JP2572070B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、水平直流磁界内において、結晶成分融液に
浸した種結晶の所定面に単結晶を育成させる単結晶の製
造方法に関する。
浸した種結晶の所定面に単結晶を育成させる単結晶の製
造方法に関する。
［従来の技術］ 従来の単結晶を製造する方法としては、MCZ法（磁場
中引き上げ法）が知られており、このMCZ法によれば、
結晶成分融液の対流を抑制し得、均一な単結晶が得られ
る。
中引き上げ法）が知られており、このMCZ法によれば、
結晶成分融液の対流を抑制し得、均一な単結晶が得られ
る。
MCZ法によって、結晶成分融液の対流が抑制される理
由は次の通りである。
由は次の通りである。
磁場中で電気伝導性を有する融液、すなわち導体が運
動すると、その流体中に電位差が発生し、電流が流れ
る。そしてこの磁場中で流れる電流によって、電流を担
う流体が力を受ける。この力は流体が動く方向と反対の
方向であるので、流体の動きは鈍くなり、見かけ上粘性
があがったようになる。これは磁気粘性といわれてお
り、これが生じたことにより、流体すなわち結晶成分融
液に対流が生じにくくなる。
動すると、その流体中に電位差が発生し、電流が流れ
る。そしてこの磁場中で流れる電流によって、電流を担
う流体が力を受ける。この力は流体が動く方向と反対の
方向であるので、流体の動きは鈍くなり、見かけ上粘性
があがったようになる。これは磁気粘性といわれてお
り、これが生じたことにより、流体すなわち結晶成分融
液に対流が生じにくくなる。
通常のCZ法により製造されたシリコン単結晶中には、
1018原子/cm3程度の酸素が含まれている。この酸素は石
英製のるつぼのシリカから供給されるものであり、熱誘
起微小欠陥の原因となっている。しかし、微小欠陥対策
として、結晶中の酸素濃度を下げるのではなく、適量の
酸素を含ませることが行われており、結晶中の酸素濃度
の制御によって、酸素を析出させてウェーハ内部のみに
欠陥をつくり、この欠陥によって半導体素子製造中に発
生するウェーハ表面の微小欠陥や積層欠陥のもとになる
不純物を獲得吸着して消滅させるのである。
1018原子/cm3程度の酸素が含まれている。この酸素は石
英製のるつぼのシリカから供給されるものであり、熱誘
起微小欠陥の原因となっている。しかし、微小欠陥対策
として、結晶中の酸素濃度を下げるのではなく、適量の
酸素を含ませることが行われており、結晶中の酸素濃度
の制御によって、酸素を析出させてウェーハ内部のみに
欠陥をつくり、この欠陥によって半導体素子製造中に発
生するウェーハ表面の微小欠陥や積層欠陥のもとになる
不純物を獲得吸着して消滅させるのである。
また、結晶中の酸素濃度を制御するためには、融液を
収容するるつぼを単結晶の引き上げ操作中に回転させ、
その回転数を変化させる方法が通常用いられる。磁場の
印加により実効的粘性が高められた融液とるつぼが相対
的に回転移動し、融液とるつぼ内壁面での擦れにより、
所定量の酸素が融液に溶け込み、酸素濃度を制御し得
る。すなわち、るつぼの回転速度を速くすれば融液中の
酸素濃度が増加する。
収容するるつぼを単結晶の引き上げ操作中に回転させ、
その回転数を変化させる方法が通常用いられる。磁場の
印加により実効的粘性が高められた融液とるつぼが相対
的に回転移動し、融液とるつぼ内壁面での擦れにより、
所定量の酸素が融液に溶け込み、酸素濃度を制御し得
る。すなわち、るつぼの回転速度を速くすれば融液中の
酸素濃度が増加する。
［発明が解決しようとする問題点］ 融液とるつぼの相対的な回転移動によって、ヒータの
熱がるつぼを介して融液に伝達し易くなり、融液の温度
が上昇する。ところが、融液と単結晶との固液界面付近
の温度は単結晶引き上げに最適の温度、例えば1420゜に
制御されているので、固液界面付近における融液の垂直
方向の温度勾配ｔが高くなる。
熱がるつぼを介して融液に伝達し易くなり、融液の温度
が上昇する。ところが、融液と単結晶との固液界面付近
の温度は単結晶引き上げに最適の温度、例えば1420゜に
制御されているので、固液界面付近における融液の垂直
方向の温度勾配ｔが高くなる。
ここで、単結晶引き上げ時における単結晶に着目して
熱の出入を考える。まず、単結晶へ入って来る熱量とし
ては、融液からの伝達熱量Qtと融液が固液界面において
凝固する時の凝固熱量Qcとがあり、単結晶から出て行く
熱量としては、単結晶から外部雰囲気への放熱量Qrがあ
る。すなわち、 伝達熱量Qt＋凝固熱量Qc＝放熱量Qr となる。
熱の出入を考える。まず、単結晶へ入って来る熱量とし
ては、融液からの伝達熱量Qtと融液が固液界面において
