JP2581168B2 - R−134aの製造法 - Google Patents
R−134aの製造法Info
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- JP2581168B2 JP2581168B2 JP63151187A JP15118788A JP2581168B2 JP 2581168 B2 JP2581168 B2 JP 2581168B2 JP 63151187 A JP63151187 A JP 63151187A JP 15118788 A JP15118788 A JP 15118788A JP 2581168 B2 JP2581168 B2 JP 2581168B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はR−12(CCl2F2)の有望な代替候補とみなさ
れているR−134a(CF3CH2F)の製造法に関するもので
ある。
れているR−134a(CF3CH2F)の製造法に関するもので
ある。
[従来の技術および課題] R−134a(CF3CH2F)の製造については、式CF2XCFYZ
(式中、Xはフッ素または塩素である。Xはフッ素であ
る場合にはY、Zは塩素、フッ素または水素であり、
Y、Zの一方がフッ素である場合にはY、Zの他方は水
素または塩素である。Xが塩素である場合には、Y、Z
の一方はフッ素であり、Y、Zの他方は塩素または水素
である。)で表わされる4個または5個のフッ素原子を
有するハロエタン原料を水素化触媒の存在下で水素と反
応させる方法がその一つの手段として挙げられる。ここ
で、典型的なハロエタン原料は1,1−ジクロロ−1,2,2,2
−テトラフルオロエタン(CF3CCl2F)である。この方法
においては、ハロエタン原料から2個の塩素原子を除去
し、これらを水素で置き換える。
(式中、Xはフッ素または塩素である。Xはフッ素であ
る場合にはY、Zは塩素、フッ素または水素であり、
Y、Zの一方がフッ素である場合にはY、Zの他方は水
素または塩素である。Xが塩素である場合には、Y、Z
の一方はフッ素であり、Y、Zの他方は塩素または水素
である。)で表わされる4個または5個のフッ素原子を
有するハロエタン原料を水素化触媒の存在下で水素と反
応させる方法がその一つの手段として挙げられる。ここ
で、典型的なハロエタン原料は1,1−ジクロロ−1,2,2,2
−テトラフルオロエタン(CF3CCl2F)である。この方法
においては、ハロエタン原料から2個の塩素原子を除去
し、これらを水素で置き換える。
本還元反応においては塩化水素が副生するため触媒に
は耐酸性が要求される。従って、白金族元素または白金
族元素を主成分とする合金触媒が使用可能である。この
ための触媒として既に比較的低コストの貴金属であるパ
ラジウムを用いる方法が報告されている。(特公昭56−
38131号公報を参照)しかし、耐久性が必ずしも充分で
はない他、目的成分であるR−134aの選択率も充分では
なく、より還元の進んだR−143a(CF3CH3)の生成が比
較的多いという欠点を有している。
は耐酸性が要求される。従って、白金族元素または白金
族元素を主成分とする合金触媒が使用可能である。この
ための触媒として既に比較的低コストの貴金属であるパ
ラジウムを用いる方法が報告されている。(特公昭56−
38131号公報を参照)しかし、耐久性が必ずしも充分で
はない他、目的成分であるR−134aの選択率も充分では
なく、より還元の進んだR−143a(CF3CH3)の生成が比
較的多いという欠点を有している。
[課題を解決するための手段] 通常、固体担持触媒は粒径100Å内外の非常に活性な
微粒子から構成されており、シンタリング抑制対策が必
要である。パラジウムの融点は白金族元素の通では融点
が低く、したがって原子の移動が活発になる温度が低
い。それゆえ触媒寿命が充分ではない原因の一つとして
パラジウム微粒子のシンタリングが考えられる。触媒の
シンタリングは異種金属の追加、すなわち合金化、およ
び酸化物分散によって抑制できることが知られている。
微粒子から構成されており、シンタリング抑制対策が必
要である。パラジウムの融点は白金族元素の通では融点
が低く、したがって原子の移動が活発になる温度が低
い。それゆえ触媒寿命が充分ではない原因の一つとして
パラジウム微粒子のシンタリングが考えられる。触媒の
シンタリングは異種金属の追加、すなわち合金化、およ
び酸化物分散によって抑制できることが知られている。
一方、本反応は下式に示すように逐次反応であり目的
生成物に加え、R−124(CF3CHClF)、R−143a(CF3CH
3)も相当量生成する。それゆえ、R−134aの選択率に
すぐれた触媒の開発が要望されている。特に、目的生成
物であるR−134aが還元されてできるR−143aの生成抑
制はきわめて重要である。
生成物に加え、R−124(CF3CHClF)、R−143a(CF3CH
3)も相当量生成する。それゆえ、R−134aの選択率に
すぐれた触媒の開発が要望されている。特に、目的生成
物であるR−134aが還元されてできるR−143aの生成抑
制はきわめて重要である。
上式の一連の反応は触媒表面で生起する不均一反応で
あり、反応種の触媒表面への吸着が不可欠である。すな
わち、本反応に関するマイクロメカニズムは必ずしも明
らかにはされていないが、気相にある水素分子が触媒表
面に吸着して初めて生ずる吸着水素原子とハロエタンが
触媒表面で反応して還元反応が進行すると考えられる。
而して上式の3つのステージにおいて、およびは脱
塩素水素化反応であるのに対し、のステージは脱フッ
素水素化反応であって、およびに比較して反応の活
性化エネルギーが大きいと推定される。したがって、R
−143aの生成抑制にはR−134aの触媒表面への吸着を抑
制し、平均滞留時間を低減することが効果的であると考
えられる。固体表面への分子の吸着は様々な要因が複雑
に関係するため、明快な解釈は困難であるが、一般的に
言って、吸着種と固体表面の電子構造および幾何的な因
子が重要な要素となる。化学吸着エネルギーはd−電子
数と関係があり、d−殻の満たされていない遷移元素は
大きな吸着エネルギーを有する。遷移元素の中で水素還
元活性に優れるものが多いPt、Pd、Ni、Rh、Co、Ru等に
VIII族元素のd−電子数は6〜10までの範囲に分布して
おり、比較的満たされているといえる。とりわけ、Pd、
Pt等はd−電子数がそれぞれ9および10であって、特に
吸着エネルギーが少ない傾向にある。
あり、反応種の触媒表面への吸着が不可欠である。すな
わち、本反応に関するマイクロメカニズムは必ずしも明
らかにはされていないが、気相にある水素分子が触媒表
面に吸着して初めて生ずる吸着水素原子とハロエタンが
触媒表面で反応して還元反応が進行すると考えられる。
而して上式の3つのステージにおいて、およびは脱
塩素水素化反応であるのに対し、のステージは脱フッ
素水素化反応であって、およびに比較して反応の活
性化エネルギーが大きいと推定される。したがって、R
−143aの生成抑制にはR−134aの触媒表面への吸着を抑
制し、平均滞留時間を低減することが効果的であると考
えられる。固体表面への分子の吸着は様々な要因が複雑
に関係するため、明快な解釈は困難であるが、一般的に
言って、吸着種と固体表面の電子構造および幾何的な因
子が重要な要素となる。化学吸着エネルギーはd−電子
数と関係があり、d−殻の満たされていない遷移元素は
大きな吸着エネルギーを有する。遷移元素の中で水素還
元活性に優れるものが多いPt、Pd、Ni、Rh、Co、Ru等に
VIII族元素のd−電子数は6〜10までの範囲に分布して
おり、比較的満たされているといえる。とりわけ、Pd、
Pt等はd−電子数がそれぞれ9および10であって、特に
吸着エネルギーが少ない傾向にある。
次に、幾何的な因子について検討する。上記の一連の
分子は非常に安定なCF3基を有しており、触媒表面で反
応が生起する場合、CF3基の反対側のCXYZ基(X、Y、
Z:HまたはClまたはF)と触媒表面との相互作用が重要
であると推定される。上記反応式においてR−114aおよ
びR−124は大きな塩素原子をそれぞれ2個および1個
有しており、サイズの大きな分子であるのに対し、R−
134aおよびR−143aは塩素原子を含まず、前記ハロエタ
ンに比べてサイズが小さい。およびの反応を速やか
に進行させ、かつの反応を抑止するためには塩素原子
が無く従って、サイズの小さいR−134a分子の吸着を抑
制すべく、触媒金属の格子定数を拡大することが有効と
考えられる。格子の拡大は吸着エネルギーが小さく従っ
て、触媒活性の低い元素を添加し触媒原子の間に挿入す
ることまたは格子常数の大きな金属原子を添加し合金化
することにより達成できる。添加元素としてはd−電子
の満たされている典型元素の中で上記反応において耐食
性を有し、かつ触媒毒とならない元素として1B族元素が
選ばれる。かくして、これらの基本的原理をもとに合金
の組合せ、組成比、触媒調製条件等の最適化を鋭意検討
した結果、耐久性、選択性に優れた触媒を用いて本発明
を提供するに至ったものである。すなわち本発明はR−
114a(CF3CCl2F)を、白金族元素を基本成分とし、IB族
元素から選ばれる1種または2種以上の元素を第1添加
成分として、さらに高融点金属を第2添加成分として含
む水素化触媒の存在下で水素と反応させることを特徴と
するR−134aの製造法である。以下、その詳細について
述べる。
分子は非常に安定なCF3基を有しており、触媒表面で反
応が生起する場合、CF3基の反対側のCXYZ基(X、Y、
Z:HまたはClまたはF)と触媒表面との相互作用が重要
であると推定される。上記反応式においてR−114aおよ
びR−124は大きな塩素原子をそれぞれ2個および1個
有しており、サイズの大きな分子であるのに対し、R−
134aおよびR−143aは塩素原子を含まず、前記ハロエタ
ンに比べてサイズが小さい。およびの反応を速やか
に進行させ、かつの反応を抑止するためには塩素原子
が無く従って、サイズの小さいR−134a分子の吸着を抑
制すべく、触媒金属の格子定数を拡大することが有効と
考えられる。格子の拡大は吸着エネルギーが小さく従っ
て、触媒活性の低い元素を添加し触媒原子の間に挿入す
ることまたは格子常数の大きな金属原子を添加し合金化
することにより達成できる。添加元素としてはd−電子
の満たされている典型元素の中で上記反応において耐食
性を有し、かつ触媒毒とならない元素として1B族元素が
選ばれる。かくして、これらの基本的原理をもとに合金
の組合せ、組成比、触媒調製条件等の最適化を鋭意検討
した結果、耐久性、選択性に優れた触媒を用いて本発明
を提供するに至ったものである。すなわち本発明はR−
114a(CF3CCl2F)を、白金族元素を基本成分とし、IB族
元素から選ばれる1種または2種以上の元素を第1添加
成分として、さらに高融点金属を第2添加成分として含
む水素化触媒の存在下で水素と反応させることを特徴と
するR−134aの製造法である。以下、その詳細について
述べる。
一般的に、触媒を合金化した場合、組成に依存して成
分元素の特性が現われることが多い。しかし、IB族元素
をVIII族元素還元触媒に添加した場合には、理由は必ず
しも明確にはなっていないが還元活性がそれほど低下し
ないことがシクロプロパン、アセチレン、メチルアセチ
レン等の水素化反応において知られている。本反応にお
いても高い活性が得られることが判明した。
分元素の特性が現われることが多い。しかし、IB族元素
をVIII族元素還元触媒に添加した場合には、理由は必ず
しも明確にはなっていないが還元活性がそれほど低下し
ないことがシクロプロパン、アセチレン、メチルアセチ
レン等の水素化反応において知られている。本反応にお
いても高い活性が得られることが判明した。
本発明における水素化触媒中のIB族元素の添加量は、
0.01〜60重量%、好ましくは0.1〜30重量%がVIII族元
素の水素還元活性を活かす上で好適である。
0.01〜60重量%、好ましくは0.1〜30重量%がVIII族元
素の水素還元活性を活かす上で好適である。
一方、IB族元素は融点が比較的低くシンタリング抑制
を発揮するためには必ずしも最適の添加成分ではない。
融点が高く、耐酸性を有する金属がより好ましい。すな
わち、コバルト、ニッケル、レニウム、モリブデン、タ
ングステン、ニオブ、タンタル等の中から選ばれる1種
または2種以上の金属が使用できる。一般的に、触媒を
合金化した場合のシリンタリング抑制効果は添加量0.1
%以上で認められることが多い。上記、合金化による選
択率向上の効果に影響を与えないためには添加量をでき
るだけ少なくすることが望ましい。本発明における水素
化触媒中の添加量としては0.01〜10重量%、好ましくは
0.1〜2重量%が好適である。
を発揮するためには必ずしも最適の添加成分ではない。
融点が高く、耐酸性を有する金属がより好ましい。すな
わち、コバルト、ニッケル、レニウム、モリブデン、タ
ングステン、ニオブ、タンタル等の中から選ばれる1種
または2種以上の金属が使用できる。一般的に、触媒を
合金化した場合のシリンタリング抑制効果は添加量0.1
%以上で認められることが多い。上記、合金化による選
択率向上の効果に影響を与えないためには添加量をでき
るだけ少なくすることが望ましい。本発明における水素
化触媒中の添加量としては0.01〜10重量%、好ましくは
0.1〜2重量%が好適である。
本発明において、水素化触媒の担体としては、例え
ば、アルミナ、活性炭、ジルコニア等が好適である。担
持方法は、従来の貴金属触媒の調製法が適用可能であ
る。なお、使用に当たってはかかる金属の化合物は少な
くとも一部還元する。
ば、アルミナ、活性炭、ジルコニア等が好適である。担
持方法は、従来の貴金属触媒の調製法が適用可能であ
る。なお、使用に当たってはかかる金属の化合物は少な
くとも一部還元する。
水素と原料の割合は大幅に変動させ得る。しかしなが
ら、通常、化学量論量の水素を使用してハロゲン原子を
水素で置き換える。出発物質の全モル数に対して、化学
量論量よりかなり多い量、例えば4モルまたはそれ以上
の水を使用し得る。
ら、通常、化学量論量の水素を使用してハロゲン原子を
水素で置き換える。出発物質の全モル数に対して、化学
量論量よりかなり多い量、例えば4モルまたはそれ以上
の水を使用し得る。
反応圧力については常圧、または常圧以上の圧力が使
用し得る。
用し得る。
反応温度は120℃以上が望ましいが、450℃を越えない
温度において気相で行なうことが、反応選択性、触媒寿
命の観点から見て好ましい。
温度において気相で行なうことが、反応選択性、触媒寿
命の観点から見て好ましい。
接触時間は、反応を気相で行なう場合には通常0.1〜3
00秒、特には2〜60秒である。
00秒、特には2〜60秒である。
[実施例] 以下に本発明の実施例を示す。
調製例 1 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに塩化パラジウム、硫酸銅およびタングステン
酸カリウムをそれぞれの金属成分の重量比で90:9:1の割
合で、活性炭の重量に対し金属成分の全重量で0.5%だ
け溶解した水溶液を少しずつ滴下しイオン成分を活性炭
に吸着させた。純水を用いて洗浄した後、それを150℃
で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で4時間乾燥した
後、水素を導入し、5時間、250℃に保持して還元し
た。
た。これに塩化パラジウム、硫酸銅およびタングステン
酸カリウムをそれぞれの金属成分の重量比で90:9:1の割
合で、活性炭の重量に対し金属成分の全重量で0.5%だ
け溶解した水溶液を少しずつ滴下しイオン成分を活性炭
に吸着させた。純水を用いて洗浄した後、それを150℃
で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で4時間乾燥した
後、水素を導入し、5時間、250℃に保持して還元し
た。
調製例 2 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに硫酸パラジウム、硝酸銀およびタングステン
酸カリウムをそれぞれの金属成分の重量比で90:9:1の割
合で、活性炭の重量に対し金属成分の全重量で0.5%だ
け溶解した水溶液を少しずつ滴下しイオン成分を活性炭
に吸着させた。純水を用いて洗浄した後、それを150℃
で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で4時間乾燥した
後、水素を導入し、5時間、250℃に保持して還元し
た。
た。これに硫酸パラジウム、硝酸銀およびタングステン
酸カリウムをそれぞれの金属成分の重量比で90:9:1の割
合で、活性炭の重量に対し金属成分の全重量で0.5%だ
け溶解した水溶液を少しずつ滴下しイオン成分を活性炭
に吸着させた。純水を用いて洗浄した後、それを150℃
で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で4時間乾燥した
後、水素を導入し、5時間、250℃に保持して還元し
た。
調製例 3 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに塩化パラジウム、塩化金酸および塩化ニッケ
ルをそれぞれの金属成分の重量比で90:9:1の割合で、活
性炭の重量に対し金属成分の全重量で0.5%だけ溶解し
た水溶液を少しずつ滴下しイオン成分を活性炭に吸着さ
せた。純水を用いて洗浄した後、それを150℃で5時間
乾燥した。次に窒素中500℃で4時間乾燥した後、水素
を導入し、5時間、250℃に保持して還元した。
た。これに塩化パラジウム、塩化金酸および塩化ニッケ
ルをそれぞれの金属成分の重量比で90:9:1の割合で、活
性炭の重量に対し金属成分の全重量で0.5%だけ溶解し
た水溶液を少しずつ滴下しイオン成分を活性炭に吸着さ
せた。純水を用いて洗浄した後、それを150℃で5時間
乾燥した。次に窒素中500℃で4時間乾燥した後、水素
を導入し、5時間、250℃に保持して還元した。
調製例 4 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに硫酸ロジウム、硝酸銀および過レニウム酸カ
リウムをロジウム、銀およびレニウムの各金属成分の重
量比で90:9:1の割合で、活性炭の重量に対し金属成分の
全重量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しずつ滴下しイ
オン成分を活性炭に吸着させた。純水を用いて洗浄した
後、それを150℃で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で
4時間乾燥した後、水素を導入し、5時間、300℃に保
持して還元した。
た。これに硫酸ロジウム、硝酸銀および過レニウム酸カ
リウムをロジウム、銀およびレニウムの各金属成分の重
量比で90:9:1の割合で、活性炭の重量に対し金属成分の
全重量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しずつ滴下しイ
オン成分を活性炭に吸着させた。純水を用いて洗浄した
後、それを150℃で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で
4時間乾燥した後、水素を導入し、5時間、300℃に保
持して還元した。
調製例 5 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに塩化ロジウム、塩化金酸およびタングステン
酸カリウムをロジウム、金およびタングステンの各金属
成分の重量比で90:8:2の割合で、活性炭の重量に対し金
属成分の全重量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しずつ
滴下しイオン成分を活性炭に吸着させた。純水を用いて
洗浄した後、それを150℃で5時間乾燥した。次に窒素
中550℃で4時間乾燥した後、水素を導入し、5時間、3
00℃に保持して還元した。
た。これに塩化ロジウム、塩化金酸およびタングステン
酸カリウムをロジウム、金およびタングステンの各金属
成分の重量比で90:8:2の割合で、活性炭の重量に対し金
属成分の全重量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しずつ
滴下しイオン成分を活性炭に吸着させた。純水を用いて
洗浄した後、それを150℃で5時間乾燥した。次に窒素
中550℃で4時間乾燥した後、水素を導入し、5時間、3
00℃に保持して還元した。
調製例 6 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに塩化白金酸、塩化金酸および過レニウム酸カ
リウムを白金、金およびレニウムの各金属成分の重量比
で90:8:2の割合で、活性炭の重量に対し金属成分の全重
量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しずつ滴下しイオン
成分を活性炭に吸着させた。純水を用いて洗浄した後、
それを150℃で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で4時
間乾燥した後、水素を導入し、5時間、300℃に保持し
て還元した。
た。これに塩化白金酸、塩化金酸および過レニウム酸カ
リウムを白金、金およびレニウムの各金属成分の重量比
で90:8:2の割合で、活性炭の重量に対し金属成分の全重
量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しずつ滴下しイオン
成分を活性炭に吸着させた。純水を用いて洗浄した後、
それを150℃で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で4時
間乾燥した後、水素を導入し、5時間、300℃に保持し
て還元した。
調製例 7 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに硫酸ルテニウム、硝酸銀およびタングステン
酸カリウムをルテニウム、銀およびタングステンの各金
属成分の重量比で90:9:1の割合で、活性炭の重量に対し
金属成分の全重量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しず
つ滴下しイオン成分を活性炭に吸着させた。純水を用い
て洗浄した後、それを150℃で5時間乾燥した。次に窒
素中550℃で4時間乾燥した後、水素を導入し、5時
間、300℃に保持して還元した。
た。これに硫酸ルテニウム、硝酸銀およびタングステン
酸カリウムをルテニウム、銀およびタングステンの各金
属成分の重量比で90:9:1の割合で、活性炭の重量に対し
金属成分の全重量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しず
つ滴下しイオン成分を活性炭に吸着させた。純水を用い
て洗浄した後、それを150℃で5時間乾燥した。次に窒
素中550℃で4時間乾燥した後、水素を導入し、5時
間、300℃に保持して還元した。
調製例 8 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに塩化ルテニウム、塩化金酸およびモリブデン
酸アンモニウムをそれぞれの金属成分の重量比で90:9:1
の割合で、活性炭の重量に対し金属成分の全重量で0.5
%だけ溶解した水溶液を少しずつ滴下しイオン成分を活
性炭に吸着させた。純水を用いて洗浄した後、それを15
0℃で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で4時間乾燥し
た後、水素を導入し、5時間、300℃に保持して還元し
た。
た。これに塩化ルテニウム、塩化金酸およびモリブデン
酸アンモニウムをそれぞれの金属成分の重量比で90:9:1
の割合で、活性炭の重量に対し金属成分の全重量で0.5
%だけ溶解した水溶液を少しずつ滴下しイオン成分を活
性炭に吸着させた。純水を用いて洗浄した後、それを15
0℃で5時間乾燥した。次に窒素中550℃で4時間乾燥し
た後、水素を導入し、5時間、300℃に保持して還元し
た。
比較調製例 活性炭を純水中に浸漬し細孔内部まで水を含浸させ
た。これに塩化パラジウムを、活性炭の重量に対し金属
成分の全重量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しずつ滴
下しイオン成分を活性炭に吸着させた。純水を用いて洗
浄した後、それを150℃で5時間乾燥した。次に窒素中5
50℃で4時間乾燥した後、水素を導入し、5時間、300
℃に保持して還元した。
た。これに塩化パラジウムを、活性炭の重量に対し金属
成分の全重量で0.5%だけ溶解した水溶液を少しずつ滴
下しイオン成分を活性炭に吸着させた。純水を用いて洗
浄した後、それを150℃で5時間乾燥した。次に窒素中5
50℃で4時間乾燥した後、水素を導入し、5時間、300
℃に保持して還元した。
例 1〜8(実施例) 調製例のようにして調製した触媒を300cc充填した内
径2.54cm、長さ100cmのインコネル600製反応管を塩浴炉
中に浸漬した。
径2.54cm、長さ100cmのインコネル600製反応管を塩浴炉
中に浸漬した。
水素と出発物質(1,1−ジクロロ−1,2,2,2−テトラフ
ルオロエタンと1,2−ジクロロ−1,1,2,2−テトラフルオ
ロエタンよりなる。モル比で95:5)を2:1のモル比で反
応管に導入した。水素、出発物質の流量はそれぞれ、10
0cc/分、50cc/分とした。反応温度は200℃、接触時間は
20秒であった。反応管出口のガス組成をガスクロを用い
て分析した。その結果、主な反応生成物はR−124、R
−134aおよびR−143aであることを確認した。それらの
なかでR−134aとR−143aの選択率について第1表に示
す。
ルオロエタンと1,2−ジクロロ−1,1,2,2−テトラフルオ
ロエタンよりなる。モル比で95:5)を2:1のモル比で反
応管に導入した。水素、出発物質の流量はそれぞれ、10
0cc/分、50cc/分とした。反応温度は200℃、接触時間は
20秒であった。反応管出口のガス組成をガスクロを用い
て分析した。その結果、主な反応生成物はR−124、R
−134aおよびR−143aであることを確認した。それらの
なかでR−134aとR−143aの選択率について第1表に示
す。
例9(比較例) 比較調製例のようにして調製した触媒を用いて、例1
〜8(実施例)と同様にして反応を行ない反応管出口の
ガス組成を分析した。その結果、主な反応生成物はR−
124、R−134aおよびR−143aであることを確認した。
それらのなかでR−134aと143aの選択率について第1表
に示す。
〜8(実施例)と同様にして反応を行ない反応管出口の
ガス組成を分析した。その結果、主な反応生成物はR−
124、R−134aおよびR−143aであることを確認した。
それらのなかでR−134aと143aの選択率について第1表
に示す。
実施例に用いた触媒は反応開始後500時間を越えても
特性の変化はほとんど認められず安定であることを確認
した。
特性の変化はほとんど認められず安定であることを確認
した。
[発明の効果] 本発明は、実施例に示すように、触媒の耐久性の向上
において優れた効果を有する。
において優れた効果を有する。
Claims (5)
- 【請求項1】R−114a(CF3CCl2F)を、白金族元素を基
本成分とし、IB族元素から選ばれる1種または2種以上
の元素を第1添加成分として、さらに高融点金属を第2
添加成分として含む水素化触媒の存在下で水素と反応さ
せることを特徴とするCF3CH2Fで表わされるR−134aの
製造法。 - 【請求項2】第2添加成分がタングステン、レニウム、
モリブデン、およびニッケルから選ばれる1種または2
種以上の元素である特許請求の範囲第1項に記載の製造
法。 - 【請求項3】水素化触媒が第1添加成分および第2添加
成分をそれぞれ0.01〜60重量%および0.01〜10重量%の
割合で含む白金族元素を基本成分とする合金である特許
請求の範囲第1項または第2項に記載の製造法。 - 【請求項4】水素化触媒が活性炭担体上、アルミナ担体
上またはジルコニア担体上に担持されている特許請求の
範囲第1〜3項のいずれか一項に記載の製造法。 - 【請求項5】反応が気相中において120℃〜450℃の温度
範囲で行なう特許請求の範囲第1〜4項のいずれか一項
に記載の製造法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63151187A JP2581168B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | R−134aの製造法 |
EP89111176A EP0347830B1 (en) | 1988-06-21 | 1989-06-20 | Process for producing 1,1,1,2-tetrafluoroethane |
CA000603343A CA1337434C (en) | 1988-06-21 | 1989-06-20 | Process for producing 1,1,1,2-tetrafluoroethane |
DE68912657T DE68912657T2 (de) | 1988-06-21 | 1989-06-20 | Verfahren zur Herstellung von 1,1,1,2-Tetrafluorethan. |
US08/308,612 US5426253A (en) | 1988-06-21 | 1994-09-19 | Process for producing 1,1,1,2-tetrafluoroethane |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63151187A JP2581168B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | R−134aの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01319437A JPH01319437A (ja) | 1989-12-25 |
JP2581168B2 true JP2581168B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=15513182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63151187A Expired - Lifetime JP2581168B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | R−134aの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2581168B2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP63151187A patent/JP2581168B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01319437A (ja) | 1989-12-25 |
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