JP2572634Y2 - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
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- JP2572634Y2 JP2572634Y2 JP1992033615U JP3361592U JP2572634Y2 JP 2572634 Y2 JP2572634 Y2 JP 2572634Y2 JP 1992033615 U JP1992033615 U JP 1992033615U JP 3361592 U JP3361592 U JP 3361592U JP 2572634 Y2 JP2572634 Y2 JP 2572634Y2
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- light
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- film
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、第１の受光素子、及び
この第１の受光素子より面積の小なる第２の受光素子
を、支持基板の絶縁表面に配置した受光装置に関する。
この第１の受光素子より面積の小なる第２の受光素子
を、支持基板の絶縁表面に配置した受光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光照射を受けると光電動作する膜状受光
素子を支持基板の絶縁表面に配置し、上記受光素子の出
力を素子に連なる出力端子から導出する受光装置、所謂
光センサは、例えば、実開昭６０−１３６１５４号公報
に開示された如く既に知られている。
素子を支持基板の絶縁表面に配置し、上記受光素子の出
力を素子に連なる出力端子から導出する受光装置、所謂
光センサは、例えば、実開昭６０−１３６１５４号公報
に開示された如く既に知られている。
【０００３】斯る光センサは、ガラス等の透光性絶縁板
からなる支持基板上に、受光面電極を司るＩＴＯやＳｎ
Ｏ2等からなる透光性の第１電極膜、光照射を受けると
光キャリアを発生するアモルファスシリコン系の半導体
膜、及び背面電極を司る金属製の第２電極膜を積層した
膜状受光素子と、この素子の出力を外部に導出するべく
第１電極膜及び第２電極膜の夫々と連なる一対の出力端
子とを備えた構成である。
からなる支持基板上に、受光面電極を司るＩＴＯやＳｎ
Ｏ2等からなる透光性の第１電極膜、光照射を受けると
光キャリアを発生するアモルファスシリコン系の半導体
膜、及び背面電極を司る金属製の第２電極膜を積層した
膜状受光素子と、この素子の出力を外部に導出するべく
第１電極膜及び第２電極膜の夫々と連なる一対の出力端
子とを備えた構成である。
【０００４】上述した構造によると、第１電極膜と第２
電極膜とに挾持された領域が発電領域となる。
電極膜とに挾持された領域が発電領域となる。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】こうした光センサにお
いて、出力端子間に静電圧が印加された場合、端子間容
量に比例した電圧が出力端子間に印加されることとなる
が、静電圧が一定値を越えると、受光装置は破壊され
る。特に、カメラ等の測光用センサとして、センサの周
辺部に配置される面積の大なる第１の受光素子と、この
第１の受光素子の中央部に配置される面積の小なる第２
の受光素子とを備えた光センサのように、面積の異なる
２つの受光素子を備える場合、装置全体の耐静電圧特性
は、面積の小さい素子に依存する。
いて、出力端子間に静電圧が印加された場合、端子間容
量に比例した電圧が出力端子間に印加されることとなる
が、静電圧が一定値を越えると、受光装置は破壊され
る。特に、カメラ等の測光用センサとして、センサの周
辺部に配置される面積の大なる第１の受光素子と、この
第１の受光素子の中央部に配置される面積の小なる第２
の受光素子とを備えた光センサのように、面積の異なる
２つの受光素子を備える場合、装置全体の耐静電圧特性
は、面積の小さい素子に依存する。
【０００６】例えば、３．７mm2の面積の第１の受光素
子は、１００Ｖ以上の耐静電圧特性を備えるのに対し、
０．１３mm2の面積の第２の受光素子は、４０Ｖの静電
圧にて破壊される。結果として、装置全体の耐静電圧特
性は、４０Ｖと非常に低いものとなってしまう。
子は、１００Ｖ以上の耐静電圧特性を備えるのに対し、
０．１３mm2の面積の第２の受光素子は、４０Ｖの静電
圧にて破壊される。結果として、装置全体の耐静電圧特
性は、４０Ｖと非常に低いものとなってしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本考案は、少なくとも一
方が透光性の第１電極膜及び第２電極膜で半導体膜を挾
持した構造の第１の受光素子、及びこの第１の受光素子
と同構造で、それより面積の小なる第２の受光素子を、
支持基板の絶縁表面に配置した受光装置において、上記
第１または第２の受光素子の半導体膜の一部を遮光層に
より被覆して非受光素子を形成し、この非受光素子を上
記第２の受光素子に電気的に並列に接続すると共に、こ
の非受光素子と上記第２の受光素子の面積の和が、上記
第１の受光素子の面積と略等しくされていることを特徴
とする。
方が透光性の第１電極膜及び第２電極膜で半導体膜を挾
持した構造の第１の受光素子、及びこの第１の受光素子
と同構造で、それより面積の小なる第２の受光素子を、
支持基板の絶縁表面に配置した受光装置において、上記
第１または第２の受光素子の半導体膜の一部を遮光層に
より被覆して非受光素子を形成し、この非受光素子を上
記第２の受光素子に電気的に並列に接続すると共に、こ
の非受光素子と上記第２の受光素子の面積の和が、上記
第１の受光素子の面積と略等しくされていることを特徴
とする。
【０００８】
【作用】面積の小なる第２の受光素子に接続された非受
光素子が、第２の受光素子の耐静電圧特性を、第１の受
光素子のそれとほぼ同等となるように向上させる。
光素子が、第２の受光素子の耐静電圧特性を、第１の受
光素子のそれとほぼ同等となるように向上させる。
【０００９】
【実施例】図１は、本考案の受光装置の一実施例を示す
平面図であり、ガラス等の透光性絶縁板からなる支持基
板１上に、受光面電極を司るＩＴＯやＳｎＯ2等からな
る透光性の第１電極膜２、３が形成される。一方の第１
電極膜２は、中央部分に欠如部を有するほぼ矩形状の受
光領域及びこの受光領域から支持基板１の一隅部に延び
る出力端子部２ａとからなる。他方の第１電極膜３は、
一方の第１電極膜２の欠如部に位置するほぼ円形の受光
領域及びこの受光領域から支持基板１の一縁部に延びる
出力端子部３ａとからなっている。また、両第１電極膜
２、３は電気的に分離した状態であり、また一方の第１
電極膜２の受光領域の面積は、他方の第１電極膜３の受
光領域のそれより大となっている。
平面図であり、ガラス等の透光性絶縁板からなる支持基
板１上に、受光面電極を司るＩＴＯやＳｎＯ2等からな
る透光性の第１電極膜２、３が形成される。一方の第１
電極膜２は、中央部分に欠如部を有するほぼ矩形状の受
光領域及びこの受光領域から支持基板１の一隅部に延び
る出力端子部２ａとからなる。他方の第１電極膜３は、
一方の第１電極膜２の欠如部に位置するほぼ円形の受光
領域及びこの受光領域から支持基板１の一縁部に延びる
出力端子部３ａとからなっている。また、両第１電極膜
２、３は電気的に分離した状態であり、また一方の第１
電極膜２の受光領域の面積は、他方の第１電極膜３の受
光領域のそれより大となっている。
【００１０】次に、他方の第１電極膜３の出力端子部に
電気的に接続されるように、アルミニウム、ニッケル等
の導電性の遮光層４が形成される。この遮光層４は、一
方の第１電極膜２の受光領域を取り囲むように支持基板
１上に配され、また、この遮光層４の面積は、他方の第
１電極膜３の受光領域との面積の総和が、一方の第１電
極膜２の受光領域の面積とほぼ等しくなるように成され
ている。
電気的に接続されるように、アルミニウム、ニッケル等
の導電性の遮光層４が形成される。この遮光層４は、一
方の第１電極膜２の受光領域を取り囲むように支持基板
１上に配され、また、この遮光層４の面積は、他方の第
１電極膜３の受光領域との面積の総和が、一方の第１電
極膜２の受光領域の面積とほぼ等しくなるように成され
ている。
【００１１】そして、第１電極膜２、３の出力端子部が
延びる支持基板１の一縁部を除いて、言い換えれば、第
１電極膜２、３の夫々の受光領域及び遮光層４を覆っ
て、光照射を受けると光キャリアを発生するアモルファ
スシリコン系の半導体膜５が形成され、更に、この半導
体膜５上において、第１電極膜２、３の夫々の受光領域
及び遮光層４と対向するように、背面電極を司る金属製
の第２電極膜６が形成される。尚、この第２電極膜６
は、支持基板１の他隅部に延びる出力端子部６ａを備え
ている。
延びる支持基板１の一縁部を除いて、言い換えれば、第
１電極膜２、３の夫々の受光領域及び遮光層４を覆っ
て、光照射を受けると光キャリアを発生するアモルファ
スシリコン系の半導体膜５が形成され、更に、この半導
体膜５上において、第１電極膜２、３の夫々の受光領域
及び遮光層４と対向するように、背面電極を司る金属製
の第２電極膜６が形成される。尚、この第２電極膜６
は、支持基板１の他隅部に延びる出力端子部６ａを備え
ている。
【００１２】以上の構成により、支持基板１上には、一
方の第１電極膜２、半導体膜５及び第２電極膜６からな
る第１の受光素子７と、他方の第１電極膜３、半導体膜
５及び第２電極膜６からなる第２の受光素子８と、遮光
層４、半導体膜５及び第２電極膜６からなる非受光素子
９とが、配置されることとなる。そして、第２の受光素
子８及び非受光素子９は、図２に示すように、出力端子
３ａ、６ａ間にて並列に接続されている。
方の第１電極膜２、半導体膜５及び第２電極膜６からな
る第１の受光素子７と、他方の第１電極膜３、半導体膜
５及び第２電極膜６からなる第２の受光素子８と、遮光
層４、半導体膜５及び第２電極膜６からなる非受光素子
９とが、配置されることとなる。そして、第２の受光素
子８及び非受光素子９は、図２に示すように、出力端子
３ａ、６ａ間にて並列に接続されている。
【００１３】以上の構成によれば、第１の受光素子７の
面積と、電気的に並列に接続された第２の受光素子８及
び非受光素子９の面積の総和とが、ほぼ等しくされてい
るため、第１の受光素子７の出力端子間の耐静電圧特性
と、第２の受光素子８の出力端子間の耐静電圧特性と
が、ほぼ等しくなり、装置全体の耐静電圧特性が向上す
ることとなる。
面積と、電気的に並列に接続された第２の受光素子８及
び非受光素子９の面積の総和とが、ほぼ等しくされてい
るため、第１の受光素子７の出力端子間の耐静電圧特性
と、第２の受光素子８の出力端子間の耐静電圧特性と
が、ほぼ等しくなり、装置全体の耐静電圧特性が向上す
ることとなる。
【００１４】図３は、本考案の受光装置の他の実施例を
示す平面図であり、ガラス等の透光性絶縁板からなる支
持基板１１上に、受光面電極を司るＩＴＯやＳｎＯ2等
からなる透光性の第１電極膜１２、１３が形成される。
一方の第１電極膜１２は、中央部分に欠如部を有するほ
ぼ矩形状の受光領域及びこの受光領域から支持基板１１
の一縁部に延びる出力端子部１２ａとからなる。他方の
第１電極膜１３は、一方の第１電極膜１２の欠如部に位
置するほぼ円形の受光領域と、この受光領域から支持基
板１１の一隅部に延びる出力端子部１３ａと、この出力
端子部１３ａから、一方の第１電極膜１２の受光領域を
取り囲むように延びる延出部１３ｂとからなっている。
そして、両第１電極膜１２、１３は電気的に分離した状
態であり、また一方の第１電極膜１２の受光領域の面積
は、他方の第１電極膜１３の受光領域のそれより大とな
っている。更に、他方の第１電極膜１３の受光領域と延
長部１３ｂとの面積の総和は、一方の第１電極膜１２の
受光領域の面積とほぼ等しくなるように成されている。
示す平面図であり、ガラス等の透光性絶縁板からなる支
持基板１１上に、受光面電極を司るＩＴＯやＳｎＯ2等
からなる透光性の第１電極膜１２、１３が形成される。
一方の第１電極膜１２は、中央部分に欠如部を有するほ
ぼ矩形状の受光領域及びこの受光領域から支持基板１１
の一縁部に延びる出力端子部１２ａとからなる。他方の
第１電極膜１３は、一方の第１電極膜１２の欠如部に位
置するほぼ円形の受光領域と、この受光領域から支持基
板１１の一隅部に延びる出力端子部１３ａと、この出力
端子部１３ａから、一方の第１電極膜１２の受光領域を
取り囲むように延びる延出部１３ｂとからなっている。
そして、両第１電極膜１２、１３は電気的に分離した状
態であり、また一方の第１電極膜１２の受光領域の面積
は、他方の第１電極膜１３の受光領域のそれより大とな
っている。更に、他方の第１電極膜１３の受光領域と延
長部１３ｂとの面積の総和は、一方の第１電極膜１２の
受光領域の面積とほぼ等しくなるように成されている。
【００１５】そして、第１電極膜１２、１３の出力端子
部が延びる支持基板１１の一縁部を除いて、言い換えれ
ば、第１電極膜１２、１３の夫々の受光領域及び第１電
極膜１３の延出部１３ｂを覆って、光照射を受けると光
キャリアを発生するアモルファスシリコン系の半導体膜
１４が形成され、更に、この半導体膜１４上において、
第１電極膜１２、１３の夫々の受光領域及び延出部１３
ｂと対向するように、背面電極を司る金属製の第２電極
膜１５が形成される。尚、この第２電極膜１５は、支持
基板１１の他隅部に延びる出力端子部１５ａを備えてい
る。
部が延びる支持基板１１の一縁部を除いて、言い換えれ
ば、第１電極膜１２、１３の夫々の受光領域及び第１電
極膜１３の延出部１３ｂを覆って、光照射を受けると光
キャリアを発生するアモルファスシリコン系の半導体膜
１４が形成され、更に、この半導体膜１４上において、
第１電極膜１２、１３の夫々の受光領域及び延出部１３
ｂと対向するように、背面電極を司る金属製の第２電極
膜１５が形成される。尚、この第２電極膜１５は、支持
基板１１の他隅部に延びる出力端子部１５ａを備えてい
る。
【００１６】更に、支持基板１１の光入射側面（即ち、
第１電極膜１２等が形成された反対側の面）上に、他方
の第１電極膜１３の延長部１３ｂへの光入射を禁止する
遮光膜１６が形成される。この遮光膜１６はエポキシ樹
脂等の不透明材料をパターン印刷することにより容易に
形成できる。従って、支持基板１１上には、一方の第１
電極膜１２、半導体膜１４及び第２電極膜１５からなる
第１の受光素子１７と、他方の第１電極膜１３、半導体
膜１４及び第２電極膜１５からなる第２の受光素子１８
と、他方の第１電極膜１３の延出部１３ｂ、半導体膜１
４、第２電極膜１５及び遮光膜１６からなる非受光素子
１９とが、配置されることとなる。そして第２の受光素
子１８及び非受光素子１９が、出力端子１３ａ、１５ａ
間にて並列に接続されている。
第１電極膜１２等が形成された反対側の面）上に、他方
の第１電極膜１３の延長部１３ｂへの光入射を禁止する
遮光膜１６が形成される。この遮光膜１６はエポキシ樹
脂等の不透明材料をパターン印刷することにより容易に
形成できる。従って、支持基板１１上には、一方の第１
電極膜１２、半導体膜１４及び第２電極膜１５からなる
第１の受光素子１７と、他方の第１電極膜１３、半導体
膜１４及び第２電極膜１５からなる第２の受光素子１８
と、他方の第１電極膜１３の延出部１３ｂ、半導体膜１
４、第２電極膜１５及び遮光膜１６からなる非受光素子
１９とが、配置されることとなる。そして第２の受光素
子１８及び非受光素子１９が、出力端子１３ａ、１５ａ
間にて並列に接続されている。
【００１７】以上の構成においても、先の実施例と同
様、第１の受光素子１７の面積と、電気的に並列に接続
された第２の受光素子１８及び非受光素子１９の面積の
総和とが、ほぼ等しくされているため、第１の受光素子
１７の出力端子間の耐静電圧特性と、第２の受光素子１
８の出力端子間の耐静電圧特性とが、ほぼ等しくなり、
装置全体の耐静電圧特性が向上することとなる。
様、第１の受光素子１７の面積と、電気的に並列に接続
された第２の受光素子１８及び非受光素子１９の面積の
総和とが、ほぼ等しくされているため、第１の受光素子
１７の出力端子間の耐静電圧特性と、第２の受光素子１
８の出力端子間の耐静電圧特性とが、ほぼ等しくなり、
装置全体の耐静電圧特性が向上することとなる。
【００１８】
【考案の効果】本考案によれば、少なくとも一方が透光
性の第１電極膜及び第２電極膜で半導体膜を挾持した構
造の第１の受光素子、及びこの第１の受光素子と同構造
で、それより面積の小なる第２の受光素子を、支持基板
の絶縁表面に配置した受光装置において、上記第１また
は第２の受光素子の半導体膜の一部を遮光層により被覆
して非受光素子を形成し、この非受光素子を上記第２の
受光素子に電気的に並列に接続すると共に、この非受光
素子と上記第２の受光素子の面積の和が、上記第１の受
光素子の面積と略等しくなるようにしたので、面積の小
なる第２の受光素子に接続された非受光素子が、第２の
受光素子の耐静電圧特性を、第１の受光素子のそれとほ
ぼ同等となるように向上させ、結果として、装置全体の
耐静電圧特性が向上する。
性の第１電極膜及び第２電極膜で半導体膜を挾持した構
造の第１の受光素子、及びこの第１の受光素子と同構造
で、それより面積の小なる第２の受光素子を、支持基板
の絶縁表面に配置した受光装置において、上記第１また
は第２の受光素子の半導体膜の一部を遮光層により被覆
して非受光素子を形成し、この非受光素子を上記第２の
受光素子に電気的に並列に接続すると共に、この非受光
素子と上記第２の受光素子の面積の和が、上記第１の受
光素子の面積と略等しくなるようにしたので、面積の小
なる第２の受光素子に接続された非受光素子が、第２の
受光素子の耐静電圧特性を、第１の受光素子のそれとほ
ぼ同等となるように向上させ、結果として、装置全体の
耐静電圧特性が向上する。
【図１】本考案の一実施例の平面図である。
【図２】本考案の一実施例の等価回路図である。
【図３】本考案の他の実施例の平面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 小原 有三 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)考案者 川添 雅一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−177964（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−75469（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−139459（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/10
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透光性の第１電極膜及
び第２電極膜で半導体膜を挾持した構造の第１の受光素
子、及びこの第１の受光素子と同構造で、それより面積
の小なる第２の受光素子を、支持基板の絶縁表面に配置
した受光装置において、上記第１または第２の受光素子
の半導体膜の一部を遮光層により被覆して非受光素子を
形成し、この非受光素子を上記第２の受光素子に電気的
に並列に接続すると共に、この非受光素子と上記第２の
受光素子の面積の和が、上記第１の受光素子の面積と略
等しくされていることを特徴とする受光装置。 - 【請求項２】 上記非受光素子は、上記第１または第２
の受光素子の半導体膜を導電性遮光膜にて挾持した構造
であることを特徴とする請求項１記載の受光装置。 - 【請求項３】 上記非受光素子は、上記第１または第２
の受光素子と同構造の素子の光入射側に遮光層を配した
構造であることを特徴とする請求項１記載の受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992033615U JP2572634Y2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-05-21 | 受光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP645892 | 1992-02-18 | ||
| JP4-6458 | 1992-02-18 | ||
| JP1992033615U JP2572634Y2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-05-21 | 受光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0585056U JPH0585056U (ja) | 1993-11-16 |
| JP2572634Y2 true JP2572634Y2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=26340597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992033615U Expired - Fee Related JP2572634Y2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-05-21 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572634Y2 (ja) |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP1992033615U patent/JP2572634Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585056U (ja) | 1993-11-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |