JP2577398B2 - 新規な光学活性シッフ塩基化合物及びその製造方法 - Google Patents
新規な光学活性シッフ塩基化合物及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は液晶材料として有用な新規な光学活性シッフ
塩基化合物及びその製造方法に関する。
塩基化合物及びその製造方法に関する。
［従来技術］ 現在、液晶材料は表示用素子に広く使用されている
が、これらの液晶表示素子の殆どはネマチック液晶を用
いるTN（Twisted Nematic）型表示方式のものである。
しかしこの方式は応答速度が遅く、せいぜい数msecのオ
ーダーの応答速度しか得られないという欠点がある。
が、これらの液晶表示素子の殆どはネマチック液晶を用
いるTN（Twisted Nematic）型表示方式のものである。
しかしこの方式は応答速度が遅く、せいぜい数msecのオ
ーダーの応答速度しか得られないという欠点がある。
このため、TN型表示方式に代る別の原理による液晶表
示方式が種々試みられているが、その一つに強誘電性液
晶を利用する表示方式［N.A.Clarksら;Applied Phys.Le
tt.36,899（1980）］がある。この方式は強誘電性のカ
イラルスメクチック相、特にカイラルスメクチックＣ相
を利用するもので、高速光スイッチング用として注目を
集めている。このような強誘電性液晶材料は既に幾つか
知られているが（例えば特開昭60−199865号公報）、充
分満足し得る性質を示すものはない。
示方式が種々試みられているが、その一つに強誘電性液
晶を利用する表示方式［N.A.Clarksら;Applied Phys.Le
tt.36,899（1980）］がある。この方式は強誘電性のカ
イラルスメクチック相、特にカイラルスメクチックＣ相
を利用するもので、高速光スイッチング用として注目を
集めている。このような強誘電性液晶材料は既に幾つか
知られているが（例えば特開昭60−199865号公報）、充
分満足し得る性質を示すものはない。
［目的］ 本発明の目的は光スイッチング方式に好適な液晶材料
として応答速度が速い等、充分満足し得る性質を有する
新規な光学活性シッフ塩基化合物及びその製造方法を提
供することである。
として応答速度が速い等、充分満足し得る性質を有する
新規な光学活性シッフ塩基化合物及びその製造方法を提
供することである。
［構成］ 本発明の新規な光学活性シッフ塩基化合物は一般式Ｉ （但しＲは炭素数16以下のアルコキシ基、ｎは１又は２
の整数、また＊は不斉炭素原子を表わす。） で示されるものである。
の整数、また＊は不斉炭素原子を表わす。） で示されるものである。
また本発明の前記一般式Ｉで示される光学活性シッフ
塩基化合物の製造方法は式II （但し＊は前述のとおり） で示される４−アミノ安息香酸−１−メチル−２−エト
キシカルボニルエチルエステルと一般式III （但しＲ、ｎは前述のとおり） で示されるアルデヒド類とを縮合反応させることを特徴
とするものである。なお式IIの化合物も新規化合物であ
る。
塩基化合物の製造方法は式II （但し＊は前述のとおり） で示される４−アミノ安息香酸−１−メチル−２−エト
キシカルボニルエチルエステルと一般式III （但しＲ、ｎは前述のとおり） で示されるアルデヒド類とを縮合反応させることを特徴
とするものである。なお式IIの化合物も新規化合物であ
る。
本発明の前記一般式Ｉで示されるシッフ塩基化合物の
最も大きな特徴は不斉源として光学活性２級アルコール
である１−メチル−２−エトキシカルボニルエタノール
を用いたことである。
最も大きな特徴は不斉源として光学活性２級アルコール
である１−メチル−２−エトキシカルボニルエタノール
を用いたことである。
従来、強誘電性液晶として研究されてきた化合物の多
くは光学活性１級アルコールを不斉源とした化合物であ
った。これに対して本発明の化合物は一般式Ｉに示すよ
うに２級アルコールを不斉源としているために、不斉源
と分子軸に垂直な双極子モーメントの位置が近づき、そ
の結果化合物の液晶状態における自発分極等の電気特性
を飛躍的に向上させることができる。
くは光学活性１級アルコールを不斉源とした化合物であ
った。これに対して本発明の化合物は一般式Ｉに示すよ
うに２級アルコールを不斉源としているために、不斉源
と分子軸に垂直な双極子モーメントの位置が近づき、そ
の結果化合物の液晶状態における自発分極等の電気特性
を飛躍的に向上させることができる。
以上のような一般式Ｉの光学活性シッフ塩基化合物の
具体例としては下記のものがあげられる。
具体例としては下記のものがあげられる。
これら一般式Ｉの化合物は一般に式IIの４−アミノ安
息香酸−１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエ
ステルと一般式IIIのアルデヒド類とを無水溶媒中、室
温で縮合反応することにより得られる。溶媒としては無
水アルコール、酢酸エチル、トルエン等が使用される。
また必要に応じて触媒として酢酸、Ｐ−トルエンスルホ
ン酸等の酸を使用することができる。なお式IIの化合物
と一般式IIIの化合物との割合は化学量論量でよい。
息香酸−１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエ
ステルと一般式IIIのアルデヒド類とを無水溶媒中、室
温で縮合反応することにより得られる。溶媒としては無
水アルコール、酢酸エチル、トルエン等が使用される。
また必要に応じて触媒として酢酸、Ｐ−トルエンスルホ
ン酸等の酸を使用することができる。なお式IIの化合物
と一般式IIIの化合物との割合は化学量論量でよい。
なお式IIの化合物は例えば下記反応式に従って、４−
ニトロ安息香酸クロリド（IV）と、（Ｓ）１−メチル−
２−エトキシカルボニルエタノール（Ｖ）とをピリジン
のような塩基性触媒の存在下に縮合反応させて光学活性
４−ニトロ安息香酸−１−メチル−２−エトキシカルボ
ニルエチルエステル（VI）とし、次にこれにPd−Ｃのよ
うな還元触媒の存在下に還元することにより得られる。
ニトロ安息香酸クロリド（IV）と、（Ｓ）１−メチル−
２−エトキシカルボニルエタノール（Ｖ）とをピリジン
のような塩基性触媒の存在下に縮合反応させて光学活性
４−ニトロ安息香酸−１−メチル−２−エトキシカルボ
ニルエチルエステル（VI）とし、次にこれにPd−Ｃのよ
うな還元触媒の存在下に還元することにより得られる。
一方、一般式IIIのアルデヒド類のうちｎ＝１の４−
アルコキシベンズアルデヒドは市販品として入手でき、
またｎ＝２の４−（４′−アルコキシフェニル）ベンズ
アルデヒドは市販の４−（４′−アルコキシフェニル）
ベンゾニトリルを公知の方法［例えばJ.Org.Chem.,24,6
27（1959）］で還元して得られる。
アルコキシベンズアルデヒドは市販品として入手でき、
またｎ＝２の４−（４′−アルコキシフェニル）ベンズ
アルデヒドは市販の４−（４′−アルコキシフェニル）
ベンゾニトリルを公知の方法［例えばJ.Org.Chem.,24,6
27（1959）］で還元して得られる。
以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。なお実施例における透明点温度の値は測定法や化合
物の純度によって若干変動するものである。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。なお実施例における透明点温度の値は測定法や化合
物の純度によって若干変動するものである。
実施例１ 化合物（１）［光学活性４−（４′−ｎ−デシルオキシ
ベンジリデンアミノ）安息香酸−１−メチル−２−エト
キシカルボニルエチルエステル］の製造 A.光学活性４−ニトロ安息香酸−１−メチル−２−エト
キシカルボニルエチルエステル（VI）の製造： 市販の（Ｓ）１−メチル−２−エトキシカルボニルエ
タノール（Ｖ）13.2g（0.1モル）をピリジン100mlに溶
解し、冷却しながらこれに市販の４−ニトロ安息香酸ク
ロリド（IV）20.4g（0.11モル）を加え、50〜60℃で２
時間攪拌反応させた。反応終了後、この中に水150ml及
びトルエン150mlを入れてよく攪拌し、分離したトリエ
ン層を6N−HClで洗浄し、引続き中性になるまで水洗し
た。トルエン層は無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
トルエンを留去し、次いで残査に対しトルエンを展開溶
媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィ処理を行
い、粗製の目的物（VI）26.9gを得た。
ベンジリデンアミノ）安息香酸−１−メチル−２−エト
キシカルボニルエチルエステル］の製造 A.光学活性４−ニトロ安息香酸−１−メチル−２−エト
キシカルボニルエチルエステル（VI）の製造： 市販の（Ｓ）１−メチル−２−エトキシカルボニルエ
タノール（Ｖ）13.2g（0.1モル）をピリジン100mlに溶
解し、冷却しながらこれに市販の４−ニトロ安息香酸ク
ロリド（IV）20.4g（0.11モル）を加え、50〜60℃で２
時間攪拌反応させた。反応終了後、この中に水150ml及
びトルエン150mlを入れてよく攪拌し、分離したトリエ
ン層を6N−HClで洗浄し、引続き中性になるまで水洗し
た。トルエン層は無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、
トルエンを留去し、次いで残査に対しトルエンを展開溶
媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィ処理を行
い、粗製の目的物（VI）26.9gを得た。
B.光学活性４−アミノ安息香酸−１−メチル−２−エト
キシカルボニルエチルエステル（II）の製造： 前記Ａで得た４−ニトロ安息香酸−１−メチル−２−
エトキシカルボニルエチルエステル26.9gを1,4−ジオキ
サン100mlに溶解し、Pd−Ｃ触媒0.9gの存在下に室温に
還元反応を行った。反応終了後、Pd−Ｃを濾過により除
き、1,4−ジオキサンを留去し、残渣を減圧蒸溜。178〜
180℃/1mmHgの留分を集め純粋な目的物（II）21.6gを得
た。
キシカルボニルエチルエステル（II）の製造： 前記Ａで得た４−ニトロ安息香酸−１−メチル−２−
エトキシカルボニルエチルエステル26.9gを1,4−ジオキ
サン100mlに溶解し、Pd−Ｃ触媒0.9gの存在下に室温に
還元反応を行った。反応終了後、Pd−Ｃを濾過により除
き、1,4−ジオキサンを留去し、残渣を減圧蒸溜。178〜
180℃/1mmHgの留分を集め純粋な目的物（II）21.6gを得
た。
旋光度：［α］Ｄ（＋）43.14゜（クロロホルム）元素
分析： また、この物質の赤外線吸収スペクトルを第１図に示
す。
分析： また、この物質の赤外線吸収スペクトルを第１図に示
す。
C.化合物（１）の製造： 前記Ｂで得た４−アミノ安息香酸−１−メチル−２−
エトキシカルボニルエチルエステル2.5g（0.01モル）及
び市販の４−ｎ−デシルオキシベンズアルデヒド2.9g
（0.011モル）を無水アルコール100mlに溶解し、室温で
１晩放置した後、得られた沈澱を無水エタノールから３
回再結晶して、純粋な目的物［化合物（１）］2.2gを得
た。
エトキシカルボニルエチルエステル2.5g（0.01モル）及
び市販の４−ｎ−デシルオキシベンズアルデヒド2.9g
（0.011モル）を無水アルコール100mlに溶解し、室温で
１晩放置した後、得られた沈澱を無水エタノールから３
回再結晶して、純粋な目的物［化合物（１）］2.2gを得
た。
このものの旋光度は［α］Ｄ（＋）27.59゜（クロロ
ホルム）であった。
ホルム）であった。
実施例２ 化合物（２）［光学活性４−（４′−ｎ−テトラデシル
オキシベンジリデンアミノ）安息香酸−１−メチル−２
−エトキシカルボニルエチルエステル］の製造 ４−ｎ−デシルオキシベンズアルデヒド2.9gの代りに
４−ｎ−テトラデシルベンズアルデヒド3.5g（0.011モ
ル）を用いた他は実施例１のＣと同じ方法で純粋な目的
物［化合物（２）］3.7gを得た。
オキシベンジリデンアミノ）安息香酸−１−メチル−２
−エトキシカルボニルエチルエステル］の製造 ４−ｎ−デシルオキシベンズアルデヒド2.9gの代りに
４−ｎ−テトラデシルベンズアルデヒド3.5g（0.011モ
ル）を用いた他は実施例１のＣと同じ方法で純粋な目的
物［化合物（２）］3.7gを得た。
旋光度：［α］Ｄ（＋）25.10゜（クロロホルム） 実施例３ 化合物（７）｛光学活性４−［４′−（４″−ｎ−デシ
ルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−１
−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル）の
製造 Ｄ−1,4−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンズ
アルデヒドの製造： 市販の４−（４′−ｎ−デジルオキシフェニル）ベン
ゾニトリル6.7g（0.02モル）をトルエン50mlに溶解し、
これに16％水素化ジイソブチルアルミニウムのトルエン
溶液26.7g（0.03モル）を窒素中で1.5時間に亘って滴下
した後、室温で８時間攪拌反応させた。反応終了後、反
応液を氷上に注ぎ、更に6N−HCl20ml及びトルエン300ml
を加えて攪拌し、分離したトルエン層を中性になるまで
水洗した。トルエン層は無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、トルエンを留去し、次いで残渣に対し、トルエン
を展開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィ処
理を行った後、エタノールから再結晶して純粋な目的物
4.9gを得た。
ルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−１
−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル）の
製造 Ｄ−1,4−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンズ
アルデヒドの製造： 市販の４−（４′−ｎ−デジルオキシフェニル）ベン
ゾニトリル6.7g（0.02モル）をトルエン50mlに溶解し、
これに16％水素化ジイソブチルアルミニウムのトルエン
溶液26.7g（0.03モル）を窒素中で1.5時間に亘って滴下
した後、室温で８時間攪拌反応させた。反応終了後、反
応液を氷上に注ぎ、更に6N−HCl20ml及びトルエン300ml
を加えて攪拌し、分離したトルエン層を中性になるまで
水洗した。トルエン層は無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た後、トルエンを留去し、次いで残渣に対し、トルエン
を展開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィ処
理を行った後、エタノールから再結晶して純粋な目的物
4.9gを得た。
融点:80.7〜82.0℃。
元素分析： Ｅ−１化合物（７）の製造： 実施例１のＢで得た４−アミノ安息香酸−１−メチル
−２−エトキシカルボニルエチルエステル1.5g（0.006
モル）及び前記Ｄ−１で得た４−（４′−ｎ−デシルオ
キシフェニル）ベンズアルデヒド2.0g（0.006モル）
を、エタノール〜酢酸エチルの等量混合溶媒100mlに溶
解し、室温で１晩放置した後、得られた沈澱をエタノー
ル〜酢酸エチルの等量混合溶媒から３回再結晶して純粋
な目的物［化合物（７）］1.3gを得た。
−２−エトキシカルボニルエチルエステル1.5g（0.006
モル）及び前記Ｄ−１で得た４−（４′−ｎ−デシルオ
キシフェニル）ベンズアルデヒド2.0g（0.006モル）
を、エタノール〜酢酸エチルの等量混合溶媒100mlに溶
解し、室温で１晩放置した後、得られた沈澱をエタノー
ル〜酢酸エチルの等量混合溶媒から３回再結晶して純粋
な目的物［化合物（７）］1.3gを得た。
このものの旋光度は［α］Ｄ（＋）（24.97゜（クロ
ロホルム）であった。
ロホルム）であった。
また、このものの赤外線吸収スペクトルを第２図に示
す。
す。
実施例４ 化合物（３）｛光学活性４−［４′−（４″−ｎ−ヘ
キシルフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−１−
メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル｝の製
造 Ｄ−2,4−（４′−ｎ−ヘキシルオキシフェニル）ベン
ズアルデヒドの製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４′−ｎ−ヘキシルオキシフェ
ニル）ベンゾニトリル5.6g（0.02モル）を用いた他は実
施例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物3.1gを得た。
キシルフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−１−
メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル｝の製
造 Ｄ−2,4−（４′−ｎ−ヘキシルオキシフェニル）ベン
ズアルデヒドの製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４′−ｎ−ヘキシルオキシフェ
ニル）ベンゾニトリル5.6g（0.02モル）を用いた他は実
施例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物3.1gを得た。
融点:77.5〜78.5℃ 元素分析： Ｅ−２化合物（３）の製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンズアル
デヒド2.0gの代りに前記Ｄ−２で得た４−（４′−ｎ−
ヘキシルオキシフェニル）ベンズアルデヒド1.7g（0.00
6モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純
粋な目的物［化合物（３）］1.2gを得た。
デヒド2.0gの代りに前記Ｄ−２で得た４−（４′−ｎ−
ヘキシルオキシフェニル）ベンズアルデヒド1.7g（0.00
6モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純
粋な目的物［化合物（３）］1.2gを得た。
旋光度： ［α］Ｄ（＋）27.56（クロロホルム） 実施例５ 化合物（４）｛光学活性４−［４′−（４″−ｎ−ヘ
プチルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸
−１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステ
ル）の製造： Ｄ−3,4−（４′−ｎ−ヘプチルオキシフェニル）ベン
ズアルデヒドの製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４′−ヘプチルオキシフェニ
ル）ベンゾニトリル5.9g（0.02モル）を用いた他は実施
例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物4.2gを得た。
プチルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸
−１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステ
ル）の製造： Ｄ−3,4−（４′−ｎ−ヘプチルオキシフェニル）ベン
ズアルデヒドの製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４′−ヘプチルオキシフェニ
ル）ベンゾニトリル5.9g（0.02モル）を用いた他は実施
例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物4.2gを得た。
融点:75.8〜76.5℃ 元素分析： Ｅ−３化合物（４）の製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンズアル
デヒド2.0gの代りに前記Ｄ−３で得た４−（４′−ｎ−
ヘプチルオキシフェニル）ベンズアルデヒド1.8g（0.00
6モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純
粋な目的物［化合物（４）］0.7gを得た。
デヒド2.0gの代りに前記Ｄ−３で得た４−（４′−ｎ−
ヘプチルオキシフェニル）ベンズアルデヒド1.8g（0.00
6モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純
粋な目的物［化合物（４）］0.7gを得た。
旋光度： ［α］Ｄ（＋）27.40（クロロホルム） 実施例６ 化合物（５）｛光学活性４−［４′−（４″−ｎ−オク
チルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−
１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル｝
の製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４−ｎ−オクチルオキシフェニ
ル）ベンゾニトリル6.2g（0.02モル）を用いた他は実施
例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物4.0gを得た。
チルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−
１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル｝
の製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４−ｎ−オクチルオキシフェニ
ル）ベンゾニトリル6.2g（0.02モル）を用いた他は実施
例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物4.0gを得た。
融点:79.5〜80.5℃ 元素分析： Ｅ−４化合物（５）の製造： ４（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンズアルデ
ヒド2.0gの代りに前記Ｄ−４で得た４−（４′−ｎ−オ
クチルオキシフェニル）ベンズアルデヒド1.9g（0.006
モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純粋
な目的物［化合物（５）］0.9gを得た。
ヒド2.0gの代りに前記Ｄ−４で得た４−（４′−ｎ−オ
クチルオキシフェニル）ベンズアルデヒド1.9g（0.006
モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純粋
な目的物［化合物（５）］0.9gを得た。
旋光度： ［α］Ｄ（＋）26.84（クロロホルム） 実施例７ 化合物（６）｛光学活性４−［４′−（４″−ｎ−ノ
ニルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−
１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル｝
の製造： Ｄ−5,4−（４′−ｎ−ノニルオキシフェニル）ベンズ
アルデヒドの製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４′−ｎ−ノニルオキシフェニ
ル）ベンゾニトリル6.4g（0.02モル）を用いた他は実施
例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物5.0gを得た。
ニルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−
１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル｝
の製造： Ｄ−5,4−（４′−ｎ−ノニルオキシフェニル）ベンズ
アルデヒドの製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４′−ｎ−ノニルオキシフェニ
ル）ベンゾニトリル6.4g（0.02モル）を用いた他は実施
例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物5.0gを得た。
融点:82.5〜83.2℃ 元素分析： Ｅ−５化合物（６）の製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンズアル
デヒド2.0gの代りに前記Ｄ−５で得た４−（４′−ｎ−
ノニルオキシフェニル）ベンズアルデヒド2.0g（0.006
モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純粋
な目的物［化合物（６）］1.5gを得た。
デヒド2.0gの代りに前記Ｄ−５で得た４−（４′−ｎ−
ノニルオキシフェニル）ベンズアルデヒド2.0g（0.006
モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純粋
な目的物［化合物（６）］1.5gを得た。
旋光度： ［α］Ｄ（＋）26.04（クロロホルム） 実施例８ 化合物（８）｛光学活性４−［４′−（４″−ｎ−ドデ
シルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−
１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル｝
の製造： Ｄ−6,4−（４′−ｎ−ドデシルオキシフェニル）ベン
ズアルデヒドの製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４′−ｎ−ドデシルオキシフェ
ニル）ベンゾニトリル7.3g（0.02モル）を用いた他は実
施例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物6.0gを得た。
シルオキシフェニル）ベンジリデンアミノ］安息香酸−
１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエステル｝
の製造： Ｄ−6,4−（４′−ｎ−ドデシルオキシフェニル）ベン
ズアルデヒドの製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンゾニト
リル6.7gの代りに４−（４′−ｎ−ドデシルオキシフェ
ニル）ベンゾニトリル7.3g（0.02モル）を用いた他は実
施例３のＤ−１と同じ方法で純粋な目的物6.0gを得た。
融点:73.2〜74.5℃ 元素分析： Ｅ−６化合物（８）の製造： ４−（４′−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンズアル
デヒド2.0gの代りに前記Ｄ−６で得た４−（４′−ｎ−
ドデシルオキシフェニル）ベンズアルデヒド2.2g（0.00
6モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純
粋な目的物［化合物（８）］1.3gを得た。
デヒド2.0gの代りに前記Ｄ−６で得た４−（４′−ｎ−
ドデシルオキシフェニル）ベンズアルデヒド2.2g（0.00
6モル）を用いた他は実施例３のＥ−１と同じ方法で純
粋な目的物［化合物（８）］1.3gを得た。
旋光度： ［α］Ｄ（＋）24.00゜（クロロホルム） 以上のようにして得られた化合物（１）〜（８）の透
明点及び元素分析結果を下表に示す。
明点及び元素分析結果を下表に示す。
使用例 各電極表面にポリビニルアルコール（PVA）を塗布し
た後、その表面をラビングして平行配向処理を施した２
枚の透明電極をPVA膜を内側にして３μｍの間隔で対向
せしめ、形成されたセル内に実施例３で作った光学活性
シッフ塩基化合物［化合物（７）］を注入した後、２枚
の直交する偏光子の間に設置して液晶表示素子とし、電
極間に20Vの電圧を印加したところ、109゜より139゜の
温度範囲で明瞭で、非常にコントラストが良く、応答速
度も速い（約10μsec）スイッチング動作が観察され
た。なおこの液晶の自発分極は28.5nc/cm2（129℃）で
あった。
た後、その表面をラビングして平行配向処理を施した２
枚の透明電極をPVA膜を内側にして３μｍの間隔で対向
せしめ、形成されたセル内に実施例３で作った光学活性
シッフ塩基化合物［化合物（７）］を注入した後、２枚
の直交する偏光子の間に設置して液晶表示素子とし、電
極間に20Vの電圧を印加したところ、109゜より139゜の
温度範囲で明瞭で、非常にコントラストが良く、応答速
度も速い（約10μsec）スイッチング動作が観察され
た。なおこの液晶の自発分極は28.5nc/cm2（129℃）で
あった。
［効果］ 以上の如く本発明の一般式Ｉで示される光学活性シッ
フ塩基化合物のうちｎ＝２の化合物の大部分は単体でカ
イラルスメクチックＣ相を呈し、その自発分極の大きさ
（PS）は従来知られているカイラルスメクチックＣ相の
化合物、例えば４−（４′−ｎ−デシルオキシベンジリ
デンアミノ）ケイ皮酸−２−メチルブチルエステル（J.
Physique36,L−69（1975）のPs（約3nc/cm2）に比べて
大きいので、これらの化合物は特にすぐれた強誘電性液
晶材料であるといえる。
フ塩基化合物のうちｎ＝２の化合物の大部分は単体でカ
イラルスメクチックＣ相を呈し、その自発分極の大きさ
（PS）は従来知られているカイラルスメクチックＣ相の
化合物、例えば４−（４′−ｎ−デシルオキシベンジリ
デンアミノ）ケイ皮酸−２−メチルブチルエステル（J.
Physique36,L−69（1975）のPs（約3nc/cm2）に比べて
大きいので、これらの化合物は特にすぐれた強誘電性液
晶材料であるといえる。
更に本発明の一般式Ｉの化合物は広い温度範囲でカイ
ラルスメクチックＣ相を示すという特徴を有するので、
強誘電性組成物を得る上で有効なブレンド材料ともなり
得る。
ラルスメクチックＣ相を示すという特徴を有するので、
強誘電性組成物を得る上で有効なブレンド材料ともなり
得る。
第１図は実施例１のＢで得られた光学活性４−アミノ安
息香酸−１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエ
ステルの赤外線吸収スペクトル図、 第２図は実施例３で得られた光学活性４−［４′−
（４″−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンジリデンアミ
ノ］安息香酸−１−メチル−２−エトキシカルボニルエ
チルエステルの赤外線吸収スペクトル図である。
息香酸−１−メチル−２−エトキシカルボニルエチルエ
ステルの赤外線吸収スペクトル図、 第２図は実施例３で得られた光学活性４−［４′−
（４″−ｎ−デシルオキシフェニル）ベンジリデンアミ
ノ］安息香酸−１−メチル−２−エトキシカルボニルエ
チルエステルの赤外線吸収スペクトル図である。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式Ｉ （但しＲは炭素数16以下のアルコキシ基、ｎは１又は２
の整数、また＊は不斉炭素原子を表わす。） で示される光学活性シッフ塩基化合物。 - 【請求項２】式II （但し＊は不斉炭素原子を表わす。） で示される４−アミノ安息香酸−１−メチル−２−エト
キシカルボニルエチルエステルと 一般式III （但しＲは炭素数16以下のアルコキシ基、ｎは１又は２
の整数を表わす。） で示されるアルデヒド類とを縮合反応させることを特徴
とする一般式Ｉ （但しＲ、ｎ、＊は前述のとおり） で示される光学活性シッフ塩基化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22971587A JP2577398B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 新規な光学活性シッフ塩基化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22971587A JP2577398B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 新規な光学活性シッフ塩基化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6475455A JPS6475455A (en) | 1989-03-22 |
| JP2577398B2 true JP2577398B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=16896566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22971587A Expired - Lifetime JP2577398B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 新規な光学活性シッフ塩基化合物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2577398B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2566588B2 (ja) * | 1987-09-18 | 1996-12-25 | 株式会社リコー | 液晶素子 |
-
1987
- 1987-09-16 JP JP22971587A patent/JP2577398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6475455A (en) | 1989-03-22 |
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