凝固する時の凝固熱量Qcとがあり、単結晶から出て行く
熱量としては、単結晶から外部雰囲気への放熱量Qrがあ
る。すなわち、 伝達熱量Qt＋凝固熱量Qc＝放熱量Qr となる。
ここに、伝達熱量Qtは固液界面付近における融液の垂
直方向の温度勾配ｔに比例し、凝固熱量Qcは単結晶の引
き上げ速度ｖに比例する。したがって、単結晶の熱の出
入が平衡した状態、すなわち放熱量Qrが一定の状態に維
持される時、温度勾配ｔが大きければ引き上げ速度ｖを
遅くしなければならない。逆に温度勾配ｔを小さくすれ
ば、引き上げ速度ｖを速くできる。
直方向の温度勾配ｔに比例し、凝固熱量Qcは単結晶の引
き上げ速度ｖに比例する。したがって、単結晶の熱の出
入が平衡した状態、すなわち放熱量Qrが一定の状態に維
持される時、温度勾配ｔが大きければ引き上げ速度ｖを
遅くしなければならない。逆に温度勾配ｔを小さくすれ
ば、引き上げ速度ｖを速くできる。
このように、従来の技術においては、融液中の酸素濃
度を増加させるべくるつぼの回転速度を速くした時に温
度勾配ｔが大きくなるので、引き上げ速度ｖを遅くしな
ければならない。
度を増加させるべくるつぼの回転速度を速くした時に温
度勾配ｔが大きくなるので、引き上げ速度ｖを遅くしな
ければならない。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その
目的とするところは、単結晶の引き上げ速度を低下させ
ることなく、単結晶中の酸素濃度を増加させ得る単結晶
の製造方法を提供することにある。
目的とするところは、単結晶の引き上げ速度を低下させ
ることなく、単結晶中の酸素濃度を増加させ得る単結晶
の製造方法を提供することにある。
本発明によれば、前記目的は、円筒状るつぼ内の結晶
成分融液を前記るつぼの周壁を介して加熱する段階と、
前記加熱された融液に生起される対流を抑制すべく、１
対の磁界発生手段によって前記るつぼの周壁にほぼ沿っ
た形状の磁束線群を一部に含む回転対称の磁束線群を発
生させる段階と、前記磁束線群の回転対称軸が水平とな
りかつ前記融液の液面に対して相対的に上方又は下方に
位置するように前記融液に印加する段階とからなること
を特徴とする単結晶の製造方法によって達成される。
成分融液を前記るつぼの周壁を介して加熱する段階と、
前記加熱された融液に生起される対流を抑制すべく、１
対の磁界発生手段によって前記るつぼの周壁にほぼ沿っ
た形状の磁束線群を一部に含む回転対称の磁束線群を発
生させる段階と、前記磁束線群の回転対称軸が水平とな
りかつ前記融液の液面に対して相対的に上方又は下方に
位置するように前記融液に印加する段階とからなること
を特徴とする単結晶の製造方法によって達成される。
本発明の方法によれば、磁束線群の回転対称軸を融液
の液面に対して相対的に上方又は下方に位置するように
液面に印加されることにより、融液の表層部において磁
束線群の回転対称軸に平行な径方向への流れに対して磁
束線を交差させて磁気粘性力を発生させることができ
る。その結果、融液の表層部における垂直方向の温度勾
配がゆるやかになり、単結晶の引き上げ速度を高く維持
し得る。また、これとは逆に、るつぼの底部付近におけ
る径方向の流れと磁束線とはほぼ同一の方向となるた
め、流れに対して磁気粘性力はほとんど生じない。その
結果、るつぼの底部においては、融液とるつぼの相対的
な移動が促進されてるつぼの石英成分が融液に溶けやす
くなり融液中の酸素濃度が増すと共に、るつぼを介した
融液への熱伝達量が増加して融液の温度が上昇する。従
って、単結晶の引き上げ速度を低下させることなく、単
結晶中の酸素濃度を増加させ得る。
の液面に対して相対的に上方又は下方に位置するように
液面に印加されることにより、融液の表層部において磁
束線群の回転対称軸に平行な径方向への流れに対して磁
束線を交差させて磁気粘性力を発生させることができ
る。その結果、融液の表層部における垂直方向の温度勾
配がゆるやかになり、単結晶の引き上げ速度を高く維持
し得る。また、これとは逆に、るつぼの底部付近におけ
る径方向の流れと磁束線とはほぼ同一の方向となるた
め、流れに対して磁気粘性力はほとんど生じない。その
結果、るつぼの底部においては、融液とるつぼの相対的
な移動が促進されてるつぼの石英成分が融液に溶けやす
くなり融液中の酸素濃度が増すと共に、るつぼを介した
融液への熱伝達量が増加して融液の温度が上昇する。従
って、単結晶の引き上げ速度を低下させることなく、単
結晶中の酸素濃度を増加させ得る。
［具体例］ 以下に添付図面を参照して本発明の具体例について説
明する。
明する。
シリコン融液１は、半径ｒの円筒状であって底部の曲
率半径がrbである石英製るつぼ２に満たされており、る
つぼ２は炭素製のるつぼ支持部材３の中に内挿されてい
る。シリコン単結晶４は、単結晶４の下面が融液１の液
面に接するようにワイヤ５に懸吊されている。るつぼ２
は管状の伝熱ヒータ６の中に収容されており、さらにヒ
ータ６は管状の保温部材７に収容されている。また、磁
界発生手段としての半径rcの平板状の超電導磁界コイル
８の一対が低温保持手段９と共に保温部材７の両側に間
隔Ｌを置いて対向し、かつ一対のコイル８の中心線10が
融液１の液面11と高さが一致するように設けられてい
る。半径rc、半径ｒ、曲率半径rb、及び間隔Ｌを適宜に
選択することによって、コイル８の磁束線12は、るつぼ
２の周壁に沿って通過すると共にるつぼ２の底部に沿っ
て通過する。
率半径がrbである石英製るつぼ２に満たされており、る
つぼ２は炭素製のるつぼ支持部材３の中に内挿されてい
る。シリコン単結晶４は、単結晶４の下面が融液１の液
面に接するようにワイヤ５に懸吊されている。るつぼ２
は管状の伝熱ヒータ６の中に収容されており、さらにヒ
ータ６は管状の保温部材７に収容されている。また、磁
界発生手段としての半径rcの平板状の超電導磁界コイル
８の一対が低温保持手段９と共に保温部材７の両側に間
隔Ｌを置いて対向し、かつ一対のコイル８の中心線10が
融液１の液面11と高さが一致するように設けられてい
る。半径rc、半径ｒ、曲率半径rb、及び間隔Ｌを適宜に
選択することによって、コイル８の磁束線12は、るつぼ
２の周壁に沿って通過すると共にるつぼ２の底部に沿っ
て通過する。
本具体例の磁束線12の曲率半径RMとしては、 ｒ≦RM≦4r, rb≦RM≦4rb の範囲にあるのが好ましい。このような条件を満たすた
めには、半径rcが、 rc＝1.5r〜5r の範囲にあればよい。
めには、半径rcが、 rc＝1.5r〜5r の範囲にあればよい。
また、融液１の結晶化にしたがって融液１が減るので
ヒータ６による融液１の加熱温度分布が変化するのを防
止するために、融液１の液面11のヒータ６に対する垂直
方向の相対位置が一定となるようにるつぼ２をヒータ６
に対して図示しない移動手段によって移動させる。
ヒータ６による融液１の加熱温度分布が変化するのを防
止するために、融液１の液面11のヒータ６に対する垂直
方向の相対位置が一定となるようにるつぼ２をヒータ６
に対して図示しない移動手段によって移動させる。
このようにるつぼ２の周壁、及び底部に沿って通過す
る磁束線12の作用について第３図及び第４図を参照して
以下に説明する。
る磁束線12の作用について第３図及び第４図を参照して
以下に説明する。
融液１はヒータ６によって、融液１の側方から加熱さ
れるので、融液２の外周部の温度は中心部の温度より高
くなり、融液１の外周部には、対流23が発生する。一
方、単結晶４と融液１との相対回転によって、融液１の
表層部の連れ回りが生起され、これに起因して融液１の
表層部に遠心方向の流れが発生する。この遠心方向の流
れは融液１の中心部における上昇流等を発生せしめ対流
25を形成する。
れるので、融液２の外周部の温度は中心部の温度より高
くなり、融液１の外周部には、対流23が発生する。一
方、単結晶４と融液１との相対回転によって、融液１の
表層部の連れ回りが生起され、これに起因して融液１の
表層部に遠心方向の流れが発生する。この遠心方向の流
れは融液１の中心部における上昇流等を発生せしめ対流
25を形成する。
このような対流23,25に対して磁束線10を印加すれ
ば、磁束線10と対流23,25とが融液１の広範囲な領域に
わたってほぼ直交するが故に、対流23,25の流れを効果
的に抑制し得る。
ば、磁束線10と対流23,25とが融液１の広範囲な領域に
わたってほぼ直交するが故に、対流23,25の流れを効果
的に抑制し得る。
しかしながら、磁束線12の印加によって対流23,25の
流れが抑制されるものの、若干の対流23,25の流れが残
存し、このような状態では、対流23,25の上昇流及び下
降流は最も磁気粘性力が小さくなる方向、即ち磁束線12
に沿った方向に流れる。この流れは図において矢印13で
示される。
流れが抑制されるものの、若干の対流23,25の流れが残
存し、このような状態では、対流23,25の上昇流及び下
降流は最も磁気粘性力が小さくなる方向、即ち磁束線12
に沿った方向に流れる。この流れは図において矢印13で
示される。
また、コイル８の中心線10を融液１の液面11に一致さ
せ、しかも、融液１の単結晶４への結晶固化によって融
液１が減少し液面11が下がるに従って、液面11が中心線
10に一致するようにるつぼ２を上昇させると、中心線10
の近傍を通るほぼ直線状の磁束線12は、融液１の表層部
