686B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03249650A (ja) | 1991-11-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |