JP2000307145A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JP2000307145A JP2000307145A JP11114944A JP11494499A JP2000307145A JP 2000307145 A JP2000307145 A JP 2000307145A JP 11114944 A JP11114944 A JP 11114944A JP 11494499 A JP11494499 A JP 11494499A JP 2000307145 A JP2000307145 A JP 2000307145A
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- semiconductor
- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な検出性能を有する放射線検出器を提供
する。 【解決手段】 この放射線検出器１０，１０’，１０”
においては、第１及び第２遮光板２ｊ，２ｋがアモルフ
ァスカーボンからなり、半導体放射線検出素子１と電気
的に導通している。双方のアモルファスカーボンを介し
てバイアス電圧が印加される。複数の放射線検出器１
０，１０’，１０”を厚み方向に積層すると、入射する
放射線を複数の放射線検出器全体で効率的に検出するこ
とができ、放射線検出性能を向上させることができる。
する。 【解決手段】 この放射線検出器１０，１０’，１０”
においては、第１及び第２遮光板２ｊ，２ｋがアモルフ
ァスカーボンからなり、半導体放射線検出素子１と電気
的に導通している。双方のアモルファスカーボンを介し
てバイアス電圧が印加される。複数の放射線検出器１
０，１０’，１０”を厚み方向に積層すると、入射する
放射線を複数の放射線検出器全体で効率的に検出するこ
とができ、放射線検出性能を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＸ線やガンマ線等の
放射線を測定する放射線検出器に関する。
放射線を測定する放射線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の放射線検出器は特開平４−６１１
７３号公報に記載されている。この放射線検出器は、放
射線入射側に設けられる遮光板に半導体放射線検出素子
を取り付けてなる。
７３号公報に記載されている。この放射線検出器は、放
射線入射側に設けられる遮光板に半導体放射線検出素子
を取り付けてなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の検出器は放射線検出性能が不十分であるという問題
があった。本発明は、このような課題に鑑みてなされた
ものであり、十分な検出性能を有する放射線検出器を提
供することを目的とする。
来の検出器は放射線検出性能が不十分であるという問題
があった。本発明は、このような課題に鑑みてなされた
ものであり、十分な検出性能を有する放射線検出器を提
供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明に係る放射線検出器は、放射線入射側に設け
られる第１遮光板に半導体放射線検出素子を取り付けて
なる放射線検出器において、第１遮光板はアモルファス
カーボンからなり、半導体放射線検出素子と電気的に導
通していることを特徴とする。この放射線検出器によれ
ば、第１遮光板はアモルファスカーボンからなるため放
射線透過率が高く、これが半導体放射線検出素子と電気
的に導通しているため、導体であるアモルファスカーボ
ンを介して半導体放射線検出素子にバイアス電位を印加
することができ、放射線検出性能を向上させることがで
きる。
め、本発明に係る放射線検出器は、放射線入射側に設け
られる第１遮光板に半導体放射線検出素子を取り付けて
なる放射線検出器において、第１遮光板はアモルファス
カーボンからなり、半導体放射線検出素子と電気的に導
通していることを特徴とする。この放射線検出器によれ
ば、第１遮光板はアモルファスカーボンからなるため放
射線透過率が高く、これが半導体放射線検出素子と電気
的に導通しているため、導体であるアモルファスカーボ
ンを介して半導体放射線検出素子にバイアス電位を印加
することができ、放射線検出性能を向上させることがで
きる。
【０００５】また、この放射線検出器は、半導体放射線
検出素子の放射線出射側に設けられる第２遮光板を備
え、第２遮光板はアモルファスカーボンからなり、半導
体放射線検出素子と電気的に導通していることが好まし
い。この場合には、双方のアモルファスカーボンを介し
て半導体放射線検出素子にバイアス電圧を印加すること
ができると共に、複数の放射線検出器を厚み方向に積層
することによって、入射する放射線を複数の放射線検出
器全体で効率的に検出することができ、放射線検出性能
を向上させることができる。
検出素子の放射線出射側に設けられる第２遮光板を備
え、第２遮光板はアモルファスカーボンからなり、半導
体放射線検出素子と電気的に導通していることが好まし
い。この場合には、双方のアモルファスカーボンを介し
て半導体放射線検出素子にバイアス電圧を印加すること
ができると共に、複数の放射線検出器を厚み方向に積層
することによって、入射する放射線を複数の放射線検出
器全体で効率的に検出することができ、放射線検出性能
を向上させることができる。
【０００６】なお、この放射線検出器は、第１及び第２
遮光板間に介在する絶縁体スペーサを備えることとして
もよい。
遮光板間に介在する絶縁体スペーサを備えることとして
もよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係る放射線検
出器について説明する。以下の説明において、同一要素
には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略す
る。
出器について説明する。以下の説明において、同一要素
には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略す
る。
【０００８】図１は実施の形態に係る放射線検出器１０
の平面図、図２は図１に示した放射線検出器１０のＩＩ
−ＩＩ矢印断面図である。
の平面図、図２は図１に示した放射線検出器１０のＩＩ
−ＩＩ矢印断面図である。
【０００９】放射線検出器１０は、放射線入射側に設け
られる第１遮光板２ｊ（厚さ：０．３ｍｍ）に半導体放
射線検出素子１を取り付けてなる放射線検出器である。
第１遮光板２ｊは放射線吸収損失の極めて少ないアモル
ファスカーボンからなり、半導体放射線検出素子１に接
触し、これと電気的に導通している。放射線検出器１０
は、半導体放射線検出素子１の放射線出射側に設けられ
る第２遮光板２ｋを備え、第２遮光板２ｋはアモルファ
スカーボンからなり、半導体放射線検出素子１と接触
し、これと電気的に導通している。なお、アモルファス
カーボンは、可視光を遮光すると共に放射線を透過し、
さらに半導体放射線検出素子１を保護している。
られる第１遮光板２ｊ（厚さ：０．３ｍｍ）に半導体放
射線検出素子１を取り付けてなる放射線検出器である。
第１遮光板２ｊは放射線吸収損失の極めて少ないアモル
ファスカーボンからなり、半導体放射線検出素子１に接
触し、これと電気的に導通している。放射線検出器１０
は、半導体放射線検出素子１の放射線出射側に設けられ
る第２遮光板２ｋを備え、第２遮光板２ｋはアモルファ
スカーボンからなり、半導体放射線検出素子１と接触
し、これと電気的に導通している。なお、アモルファス
カーボンは、可視光を遮光すると共に放射線を透過し、
さらに半導体放射線検出素子１を保護している。
【００１０】半導体放射線検出素子１は、ＣｄＴｅ又は
ＣｄＺｎＴｅ結晶等の化合物半導体材料からなる半導体
基板１ｓ（厚さ：１ｍｍ）と、半導体基板１ｓの両面に
それぞれ設けられた第１電極１ｊ及び第２電極１ｋ（材
料：白金、厚さ：０．１μｍ）からなる。第１電極１ｊ
及び第２電極１ｋは、それぞれ遮光板２ｊ及び２ｋに接
触しており、半導体基板１ｓには、双方の遮光板２ｊ，
２ｋを介してバイアス電圧が印加され。
ＣｄＺｎＴｅ結晶等の化合物半導体材料からなる半導体
基板１ｓ（厚さ：１ｍｍ）と、半導体基板１ｓの両面に
それぞれ設けられた第１電極１ｊ及び第２電極１ｋ（材
料：白金、厚さ：０．１μｍ）からなる。第１電極１ｊ
及び第２電極１ｋは、それぞれ遮光板２ｊ及び２ｋに接
触しており、半導体基板１ｓには、双方の遮光板２ｊ，
２ｋを介してバイアス電圧が印加され。
【００１１】なお、遮光板２ｊ，２ｋは、それぞれ平面
形状が長方形であり（矩形部とする）、厚み方向に対し
て垂直に延びた突出部２ｊｅ，２ｋｅをその一端部に有
している。突出部２ｊｅ，２ｋｅは、矩形部に対して一
体的に形成されており、これにボンディングパッドを設
けて半導体放射線検出素子１にバイアス電圧を印加す
る。
形状が長方形であり（矩形部とする）、厚み方向に対し
て垂直に延びた突出部２ｊｅ，２ｋｅをその一端部に有
している。突出部２ｊｅ，２ｋｅは、矩形部に対して一
体的に形成されており、これにボンディングパッドを設
けて半導体放射線検出素子１にバイアス電圧を印加す
る。
【００１２】なお、この矩形部の面積は、半導体放射線
検出素子１の一方面の面積よりも大きい。また、突出部
２ｊｅ，２ｋｅは直接対向しないように配置されてお
り、これを含む遮光板２ｊ，２ｋ間のキャパシタが低減
されている。
検出素子１の一方面の面積よりも大きい。また、突出部
２ｊｅ，２ｋｅは直接対向しないように配置されてお
り、これを含む遮光板２ｊ，２ｋ間のキャパシタが低減
されている。
【００１３】Ｘ線やガンマ線等の放射線が放射線検出器
１０に照射されると、この放射線は第１遮光板２ｊを介
して半導体放射線検出素子１に入射する。放射線が半導
体基板１ｓ内に入射すると、放射線の入射に応じて半導
体基板１ｓ内において正孔／電子対（キャリア）が発生
し、このキャリアは電極１ｊ，２ｊ及び遮光板２ｊ，２
ｋを介して外部に取り出され、放射線が検出されること
となる。なお、電極１ｊ，２ｊと遮光板２ｊ，２ｋとの
間には、図示しない導電性樹脂（銀ペースト）が介在
し、電極１ｊ，２ｊと遮光板２ｊ，２ｋとは、この導電
性樹脂を用いて接着されている。
１０に照射されると、この放射線は第１遮光板２ｊを介
して半導体放射線検出素子１に入射する。放射線が半導
体基板１ｓ内に入射すると、放射線の入射に応じて半導
体基板１ｓ内において正孔／電子対（キャリア）が発生
し、このキャリアは電極１ｊ，２ｊ及び遮光板２ｊ，２
ｋを介して外部に取り出され、放射線が検出されること
となる。なお、電極１ｊ，２ｊと遮光板２ｊ，２ｋとの
間には、図示しない導電性樹脂（銀ペースト）が介在
し、電極１ｊ，２ｊと遮光板２ｊ，２ｋとは、この導電
性樹脂を用いて接着されている。
【００１４】放射線検出器１０によれば、第１遮光板２
ｊはアモルファスカーボンからなるため放射線透過率が
高く、これが半導体放射線検出素子１と電気的に導通し
ているため、導体であるアモルファスカーボンからなる
第１遮光板２ｊを介して半導体放射線検出素子１にバイ
アス電位を印加することができ、放射線検出性能を向上
させることができる。また、アモルファスカーボンから
なる双方の遮光板２ｊ，２ｋを介して半導体放射線検出
素子１にバイアス電圧を印加することができる。
ｊはアモルファスカーボンからなるため放射線透過率が
高く、これが半導体放射線検出素子１と電気的に導通し
ているため、導体であるアモルファスカーボンからなる
第１遮光板２ｊを介して半導体放射線検出素子１にバイ
アス電位を印加することができ、放射線検出性能を向上
させることができる。また、アモルファスカーボンから
なる双方の遮光板２ｊ，２ｋを介して半導体放射線検出
素子１にバイアス電圧を印加することができる。
【００１５】さらに、複数の放射線検出器１０を厚み方
向に積層することによって、入射する放射線を複数の放
射線検出器１０全体で効率的に検出することができるの
で、この構成によれば放射線検出性能を向上させること
ができる。
向に積層することによって、入射する放射線を複数の放
射線検出器１０全体で効率的に検出することができるの
で、この構成によれば放射線検出性能を向上させること
ができる。
【００１６】図３は、別の実施の形態に係る放射線検出
器１０’の平面図、図４は図３に示した放射線検出器１
０’のＩＶ−ＩＶ矢印断面図である。
器１０’の平面図、図４は図３に示した放射線検出器１
０’のＩＶ−ＩＶ矢印断面図である。
【００１７】放射線検出器１０’は、遮光板２ｊ，２ｋ
間に平面形状ロの字形の絶縁体スペーサ３を有してい
る。絶縁体スペーサ３はセラミックからなる。放射線検
出素子１は、ロの字形スペーサ３の開口内に位置してお
り、遮光板２ｊ，２ｋ間の距離と、スペーサ３のこの距
離を規定する部分の厚みと、半導体放射線検出素子１の
厚みとは一致している。
間に平面形状ロの字形の絶縁体スペーサ３を有してい
る。絶縁体スペーサ３はセラミックからなる。放射線検
出素子１は、ロの字形スペーサ３の開口内に位置してお
り、遮光板２ｊ，２ｋ間の距離と、スペーサ３のこの距
離を規定する部分の厚みと、半導体放射線検出素子１の
厚みとは一致している。
【００１８】遮光板２ｊ，２ｋの外周部は、ロの字形ス
ペーサ３の内側部分に沿って形成された段部（凹部）
に、中央部は放射線検出素子１に導電性樹脂（銀ペース
ト）を用いて接着され、放射線検出器１０’の内部は密
閉されている。
ペーサ３の内側部分に沿って形成された段部（凹部）
に、中央部は放射線検出素子１に導電性樹脂（銀ペース
ト）を用いて接着され、放射線検出器１０’の内部は密
閉されている。
【００１９】遮光板２ｊ，２ｋの矩形部の内側面に接触
して設けられた突出部２ｊｅ，２ｋｅは、その矩形部と
は別部材（金属）であり、これにボンディングパッドを
設けて半導体放射線検出素子１にバイアス電圧を印加す
る。突出部２ｊｅ，２ｋｅは、遮光板２ｊ，２ｋの取付
前おいては、スペーサ３の前記段部に設けられており、
この段部に遮光板２ｊ，２ｋを嵌め込むことにより、遮
光板２ｊ，２ｋの位置決め及びこれと突出部２ｊｅ，２
ｋｅとの接触が行われる。この遮光板２ｊ，２ｋの嵌め
込み工程は、乾燥した窒素雰囲気中で行われ、遮光板２
ｊ，２ｋ間の空間に窒素が充填される。この他の放射線
検出器１０’の構成は、上記図１及び図２に示した放射
線検出器１０と同一である。
して設けられた突出部２ｊｅ，２ｋｅは、その矩形部と
は別部材（金属）であり、これにボンディングパッドを
設けて半導体放射線検出素子１にバイアス電圧を印加す
る。突出部２ｊｅ，２ｋｅは、遮光板２ｊ，２ｋの取付
前おいては、スペーサ３の前記段部に設けられており、
この段部に遮光板２ｊ，２ｋを嵌め込むことにより、遮
光板２ｊ，２ｋの位置決め及びこれと突出部２ｊｅ，２
ｋｅとの接触が行われる。この遮光板２ｊ，２ｋの嵌め
込み工程は、乾燥した窒素雰囲気中で行われ、遮光板２
ｊ，２ｋ間の空間に窒素が充填される。この他の放射線
検出器１０’の構成は、上記図１及び図２に示した放射
線検出器１０と同一である。
【００２０】図５は、図３及び図４に示した放射線検出
器１０’を厚み方向に複数積層してなる放射線検出ユニ
ットの縦断面図である。このように、複数の放射線検出
器１０’を厚み方向に積層することによって、入射する
放射線を複数の放射線検出器１０’全体で効率的に検出
することができ、放射線検出性能を向上させることがで
きる。すなわち、放射線入射側の放射線検出器１０’に
よって、放射線に感応して発生したキャリアを導電体と
しての遮光板２ｊ，２ｋを介して検出すると共に、この
放射線検出器１０’を厚み方向に透過した放射線を次段
の放射線検出器１０’によって同様に検出する。なお、
接触している遮光板２ｋ，２ｊには、同一電位φが与え
られ、離隔している遮光板２ｊ，２ｋにはφと異なる同
一電位Φが与えられる。
器１０’を厚み方向に複数積層してなる放射線検出ユニ
ットの縦断面図である。このように、複数の放射線検出
器１０’を厚み方向に積層することによって、入射する
放射線を複数の放射線検出器１０’全体で効率的に検出
することができ、放射線検出性能を向上させることがで
きる。すなわち、放射線入射側の放射線検出器１０’に
よって、放射線に感応して発生したキャリアを導電体と
しての遮光板２ｊ，２ｋを介して検出すると共に、この
放射線検出器１０’を厚み方向に透過した放射線を次段
の放射線検出器１０’によって同様に検出する。なお、
接触している遮光板２ｋ，２ｊには、同一電位φが与え
られ、離隔している遮光板２ｊ，２ｋにはφと異なる同
一電位Φが与えられる。
【００２１】図６は、別の実施の形態に係る放射線検出
器１０”の縦断面図であり、これは図３及び図４に示し
た放射線検出器１０”と比較して遮光板２ｊ，２ｋの厚
みのみが異なる。本放射線検出器１０”においては、遮
光板２ｊ、２ｋの厚みが、図３に示したものよりも厚
く、換言すれば、スペーサ３の厚みの最大値よりも遮光
板２ｊ，２ｋ間の最大離隔距離（露出面間距離）の方が
大きい。また、遮光板２ｊ，２ｋは、その厚みの２分の
１までスペーサ３内に埋まっている。なお、ここでは、
遮光板２ｊ，２ｋの露出面が外側に突出した凸部を構成
しているが、これは遮光板２ｊ，２ｋがスペーサ３の外
周部によって保護されるように凹部を構成してもよい。
器１０”の縦断面図であり、これは図３及び図４に示し
た放射線検出器１０”と比較して遮光板２ｊ，２ｋの厚
みのみが異なる。本放射線検出器１０”においては、遮
光板２ｊ、２ｋの厚みが、図３に示したものよりも厚
く、換言すれば、スペーサ３の厚みの最大値よりも遮光
板２ｊ，２ｋ間の最大離隔距離（露出面間距離）の方が
大きい。また、遮光板２ｊ，２ｋは、その厚みの２分の
１までスペーサ３内に埋まっている。なお、ここでは、
遮光板２ｊ，２ｋの露出面が外側に突出した凸部を構成
しているが、これは遮光板２ｊ，２ｋがスペーサ３の外
周部によって保護されるように凹部を構成してもよい。
【００２２】図７は、図６に示した放射線検出器１０”
を厚み方向に複数積層してなる放射線検出ユニットの縦
断面図である。放射線検出器１０”間に位置する遮光板
は共通の遮光板２ｋ（２ｊ）とする。図６に示した遮光
板２ｊ，２ｋは、その厚みの２分の１までスペーサ３内
に埋まっているので、放射線検出器１０”間に位置する
共通の遮光板２ｋ（２ｊ）が双方のスペーサ３内に２分
の１ずつ埋まっている。本例においては、遮光板２ｋが
共通とされているので、図５に示したものと比較して、
一方の遮光板が不要となるため、放射線の透過効率を向
上させることができる。
を厚み方向に複数積層してなる放射線検出ユニットの縦
断面図である。放射線検出器１０”間に位置する遮光板
は共通の遮光板２ｋ（２ｊ）とする。図６に示した遮光
板２ｊ，２ｋは、その厚みの２分の１までスペーサ３内
に埋まっているので、放射線検出器１０”間に位置する
共通の遮光板２ｋ（２ｊ）が双方のスペーサ３内に２分
の１ずつ埋まっている。本例においては、遮光板２ｋが
共通とされているので、図５に示したものと比較して、
一方の遮光板が不要となるため、放射線の透過効率を向
上させることができる。
【００２３】なお、上記放射線検出器の積層数は２であ
るが、これは３以上であってもよい。
るが、これは３以上であってもよい。
【００２４】以上、説明したように、上記放射線検出器
は、放射線入射側に設けられる第１遮光板２ｊに半導体
放射線検出素子１を取り付けてなる放射線検出器１０，
１０’，１０”において、第１遮光板２ｊはアモルファ
スカーボンからなり、半導体放射線検出素子１と電気的
に導通していることを特徴とする。この放射線検出器
は、半導体放射線検出素子１の放射線出射側に設けられ
る第２遮光板２ｋを備え、第２遮光板２ｋはアモルファ
スカーボンからなり、半導体放射線検出素子１と電気的
に導通している。さらに、放射線検出器１０’，１０”
は、第１及び第２遮光板２ｊ，２ｋ間に介在する絶縁体
スペーサ３を備えている。これらの放射線検出器は十分
な検出性能を有する。
は、放射線入射側に設けられる第１遮光板２ｊに半導体
放射線検出素子１を取り付けてなる放射線検出器１０，
１０’，１０”において、第１遮光板２ｊはアモルファ
スカーボンからなり、半導体放射線検出素子１と電気的
に導通していることを特徴とする。この放射線検出器
は、半導体放射線検出素子１の放射線出射側に設けられ
る第２遮光板２ｋを備え、第２遮光板２ｋはアモルファ
スカーボンからなり、半導体放射線検出素子１と電気的
に導通している。さらに、放射線検出器１０’，１０”
は、第１及び第２遮光板２ｊ，２ｋ間に介在する絶縁体
スペーサ３を備えている。これらの放射線検出器は十分
な検出性能を有する。
【００２５】
【発明の効果】本発明の放射線検出器は、遮光板に放射
線透過性及び導電性を有するアモルファスカーボンを用
いているので、十分な検出性能を有する。
線透過性及び導電性を有するアモルファスカーボンを用
いているので、十分な検出性能を有する。
【図１】実施の形態に係る放射線検出器１０の平面図。
【図２】図１に示した放射線検出器１０のＩＩ−ＩＩ矢
印断面図。
印断面図。
【図３】別の実施の形態に係る放射線検出器１０’の平
面図。
面図。
【図４】図３に示した放射線検出器１０’のＩＶ−ＩＶ
矢印断面図。
矢印断面図。
【図５】図３及び図４に示した放射線検出器１０’を厚
み方向に複数積層してなる放射線検出ユニットの縦断面
図。
み方向に複数積層してなる放射線検出ユニットの縦断面
図。
【図６】別の実施の形態に係る放射線検出器１０”の縦
断面図。
断面図。
【図７】図６に示した放射線検出器１０”を厚み方向に
複数積層してなる放射線検出ユニットの縦断面図。
複数積層してなる放射線検出ユニットの縦断面図。
１０，１０’，１０”…放射線検出器、１…半導体放射
線検出素子、２ｊ，２ｋ…遮光板、３…スペーサ。
線検出素子、２ｊ，２ｋ…遮光板、３…スペーサ。
Claims (3)
- 【請求項１】 放射線入射側に設けられる第１遮光板に
半導体放射線検出素子を取り付けてなる放射線検出器に
おいて、前記第１遮光板はアモルファスカーボンからな
り、前記半導体放射線検出素子と電気的に導通している
ことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項２】 前記半導体放射線検出素子の放射線出射
側に設けられる第２遮光板を備え、前記第２遮光板はア
モルファスカーボンからなり、前記半導体放射線検出素
子と電気的に導通していることを特徴とする請求項１に
記載の放射線検出器。 - 【請求項３】 前記第１及び第２遮光板間に介在する絶
縁体スペーサを備えることを特徴とする請求項２に記載
の放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11494499A JP4170514B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11494499A JP4170514B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000307145A true JP2000307145A (ja) | 2000-11-02 |
| JP4170514B2 JP4170514B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=14650528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1999
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446319B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-11-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radiation detector and radiological imaging apparatus |
| JP2007155667A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 放射線検出ユニットおよび放射線検査装置 |
| EP1959274A4 (en) * | 2005-12-08 | 2016-10-05 | Sumitomo Heavy Industries | RADIATION DETECTION UNIT AND RADIATION SENSING DEVICE |
| JP2007078671A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-03-29 | Hitachi Ltd | 放射線検出モジュール、プリント基板および核医学診断装置 |
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