における中心線10に沿った流れ20に対して交差角度が小
さいため、流れ20に対して磁気粘性力をほとんど生じさ
せ得ない。
せ、しかも、融液１の単結晶４への結晶固化によって融
液１が減少し液面11が下がるに従って、液面11が中心線
10に一致するようにるつぼ２を上昇させると、中心線10
の近傍を通るほぼ直線状の磁束線12は、融液１の表層部
における中心線10に沿った流れ20に対して交差角度が小
さいため、流れ20に対して磁気粘性力をほとんど生じさ
せ得ない。
そこで、本具体例においては、第５図に示すように、
中心線10が融液１の液面11に対し相対的に下方に位置す
るように、コイル８を液面11に対して相対的に図示しな
い他の移動手段によって移動させ、流れ20に対しても磁
束線12を交差させる。その結果、流れ20にも磁気粘性力
を発生させ得、融液１の表層部におけるすべての径方向
の流れに対して磁気粘性力を発生させ得るが故に、融液
１の表層部における垂直方向の温度勾配ｔがゆるやかに
なる。温度勾配ｔがゆるやかになれば、単結晶４の引き
上げ速度ｖを高く維持し得る。
中心線10が融液１の液面11に対し相対的に下方に位置す
るように、コイル８を液面11に対して相対的に図示しな
い他の移動手段によって移動させ、流れ20に対しても磁
束線12を交差させる。その結果、流れ20にも磁気粘性力
を発生させ得、融液１の表層部におけるすべての径方向
の流れに対して磁気粘性力を発生させ得るが故に、融液
１の表層部における垂直方向の温度勾配ｔがゆるやかに
なる。温度勾配ｔがゆるやかになれば、単結晶４の引き
上げ速度ｖを高く維持し得る。
反対に、るつぼ２の底部においては、流れ13は磁束線
12とほぼ同一の方向に流れるため、その部分の磁気粘性
力が発生しなくなり、流れ13の抑制力がほとんど生じな
い。その結果、るつぼ２の底部においては、融液１とる
つぼ２との相対的な移動が促進されるが故に、るつぼ２
の石英成分が融液１に溶く易くなり、融液１の酸素濃度
が増加し、加えてるつぼ２の内面から融液１への熱伝達
量が増加するので融液１の温度が上昇する。
12とほぼ同一の方向に流れるため、その部分の磁気粘性
力が発生しなくなり、流れ13の抑制力がほとんど生じな
い。その結果、るつぼ２の底部においては、融液１とる
つぼ２との相対的な移動が促進されるが故に、るつぼ２
の石英成分が融液１に溶く易くなり、融液１の酸素濃度
が増加し、加えてるつぼ２の内面から融液１への熱伝達
量が増加するので融液１の温度が上昇する。
［実施例］ 第１図及び第２図に示される具体例の装置によって、
シリコン融液１の液面11に対するコイル８の垂直方向に
関する相対位置を変え、融液１の垂直方向の温度分布を
測定した結果を図６に示す。
シリコン融液１の液面11に対するコイル８の垂直方向に
関する相対位置を変え、融液１の垂直方向の温度分布を
測定した結果を図６に示す。
図６において、横軸は融液１の深さ（mm）を示し、縦
軸は融液１の温度（℃）を示す。ここで、融液１の深さ
は液面11の位置を0mmとしている。また、実線31及び○
印は、液面11に対するコイル８の相対位置±0mm、るつ
ぼ２の回転数1rpmの時の測定データを示し、実線32及び
□印は、液面11に対するコイル８の相対位置±0mm、る
つぼ２の回転数10rpmの時の測定データを示し、実線33
及び△印は、液面11に対するコイル８の相対位置−150m
m、るつぼ２の回転数3rpmの時の測定データを示す。
軸は融液１の温度（℃）を示す。ここで、融液１の深さ
は液面11の位置を0mmとしている。また、実線31及び○
印は、液面11に対するコイル８の相対位置±0mm、るつ
ぼ２の回転数1rpmの時の測定データを示し、実線32及び
□印は、液面11に対するコイル８の相対位置±0mm、る
つぼ２の回転数10rpmの時の測定データを示し、実線33
及び△印は、液面11に対するコイル８の相対位置−150m
m、るつぼ２の回転数3rpmの時の測定データを示す。
なお、本実施例において、るつぼ２の寸法は半径ｒが
406mm、曲率半径rbが450mmであり、コイル８の中心にお
ける磁束密度は0.25〜0.3テスラである。
406mm、曲率半径rbが450mmであり、コイル８の中心にお
ける磁束密度は0.25〜0.3テスラである。
換言すれば、実線32は従来の方法による結果を示し、
実線33は本具体例の方法による結果を示している。この
結果から、本具体例によって、るつぼ２の底部における
融液１の対流23,25の抑制を減少させ得るが故に、るつ
ぼ２の底部における融液１の温度を上昇させ得、加えて
融液１の表層部における対流23,25の抑制を促進するが
故に、融液１の表層部における垂直方向の温度勾配ｔを
ゆるやかにし得る。
実線33は本具体例の方法による結果を示している。この
結果から、本具体例によって、るつぼ２の底部における
融液１の対流23,25の抑制を減少させ得るが故に、るつ
ぼ２の底部における融液１の温度を上昇させ得、加えて
融液１の表層部における対流23,25の抑制を促進するが
故に、融液１の表層部における垂直方向の温度勾配ｔを
ゆるやかにし得る。
次に、本実施例において、単結晶を引き上げた結果を
表に示す。
表に示す。
本表に示される結果から、本具体例の方法によれば、
単結晶の引き上げ速度を低下させることなく、単結晶中
の酸素濃度を増加させ得る。
単結晶の引き上げ速度を低下させることなく、単結晶中
の酸素濃度を増加させ得る。
本具体例の変形例について図７を参照しながら以下に
説明する。
説明する。
融液１の結晶化にしたがって融液１が減り、液面11が
低下するので、ヒータ６による融液１の加熱温度分布が
変化するのを防止するために、融液１の液面11のヒータ
６に対する垂直方向の相対位置が一定となるようにるつ
ぼ２をヒータ６に対して相対的に図示しない移動手段に
よって上昇させる。その場合、るつぼ２の上昇に伴っ
て、コイル８とるつぼ２との垂直方向に関する相対位置
が一定となるようにコイル８を上昇させる。その結果、
融液１の表層部においては、前述と同様の理由で、融液
１の径方向のすべての流れに対して磁気粘性力を発生さ
せ得るが故に、融液１の表層部における垂直方向の温度
勾配ｔがゆるやかになり、単結晶４の引き上げ速度ｖを
高く維持し得る。加えて、るつぼ２の底部においては、
単結晶の引き上げ時に、るつぼ２の底部における融液１
の流れ13に対する磁束線12の状態を一定にし得るが故
に、引き上げられる単結晶の均一性を向上し得る。
低下するので、ヒータ６による融液１の加熱温度分布が
変化するのを防止するために、融液１の液面11のヒータ
６に対する垂直方向の相対位置が一定となるようにるつ
ぼ２をヒータ６に対して相対的に図示しない移動手段に
よって上昇させる。その場合、るつぼ２の上昇に伴っ
て、コイル８とるつぼ２との垂直方向に関する相対位置
が一定となるようにコイル８を上昇させる。その結果、
融液１の表層部においては、前述と同様の理由で、融液
１の径方向のすべての流れに対して磁気粘性力を発生さ
せ得るが故に、融液１の表層部における垂直方向の温度
勾配ｔがゆるやかになり、単結晶４の引き上げ速度ｖを
高く維持し得る。加えて、るつぼ２の底部においては、
単結晶の引き上げ時に、るつぼ２の底部における融液１
の流れ13に対する磁束線12の状態を一定にし得るが故
に、引き上げられる単結晶の均一性を向上し得る。
選択性には、液面11が低下した時に、るつぼ２及びコ
イル８を移動させずに、液面11の低下に伴って液面11と
ヒータ６との垂直方向に関する相対位置が一定となるよ
うに、ヒータ６を図示しない他の移動手段によって下降
させてもよい。
イル８を移動させずに、液面11の低下に伴って液面11と
ヒータ６との垂直方向に関する相対位置が一定となるよ
うに、ヒータ６を図示しない他の移動手段によって下降
させてもよい。
［発明の効果］ 本発明の方法によれば、磁束線群の回転対称軸を融液
の液面に対して相対的に上方又は下方に位置するように
液面に印加されることにより、融液の表層部において磁
束線群の回転対称軸に平行な径方向への流れに対して磁
束線を交差させて磁気粘性力を発生させることができ
る。その結果、融液の表層部における垂直方向の温度勾
配がゆるやかになり、単結晶の引き上げ速度を高く維持
し得る。また、これとは逆に、るつぼの底部付近におけ
る径方向の流れと磁束線とはほぼ同一の方向となるた
め、流れに対して磁気粘性力はほとんど生じない。その
結果、るつぼの底部においては、融液とるつぼの相対的
な移動が促進されてるつぼの石英成分が融液に溶けやす
くなり融液中の酸素濃度が増すと共に、るつぼを介した
融液への熱伝達量が増加して融液の温度が上昇する。従
って、単結晶の引き上げ速度を低下させることなく、単
結晶中の酸素濃度を増加させ得る。
の液面に対して相対的に上方又は下方に位置するように
液面に印加されることにより、融液の表層部において磁
束線群の回転対称軸に平行な径方向への流れに対して磁
束線を交差させて磁気粘性力を発生させることができ
る。その結果、融液の表層部における垂直方向の温度勾
配がゆるやかになり、単結晶の引き上げ速度を高く維持
し得る。また、これとは逆に、るつぼの底部付近におけ
る径方向の流れと磁束線とはほぼ同一の方向となるた
め、流れに対して磁気粘性力はほとんど生じない。その
結果、るつぼの底部においては、融液とるつぼの相対的
な移動が促進されてるつぼの石英成分が融液に溶けやす
くなり融液中の酸素濃度が増すと共に、るつぼを介した
融液への熱伝達量が増加して融液の温度が上昇する。従
って、単結晶の引き上げ速度を低下させることなく、単
結晶中の酸素濃度を増加させ得る。
第１図は本発明の方法を実施するための装置の１具体例
の略断面図、第２図は第１図のII−II断面図、第３図は
本発明の方法を実施するための装置の１具体例による融
液の流れ及び磁束線を示す略平面図、第４図は第３図の
IV−IV断面図、第５図はるつぼ及びコイルの動作状態を
示す本発明の方法を実施するための装置の１具体例の略
断面図、第６図は本発明の方法を実施するための装置の
１実施例の結果を示すグラフ、及び第７図は本発明の方
法を実施するための装置の１具体例の変形例を示す略縦
断面図である。 １……融液、２……るつぼ、４……単結晶、 ６……ヒータ、７……低温保持手段、 ８……コイル。
の略断面図、第２図は第１図のII−II断面図、第３図は
本発明の方法を実施するための装置の１具体例による融
液の流れ及び磁束線を示す略平面図、第４図は第３図の
IV−IV断面図、第５図はるつぼ及びコイルの動作状態を
示す本発明の方法を実施するための装置の１具体例の略
断面図、第６図は本発明の方法を実施するための装置の
１実施例の結果を示すグラフ、及び第７図は本発明の方
法を実施するための装置の１具体例の変形例を示す略縦
断面図である。 １……融液、２……るつぼ、４……単結晶、 ６……ヒータ、７……低温保持手段、 ８……コイル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−27682（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−78184（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−60191（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】円筒状るつぼ内の結晶成分融液を前記るつ
ぼの周壁を介して加熱する段階と、前記加熱された融液
に生起される対流を抑制すべく、１対の磁界発生手段に
よって前記るつぼの周壁にほぼ沿った形状の磁束線群を
一部に含む回転対称の磁束線群を発生させる段階と、前
記磁束線群の回転対称軸が水平となりかつ前記融液の液
面に対して相対的に上方又は下方に位置するように前記
融液に印加する段階とからなることを特徴とする単結晶
の製造方法。 - 【請求項２】前記印加する段階は、前記回転対称軸が前
記融液の液面に対して相対的に下方に位置するように前
記磁束線群を前記融液に印加する段階からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項３】前記印加する段階は、前記回転対称軸が前
記融液の液面に対して相対的に上方に位置するように前
記磁束線群を前記融液に印加する段階からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62180392A JP2572070B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62180392A JP2572070B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424090A JPS6424090A (en) | 1989-01-26 |
| JP2572070B2 true JP2572070B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16082433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62180392A Expired - Fee Related JP2572070B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572070B2 (ja) |
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| JP3520883B2 (ja) * | 1995-12-29 | 2004-04-19 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
| JP2006069841A (ja) | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Sumco Corp | 磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法 |
| KR100840751B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2008-06-24 | 주식회사 실트론 | 고품질 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법, 성장 장치 및그로부터 제조된 잉곳 , 웨이퍼 |
| JP5145176B2 (ja) * | 2008-09-11 | 2013-02-13 | コバレントマテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ装置及びシリコン単結晶引上げ方法 |
| NO346364B1 (en) | 2018-04-25 | 2022-06-27 | Autostore Tech As | Container handling vehicle with first and second sections and battery in second section, and system. |
| US12188153B2 (en) * | 2020-03-17 | 2025-01-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single-crystal pulling apparatus with saddle-shaped superconducting coils and single-crystal pulling method |
| DE112021005918T5 (de) * | 2020-11-10 | 2023-08-31 | Sumco Corporation | Einkristallherstellungsverfahren, magnetfeldgenerator undeinkristallherstellungsvorrichtung |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027682A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
| JPS6033292A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶半導体の製造方法 |
| JPS6036392A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-25 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
| JPS6051691A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Toshiba Corp | 単結晶半導体育成装置 |
| JPS61186282A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-19 | Toshiba Corp | 単結晶の製造方法 |
| JPS61286294A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-16 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
| JPS621357A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toshiba Corp | 読取装置 |
| JPS6270286A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-31 | Toshiba Corp | 単結晶製造装置 |
| JPS6278184A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | Toshiba Corp | 単結晶育成装置 |
| JPH0822797B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1996-03-06 | 住友金属工業株式会社 | 結晶成長方法 |
-
1987
- 1987-07-20 JP JP62180392A patent/JP2572070B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6424090A (en) | 1989-01-26 |
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